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      一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板及其制備方法

      文檔序號(hào):2596591閱讀:237來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,它特別涉及有機(jī)發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱OLED)的透明導(dǎo)電基板玻璃領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      有機(jī)發(fā)光二極管OLED是一種新的顯示器件,被譽(yù)為繼CRT和LCD的第三代顯示產(chǎn)品,是全固態(tài)化器件,耐沖壓,工作環(huán)境、溫度范圍寬,響應(yīng)速度快,可實(shí)現(xiàn)高速視頻顯示,視角寬,驅(qū)動(dòng)電壓及功耗低,制造成本低廉。透明導(dǎo)電玻璃簡(jiǎn)稱ITO玻璃。
      OLED的典型器件結(jié)構(gòu)是在透明導(dǎo)電玻璃(ITO玻璃)基板上,利用真空熱蒸發(fā)技術(shù)蒸發(fā)各有機(jī)功能層,最后蒸鍍陰極材料,其發(fā)光機(jī)理是在陰陽(yáng)極之間施加直流電壓,當(dāng)電壓超過(guò)閾值電壓時(shí),OLED就會(huì)發(fā)光。
      陽(yáng)極材料包括ITO、IZO等透明薄膜材料,陰極材料為鋁、銀、鎂等。為了敘述方便,假設(shè)陽(yáng)極材料為ITO,陰極材料為鋁。
      如圖1所示,假設(shè)有3個(gè)OLED,其中V0為施加在ITO陽(yáng)極的直流電壓,r為ITO陽(yáng)極Cr焊盤在每個(gè)OLED之間的電阻;V1、V2、V3分別為施加在OLED1、OLED2和OLED3的電壓,3個(gè)OLED通過(guò)金屬陰極接地。
      假設(shè)陽(yáng)極電壓是從右側(cè)加到陽(yáng)極上的,由于ITO存在一定電阻,而OLED本身具有內(nèi)阻。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)陽(yáng)極時(shí),ITO上就會(huì)產(chǎn)生電壓降。隨著ITO電極與陽(yáng)極Cr焊盤距離的增加(從右到左),電壓會(huì)越來(lái)越低。即靠近陽(yáng)極Cr焊盤一側(cè)的電壓大于遠(yuǎn)離陽(yáng)極Cr焊盤一側(cè)的電壓。OLED的陰極一般是金屬,電阻率很低,不存在上述問(wèn)題。但由于加在OLED各象素的電壓降不一致,這就會(huì)導(dǎo)致施加在OLED象素上的電壓降不一致,從右到左,電壓越來(lái)越低。因?yàn)镺LED是電流型器件,與無(wú)機(jī)二極管的伏安特性相似,電流與電壓呈指數(shù)關(guān)系,而發(fā)光亮度與驅(qū)動(dòng)電流成正比,所以電壓的微小變化都會(huì)使OLED的發(fā)光亮度變化很大。最終的結(jié)果就是OLED象素從右到左亮度慢慢變暗。
      如圖3所示,現(xiàn)有的ITO玻璃基板的制作工藝是在處理過(guò)的玻璃表面上1濺射ITO薄膜,經(jīng)光刻工藝形成ITO條狀電極8,再通過(guò)掩模濺射形成陽(yáng)極Cr焊盤9和陰極Cr焊盤4,并形成紫外固化窗口10;在基板上涂敷聚酰亞胺絕緣材料,經(jīng)光刻工藝形成圖3所示的陰極分離器5和隔離象素的壁障7。
      現(xiàn)有ITO玻璃基板導(dǎo)致OLED發(fā)光亮度不均勻的原因如圖1所示。
