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      一種埋容、埋阻電路板的制作方法

      文檔序號:8170960閱讀:4021來源:國知局
      專利名稱:一種埋容、埋阻電路板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及一種電路板,特別是一種采用填埋電容、填埋電阻,并將填埋電容、填埋電阻設(shè)置在絕緣PP基材內(nèi)的埋容、埋阻電路板,屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有技術(shù)中,如附圖
      I所示的電路板,包含絕緣PP基材I、普通電阻2、普通電容4 ;所述普通電阻2、普通電容4通過焊錫3固定在絕緣PP基材I上;這種電路板,普通電阻2、普通電容4設(shè)置在絕緣PP基材I的外部,容易被撞脫落,從而使電路板不能正常工作,損壞電路板,同時普通電阻2、普通電容3的固定需要使用焊錫,增加了成本
      實用新型內(nèi)容
      ·[0003]本實用新型目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提出了一種采用填埋電容、填埋電阻,并將填埋電容、填埋電阻設(shè)置在絕緣PP基材內(nèi)的埋容、埋阻電路板。為達(dá)到上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案是一種埋容、埋阻電路板,包含第一絕緣PP基材、第二絕緣PP基材、第一銅箔層、第二銅箔層、第三銅箔層、填埋電阻、第一通孔、第一導(dǎo)通銅、絕緣套、填埋電容、第二通孔、第二導(dǎo)通銅;所述第一銅箔層設(shè)置在第一絕緣PP基材的上表面;所述第二銅箔層設(shè)置在第一絕緣PP基材的下表面;所述第二絕緣PP基材設(shè)置在第二銅箔層的下表面;所述第三銅箔層設(shè)置在第二絕緣PP基材的下表面;所述填埋電阻設(shè)置在第一銅箔層內(nèi);所述填埋電阻與第三銅箔層之間設(shè)置有第一通孔;所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)通銅;所述第一導(dǎo)通銅與第二銅箔層之間設(shè)置有絕緣套;所述第一導(dǎo)通銅使填埋電阻與第三銅箔層電連接;所述填埋電容設(shè)置在第二銅箔層內(nèi);所述填埋電容與第三銅箔層之間設(shè)置有第二通孔;所述第二通孔內(nèi)設(shè)置有第二導(dǎo)通銅;所述第二導(dǎo)通銅使填埋電容與第三銅箔層電連接。優(yōu)選的,所述填埋電阻的厚度不大于第一銅箔層的四分之三。優(yōu)選的,所述填埋電容的厚度不大于第二銅箔層的四分之三。由于上述技術(shù)方案的運用,本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點本實用新型方案采用填埋電容、填埋電阻,并將填埋電容、填埋電阻設(shè)置在絕緣PP基材中埋阻電路板,客戶端不需要貼裝普通電阻、普通電容,減少人工、焊錫,提高了生產(chǎn)效率,降低了成本;另減少了電路板面零件密度,使客戶設(shè)計的空間理更大更多;同時電路板的壽命得到提高、質(zhì)量穩(wěn)定性更好,而且電路板更輕便、簡單。
      以下結(jié)合附圖對本實用新型技術(shù)方案作進(jìn)一步說明附圖I為現(xiàn)有技術(shù)的電路板的剖視圖;附圖2為本實用新型的埋容、埋阻電路板的剖視圖;其中1、絕緣PP基材;2、普通電阻;3、焊錫;4、普通電容;10、第一絕緣PP基材;11、第二絕緣PP基材;12、第一銅箔層;13、第二銅箔層;14、第三銅箔層;15、填埋電阻;16、第一通孔;17、第一導(dǎo)通銅;18、絕緣套;19、填埋電容;20、第二通孔;21、第二導(dǎo)通銅。
      具體實施方式
      如附圖2所示為本實用新型所述的一種埋容、埋阻電路板,包含第一絕緣PP基材10、第二絕緣PP基材11、第一銅箔層12、第二銅箔層13、第三銅箔層14、填埋電阻15、第一通孔16、第一導(dǎo)通銅17、絕緣套18、填埋電容19、第二通孔20、第二導(dǎo)通銅21 ;所述第一銅箔層12設(shè)置在第一絕緣PP基材10的上表面;所述第二銅箔層13設(shè)置在第一絕緣PP基材10的下表面;所述第二絕緣PP基材11設(shè)置在第二銅箔層13的下表面;所述第三銅箔層14設(shè)置在第二絕緣PP基材11的下表面;所述填埋電阻15設(shè)置在第一銅箔層12內(nèi),所述填埋電阻15的上表面與第一銅箔層12的上表面平直;所述填埋電阻15與第三銅箔層14之間設(shè)置有第一通孔16 ;所述第一通孔16內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)通銅17 ;所述第一導(dǎo)通銅17與 第二銅箔層13之間設(shè)置有絕緣套18 ;所述第一導(dǎo)通銅17使填埋電阻15與第三銅箔層14電連接;所述填埋電容19設(shè)置在第二銅箔層13內(nèi),所述填埋電容19的上表面與第二銅箔層13的上表面平直;所述填埋電容19與第三銅箔層14之間設(shè)置有第二通孔20 ;所述第二通孔20內(nèi)設(shè)置有第二導(dǎo)通銅21 ;所述第二導(dǎo)通銅21使填埋電容19與第三銅箔層14電連接;所述填埋電阻15的厚度不大于第一銅箔層12的四分之三;所述填埋電容19的厚度不大于第二銅箔層13的四分之三。當(dāng)然,填埋電容19也可以設(shè)置在第一銅箔層12內(nèi),而填埋電阻15同時設(shè)置在第二銅箔層13。本實用新型方案采用填埋電容、填埋電阻,并將填埋電容、填埋電阻設(shè)置在絕緣PP基材中埋阻電路板,客戶端不需要貼裝普通電阻、普通電容,減少人工、焊錫,提高了生產(chǎn)效率,降低了成本;另減少了電路板面零件密度,使客戶設(shè)計的空間理更大更多;同時電路板的壽命得到提高、質(zhì)量穩(wěn)定性更好,而且電路板更輕便、簡單。以上僅是本實用新型的具體應(yīng)用范例,對本實用新型的保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術(shù)方案,均落在本實用新型權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種埋容、埋阻電路板,其特征在于包含第一絕緣PP基材、第二絕緣PP基材、第一銅箔層、第二銅箔層、第三銅箔層、填埋電阻、第一通孔、第一導(dǎo)通銅、絕緣套、填埋電容、第二通孔、第二導(dǎo)通銅;所述第一銅箔層設(shè)置在第一絕緣PP基材的上表面;所述第二銅箔層設(shè)置在第一絕緣PP基材的下表面;所述第二絕緣PP基材設(shè)置在第二銅箔層的下表面;所述第三銅箔層設(shè)置在第二絕緣PP基材的下表面;所述填埋電阻設(shè)置在第一銅箔層內(nèi);所述填埋電阻與第三銅箔層之間設(shè)置有第一通孔;所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)通銅;所述第一導(dǎo)通銅與第二銅箔層之間設(shè)置有絕緣套;所述第一導(dǎo)通銅使填埋電阻與第三銅箔層電連接;所述填埋電容設(shè)置在第二銅箔層內(nèi);所述填埋電容與第三銅箔層之間設(shè)置有第二通孔;所述第二通孔內(nèi)設(shè)置有第二導(dǎo)通銅;所述第二導(dǎo)通銅使填埋電容與第三銅箔層電連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的埋容、埋阻電路板,其特征在于所述填埋電阻的厚度不大于第一銅箔層的四分之三。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的埋容、埋阻電路板,其特征在于所述填埋電容的厚度不大于第二銅箔層的四分之三。
      專利摘要本實用新型涉及一種埋容、埋阻電路板,第一銅箔層與第二銅箔層之間設(shè)置在第一絕緣PP基材;第二銅箔層與第三銅箔層之間設(shè)置有第二絕緣PP基材;填埋電阻設(shè)置在第一銅箔層內(nèi);填埋電阻與第三銅箔層之間設(shè)置有第一導(dǎo)通銅;所述第一導(dǎo)通銅使填埋電阻與第三銅箔層電連接;所述填埋電容設(shè)置在第二銅箔層內(nèi);所述填埋電容與第三銅箔層之間設(shè)置有第二導(dǎo)通銅;所述第二導(dǎo)通銅使填埋電容與第三銅箔層電連接;本實用新型方案采用填埋電容、填埋電阻,并將填埋電容、填埋電阻設(shè)置在絕緣PP基材中埋阻電路板,客戶端不需要貼裝普通電阻、普通電容,減少人工、焊錫,提高了生產(chǎn)效率,降低了成本;另減少了電路板面零件密度,使客戶設(shè)計的空間理更大更多;同時電路板的壽命得到提高、質(zhì)量穩(wěn)定性更好,而且電路板更輕便、簡單。
      文檔編號H05K1/16GK202773184SQ20122042252
      公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月24日
      發(fā)明者汪海洋, 巴超 申請人:蘇州市三生電子有限公司
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