專(zhuān)利名稱(chēng)：針對(duì)電致發(fā)光顯示器的缺陷發(fā)射體檢測(cè)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電致發(fā)光顯示器中的缺陷子像素的檢測(cè)。
背景技術(shù)：
作為計(jì)算、娛樂(lè)和通信用的信息顯示器，平板顯示器受到很大關(guān)注。例如，多年來(lái)已知電致發(fā)光(EL)發(fā)射體并且近來(lái)在批量生產(chǎn)的顯示設(shè)備中使用。這樣的顯示器通常采用布置在顯示基板上的多個(gè)子像素。各個(gè)子像素都包含EL發(fā)射體，并且在有源矩陣控制方案中，還包括用于驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)EL發(fā)射體的驅(qū)動(dòng)晶體管。子像素通常按照各個(gè)子像素具有行和列地址的二維陣列設(shè)置，并且具有與子像素關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)值。單個(gè)的EL子像素還能夠被用于照明應(yīng)用和用戶(hù)界面(user interface)應(yīng)用。使用包括可涂敷無(wú)機(jī)發(fā)光二極管、量子點(diǎn)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的各種發(fā)射體技術(shù)，可以制造EL子像素。通常的EL子像素包括陽(yáng)極、一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光層、以及陰極。但是，EL發(fā)射體受到可以使發(fā)射體有缺陷的故障的影響，造成所謂“暗點(diǎn)”或“死點(diǎn)”，“暗點(diǎn)”是在給定的驅(qū)動(dòng)電流或電壓下不發(fā)射與它們的相鄰點(diǎn)相同量的光，“死點(diǎn)”大致不發(fā)射光。例如，發(fā)射體的陽(yáng)極和陰極之間的短路可以提供繞過(guò)發(fā)光層的電流路徑。進(jìn)入發(fā)光層的潮氣可以損壞或毀壞這些層的發(fā)光特性。在基板或驅(qū)動(dòng)晶體管中的制造故障可以損壞或切斷驅(qū)動(dòng)晶體管和EL發(fā)射體之間的連接。對(duì)暗點(diǎn)或死點(diǎn)的檢測(cè)在制造過(guò)程中的是重要的步驟，既避免了發(fā)送有缺陷的面板，又提供了補(bǔ)償檢測(cè)到的暗點(diǎn)或死點(diǎn)的機(jī)會(huì)，并且由于故障在顯示器的使用壽命中顯現(xiàn)，因此對(duì)暗點(diǎn)或死點(diǎn)的檢測(cè)仍然非常重要。多種方案都對(duì)由于有缺陷的發(fā)射體導(dǎo)致的圖像改變進(jìn)行補(bǔ)償。例如，Chimg等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公報(bào)No. 2007/0126460描述了在制造過(guò)程中檢查面板以確定缺陷的位置并且將正常像素電連接到缺陷像素以進(jìn)行補(bǔ)償。但是，該方案既昂貴又費(fèi)時(shí)。該方案需要將相鄰的EL發(fā)射體激光焊接在一起，這使圖像質(zhì)量劣化。而且，該方案不能補(bǔ)償由于在顯示器的使用壽命中周期性地出現(xiàn)的潮氣進(jìn)入而導(dǎo)致的故障。共同轉(zhuǎn)讓給Cok的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公報(bào)No. 2006/0164407教導(dǎo)了用于補(bǔ)償缺陷子像素的多種方法。但是，該公開(kāi)教導(dǎo)了測(cè)量各個(gè)子像素的光輸出以確定哪些子像素是有缺陷的。除了在受到控制的制造條件以外，這很難做到。因此，僅可以由復(fù)制那些制造條件的特殊裝備來(lái)補(bǔ)償顯示器的使用壽命中出現(xiàn)的故障。Trujillo等人的美國(guó)專(zhuān)利No. 7，474，115教導(dǎo)了使用紅外相機(jī)來(lái)測(cè)量顯示設(shè)備并且遭受了與Cok的公開(kāi)相同的限制。Fish等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公報(bào)No. 2006/0256048教導(dǎo)了在各個(gè)子像素中使用光電二極管來(lái)測(cè)量子像素的光輸出并補(bǔ)償發(fā)射體中的改變。