      ITO玻璃基板中ITO本身的電阻將形成電壓降,隨著ITO電極與陽(yáng)極Cr焊盤的距離的增加(從右到左),電壓會(huì)越來(lái)越低。即加在第一個(gè)象素OLED1上的陽(yáng)極電壓V1大于加在象素OLED2上的陽(yáng)極電壓V2,依此類推。由于陰極材料一般用金屬,其電阻率很低,不存在上述問(wèn)題,即加在OLED1和OLED2上的陰極電壓相等,為0v。這樣加在OLEDI和OLED2、……OLEDn的陰、陽(yáng)極電壓差就不相等。因?yàn)镺LED是電流型器件,與無(wú)機(jī)二極管的伏安特性相似,電流與電壓呈指數(shù)關(guān)系,而發(fā)光亮度與驅(qū)動(dòng)電流成正比,所以電壓的微小變化都會(huì)使OLED的發(fā)光亮度變化很大。最終的結(jié)果就是OLED象素從右到左亮度慢慢變暗。
      為了減小ITO電極上電阻較大的情況,目前一般采用在ITO電極邊緣處鑲匯流電極的方法,如圖2所示。1是玻璃基板,2為ITO條狀電極,3為匯流電極。匯流電極相當(dāng)于在ITO電極上并聯(lián)了一個(gè)小電阻,所以可減小ITO電極上的電阻。一般匯流電極采用金屬材料,如Cr-Cu,雖然Cu的電阻率較低,但考慮到器件透光開(kāi)口率問(wèn)題,匯流電極上導(dǎo)電橫截面積不能做得太大,根據(jù)歐姆定律可知電阻值與導(dǎo)電橫截面積成反比,故帶有匯流電極的ITO電極的電阻率有所降低,但改進(jìn)有限,并沒(méi)有從根本上解決問(wèn)題。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板及其制備方法,它能夠解決因ITO電極上的電壓降而造成OLED發(fā)光亮度不均勻的問(wèn)題,即采用基于本發(fā)明提供的透明導(dǎo)電玻璃基板制作的有機(jī)發(fā)光二極管OLED,具有均勻發(fā)光的特點(diǎn)。
      本發(fā)明提供的一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板,如圖5中所示,包括ITO基板玻璃1,包括在水平方向上有N個(gè)ITO條狀陽(yáng)極8,N個(gè)陽(yáng)極Cr焊盤9,N+1個(gè)用于隔離OLED像素的壁障7;在垂直方向上有M個(gè)陰極Cr焊盤4,M個(gè)紫外固化窗口10,M+1個(gè)陰極分離器5,其中,M,N均為大于1的任意自然數(shù),上述的N+1個(gè)用于隔離OLED像素的壁障7與M+1個(gè)陰極分離器5構(gòu)成了M×N個(gè)矩陣單元,所述的矩陣單元用于制作OLED像素的區(qū)域6,其特征是它還包括,M個(gè)絕緣層11、過(guò)孔12,M個(gè)絕緣層11是制作在M個(gè)陰極Cr焊盤4上面,過(guò)孔12就是在每一個(gè)絕緣層11上形成的通道;當(dāng)在蒸鍍陰極金屬材料后,每一個(gè)過(guò)孔12內(nèi)充滿陰極金屬材料,如鋁、銀、鎂等金屬,由每一個(gè)過(guò)孔12內(nèi)的陰極金屬材料組成分壓電阻R1R2R3……Rn,n為自然數(shù)。
      為了表述方便,圖5僅描述了3×6矩陣單元的情況。
      圖5中的陰極Cr焊盤4和陽(yáng)極Cr焊盤9是與電路印刷板中的驅(qū)動(dòng)芯片的連接點(diǎn);陰極分離器5是在垂直于ITO條狀陽(yáng)極8上形成的,它起到分離陰極的作用;壁障7起到隔離ITO陽(yáng)極與金屬陰極的作用。陰極分離器5和壁障7可以有效地抑制OLED器件的交叉串?dāng)_效應(yīng)。陰極分離器5和壁障7形成用于制作OLED像素的區(qū)域6。
      所述的分壓電阻R1R2R3……Rn的確定方法,即由每一個(gè)過(guò)孔注入金屬材料形成的分壓電阻設(shè)計(jì)原則是首先確定Rn,因?yàn)?公式中,Rn為串聯(lián)在陰極Cr焊盤方向上電阻,即各過(guò)孔注入金屬材料形成的電阻,n為自然數(shù),K為1條ITO條狀陽(yáng)極8的長(zhǎng)度,x為OLED象素離ITO陽(yáng)極Cr焊盤9的距離,d為ITO條狀陽(yáng)極8的寬度,R□為ITO條狀陽(yáng)極8的方阻。該公式定量描述了Rn由K,x,d,R□四個(gè)因素決定,如圖4所示,當(dāng)ITO玻璃一定的情況下,K,x,d,R□四個(gè)因素就已知,因此對(duì)于確定的ITO玻璃來(lái)說(shuō),Rn是可以知道的。OLED發(fā)光象素離ITO陽(yáng)極Cr焊盤9距離越近,所串聯(lián)的電阻就越大,隨著OLED發(fā)光象素離ITO陽(yáng)極Cr焊盤9距離的增加,其所串聯(lián)的電阻逐漸減小。
