專利名稱：用于運輸電子部件的蓋帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于運輸電子部件的蓋帶，所述蓋帶覆蓋用于安放電子部件的載帶。
背景技術(shù)：
通常，完全制造好的半導體集成電路(IC)芯片、模塊，或其他微小的電子部件安放在載帶上，用蓋帶密封并且隨后運輸?shù)剿璧攸c。在運輸之后，蓋帶可從載帶移除，以露出電子部件。用于小型電子部件的蓋帶和載帶比用于一般大小的零件的蓋帶和載帶小。因此，蓋帶應(yīng)易于從載帶移除，以便防止電子部件從載帶脫離。并且，當運輸時或當移除蓋帶時，電子部件不應(yīng)附著到蓋帶。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提供一種用于運輸電子部件的蓋帶，所述蓋帶可輕松且有效地剝落以露出載帶。在常規(guī)的剝離型蓋帶的情況下，蓋帶能承受的剝力和沖擊力隨著以下各者而變化載帶的材料和表面狀態(tài)、載帶的粘合劑層的厚度和材料、涂布在粘合劑層上的起電機的類型和密度、附著過程中的溫度和壓力、附著電子部件的狀態(tài)以及操作者所使用的操作方法。這樣，通常，蓋帶可被切斷，或附著到載帶的電子部件可從載帶脫離，這樣導致制造生產(chǎn)率的降低。然而，在根據(jù)本發(fā)明的剝離型蓋帶的情況下，蓋帶能承受的剝力和沖擊只取決于基底與粘合劑層之間相對均勻的剪力，因此，可通過將微小均勻的力施加到蓋帶而暴露載帶。因此，可防止電子部件從載帶脫離，電子部件可能不會暴露到粘合劑層，因此可能不附著到蓋帶，由于均勻穩(wěn)定的剪力，可減少蓋帶的切斷，并且因此，可實現(xiàn)制造生產(chǎn)率的提高。技術(shù)解決方案根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于運輸電子部件的蓋帶，所述蓋帶覆蓋用于安放電子部件的載帶并且包含基底，所述基底包括在一個方向上延伸的基膜層，在基膜層的正面上形成的粘合劑層，以及從基底的兩個側(cè)端向內(nèi)切入的剝離引導部分；以及掩膜層，所述掩膜層形成于面對安放電子部件的載帶的區(qū)的粘合劑層的區(qū)上，從而露出附著到?jīng)]有安放電子部件的載帶的區(qū)的粘合劑層的區(qū)。剝離引導部分可在附著到?jīng)]有安放電子部件的載帶的區(qū)的基底的區(qū)中切入。剝離引導部分可不在面對安放電子部件的載帶的區(qū)的基底的區(qū)中形成。蓋帶可還包含形成于基膜層的背面上的抗靜電層。蓋帶可還包含形成于掩膜層上的抗靜電層。有利效果
根據(jù)本發(fā)明，一種用于運輸電子部件的蓋帶可包含形成于粘合劑層上的掩膜層，從而防止電子部件附著到蓋帶。并且，所述蓋帶可包含形成于蓋帶的基底中的剝離引導部分，從而防止當剝離蓋帶時電子部件從載帶脫離。因此，蓋帶可輕松且有效地剝落以露出載帶，并且因此可提高可靠性。


圖I為根據(jù)本發(fā)明實施例的用于運輸電子部件的蓋帶的示意圖。圖2為沿著圖I的線II-II'截取的截面圖。圖3到圖7為根據(jù)本發(fā)明實施例的用于運輸電子部件的蓋帶的各種剝離引導部分的俯視圖。 圖8為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于運輸電子部件的蓋帶的截面圖。圖9為透視圖，所示為將圖8中所圖示的蓋帶從用于運輸電子部件的載帶剝離的操作。