但是，該方案需要非常復(fù)雜的子像素電路，減小了可用于發(fā)射光的面積并因此增加了功率且縮短了顯示器的使用壽命，而且降低了可使用的顯示器的制造量。Neter的美國(guó)專(zhuān)利No. 6，965，395教導(dǎo)在CXD或CMOS圖像傳感器中補(bǔ)償缺陷像素的多種方式。但是，該方法依賴(lài)于對(duì)輸入的感測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行篩選，并因此要求輸入的數(shù)據(jù)不具有可以與缺陷混淆的高頻率、高振幅邊緣。但是，這樣的邊緣在顯示應(yīng)用中是常見(jiàn)的，并且這樣的邊緣例如可以在顯示字處理程序的過(guò)程中出現(xiàn)在字符的邊緣處或出現(xiàn)在電視節(jié)目上的畫(huà)面底部的滾動(dòng)信息的邊緣處。因此，一直存在著對(duì)用于在電致發(fā)光顯示器的使用壽命期間檢測(cè)缺陷像素的方法的需要，這種方法針對(duì)在顯示器中的使用進(jìn)行了優(yōu)化并且不需要復(fù)雜的設(shè)備或顯示器電子線路。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種檢測(cè)電致發(fā)光(EL)顯示器中的缺陷EL發(fā)射體的方法，該方法包括a)提供具有多個(gè)子像素的所述EL顯示器，每個(gè)子像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管、讀出晶體管和EL發(fā)射體，所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有與所述EL發(fā)射體的電極相連接和與所述讀出晶體管的第一電極相連接的電極；b)選擇子像素；C)切斷流過(guò)選擇的子像素中的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流；d)利用電流源，提供流過(guò)選擇的子像素中的所述EL發(fā)射體的選擇的測(cè)試電流；e)測(cè)量選擇的子像素中的所述讀出晶體管的第二電極處的電壓，以提供表示選擇的子像素中的所述EL發(fā)射體的特性的狀態(tài)信號(hào)；以及f)將選擇的子像素的所述狀態(tài)信號(hào)與至少兩個(gè)相鄰子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較，以確定選擇的子像素中的所述EL發(fā)射體是否有缺陷。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種檢測(cè)在電致發(fā)光(EL)顯示器中的缺陷EL發(fā)射體的方法，該方法包括a)提供具有多個(gè)子像素的所述電致發(fā)光(EL)顯示器，每個(gè)子像素包括EL發(fā)射體，其具有第一電極和第二電極；驅(qū)動(dòng)晶體管，其具有第一電極、與所述EL發(fā)射體的所述第一電極相連接的第二電極、以及柵極；以及讀出晶體管，其具有與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第二電極相連接的第一電極、第二電極以及柵極；b)提供與所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一電極關(guān)聯(lián)的第一電壓源；c)提供連接到所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的所述EL發(fā)射體的所述第二電極的第二電壓源；
d)提供與所述讀出晶體管的所述第二電極關(guān)聯(lián)的電流源；e)選擇EL子像素及其對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管、讀出晶體管和EL發(fā)射體；f)提供與選擇的讀出晶體管的所述第二電極關(guān)聯(lián)的電壓測(cè)量電路；g)切斷流過(guò)選擇的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流；h)利用所述電流源，提供流過(guò)所述EL發(fā)射體的選擇的測(cè)試電流；i)利用所述電壓測(cè)量電路來(lái)測(cè)量選擇的讀出晶體管的所述第二電極處的電壓，以提供表示選擇的EL發(fā)射體的特性的狀態(tài)信號(hào)；j)針對(duì)所述多個(gè)EL子像素中的各個(gè)其余EL子像素重復(fù)步驟e到i ；k)選擇EL子像素；1)針對(duì)選擇的EL子像素選擇子像素鄰域，其中所述子像素鄰域包括與選擇的EL 子像素相鄰的至少兩個(gè)子像素；m)將選擇的EL子像素的所述狀態(tài)信號(hào)與選擇的子像素鄰域中的每一個(gè)子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較，以確定選擇的EL發(fā)射體是否有缺陷；以及η)針對(duì)所述多個(gè)EL子像素中的各個(gè)其余EL子像素重復(fù)步驟k到m，以檢測(cè)所述 EL顯示器中的其他缺陷EL發(fā)射體。