      然后,確定Sn,Sn是過(guò)孔的橫截面積,根據(jù)歐姆定律R=ρ*L/S,可知,Rn∝1/Sn,。因此通過(guò)確定Sn可以確定Rn使得各OLED兩端的電壓降Vn大致相等。
      需要說(shuō)明的是,Rn還可由在絕緣層11中的多個(gè)過(guò)孔12形成。根據(jù)電阻并聯(lián)規(guī)律,在陰極Cr焊盤4下端的絕緣層11上制作多個(gè)過(guò)孔12,通過(guò)制作多個(gè)過(guò)孔12形成的電阻的并聯(lián)組成分壓電阻Rn本發(fā)明的創(chuàng)新就是在陰極Cr焊盤4增加絕緣層11和過(guò)孔12。絕緣層11所用材料為聚酰亞胺(PI),過(guò)孔12就是一上下連通的小孔。
      本發(fā)明可以通過(guò)調(diào)節(jié)絕緣層的橫截面積和過(guò)孔的橫截面積與數(shù)目,從而確定陰極和陰極Cr焊盤之間的電阻阻值。圖5是調(diào)節(jié)PI絕緣層中過(guò)孔12的數(shù)目的示意圖,只是本發(fā)明的一種實(shí)施方法。在最后蒸鍍陰極材料時(shí),陰極通過(guò)過(guò)孔12中的金屬材料就可以與陰極Cr焊盤4連接到一起,同時(shí)過(guò)孔12中的金屬材料形成R1、R2、R3……Rn。為了實(shí)現(xiàn)施加在OLED器件的電壓大致相等,在絕緣層11中的過(guò)孔12數(shù)目必須嚴(yán)格控制,在圖5中只是個(gè)示意圖,不表明其確切數(shù)目。但在圖5中,從右到左,絕緣層11中的過(guò)孔12數(shù)目是逐漸增多的,即電阻值從右到左慢慢減小,這樣才能實(shí)現(xiàn)陰極和陰極Cr焊盤之間的電阻阻值慢慢減小。最終才能實(shí)現(xiàn),施加在OLED各象素的電壓降大致相等,提高OLED發(fā)光亮度的均勻性。
      需要說(shuō)明的是,本發(fā)明的實(shí)質(zhì)是通過(guò)在陰極Cr焊盤4增加絕緣層11和過(guò)孔12,使得像素OLED1、OLED2、……OLEDn兩端的電壓降基本保持一致,這種方法也適用于包括無(wú)壁障和陰極分離器結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電玻璃基板;本發(fā)明的透明導(dǎo)電玻璃基板,可用于有機(jī)發(fā)光二極管,也可用于液晶顯示器件(LCD)和無(wú)機(jī)電致發(fā)光顯示器件(ELD);本發(fā)明可以通過(guò)調(diào)節(jié)過(guò)孔的橫截面積、形狀與數(shù)目,從而調(diào)整陰極和陰極Cr焊盤之間的電阻阻值,圖5是調(diào)節(jié)PI絕緣層中過(guò)孔12的數(shù)目的示意圖,只是本發(fā)明的一種實(shí)施方法。
      本發(fā)明提供的一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板的制備方法,包括下面的步驟第一步,在處理過(guò)的玻璃1表面上通過(guò)濺射工藝形成ITO薄膜;第二步,經(jīng)過(guò)光刻工藝形成ITO條狀陽(yáng)極8;第三步,采用濺射工藝在ITO基板形成Cr薄膜,再利用光刻腐蝕工藝形成陽(yáng)極Cr焊盤9,陰極Cr焊盤4和紫外固化窗口10;第四步,在基板上涂敷聚酰亞胺絕緣材料;第五步,采用光刻腐蝕工藝形成圖5所示的隔離象素的壁障7和陰極分離器5;其特征是它還包括下面的工藝步驟第六步,涂敷聚酰亞胺絕緣材料,在陰極Cr焊盤4上制作絕緣層11;第七步,計(jì)算分壓電阻R1R2R3……Rn的大小,設(shè)計(jì)每一個(gè)陰極Cr焊盤4所對(duì)應(yīng)絕緣層11上過(guò)孔12的數(shù)量及每個(gè)過(guò)孔的橫截面積Sn的大??;第八步,采用套刻工藝,形成按第七步設(shè)計(jì)要求的包含過(guò)孔12的絕緣層11;經(jīng)過(guò)上述步驟后,就可以得到本發(fā)明的透明導(dǎo)電玻璃基板。
