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      一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法

      文檔序號(hào):8074709閱讀:599來(lái)源:國(guó)知局
      一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法,屬于微納加工領(lǐng)域。首先將(100)單晶硅片清洗、干燥后,利用離子濺射鍍膜方法在硅片上沉積金屬金;然后在室溫下配制氫氟酸和雙氧水的混合溶液,將鍍金后的硅片正面朝上置于溶液中,濕法刻蝕所需時(shí)間;最后將硅片取出,立即用異丙醇沖洗,利用氮?dú)獯蹈?,得到硅納米線結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的方法不需要高溫以及復(fù)雜的設(shè)備,在常溫下就可以制備大面積的硅納米線結(jié)構(gòu),其工藝流程簡(jiǎn)單,成本低廉,并且納米線的尺寸可調(diào)。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】—種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種硅納米線陣列的制備方法,屬于微納加工領(lǐng)域。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,一維納米結(jié)構(gòu)例如納米線和納米管引起了研究者的極大興趣,硅納米線在存儲(chǔ)材料、量子限制效應(yīng)、納米半導(dǎo)體材料、以及生化傳感器中有著廣泛的應(yīng)用。
      [0003]如今的硅納米線制備方法主要有:化學(xué)氣相沉積(CVD),脈沖激光燒蝕法(Laserablation),物理蒸發(fā)法(Physical evaporation),金屬輔助化學(xué)刻蝕(Metal assistedchemical etching)等。但這些方法有諸多不利因素,如需要高溫環(huán)境、復(fù)雜的設(shè)備與模板設(shè)計(jì)以及較長(zhǎng)的合成時(shí)間等等。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明的目的是提供一種新的制備硅納米線的方法,不需要高溫、復(fù)雜的設(shè)備和模板,可以大面積制備硅納米線結(jié)構(gòu)。
      [0005]本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
      [0006]a)將(100)單晶硅片于RCA (氨水:雙氧水:水=1:1:5)溶液中清洗,加熱到80攝氏度后半小時(shí)取出,在干燥后的單晶硅片上利用離子濺射鍍膜方法鍍上厚度為5-10nm的金,通過(guò)濺射不同厚度的金,得到不同大小的金顆粒;
      [0007]b)在室溫下配制氫氟酸和雙氧水的混合溶液,其中m (HF):m (H2O2):m (H2O)=17:5:90,將鍍金后的硅片正·面朝上置于溶液中,濕法刻蝕所需時(shí)間;
      [0008]c)將硅片取出,立即用異丙醇沖洗,利用氮?dú)獯蹈?,得到硅納米線結(jié)構(gòu)。
      [0009]相比現(xiàn)有技術(shù)中的制備方法,本發(fā)明的方法具有以下有益效果:(I)不需要高溫以及復(fù)雜的設(shè)備,常溫下可以制備;(2)工藝流程簡(jiǎn)單,成本低廉;(3)不需要制作模板,得到的硅納米線面積可達(dá)硅片尺寸,并且納米線的尺寸可調(diào)。
      【專(zhuān)利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0010]圖1為本發(fā)明的制備流程圖,其中,1-硅襯底;2-納米金顆粒;3-氫氟酸雙氧水混合溶液。
      [0011]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2制得的硅納米線側(cè)面電鏡照片。
      【具體實(shí)施方式】
      [0012]實(shí)施例1
      [0013]如圖1所示,本發(fā)明的制備流程如下:
      [0014]a)首先使用RCA(氨水:雙氧水:水=1:1:5)溶液清洗硅襯底1,襯底的清潔度直接影響到后續(xù)納米結(jié)構(gòu)的制備質(zhì)量,該配比的溶液能夠較好地去除襯底上的雜物和油污等。然后加熱到80攝氏度后半小時(shí)取出硅襯底I,利用離子濺射鍍膜方法在襯底上濺射IOnm的Au,形成納米金顆粒2。通過(guò)濺射不同厚度的金,得到不同大小的金顆粒。此處如果濺射過(guò)厚的金,金顆粒會(huì)連結(jié)在一起,于是不能很好地向下刻蝕,如果濺射過(guò)薄的金,刻蝕速率會(huì)比較慢。
      [0015]b)配制氫氟酸、雙氧水與水的質(zhì)量比為17:5:90的溶液3 (其中,HF的濃度為40%,H2O2的濃度為30%)。HF與H2O2質(zhì)量比過(guò)高或過(guò)低都不利于結(jié)構(gòu)以合適的速率生長(zhǎng),該數(shù)值比為最佳的生長(zhǎng)條件。
      [0016]c)將濺射鍍金的硅片正面朝上,置于配好的溶液3中進(jìn)行酸刻,金作為催化劑,進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng),3分鐘后取出,得到3um高的硅納米線。
      [0017]實(shí)施例2
      [0018]a)在RCA清洗過(guò)的(100)硅片上濺射IOnm Au ;
      [0019]b)配制氫氟酸、雙氧水與水的質(zhì)量比為17:5:90的溶液3,(HF40%, H20230%);
      [0020]c)將濺射鍍金的硅片正面朝上,置于溶液3中進(jìn)行酸刻,6分鐘后取出,得到6um聞的娃納米線。
      [0021]實(shí)施例3
      [0022]a)在RCA清洗過(guò)的(100)硅片上濺射5nm Au ;
      [0023]b)配制氫氟酸、雙氧水與水的質(zhì)量比為17:5:90的溶液3,(HF40%, H20230%);
      [0024]c)將濺射鍍金的硅片正面朝上,置于溶液3中進(jìn)行酸刻,6分鐘后取出,得到5um聞的娃納米線。
      【權(quán)利要求】
      1.一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法,其特征在于,制備步驟如下: a)將(100)單晶硅片清洗、干燥后,利用離子濺射鍍膜方法在硅片上沉積金屬金; b)在室溫下配制氫氟酸和雙氧水的混合溶液,將鍍金后的硅片正面朝上置于溶液中,濕法刻蝕所需時(shí)間; c)將硅片取出,立即用異丙醇沖洗,利用氮?dú)獯蹈?,得到硅納米線結(jié)構(gòu)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法,其特征在于,所述步驟a)中,單晶硅片使用氨水:雙氧水:水=1:1:5的溶液清洗后,加熱到80攝氏度后半小時(shí)取出。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法,其特征在于,所述金的厚度為5-10nm。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用濺射沉積金屬制備硅納米線的方法,其特征在于,所述步驟b)中,氫氟酸 和雙氧水的混合溶液的質(zhì)量百分配比為HF:H2O2:H20=17:5:90。
      【文檔編號(hào)】C30B33/10GK103572374SQ201310542981
      【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月5日
      【發(fā)明者】胡靜, 袁長(zhǎng)勝 申請(qǐng)人:無(wú)錫英普林納米科技有限公司
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