本發(fā)明提供了在顯示器的使用壽命過(guò)程中檢測(cè)包括制造顯示器時(shí)不存在的故障在內(nèi)的子像素故障的簡(jiǎn)單且有效的方式。本發(fā)明不要求特殊的測(cè)試裝備或條件。本發(fā)明對(duì)顯示器的功耗、使用壽命或其他性能屬性不具有顯著影響。本發(fā)明針對(duì)顯示器中的使用進(jìn)行了優(yōu)化，所以其結(jié)果不會(huì)由于顯示的圖像數(shù)據(jù)而出錯(cuò)。通過(guò)使子像素平衡，本發(fā)明減少了與被測(cè)試的子像素相鄰的無(wú)光子像素或暗子像素的弱點(diǎn)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的電致發(fā)光(EL)顯示器的實(shí)施方式的示意圖；圖2A是本發(fā)明可用的EL子像素和關(guān)聯(lián)電路的實(shí)施方式的示意圖；圖2B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的子像素組的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的檢測(cè)EL顯示器中的缺陷EL發(fā)射體的方法的流程圖；圖4是示例性子像素鄰域的圖；以及圖5是EL發(fā)射體的示例性電流-電壓特性。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖1，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的在檢測(cè)缺陷EL發(fā)射體中可用的電致發(fā)光 (EL)顯示器的一個(gè)實(shí)施方式的示意圖。EL顯示器10包括按照行和列設(shè)置的多個(gè)EL子像素60的陣列。注意，與這里示出的行和列相比，這些行和列可以具有不同的方向；例如，它們可以旋轉(zhuǎn)90度。EL顯示器10包括多個(gè)選擇線20，其中每行EL子像素60具有選擇線 20。EL顯示器10包括多個(gè)讀出線30，其中每列EL子像素60具有讀出線30。每個(gè)讀出線 30連接到第二開(kāi)關(guān)130，該第二開(kāi)關(guān)130在下面描述的測(cè)量過(guò)程中將讀出線30連接到電流源160。盡管為了例示的清楚而沒(méi)有示出，但是每列EL子像素60還具有本領(lǐng)域中已知的數(shù)據(jù)線。多個(gè)讀出線30連接到一個(gè)或更多個(gè)復(fù)用器40，復(fù)用器40允許從下面描述的EL子像素中并行/順序地讀出信號(hào)。復(fù)用器40可以是與EL顯示器10同一的結(jié)構(gòu)的一部分，或者可以是能夠連接到EL顯示器10或與EL顯示器10斷開(kāi)的單獨(dú)構(gòu)造?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2A，圖2A示出了用于本發(fā)明的EL子像素和關(guān)聯(lián)電路的一個(gè)實(shí)施方式的示意圖。EL子像素60包括EL發(fā)射體50、驅(qū)動(dòng)晶體管70、電容器75、讀出晶體管80以及選擇晶體管90。EL發(fā)射體50具有第一電極51和第二電極52。驅(qū)動(dòng)晶體管70具有第一電極71、第二電極72和柵極73。讀出晶體管80具有第一電極81、第二電極82和柵極83。 選擇晶體管90具有第一電極91、第二電極92和柵極93。如本領(lǐng)域中已知的，驅(qū)動(dòng)晶體管70的柵極73與選擇晶體管90的第二電極92相連接以經(jīng)由數(shù)據(jù)線35從源驅(qū)動(dòng)器155向驅(qū)動(dòng)晶體管70選擇性地提供數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)線35連接到選擇晶體管90的第一電極91。選擇線20連接到一行EL子像素60中的選擇晶體管 90的柵極93。選擇晶體管90的柵極93連接到讀出晶體管80的柵極83。讀出晶體管80的第一電極81與驅(qū)動(dòng)晶體管70的第二電極72相連接并與EL發(fā)射體50的第一電極51相連接。