      在后續(xù)制作OLED器件工藝中,通過(guò)蒸鍍陰極金屬材料,使過(guò)孔12內(nèi)充滿陰極金屬材料,形成上述設(shè)計(jì)的陰極分壓電阻Rn。
      本發(fā)明的實(shí)質(zhì)是利用在陰極Cr焊盤4下端的絕緣層11,以及在絕緣層11上形成通道的過(guò)孔12;過(guò)孔12內(nèi)的陰極金屬材料組成如圖2所示的電阻R1、R2、R3……Rn,n為自然數(shù)(n=1,2,3……),這些電阻可以使得在像素OLED1、OLED2、……OLEDn兩端的電壓降基本保持一致,因此,像素OLED1、OLED2、OLED3……OLEDn的發(fā)光亮度就可基本一致。
      本發(fā)明創(chuàng)新為了改善OLED發(fā)光亮度的不均勻性,本發(fā)明提出一種新的方案,如圖3所示,簡(jiǎn)單地說(shuō)就是在陰極和陰極Cr焊盤之間串聯(lián)阻值不等的電阻R1R2R3……Rn,使得在像素OLED1、OLED2、……OLEDn兩端的電壓降基本保持一致。因?yàn)榧釉谙袼豋LED1上的陽(yáng)極電壓V1大于加在像素OLED2上的陽(yáng)極電壓V2,故像素OLED1陰極和陰極Cr焊盤之間的電阻R1大于像素OLED2陰極和陰極Cr焊盤之間的電阻R2。只要設(shè)計(jì)得當(dāng),使加在像素OLED1上的陽(yáng)極電壓V1和陰極電壓V4之差,和加在像素OLED2上的陽(yáng)極電壓V2和陰極電壓V5之差(像素OLED2上的電壓降)大致相等。就可使驅(qū)動(dòng)像素OLED1和像素OLED2上的電流相等,從而二者的發(fā)光亮度相同,消除了因ITO電極上的電壓降形成的OLED器件發(fā)光亮度的不均勻性問(wèn)題。
      本發(fā)明有以下優(yōu)點(diǎn)(1)采用本發(fā)明中的ITO玻璃基板的OLED,顯示屏發(fā)光亮度均勻。
      (2)本發(fā)明中的ITO基板玻璃的壁障和陰極分離器,可以大大抑制交叉串?dāng)_發(fā)光現(xiàn)象。
      (3)采用本發(fā)明中的ITO基板玻璃的OLED,有利延長(zhǎng)使用壽命。
      附圖及


      圖1為普通ITO玻璃基板導(dǎo)致OLED發(fā)光亮度不均勻性的原理圖其中有3個(gè)OLED,分別以O(shè)LED1、OLED2和OLED3表示,V0為施加在ITO陽(yáng)極的直流電壓,r為ITO陽(yáng)極Cr焊盤在每個(gè)OLED之間的電阻,V1、V2、V3分別為施加在OLED1、OLED2和OLED3的電壓,3個(gè)OLED通過(guò)金屬陰極接地;圖2帶有匯流電極的ITO玻璃基板結(jié)構(gòu)示意圖其中,1是玻璃基板,2是ITO條狀陽(yáng)極,3是匯流電極。
      圖3為現(xiàn)有的未加分壓電阻的ITO玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖其中,1是ITO基板玻璃,4是陰極Cr焊盤,5是陰極分離器,6是OLED象素,7是壁障,8是ITO陽(yáng)極,9是陽(yáng)極Cr焊盤,10是紫外固化窗口。
      圖4為本發(fā)明的ITO玻璃基板設(shè)計(jì)原理圖;圖5為本發(fā)明帶有分壓電阻的ITO玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖;其中包括1是ITO基板玻璃,4是陰極Cr焊盤,5是陰極分離器,6是OLED象素,7是壁障,8是ITO陽(yáng)極,9是陽(yáng)極Cr焊盤,10是紫外固化窗口,11是絕緣層,12是過(guò)孔。
