一種oled及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，涉及一種0LED及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示技術(shù)中，有機(jī)電致發(fā)光二極管（0LED)因具有更薄、更輕、耐低溫、響應(yīng)速度 快的優(yōu)勢(shì)而備受人們的高度關(guān)注，不僅如此，0LED顯示屏還不受外形限制，可彎曲任意形 狀，成本低廉，在顯示器市場(chǎng)更具有競(jìng)爭(zhēng)力，而且一直處于上升趨勢(shì)。其中，被動(dòng)式有機(jī)電致 發(fā)光二極管（PM-0LED)主要采用行掃描方式工作，制作工藝相對(duì)較為簡(jiǎn)單，在小尺寸、低分 辨率的點(diǎn)矩陣顯示屏中應(yīng)用廣泛。PM-0LED的電阻主要包括器件的電阻和走線的電阻，由于 PM-0LED器件具有二極管特性，即器件的電阻隨著外部電壓的上升而減小，因此，對(duì)于在較 高電壓下工作的PM-0LED來(lái)說(shuō)，要想降低功耗，走線的電阻就顯得尤為重要。如果PM-0LED 的驅(qū)動(dòng)電路僅采用氧化銦錫（IT0)做走線，由于IT0的面電阻較大，導(dǎo)致走線的電阻較大， 從而增加了 0LED器件的功耗。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中MoAlMo(鉬鋁鉬）的走線結(jié)構(gòu)雖然能夠在一定程度上降低功耗，但是 走線的電阻率仍然較大，且走線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種0LED及其制作方法，降低了 0LED器件的功 耗，實(shí)現(xiàn)同步刻蝕，不會(huì)造成側(cè)蝕，降低工藝難度，簡(jiǎn)化工藝流程。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種0LED的制作方法，該0LED的制作方法包括：
[0006] 提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；
[0007] 在所述器件區(qū)形成0LED的以IT0為材料的第一電極；
[0008] 在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在所述Cu層表面 的CuNi合金保護(hù)層；
[0009] 對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電 極連接；
[0010] 在所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層以及0LED的第二電極。
[0011] 優(yōu)選的，在上述0LED的制作方法中，所述在所述走線區(qū)形成走線層包括：
[0012] 在所述走線區(qū)形成厚度范圍為3300A-3500A的所述Cu導(dǎo)電層，所述范圍包括 端點(diǎn)值；
[0013] 在所述Cu導(dǎo)電層表面形成厚度為300人-600人的所述CuNi合金保護(hù)層，所述范 圍包括端點(diǎn)值。
[0014] 優(yōu)選的，在上述0LED的制作方法中，所述對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕包括：
[0015] 在所述CuNi合金保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層；
[0016] 利用刻蝕液對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，所述刻蝕液為去離子水、雙氧水以及冰乙酸 的混合液，其體積比為300:16:9 ;
[0017] 剝離所述掩膜層。
[0018] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，在所述CuNi合金保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的 掩膜層包括：
[0019] 利用顯影液在所述CuNi合金保護(hù)層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層，所述顯影液為 氫氧化鈉溶液，其濃度為〇. 5% -0. 7%，包括端點(diǎn)值。
[0020] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，所述剝離所述掩膜層包括：
[0021] 利用剝離液對(duì)所述掩膜層進(jìn)行剝離，所述剝離液為氫氧化鈉溶液，其濃度為 5% -7%，包括端點(diǎn)值。
[0022] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，所述ITO的厚度范圍為1400A-1800A,包括 端點(diǎn)值。
[0023] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，所述第二電極為反射式電極。
[0024]本發(fā)明還提供一種OLED，其特征在于，包括：
[0025] 透明基板，包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；
[0026] 設(shè)置在所述器件區(qū)的OLED結(jié)構(gòu)，包括：位于所述器件區(qū)的第一電極、位于所述第 一電極表面的有機(jī)發(fā)光功能層以及位于所述有機(jī)發(fā)光功能層表面的第二電極，所述第一電 極材料為IT0 ;
[0027] 設(shè)置在所述走線區(qū)的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接，所述走線包 括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在所述Cu層表面的CuNi合金保護(hù)層。
[0028] 優(yōu)選的，在上述OLED中，所述Cu導(dǎo)電層的厚度為3300A-3500A,包括端點(diǎn)值；所 述CuNi合金保護(hù)層的厚度為300A-600A，包括端點(diǎn)值。
[0029] 本發(fā)明提供的OLED的制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件 區(qū)以及包圍器件區(qū)的走線區(qū)；在所述器件區(qū)形成OLED的以IT0為材料的第一電極；在所述 走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在Cu層表面的CuNi合金保護(hù)層； 對(duì)所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接；在 所述第一電極表面依次形成有機(jī)發(fā)光功能層以及OLED的第二電極。