驅(qū)動(dòng)晶體管70的第二電極72與EL發(fā)射體50的第一電極 51相連接。第一電壓源140可以借助可選的第一開(kāi)關(guān)110選擇性地連接到驅(qū)動(dòng)晶體管70的第一電極71，可選的第一開(kāi)關(guān)110可以位于EL顯示基板(未示出，本領(lǐng)域中已知的玻璃或其他剛性或柔性基板)或單獨(dú)結(jié)構(gòu)上。連接意味著元件被直接連接或經(jīng)由諸如開(kāi)關(guān)、二極管或另一晶體管的另一組件電連接。第二電壓源150與EL發(fā)射體50的第二電極52相連接。優(yōu)選地為EL顯示器提供至少一個(gè)第一開(kāi)關(guān)110。如果EL顯示器具有多個(gè)被供電的像素子組，則可以提供附加的第一開(kāi)關(guān)。在正常顯示模式中，第一開(kāi)關(guān)關(guān)閉并且第二開(kāi)關(guān)(下面描述)打開(kāi)。讀出線30連接到一列子像素60中的讀出晶體管80的第二電極82。讀出線30連接到第二開(kāi)關(guān)130。針對(duì)每一列EL子像素60提供一個(gè)第二開(kāi)關(guān)130。第二開(kāi)關(guān)130允許電流源160選擇性地連接到讀出晶體管80的第二電極82，當(dāng)連接時(shí)，這允許選擇的恒定電流流入EL子像素60。第二開(kāi)關(guān)130和電流源160可以位于顯示基板上或以外。在包括多個(gè)EL子像素60的EL顯示器10中，單個(gè)電流源160可以通過(guò)第二開(kāi)關(guān)選擇性地連接到多個(gè)EL子像素60中的各個(gè)讀出晶體管80的第二電極82。假設(shè)各個(gè)讀出晶體管80的第二電極82在任何給定時(shí)間都選擇性地與一個(gè)電流源相連或不相連接，則可以使用超過(guò)一個(gè)電流源160。讀出晶體管80的第二電極還連接到電壓測(cè)量電路170，電壓測(cè)量電路170測(cè)量電壓以提供表示EL子像素60中的EL發(fā)射體50的特性的狀態(tài)信號(hào)。電壓測(cè)量電路170包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器185和處理器190，模數(shù)轉(zhuǎn)換器185例如將電壓測(cè)量結(jié)果轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。來(lái)自模數(shù)轉(zhuǎn)換器185的信號(hào)發(fā)送到處理器190。電壓測(cè)量電路170還可以包括用于存儲(chǔ)狀態(tài)信號(hào)的存儲(chǔ)器195或用于衰減測(cè)量結(jié)果中的高頻噪聲的低通濾波器180。電壓測(cè)量電路170 可以直接連接到讀出線30，或者通過(guò)復(fù)用器輸出線45和復(fù)用器40連接到多個(gè)讀出線30和讀出晶體管80，以順序地從預(yù)定數(shù)量個(gè)EL子像素60讀出電壓。如果存在多個(gè)復(fù)用器40， 則每個(gè)復(fù)用器可以具有它自己的復(fù)用器輸出線45。因而，可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)預(yù)定數(shù)量個(gè)EL子像素。多個(gè)復(fù)用器允許從不同的復(fù)用器40并行讀出電壓，并且每個(gè)復(fù)用器允許對(duì)附接于它的讀出線30順序地讀出。在本文中，將這稱(chēng)為并行/順序處理。
參照?qǐng)D2B，在本發(fā)明的實(shí)施方式中，多個(gè)子像素被分為一個(gè)或更多個(gè)子像素組。為了圖中的清楚起見(jiàn)，針對(duì)每一個(gè)子像素60a、60b、60c、60d，僅示出了具有第一電極81、第二電極82和柵極83的讀出晶體管80。子像素60a、60b、60c、60d的全部其他組件如圖IA中所示。選擇線20a和20b如圖1和圖2A中所示。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)子像素組可以包括一列子像素。子像素60a和60b形成子像素組69a。子像素60c和60d形成子像素組69b。每個(gè)子像素組具有各自的第二開(kāi)關(guān)， 第二開(kāi)關(guān)用于將電流源選擇性地連接到各自子像素組中的多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的讀出晶體管的第二電極。