      圖6為ITO玻璃基板陰極Cr焊盤結(jié)構(gòu)剖面圖其中,13是陰極,11是PI絕緣層,12是過(guò)孔,4是陰極Cr焊盤,7是壁障,1是基板玻璃。
      圖7也是ITO玻璃基板陰極Cr焊盤結(jié)構(gòu)剖面圖。
      其中,13是陰極,11是PI絕緣層,12是過(guò)孔,4是陰極Cr焊盤,7是壁障,1是基板玻璃。
      具體實(shí)施例方式
      實(shí)施例一、本實(shí)施例中各條陰極與陰極Cr焊盤相連處的絕緣層采用一個(gè)孔結(jié)構(gòu),每個(gè)過(guò)孔面積S的大小可以調(diào)節(jié)各個(gè)像素OLED上的壓降,使其基本相同。該種結(jié)構(gòu)的工作原理是(1)利用過(guò)孔12內(nèi)的陰極金屬材料組成如圖2所示的電阻R1、R2、R3……Rn,根據(jù)歐姆定律R=ρ*L/S,可知,Rn∝1/Sn,因此通過(guò)確定Sn可以確定Rn使得Vn(OLEDn兩端的電壓降)大致相等。
      (2)過(guò)孔12內(nèi)的陰極金屬材料組成的電阻的各電阻阻值大小是這樣確定的 實(shí)施例二、本實(shí)施例中各條陰極與陰極Cr焊盤相連處的絕緣層采用多孔結(jié)構(gòu),假定每一個(gè)過(guò)孔的橫截面積是一樣,該種結(jié)構(gòu)的工作原理是(1)利用過(guò)孔12內(nèi)的陰極金屬材料組成如圖2所示的電阻R1、R2、R3……Rn,根據(jù)并聯(lián)電阻的求和公式Rn=R0/m式中,R0為一個(gè)過(guò)孔充滿陰極金屬材料后的電阻值,m為過(guò)孔的個(gè)數(shù),可以知道,電阻的大小與過(guò)孔12的數(shù)目的多少成反比。
      實(shí)施例三、假設(shè)ITO透明導(dǎo)電玻璃基板上的ITO條狀陽(yáng)極的方阻R□為10Ω/□,ITO條狀陽(yáng)極的寬度d為50μm,長(zhǎng)度K為30mm;每個(gè)象素尺寸50μm×200μm,隔離象素的壁障尺寸50μm×50μm,則每個(gè)象素節(jié)距為250μm。
      在ITO條狀陽(yáng)極上相鄰象素之間的電阻差值為r=25050&times;10=50&Omega;]]>而在ITO條狀陽(yáng)極方向上的總電阻值為nr=30&times;10350&times;10=6000&Omega;,]]>n=30×103μm/250μm=120Rn代表第n條陰極Cr焊盤4上過(guò)孔形成的電阻值。
      即ITO條狀陽(yáng)極的總電阻值nr為6000Ω。
      如圖5所示,陽(yáng)極電壓是從右側(cè)的ITO陽(yáng)極Cr焊盤加入,假設(shè)工作時(shí)陽(yáng)極電壓V0保持10v不變,OLED導(dǎo)通時(shí)等效電阻大約為9KΩ,則施加在ITO陽(yáng)極Cr焊盤最右端的OLED驅(qū)動(dòng)電流為10v/(9000+50)Ω=1.1mA而施加在最左端OLED象素的驅(qū)動(dòng)電流為10v/(9000+1250)Ω=79μA我們知道OLED象素發(fā)光亮度與所加電壓呈指數(shù)關(guān)系,因而使用傳統(tǒng)ITO玻璃基板結(jié)構(gòu)的OLED器件在工作時(shí)亮度會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的不均勻現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明的所述方法制作的發(fā)光亮度均勻的透明導(dǎo)電玻璃基板,它的每一個(gè)像素OLED上的電壓降基本相同。
      權(quán)利要求