具體實施例方式圖I為根據(jù)本發(fā)明的一項實施例的用于運輸電子部件的蓋帶100的透視圖。圖2是沿著圖I的線ii-ir截取的截面圖。參考圖I和圖2，蓋帶100包含在一個方向(Y方向)上延伸的基膜層110，以及形成于基膜層110正面上的粘合劑層120?；?10和粘合劑層120被認為是基底115。剝離引導部分I2從基底115的兩個側(cè)端向內(nèi)形成。剝離引導部分I2與掩膜層130一起引導蓋帶100的剝離。更詳細地說，剝離引導部分I2是通過切入附著到?jīng)]有安放電子部件的載帶(未圖示)的區(qū)A的基底115的區(qū)A而形成，并且不形成于面對安放電子部件的載帶的區(qū)B的基底115的區(qū)B中。在此實施例中，剝離引導部分I2在剝落蓋帶100以露出載帶的方向(Y方向)上，從基底115的兩個側(cè)端(X和-X方向)向內(nèi)對角地切入。兩個或兩個以上剝離引導部分I2可以按相等的間隔在基底115的兩個側(cè)端中的每個側(cè)端中形成。剝離引導部分I2的各種形式和排列方式將在稍后參考圖3到圖7來描述?；?10可形成為矩形柔性固體膜，形成材料例如聚酯、尼龍、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯或聚丙烯。并且，可形成一個或多個基膜層110。粘合劑層120可由以50°C到300°C，更確切地說，以80°C到200°C烘焙的樹脂形成。因此，如果粘合劑層120用以上溫度加熱，那么粘合劑層120可附著到載帶。粘合劑層120可由熱塑性樹脂形成，例如基于乙烯-醋酸乙烯、聚乙烯、聚丙烯或聚烯烴的共聚物。除了在加熱時具有粘合劑特性的材料，粘合劑層120還可由自粘材料形成。然后，在粘合劑層120上形成掩膜層130。在這種情況下，掩膜層130在面對安放電子部件的載帶的區(qū)B的粘合劑層120的區(qū)B上形成，從而露出附著到?jīng)]有安放電子部件的載帶的區(qū)A的粘合劑層120的區(qū)A。掩膜層130可形成于粘合劑層120上以及粘合劑層120與電子部件之間，使得粘合劑層120不與電子部件接觸。因此，安放電子部件的載帶的兩個側(cè)端接觸粘合劑層120，并且掩膜層130可在安放電子部件的載帶的區(qū)B上形成。掩膜層130可在粘合劑層120上形成，以覆蓋安放電子部件的載帶的區(qū)B。在這種情況下，掩膜層130可在粘合劑層120上形成以至少露出粘合劑層120中被施加了熱的區(qū)P1和P2。當將熱施加到區(qū)P1和P2時，粘合劑層120的區(qū)P1和P2可附著到載帶。粘合劑層120可形成為單個層或多個層。掩I旲層130可形成為固體薄I旲并且厚度可為2 U m到200 U m。掩I旲層130可由例如聚酯、尼龍、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯或聚丙烯等材料形成。掩膜層130可由耐熱材料形成。如果粘合劑層120由熱塑性樹脂形成，那么熱塑性樹脂的熔點可高于用于粘合的加熱溫度。例如，如果粘合劑層120由以50°C到300°C烘焙的樹脂形成，那么形成掩膜層130的樹脂的熔點至少高于200°C。掩膜層130可形成為單個層或多個層。圖3到圖7為根據(jù)本發(fā)明實施例的用于運輸電子部件的蓋帶的各種剝離引導部分的俯視圖。在圖3到圖7中，剝離引導部分在基底中形成，并且基膜層、粘合劑層以及掩膜層與圖I和圖2或稍后描述的圖8和圖9中所圖示的是一樣的。
并且，剝離引導部分在面對沒有安放電子部件的載帶的區(qū)的基底的區(qū)中形成，SP，在與載帶基膜接觸的基底的區(qū)中。也就是說，剝離引導部分不在面對安放電子部件的載帶的區(qū)的基底的區(qū)中形成。一個基底的區(qū)附著到載帶，而另一個基底的區(qū)被剝落以露出電子部件。將被剝落的基底的區(qū)對應(yīng)于上面形成了掩膜層的區(qū)。也就是說，只有上面形成了掩膜層的基底的區(qū)可選擇性地剝落。因此，掩膜層可與剝離引導部分一起引導蓋帶的剝離。剝離引導部分可通過在基膜層的正面上形成粘合劑層并且隨后以直線、對角線或曲線等各種線的形式以相等的間隔切入對應(yīng)于基底兩個側(cè)端的區(qū)而形成。然后，掩膜層在面對安放電子部件的載帶的區(qū)的粘合劑層的區(qū)上形成。