子像素組69a具有讀出線30a和第二開(kāi)關(guān)130a。子像素組69b具有讀出線30b和第二開(kāi)關(guān)130b。子像素組69b通過(guò)第二開(kāi)關(guān)130b和連接131連接到電流源160a。另選地，子像素組69b可以通過(guò)第二開(kāi)關(guān)130b和連接132連接到它自己的電流源 160b。現(xiàn)在參照?qǐng)D3，并且還參照?qǐng)D1、圖2A和圖2B，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的檢測(cè)電致發(fā)光(EL)顯示器中的缺陷(暗點(diǎn)或死點(diǎn))EL發(fā)射體的方法包括提供上面描述的裝置提供 EL顯示器10(步驟301)；提供第一電壓源140和可選的第一開(kāi)關(guān)110，第一開(kāi)關(guān)110用于將第一電壓源140連接到多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的驅(qū)動(dòng)晶體管70的第一電極71 (步驟 302)；提供第二電壓源150(步驟30 ；以及提供電流源160(步驟304)。接著測(cè)量過(guò)程開(kāi)始。選擇的多個(gè)EL子像素中的EL子像素60及其對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管70、讀出晶體管80和 EL發(fā)射體50被選擇進(jìn)行測(cè)量(步驟30 。對(duì)讀出晶體管80的選擇包括向讀出晶體管80 施加選通電壓以使讀出晶體管80導(dǎo)通(例如，針對(duì)N溝道讀出晶體管的25VDC)。提供與選擇的讀出晶體管80的第二電極關(guān)聯(lián)或連接的電壓測(cè)量電路170(步驟306)。切斷流過(guò)選擇的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流(步驟307)。這可以例如通過(guò)打開(kāi)第一開(kāi)關(guān)110或通過(guò)向驅(qū)動(dòng)晶體管 70的柵極73施加負(fù)的(對(duì)于N溝道而言)選通電壓(Vg)而實(shí)現(xiàn)。當(dāng)電流被切斷時(shí)，基本上為零的電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管。接著利用電流源來(lái)提供流過(guò)EL發(fā)射體的選擇的測(cè)試電流(步驟308)。該測(cè)試電流跨越EL發(fā)射體50產(chǎn)生電壓。EL發(fā)射體50的第一電極51處的電壓通過(guò)讀出晶體管80 的第一電極81和第二電極82傳送到讀出線30，并從那里傳送到電壓測(cè)量電路170。電壓測(cè)量電路170接著對(duì)電壓進(jìn)行測(cè)量(步驟309)以提供與選擇的子像素60相對(duì)應(yīng)的狀態(tài)信號(hào)，該狀態(tài)信號(hào)表示選擇的EL發(fā)射體的特性，并將狀態(tài)信號(hào)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器195中。如果存在要測(cè)量的其它子像素(判斷步驟310)，則刪除選擇的子像素60和組件，這包括向讀出晶體管80施加選通電壓以使讀出晶體管80不導(dǎo)通，并且選擇并測(cè)量另一子像素?？梢詫?duì)EL 顯示器10上的全部子像素60、特定顏色的全部子像素、EL顯示器10上的根據(jù)規(guī)則的網(wǎng)格或間隔取樣的子像素的子集、或相鄰子像素的子集進(jìn)行測(cè)量。一旦對(duì)選擇的多個(gè)子像素中的全部子像素進(jìn)行了測(cè)量，利用狀態(tài)信號(hào)檢測(cè)出不發(fā)光的EL發(fā)射體或暗的EL發(fā)射體。從選擇的多個(gè)子像素中選擇子像素60 (步驟311)。接著，針對(duì)選擇的子像素選擇子像素鄰域，其中該子像素鄰域包括與選擇的EL子像素相鄰的至少兩個(gè)子像素(步驟312)。將選擇的EL子像素的狀態(tài)信號(hào)與處于選擇的子像素鄰域中的每一個(gè)子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較以確定選擇的EL發(fā)射體是否有缺陷(步驟313)， 如下面描述的。如果在選擇的多個(gè)子像素中存在任意個(gè)余下的子像素，則取消對(duì)選擇的子像素60的選擇，并且選擇并比較另一子像素(判斷步驟314)以檢測(cè)EL顯示器中的其他缺陷EL發(fā)射體。