      1.一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板,可顯著改善顯示器件的發(fā)光亮度均勻性。其包括ITO基板玻璃(1),包括在水平方向上有N個(gè)ITO條狀陽(yáng)極(8),N個(gè)陽(yáng)極Cr焊盤(9),N+1個(gè)用于隔離OLED像素的壁障(7);在垂直方向上有M個(gè)陰極Cr焊盤(4),M個(gè)紫外固化窗口(10),M+1個(gè)陰極分離器(5),其中,M,N均為大于1的任意自然數(shù),上述的N+1個(gè)用于隔離OLED像素的壁障(7)與M+1個(gè)陰極分離器(5)構(gòu)成了M×N個(gè)矩陣單元,所述的矩陣單元用于制作OLED像素的區(qū)域(6),其特征是它還包括M個(gè)絕緣層(11)、過(guò)孔(12),M個(gè)絕緣層(11)是制作在M個(gè)陰極Cr焊盤(4)上面,過(guò)孔(12)就是在每一個(gè)絕緣層(11)上形成的通道;當(dāng)在蒸鍍陰極金屬材料后,每一個(gè)過(guò)孔(12)內(nèi)充滿陰極金屬材料,由每一個(gè)過(guò)孔(12)內(nèi)的陰極金屬材料組成分壓電阻R1R2R3.......Rn,n為自然數(shù)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板,其特征是所述的每一個(gè)過(guò)孔(12)內(nèi)充滿陰極金屬材料可以是鋁,也可以是銀,還可以鎂。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板的制備方法,包括下面的步驟第一步,在處理過(guò)的玻璃1表面上通過(guò)濺射工藝形成ITO薄膜;第二步,經(jīng)過(guò)光刻工藝形成ITO條狀陽(yáng)極(8);第三步,采用濺射工藝在ITO基板形成Cr薄膜,再利用光刻工藝形成陽(yáng)極Cr焊盤(9),陰極Cr焊盤(4)和紫外固化窗口(10);第四步,在基板上涂敷聚酰亞胺絕緣材料;第五步,采用光刻工藝形成隔離象素的壁障(7)和陰極分離器(5);其特征是它還包括下面的工藝步驟第六步,涂敷聚酰亞胺絕緣材料,在陰極Cr焊盤(4)上制作絕緣層(11);第七步,計(jì)算分壓電阻R1R2R3.......Rn的大小,設(shè)計(jì)每一個(gè)陰極Cr焊盤(4)所對(duì)應(yīng)絕緣層(11)上過(guò)孔(12)的數(shù)量及每個(gè)過(guò)孔的橫截面積Sn的大??;第八步,采用套刻工藝,形成按第七步設(shè)計(jì)要求的包含過(guò)孔(12)的絕緣層(11);經(jīng)過(guò)上述步驟后,就可以得到本發(fā)明的透明導(dǎo)電玻璃基板。在后續(xù)制作OLED器件工藝中,通過(guò)蒸鍍陰極金屬材料,使過(guò)孔(12)內(nèi)充滿陰極金屬材料,形成上述設(shè)計(jì)的陰極分壓電阻Rn;從而達(dá)到顯著改善顯示器件的發(fā)光亮度均勻性的目的。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種用于顯示器件的透明導(dǎo)電玻璃基板及其制備方法,本發(fā)明的透明導(dǎo)電玻璃基板的特征是它還包括在每個(gè)陰極Cr焊盤4上的絕緣層11,以及在每一個(gè)絕緣層11上形成的通道過(guò)孔12;當(dāng)在制作OLED器件工藝中,在蒸鍍陰極金屬材料后,就會(huì)在每一個(gè)過(guò)孔12內(nèi)內(nèi)充滿陰極金屬材料,由每一個(gè)過(guò)孔12內(nèi)的陰極金屬材料組成分壓電阻R
      文檔編號(hào)G09F9/30GK1567609SQ031353
      公開(kāi)日2005年1月19日 申請(qǐng)日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月9日
      發(fā)明者成建波, 饒海波, 陳文彬, 楊剛, 蔣泉 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)
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