專利名稱：載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種載體，具體地講，涉及一種具有交錯(cuò)排列的引腳及凹口圖案的載體。
背景技術(shù)：
在一些現(xiàn)有的電子裝置中，組件及主體電路間的連接是通過各向異性的導(dǎo)電膜(anisotropic conductive film，ACF)來進(jìn)行，例如驅(qū)動(dòng)芯片就是利用各向異性的導(dǎo)電膜與液晶顯示面板電連接。其中，各向異性的導(dǎo)電膜是以非導(dǎo)電性的合成樹脂及導(dǎo)電顆粒(particle)混合而成，而導(dǎo)電顆粒的中央部分為聚合物，且聚合物的外表包覆一層金屬導(dǎo)體，如金、鎳、錫等。各向異性的導(dǎo)電膜常被用于液晶顯示器的制造工藝中，而驅(qū)動(dòng)芯片與液晶顯示面板的接合技術(shù)至少包括玻璃黏晶技術(shù)(chip on glass，COG)及薄膜黏晶接合技術(shù)(chip on film)。玻璃黏晶技術(shù)將驅(qū)動(dòng)芯片通過各向異性的導(dǎo)電膜直接與液晶顯示面板的玻璃基板接合，且薄膜黏晶技術(shù)先將驅(qū)動(dòng)芯片接合至一載體上，再以此具有驅(qū)動(dòng)芯片的載體通過各向異性的導(dǎo)電膜與玻璃基板接合。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A～1B，其所顯示的是傳統(tǒng)上以薄膜黏晶技術(shù)所完成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的二剖面圖。在圖1A～1B中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10包括一基板11、一載體12、一芯片16及一各向異性的導(dǎo)電膜18，基板11具有一基板表面11a，基板表面11a具有多個(gè)接墊13。載體12包括一聚酰亞胺(polyimide，PI)薄膜14及多條引腳15，聚酰亞胺薄膜14具有一薄膜表面14a，這些引腳15彼此相互隔開地設(shè)置于薄膜表面14a上。芯片16設(shè)置于薄膜表面14a上，如圖1C所示，芯片16具有多個(gè)焊墊16a，這些焊墊16a通過多條連接線17與這些引腳15的一端電連接。各向異性的導(dǎo)電膜18黏接部分的基板表面11a及部分的薄膜表面14a，各向異性的導(dǎo)電膜18具有多個(gè)導(dǎo)電顆粒18a，部分的導(dǎo)電顆粒18a用以電連接這些引腳13的另一端及這些接墊13。
一般在COF制造工藝上會(huì)面臨到材料漲縮問題及接合強(qiáng)度問題，而材料漲縮問題主要是衍生出引腳15及接墊13的對(duì)位偏移，并造成因接觸面積不夠所引發(fā)的導(dǎo)通阻抗不足的問題，或者是因相鄰的兩引腳之間的間距(pitch)過小所形成的電路短路的問題。傳統(tǒng)上為增加引腳15及接墊13之間的導(dǎo)通阻抗，往往將圖1B的接墊13的寬度W1設(shè)計(jì)比引腳15的寬度W2還大，以解決因材料漲縮所引起的對(duì)位偏移的問題。然而，相鄰兩接墊13之間的間距亦隨之降低。
當(dāng)載體12與基板11熱壓合時(shí)，各向異性的導(dǎo)電膜18因高溫高壓而軟化，并沿著基板表面11a往外流動(dòng)，如圖1D所示。此時(shí)，部分的導(dǎo)電顆粒18a會(huì)貼近基板表面11a，且聚集在任意相鄰的兩接墊13之間。如此一來，將會(huì)增加二接墊13之間電連接的幾率，且非常容易造成電路短路現(xiàn)象，又如圖1B所示。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種載體。其凹口圖案與引腳交錯(cuò)排列的設(shè)計(jì)可以防止各向異性的導(dǎo)電膜(anisotropic conductive film，ACF)的導(dǎo)電顆粒聚集在基板的接墊間，避免產(chǎn)生電路短路現(xiàn)象，且提高各向異性的導(dǎo)電膜對(duì)于載體及基板的黏著強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種載體，其以一各向異性的導(dǎo)電膜與一基板熱壓合，基板具有多個(gè)接墊。載體包括一底材及多條引腳，底材具有一底材表面，底材表面具有多個(gè)凹口圖案。這些引腳設(shè)置于底材表面上，這些引腳的一端與這些凹口圖案交錯(cuò)排列。這些引腳的這一端經(jīng)由各向異性的導(dǎo)電膜與這些接墊電連接，且部分的該各向異性的導(dǎo)電膜于載體與基板熱壓合時(shí)分布于這些凹口圖案中。
根據(jù)本發(fā)明的再一目的，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板、一載體及一各向異性的導(dǎo)電膜。基板具有一基板表面，基板表面具有多個(gè)接墊。載體包括一底材及多條引腳，底材具有一底材表面，底材表面具有多個(gè)凹口圖案。這些引腳設(shè)置于底材表面上，這些引腳的一端與這些凹口圖案交錯(cuò)排列。各向異性的導(dǎo)電膜黏接部分的基板表面及部分的底材表面，用以電連接這些引腳的此端及這些接墊。當(dāng)載體與基板熱壓合時(shí)，部分的各向異性的導(dǎo)電膜分布于這些凹口圖案中。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并參考附圖，作詳細(xì)說明如下。