[0030] 目前，在傳統(tǒng)的制作OLED的過(guò)程中，使用三層結(jié)構(gòu)的輔助金屬M(fèi)oAlMo作為走線， 由于金屬A1與IT0接觸電阻較大，通過(guò)使用金屬M(fèi)o作為緩沖層，來(lái)降低A1與IT0之間的接 觸電阻。本發(fā)明中提供的Cu導(dǎo)電層的導(dǎo)電性能比A1好，能夠降低器件功耗，而且其與IT0 的接觸電阻比A1與IT0之間的接觸電阻更小，所以無(wú)需增加金屬M(fèi)o來(lái)降低接觸電阻，在結(jié) 構(gòu)上去掉了傳統(tǒng)制作OLED技術(shù)中用來(lái)降低Cu導(dǎo)電層與IT0層接觸電阻的緩沖層，簡(jiǎn)化走 線結(jié)構(gòu)。且采用CuNi合金保護(hù)層，其與Cu導(dǎo)電層的刻蝕速度相近，可以實(shí)現(xiàn)同步刻蝕。
【附圖說(shuō)明】
[0031] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù) 提供的附圖獲得其他的附圖。
[0032] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的一種MoAlMo走線的側(cè)視圖；
[0033] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED制作方法流程圖；
[0034] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED走線層的側(cè)視圖；
[0035] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED基板的俯視圖；
[0036] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED走線的側(cè)視圖；
[0037] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種設(shè)置在器件區(qū)的0LED結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0039] 請(qǐng)參考圖1，傳統(tǒng)的PM-0LED通常選用輔助金屬M(fèi)oAlMo來(lái)制作走線。首先在玻璃 基板101的表面形成一定厚度的導(dǎo)電金屬I(mǎi)T0102,之后在導(dǎo)電金屬I(mǎi)T0102的表面依次形 成一層金屬M(fèi)o層103、金屬A1層104和金屬M(fèi)o層105,形成以金屬A1層104為中間層的 三明治結(jié)構(gòu)，其中，起主要導(dǎo)電作用的是金屬A1層104,底層的金屬M(fèi)o層103作為緩沖層， 起到降低金屬A1層104和IT0102之間的接觸電阻的作用，頂層的金屬M(fèi)o層105作為保護(hù) 層，制作過(guò)程中防止金屬A1層104被氧化和腐蝕。然而，由于輔助金屬M(fèi)oAlMo的面電阻過(guò) 高，導(dǎo)致器件的功耗較大，由于A1與IT0接觸電阻較大，必須使用Mo做緩沖層來(lái)降低接觸 電阻，導(dǎo)致走線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
[0040] 為解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種0LED的制作方法，參考圖2,圖2為本 發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED制作方法流程圖，所述流程圖包括：
[0041] 步驟S1 :提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍器件區(qū)的走線區(qū)。
[0042] 所述透明基板可以為透明玻璃基板，當(dāng)0LED發(fā)光時(shí)，用于透光。
[0043] 步驟S2 :在所述器件區(qū)形成0LED的以IT0為材料的第一電極。
[0044] 可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜等方式在所述器件區(qū)形成厚度范圍為 1400人-1800人的IT0層，包括端點(diǎn)值，具有較好的導(dǎo)電作用，通過(guò)位于器件區(qū)的IT0層進(jìn) 行刻蝕形成第一電極。
[0045] 步驟S3 :參考圖3,在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層301以 及覆蓋于Cu導(dǎo)電層301表面的CuNi合金保護(hù)層302。為了保證走線與第一電極通過(guò)搭接 實(shí)現(xiàn)電連接，在步驟S2中形成第一電極時(shí)，形成在透明基板101的器件區(qū)的IT0層102也 覆蓋走線區(qū)，走線層形成在位于走線區(qū)的IT0層102的表面。
[0046] 在該步驟中，當(dāng)傳統(tǒng)走線MoAlMo的厚度為3500A-4000A時(shí)，其面電阻為〇.2Q/ 口，抗氧化抗腐蝕能力差，而厚度為3300人-3500入Cu和CU合金的面電阻只有〇. 08D/ 口，而且其抗氧化抗腐蝕的能力強(qiáng)。因此，在走線區(qū)厚度范圍優(yōu)選為3300A-350〇A49Cu 導(dǎo)電層301可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜的方式形成于IT0層102的表面，所述范 圍包括端點(diǎn)值，在此厚度范圍內(nèi)，器件的導(dǎo)電性能優(yōu)良；同樣，在Cu導(dǎo)電層301表面可以通 過(guò)化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜的方式形成厚度范圍優(yōu)選為300A-600A的CuNi合金保護(hù) 層302,所述范圍包括端點(diǎn)值，在此厚度范圍內(nèi)，能夠更好的保護(hù)Cu導(dǎo)電層301不被氧化和 腐蝕。
[0047] 由于Cu導(dǎo)電層301的電阻率低于傳統(tǒng)走線A1導(dǎo)電層104的電阻率，具有較好的 導(dǎo)電性能，而且其與ITO的接觸電阻小，無(wú)需在Cu導(dǎo)電層301和ITO之間增加降低接觸電 阻的中間層，簡(jiǎn)化了走線結(jié)構(gòu)。選用活潑性相近的CuNi合金保護(hù)層302,防止了Cu導(dǎo)電層 301被氧化和腐蝕。
[0048] 步驟S4 :如圖4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED基板200的俯視圖，對(duì) 所述走線層進(jìn)行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線203,走線203的第一端與第一電極102連接，第 二端用于與電路板連接，此外，在走線區(qū)202還包括用于和OLED第二電極連接的走線204， 走線204的第二端用于與電路板連接。參考圖5,圖5為一種OLED走線側(cè)視圖，即對(duì)走線層 刻蝕之后形成走線的側(cè)視圖。