因此，粘合劑層的一部分不從掩膜層中露出。例如，參考圖3，第一剝離引導部分I1在基底的兩個側(cè)端中形成。第一剝離引導部分I1在與剝落蓋帶以露出載帶的方向相反的方向(-Y方向)上，從基底的兩個側(cè)端(X和-X方向)向內(nèi)對角地切入。多個第一剝離引導部分I1以相等的間隔在基底的兩個側(cè)端中的每個側(cè)端中形成，使得形成于一端中的第一剝離引導部分I1對應(yīng)于形成于另一端中的第一剝離引導部分I:。作為另一實例，參考圖4，第二剝離引導部分I2'是從圖I所圖示的剝離引導部分I2修改而成，并且從基底的兩個側(cè)端向內(nèi)(X和-X方向)直線地切入并且隨后在剝落蓋帶以露出載帶的方向(Y方向)上對角地切入。參考圖5，第三剝離引導部分13在乂和-X方向上從基底的兩個側(cè)端向內(nèi)直線地切入。第三剝離引導部分I3以相等的間隔在基底中直線地形成。作為另一實例，參考圖6，第四剝離引導部分I4以不等號“〈”和“〉”的形式從基底的兩個側(cè)端向內(nèi)切入。參考圖7，第五剝離引導部分I5在與圖3所圖示的第一剝離引導部分I1相同的方向上切入，但是按照曲線的形式而不是直線。圖8為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于運輸電子部件的蓋帶101的截面圖。圖9為示意圖，所示為將圖8中所圖示的蓋帶101剝離以露出用于運輸電子部件的載帶210的操作。參考圖8和圖9，蓋帶101包含在一個方向上延伸的基膜層110，以及形成于基膜層110正面上的粘合劑層120。基膜層110和粘合劑層120被認為是基底115。然后，掩膜層130在粘合劑層120的區(qū)B上形成以露出粘合劑層120的區(qū)A。并且，在掩膜層130上形成抗靜電層140。基底115的剝離引導部分I2以及粘合劑層120的區(qū)A和區(qū)B與以上關(guān)于圖I和圖2描述的相同。根據(jù)當前實施例，通過進一步在掩膜層130上形成抗靜電層140用于覆蓋安放在載帶上的電子部件300，可防止微小的電子部件300的損壞或脫離。也就是說，電子部件300可有效地運輸。并且，通過在掩膜層130上形成抗靜電層140，而不是直接在粘合劑層120上形成，可防止粘合劑層120的密封力的減小。這樣，可最大程度上防止靜電。如果抗靜電層140涂布在粘合劑層120的正面上，那么粘合劑層120的密封力將由于表面活性劑而減小，所述表面活性劑是抗靜電劑的基礎(chǔ)材料。如果涂布低密度的抗靜電劑來防止以上問題，那么電子部件300可能會由于當剝落蓋帶100以露出載帶210時所產(chǎn)生的靜電而從載帶210脫離。然而，如果抗靜電層140在掩膜層130上形成，那么密封力可能不會減小并且可在最大程度上防止靜電?？轨o電層140可由表面活性劑、導電聚合物、氧化錫(Sn)、氧化鋅(Zn)或氧化鈦(Ti)等材料形成。并且，抗靜電層140可形成為單個層或多個層。
盡管抗靜電層140在圖8和圖9中是在掩膜層130的正面上形成，但是當前實施例不限于此并且抗靜電層140可在掩膜層130的一個區(qū)上形成以覆蓋電子部件300，或可形成以覆蓋掩膜層130。并且，盡管在圖8和圖9中未圖示，但是抗靜電層140可進一步在上面沒有形成粘合劑層120的基膜層110背面上形成。如圖9所圖示，用于安放電子部件300的安放區(qū)220以凹和凸結(jié)構(gòu)或開放結(jié)構(gòu)在載帶210中形成，并且電子部件300安放在安放區(qū)220中。然后，蓋帶101覆蓋并且附著到載帶210的頂面。在蓋帶101中，粘合劑層120在基膜層110的正面上形成，并且掩膜層130和抗靜電層140相繼在粘合劑層120的區(qū)B上形成，以露出粘合劑層120的區(qū)A。粘合劑層120的區(qū)B包含用于覆蓋安放區(qū)220的區(qū)，更確切地說，用于覆蓋電子部件300的區(qū)。