圖1A～1B所顯示的是傳統(tǒng)上以薄膜黏晶技術(shù)所完成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的二剖面圖。
圖1C所顯示的是圖1A的載體及芯片的縮小仰視圖。
圖1D所顯示的是圖1B的導(dǎo)電顆粒流動(dòng)于基板表面上的狀態(tài)的縮小俯視圖。
圖2所顯示的是依照本發(fā)明的實(shí)施例1的載體的俯視圖。
圖3所顯示的是圖2的載體通過各向異性的導(dǎo)電膜與基板熱壓合而形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分放大剖面圖。
圖4所顯示的是依照本發(fā)明的實(shí)施例2的載體的俯視圖。
附圖標(biāo)記說明10、20 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)11、21 基板11a、21a基板表面12、22、42 載體13、23 接墊14 聚酰亞胺薄膜14a 薄膜表面15、25 引腳16、26 芯片16a 焊墊17 連接線18、28 各向異性的導(dǎo)電膜18a、28a導(dǎo)電顆粒24、44 底材24a、44a底材表面29 通孔49 貫穿孔
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1請(qǐng)參照?qǐng)D2，其所顯示的是依照本發(fā)明的實(shí)施例一的載體的俯視圖。在圖2中，載體22至少包括一底材24及多條引腳25。底材24具有一底材表面24a，底材表面24a具有多個(gè)凹口圖案。其中，各凹口圖案為一未貫穿底材24的溝槽或一貫穿底材24的通孔29。這些引腳25設(shè)置于底材表面24a上，這些引腳25與這些通孔29交錯(cuò)排列。此外，底材表面24a上更設(shè)置一芯片26，芯片26與這些引腳25的另一端電連接。
如圖3所示，當(dāng)載體22以各向異性的導(dǎo)電膜(anisotropic conductive film，ACF)28與一基板21熱壓合而形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)20時(shí)，各向異性的導(dǎo)電膜28黏接部分的基板21的基板表面21a及部分的底材表面24a。各向異性的導(dǎo)電膜28具有多個(gè)導(dǎo)電顆28a，部分的各向異性的導(dǎo)電膜28的導(dǎo)電顆粒28a用以電連接這些引腳25及基板表面21a上的多個(gè)接墊23，使得芯片26與基板21電接連。由于載體22具有通孔29，部分的各向異性的導(dǎo)電膜28于高溫高壓時(shí)將往通孔29流動(dòng)，使得導(dǎo)電顆粒28a比較容易聚集于通孔29中。如此一來，可以防止導(dǎo)電顆粒28a聚集在基板表面21a上的任意相鄰的兩接墊23之間，降低二接墊23之間電連接的幾率，且避免產(chǎn)生電路短路現(xiàn)象。此外，由于各向異性的導(dǎo)電膜28與載體22的表面接觸面積將會(huì)增加，各向異性的導(dǎo)電膜28將載體22及基板21黏著的強(qiáng)度將會(huì)提高。
實(shí)施例2請(qǐng)參照?qǐng)D4，其所顯示的是依照本發(fā)明的實(shí)施例二的載體的俯視圖。在圖4中，本實(shí)施例的載體42與實(shí)施例一的載體22不同的處在于底材的結(jié)構(gòu)及凹口圖案的設(shè)計(jì)，其余相同的部分沿用相同的附圖標(biāo)記，不再贅述。在圖4中，載體42具有一底材44，底材44具有一底材表面44a。底材表面44a具有多個(gè)與這些引腳25交錯(cuò)排列的凹口圖案，各凹口圖案為多個(gè)未貫穿底材44的凹槽或多個(gè)貫穿底材44的貫穿孔49。至于載體42以各向異性的導(dǎo)電膜與一基板熱壓合而形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)如同圖3所示，在此不再以圖示表示。同樣地，本實(shí)施例的貫穿孔49的設(shè)計(jì)，可以降低二接墊之間電連接的幾率，避免產(chǎn)生電路短路現(xiàn)象，且提高載體及基板之間的黏著強(qiáng)度。
然而，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以明了本發(fā)明的技術(shù)并不局限在此，例如，底材為一聚酰亞胺(polyimide，PI)薄膜。其中，引腳以一黏著層設(shè)置于底材表面上。此外，基板為一玻璃基板，且這些接墊為多個(gè)金屬接墊。