步驟305、307、308和309應(yīng)該按照該相對(duì)順序執(zhí)行。步驟311和313應(yīng)該按照該相對(duì)順序執(zhí)行。再次參照?qǐng)D2A和圖2B，當(dāng)例如利用并行/順序處理而同時(shí)測(cè)量多個(gè)EL子像素60 時(shí)，在第一時(shí)段中針對(duì)選擇的數(shù)量個(gè)EL子像素同時(shí)執(zhí)行步驟307 (切斷電流)和308 (提供測(cè)試電流)，并且針對(duì)各個(gè)讀出線30順序地執(zhí)行步驟309(測(cè)量電壓)。例如，可以同時(shí)向子像素60a和60c施加電流以在讀出線30a和30b上同時(shí)產(chǎn)生相應(yīng)的電壓。讀出線30a和 30b可以連接到復(fù)用器40，復(fù)用器40可以將讀出線30a連接到電壓測(cè)量電路170以產(chǎn)生針對(duì)子像素60a的狀態(tài)信號(hào)，并且接著將讀出線30b連接到電壓測(cè)量電路170以產(chǎn)生針對(duì)子像素60c的狀態(tài)信號(hào)。按照該方式，連接到多個(gè)讀出線(例如，30a、30b)的復(fù)用器40用于順序地讀出預(yù)定數(shù)量個(gè)OLED子像素的狀態(tài)信號(hào)。圖4示出了子像素鄰域的示例。選擇子像素60。子像素60被子像素61、62、63、 64、65、66、67和68包圍。在一個(gè)實(shí)施方式中，子像素鄰域401包括全部八個(gè)周?chē)淖酉袼亍?在另一實(shí)施方式中，子像素鄰域402包括位于選擇的EL子像素上方的子像素62、位于選擇的EL子像素下方的子像素67、位于選擇的EL子像素左側(cè)的子像素64和位于選擇的EL子像素右側(cè)的子像素65。對(duì)子像素鄰域中的更多個(gè)子像素的使用增加了檢測(cè)缺陷EL發(fā)射體的可能性并還增加了必要的運(yùn)算。此外，對(duì)子像素鄰域中的更多個(gè)子像素的使用有利地降低了對(duì)子像素鄰域中的缺陷EL發(fā)射體的敏感性。圖5示出了典型的EL發(fā)射體50的電流-電壓特性1000。橫坐標(biāo)是以伏特為單位的驅(qū)動(dòng)電壓，并且縱坐標(biāo)是任意單位的電流。線1120是選擇的閾值電流，如果低于該閾值電流，EL發(fā)射體不發(fā)射有效的光量。線1010示出了如在圖3的步驟308中使用的選擇的測(cè)試電流的示例。在這個(gè)實(shí)施方式中，選擇的測(cè)試電流1010大于選擇的閾值電流1020。 這有利地增加了測(cè)量結(jié)果的信噪比。可以按照多種方式將選擇的EL子像素的狀態(tài)信號(hào)與位于選擇的子像素鄰域中的每一個(gè)子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較，以確定選擇的EL發(fā)射體是否有缺陷。例如，可以比較平均值、標(biāo)準(zhǔn)方差、置信區(qū)間或其他統(tǒng)計(jì)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)。表1示出了從本發(fā)明的示例性顯示設(shè)備測(cè)量而來(lái)的狀態(tài)信號(hào)。子像素根據(jù)圖4標(biāo)出，并且缺陷子像素標(biāo)記有星號(hào)(“*”)。使用子像素鄰域401。示出了來(lái)自顯示器的編號(hào)為1... 4的4個(gè)不同區(qū)域的數(shù)據(jù)?！敖Y(jié)果”行示出了根據(jù)式1計(jì)算出的比較的結(jié)果R1，其中Ssn是子像素sn的狀態(tài)信號(hào)(例如，是子像素60的狀態(tài)信號(hào))R1 = S60/ [ (S61+S62+S63+S64+S65+S66+S67+S68) /8](式 1)
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)電致發(fā)光(EL)顯示器中的缺陷EL發(fā)射體的方法，該方法包括a)提供具有多個(gè)子像素的所述EL顯示器，每個(gè)子像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管、讀出晶體管和 EL發(fā)射體，所述驅(qū)動(dòng)晶體管具有與所述EL發(fā)射體的電極相連接并與所述讀出晶體管的第一電極相連接的電極；b)選擇子像素；c)切斷流過(guò)選擇的子像素中的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電流；d)利用電流源，提供流過(guò)選擇的子像素中的所述EL發(fā)射體的選擇的測(cè)試電流；e)測(cè)量選擇的子像素中的所述讀出晶體管的第二電極處的電壓，以提供表示選擇的子像素中的所述EL發(fā)射體的特性的狀態(tài)信號(hào)；以及f)將選擇的子像素的所述狀態(tài)信號(hào)與至少兩個(gè)相鄰子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較， 以確定選擇的子像素中的所述EL發(fā)射體是否有缺陷。