粘合劑層120的區(qū)A附著到載帶210的頂面?？轨o電層140可插入電子部件300與掩膜層130之間。圖9圖示了在安放電子部件300的載帶210運輸?shù)剿枘康牡夭⑶译S后蓋帶101通過剝離裝置剝落以露出載帶210時的情況。蓋帶101可在箭頭的方向上提起而剝落以露出載帶210,并且所露出的電子部件300可運輸尚開載帶210。在這種情況下，不是整個蓋帶101，而是只有蓋帶101中對應(yīng)于電子部件300的區(qū)B可選擇性地剝落。由于掩膜層130和剝離引導部分I2引導蓋帶101的剝離，因此只有蓋帶101中不附著到載帶210的區(qū)B可選擇性地剝落。這樣，當剝落蓋帶101時，由于均勻的剪力，可防止電子部件300從載帶210脫離。在根據(jù)當前實施例的蓋帶101中，通過將掩膜層130插入電子部件300與粘合劑層120之間，即使在用船舶等運輸電子部件300時在高溫環(huán)境中粘合劑層120的粘合力增力口，也可防止電子部件300附著到粘合劑層120。并且，通過在電子部件300上形成抗靜電層140，可防止電子部件300由于靜電而被損壞。因此，蓋帶101可提高運輸可靠性。雖然已參考示范性實施例對本發(fā)明做了詳細展示和描述，但所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將了解，在不違背權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明的形式和細節(jié)做出各種改變。100 :蓋帶110 :基膜層120 :粘合劑層130 :掩膜層140 :抗靜電層210 :載帶
220 :安放區(qū)300 :電子部件
權(quán)利要求
1.一種用于運輸電子部件的蓋帶，所述蓋帶覆蓋用于安放所述電子部件的載帶并且包括基底，所述基底包括在ー個方向上延伸的基膜層，在所述基膜層的正面上形成的粘合劑層，以及從所述基底的兩個側(cè)端向內(nèi)切入的剝離引導部分；以及掩膜層，所述掩膜層形成于面對安放電子部件的載帶的區(qū)的粘合劑層區(qū)區(qū)上，從而露出附著到?jīng)]有安放電子部件的載帶的區(qū)的粘合劑層的區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蓋帶，其特征在于，所述剝離引導部分在附著到?jīng)]有安放電子部件的所述載帶的區(qū)的所述基底的區(qū)中切入。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蓋帶，其特征在于，所述剝離引導部分不在面對安放所述電子部件的所述載帶的區(qū)的所述基底的區(qū)中形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蓋帶，還包括形成于所述基膜層的背面上的抗靜電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蓋帶，還包含形成于所述掩膜層上的抗靜電層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種蓋帶，所述蓋帶具有掩膜層形成于粘合劑層上以防止電子部件附著到所述蓋帶，并且具有剝離引導部分形成于所述蓋帶的基膜層上，從而促進剝落所述蓋帶并且防止所述電子部件在剝落期間脫落。因此，所述蓋帶可輕松且有效地從載帶剝落，從而提供用于運輸電子部件且提高可靠性的蓋帶。
文檔編號H05K13/02GK102834334SQ201080066064
公開日2012年12月19日 申請日期2010年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者安承培, 樸鎮(zhèn)成 申請人:安承培, 樸鎮(zhèn)成