本發(fā)明上述實(shí)施例所公開的載體，其凹口圖案與引腳交錯(cuò)排列的設(shè)計(jì)可以防止各向異性的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電顆粒聚集在接墊間，避免產(chǎn)生電路短路現(xiàn)象，且提高各向異性的導(dǎo)電膜對(duì)于載體及基板的黏著強(qiáng)度。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)然可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以后附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種載體，以一各向異性的導(dǎo)電膜與一基板熱壓合，所述的基板具有多個(gè)接墊，所述的載體包括一底材，具有一底材表面，所述的底材表面具有多個(gè)凹口圖案；以及多條引腳，設(shè)置于所述的底材表面上，所述的引腳的一端與所述的凹口圖案交錯(cuò)排列，所述的引腳的所述端經(jīng)由所述的各向異性的導(dǎo)電膜與所述的接墊電連接，且部分的所述的各向異性的導(dǎo)電膜于所述的載體與所述的基板熱壓合時(shí)分布于所述的凹口圖案中。
2.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為一溝槽。
3.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為多個(gè)凹槽。
4.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為一通孔。
5.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的各凹口圖案為多個(gè)貫穿孔。
6.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的底材為一聚酰亞胺薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的引腳以一黏著層設(shè)置于所述的底材表面上。
8.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的基板為一玻璃基板。
9.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的接墊為多個(gè)金屬接墊。
10.如權(quán)利要求1所述的載體，其中所述的底材表面上設(shè)置有一芯片，該芯片與該些引腳的另一端電連接。
11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板，具有一基板表面，所述的基板表面具有多個(gè)接墊；一載體，包括一底材，具有一底材表面，所述的底材表面具有多個(gè)凹口圖案；及多條引腳，設(shè)置于所述的底材表面上，所述的引腳的一端與所述的凹口圖案交錯(cuò)排列；以及一各向異性的導(dǎo)電膜，黏接部分的所述的基板表面及部分的所述的底材表面，用以電連接所述的引腳的所述端及所述的接墊，當(dāng)所述的載體與所述的基板熱壓合時(shí)，部分的所述的各向異性的導(dǎo)電膜分布于所述的凹口圖案中。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的各凹口圖案為一溝槽。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的各凹口圖案為多個(gè)凹槽。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的各凹口圖案為一通孔。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的各凹口圖案為多個(gè)貫穿孔。
16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的底材為聚酰亞胺薄膜。
17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的引腳以一黏著層設(shè)置于所述的底材表面上。
18.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的基板為一玻璃基板。
19.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的接墊為多個(gè)金屬接墊。
20.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括一芯片，設(shè)置于所述的底材表面上，用以與所述的引腳的另一端電連接。
全文摘要
一種載體，以一各向異性的導(dǎo)電膜與一基板熱壓合，基板具有多個(gè)接墊。載體包括一底材及多條引腳，底材具有一底材表面，底材表面具有多個(gè)凹口圖案。這些引腳設(shè)置于底材表面上，這些引腳的一端與這些凹口圖案交錯(cuò)排列。這些引腳的這一端經(jīng)由各向異性的導(dǎo)電膜與這些接墊電連接，且部分的該各向異性的導(dǎo)電膜于載體與基板熱壓合時(shí)分布于這些凹口圖案中。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1560920SQ20041000546
公開日2005年1月5日 申請(qǐng)日期2004年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月19日
發(fā)明者李俊右, 陳慧昌 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司