2.一種檢測(cè)電致發(fā)光(EL)顯示器中的缺陷EL發(fā)射體的方法，該方法包括a)提供具有多個(gè)子像素的所述EL顯示器，每個(gè)子像素具有EL發(fā)射體，其具有第一電極和第二電極；驅(qū)動(dòng)晶體管，其具有第一電極、第二電極以及柵極，所述第二電極連接到所述EL發(fā)射體的所述第一電極；以及讀出晶體管，其具有第一電極、第二電極和柵極，所述第一電極連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第二電極；b)提供與所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一電極相關(guān)聯(lián)的第一電壓源；c)提供與所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的所述EL發(fā)射體的所述第二電極相連接的第二電壓源；d)提供與所述讀出晶體管的所述第二電極相關(guān)聯(lián)的電流源；e)選擇EL子像素及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管、讀出晶體管和EL發(fā)射體；f)提供與選擇的讀出晶體管的所述第二電極相關(guān)聯(lián)的電壓測(cè)量電路；g)切斷流過(guò)選擇的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流；h)利用所述電流源，提供流過(guò)所述EL發(fā)射體的選擇的測(cè)試電流；i)利用所述電壓測(cè)量電路來(lái)測(cè)量選擇的讀出晶體管的所述第二電極處的電壓，以提供表示選擇的EL發(fā)射體的特性的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)；j)針對(duì)所述多個(gè)EL子像素中的各個(gè)其余EL子像素重復(fù)步驟e到i ；k)選擇EL子像素；1)針對(duì)選擇的EL子像素選擇子像素鄰域，其中所述子像素鄰域包括與選擇的EL子像素相鄰的至少兩個(gè)子像素；m)將選擇的EL子像素的狀態(tài)信號(hào)與選擇的子像素鄰域中的各個(gè)子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較，以確定選擇的EL發(fā)射體是否有缺陷；以及η)針對(duì)所述多個(gè)EL子像素中的各個(gè)其余EL子像素重復(fù)步驟k到m，以檢測(cè)所述EL顯示器中的其他缺陷EL發(fā)射體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中步驟b包括提供第一開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)用于選擇性地將所述第一電壓源連接到所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述第一電極，并且其中步驟g包括打開(kāi)所述第一開(kāi)關(guān)以切斷流過(guò)選擇的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述多個(gè)子像素被分為一個(gè)或更多個(gè)子像素組，并且其中步驟e包括為所述一個(gè)或更多個(gè)子像素組中的每一個(gè)提供相應(yīng)的第二開(kāi)關(guān)，所述第二開(kāi)關(guān)用于選擇性地將所述電流源連接到各個(gè)子像素組中的所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)中的所述讀出晶體管的所述第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中各子像素鄰域包括位于選擇的EL子像素上方的子像素、位于選擇的EL子像素下方的子像素、位于選擇的EL子像素左側(cè)的子像素和位于選擇的EL子像素右側(cè)的子像素。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述比較步驟包括計(jì)算鄰域中的子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)的第一平均值，并確定選擇的EL子像素的所述狀態(tài)信號(hào)是否與所述第一平均值相差超過(guò)所述第一平均值的選擇的第一百分比。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，該方法還包括提供用于存儲(chǔ)關(guān)于哪些EL發(fā)射體有缺陷的信息的缺陷圖，并且其中所述缺陷圖中的針對(duì)所述子像素鄰域中的各個(gè)子像素的相應(yīng)存儲(chǔ)信息指示該子像素沒(méi)有缺陷。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中選擇的測(cè)試電流大于選擇的閾值電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述EL顯示器是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器， 每個(gè)EL子像素是OLED子像素，并且每個(gè)發(fā)射體是OLED發(fā)射體。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管是非晶硅驅(qū)動(dòng)晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述電壓測(cè)量電路包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中各個(gè)EL子像素還包括選擇晶體管，所述選擇晶體管具有連接到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極的第二電極，并且其中各個(gè)選擇晶體管的所述柵極連接到對(duì)應(yīng)的讀出晶體管的所述柵極。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在第一時(shí)段中針對(duì)選擇的數(shù)量個(gè)EL子像素同時(shí)執(zhí)行步驟g和h，并且其中在所述第一時(shí)段中針對(duì)選擇的數(shù)量個(gè)EL子像素中的每一個(gè)順序地執(zhí)行步驟i。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，該方法還包括按照行和列來(lái)布置所述EL子像素并提供與所述行相對(duì)應(yīng)的多個(gè)選擇線和與所述列相對(duì)應(yīng)的多個(gè)讀出線，其中各個(gè)EL子像素包括選擇晶體管，所述選擇晶體管具有與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極相連接的第二電極、第一電極和柵極，各個(gè)選擇線連接到一個(gè)或更多個(gè)對(duì)應(yīng)的選擇晶體管的所述柵極，并且各個(gè)讀出線連接到一個(gè)或更多個(gè)對(duì)應(yīng)的讀出晶體管的所述第二電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，該方法還包括利用連接到所述多個(gè)讀出線的復(fù)用器來(lái)順序地讀出預(yù)定數(shù)量個(gè)OLED子像素的所述狀態(tài)信號(hào)。
全文摘要
檢測(cè)具有多個(gè)子像素的電致發(fā)光(EL)顯示器中的不起作用或有缺陷的EL發(fā)射體。切斷流過(guò)子像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的電流，利用電流源提供通過(guò)該子像素中的EL發(fā)射體的選擇的測(cè)試電流，并測(cè)量該子像素中的讀出晶體管的第二電極處的電壓以提供表示選擇的EL發(fā)射體的特性的狀態(tài)信號(hào)。將該子像素的狀態(tài)信號(hào)與相鄰子像素的相應(yīng)狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行比較以確定該子像素中的EL發(fā)射體是否有缺陷。
文檔編號(hào)G09G3/00GK102549641SQ201080043704
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者F·A·利昂, 查爾斯·I·利維 申請(qǐng)人:全球Oled科技有限責(zé)任公司