專利名稱：主動元件陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種元件陣列基板的制造方法，且特別涉及一種應用于光學自我補償雙折射型液晶顯示面板中之主動元件陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著科技的進步，視頻或影像裝置之體積日漸趨于輕薄。傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器(Cathode Ray Tube，CRT)，雖然仍有其優(yōu)點，但是由于內(nèi)部電子腔的結(jié)構(gòu)，使得顯示器體積龐大而占空間。因此，配合光電技術(shù)與半導體制造技術(shù)所發(fā)展之平板顯示器(Flat Panel Display)，例如液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機發(fā)光顯示器(OrganicElectro-luminescence Display，OLED)或是等離子顯示器(Plasma DisplayPanel，PDP)，已逐漸成為顯示器產(chǎn)品之主流，而其中又以液晶顯示器為目前顯示器產(chǎn)品的主流。
液晶顯示器根據(jù)所使用的液晶種類、驅(qū)動方式與光源設置位置等的不同而區(qū)分成許多種類。其中，光學自我補償雙折射型(OpticallyCompensated Birefringence，OCB)液晶顯示器(以下稱OCB液晶顯示器)具有快速的反應速度，可提供計算機于播放動畫或電影等快速變化之連續(xù)畫面時，更加流暢之畫面表現(xiàn)，所以其非常適合于高階液晶顯示器的應用。但是OCB液晶顯示器必須讓光學自我補償雙折射型液晶分子(以下稱OCB液晶分子)由展曲態(tài)(Splay state)轉(zhuǎn)換到彎曲態(tài)(Bend state)后，其會造成光線經(jīng)過OCB液晶分子與彩色濾光基板后，產(chǎn)生色偏移的現(xiàn)象。
為了改善OCB液晶顯示器的色偏移現(xiàn)象，一般而言，是以調(diào)整彩色濾光基板的紅色濾光層、綠色濾光層與藍色濾光層之各個厚度，以形成不同的液晶盒間隙(cell gap)來改善OCB液晶顯示器的色偏移現(xiàn)象。
圖1是一種公知的OCB液晶顯示面板的剖面圖。請參照圖1，一種OCB液晶顯示面板100，其包括薄膜晶體管陣列基板110、彩色濾光基板120與OCB液晶層130。其中，OCB液晶層130設置于薄膜晶體管陣列基板110與彩色濾光基板120之間。薄膜晶體管陣列基板110包括基板112、多條數(shù)據(jù)線(圖中未表示)、多條掃描線(圖中未表示)、多個薄膜晶體管114與多個像素電極116a、116b、116c。其中，薄膜晶體管114通過數(shù)據(jù)線與掃描線來控制。更詳細而言，薄膜晶體管114包括柵極114a、第一介電層114b、通道層114c、歐姆接觸層114d、源極114e、漏極114f與第二介電層114g。其中，第二介電層114g具有多個接觸窗118，而像素電極116a、116b、116c會通過接觸窗118與薄膜晶體管114電連接。值得注意的是，各像素電極116a、116b、116c與基板112之間的距離并不相等，因此各像素電極116a、116b、116c與彩色濾光基板120之間便維持不同的液晶盒間隙(cell gap)，其詳述如后。
彩色濾光基板120包括基板122、黑矩陣(black matrix，BM)124、彩色濾光層126與共用電極層128，其中黑矩陣124設置于基板122上。此外，彩色濾光層126設置于基板122上，并覆蓋部分黑矩陣124，而共用電極層128設置于彩色濾光層126上。更詳細而言，彩色濾光層包括多個紅色濾光層126a、多個綠色濾光層126b與多個藍色濾光層126c。此外，紅色濾光層126a與藍色濾光層126c之厚度相等，而綠色濾光層126b之厚度高于紅色濾光層126a與藍色濾光層126c。其中，綠色濾光層126b對應于像素電極116b，而藍色濾光層126c對應于像素電極116c，且紅色濾光層126a對應于像素電極116a。
值得注意的是，像素電極116a與紅色濾光層126a之間的液晶盒間隙d1為最大，而像素電極116b與綠色濾光層126b之間的液晶盒間隙d2為次之，且像素電極116c與藍色濾光層126c之間的液晶盒間隙d3為最小，即液晶盒間隙關(guān)系為d1＞d2＞d3。此種OCB液晶顯示面板100通過變更薄膜晶體管陣列基板110與彩色濾光基板120的設計，以形成多種的液晶盒間隙，因此此種OCB液晶顯示面板100能夠改善色偏移的現(xiàn)象。
然而，此種OCB液晶顯示面板100不僅需改變薄膜晶體管陣列基板110的結(jié)構(gòu)，還需改變彩色濾光基板120的結(jié)構(gòu)。換言之，薄膜晶體管陣列基板110與彩色濾光基板120的制造方法必定與一般的作法有所不同。換言之，此OCB液晶顯示面板100的制造流程是極為繁瑣的。然而，此公知技術(shù)并未披露任何能夠形成上述結(jié)構(gòu)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的是提供一種主動元件陣列基板的制造方法，以制造出具有較佳光學特性的主動元件陣列基板。
為達上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種主動元件陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，提供基板，在此基板上已形成多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個主動元件、第一介電層與第二介電層，其中掃描配線與數(shù)據(jù)配線在基板上定義出多個像素區(qū)域，而主動元件是通過掃描配線與數(shù)據(jù)配線來控制。第一介電層由主動元件中延伸至像素區(qū)域上方，而第二介電層覆蓋于掃描配線、數(shù)據(jù)配線、主動元件與第一介電層。然后，提供半調(diào)式光刻掩膜(half tone mask)，并利用此半調(diào)式光刻掩膜來移除部分第二介電層，以形成多個接觸窗，并在部分像素區(qū)域上方形成凹陷部。接著，在像素區(qū)域上方形成像素電極，其中像素電極通過接觸窗電連接至主動元件。
在本發(fā)明之一實施例中，上述之像素區(qū)域可以是區(qū)分為多個紅色像素區(qū)域、多個綠色像素區(qū)域以及多個藍色像素區(qū)域，且凹陷部位于紅色像素區(qū)域與綠色像素區(qū)域上方。
在本發(fā)明之一實施例中，上述之紅色像素區(qū)域與綠色像素區(qū)域上方之像素電極與基板之間的最小距離可以相等。
在本發(fā)明之一實施例中，形成接觸窗與凹陷部的方法可以是先利用半調(diào)式光刻掩膜在第二介電層上形成圖案化光刻膠層。接著，以圖案化光刻膠層為掩膜，移除部分第二介電層，以形成接觸窗，并在部分像素區(qū)域上方形成凹陷部。然后，移除圖案化光刻膠層。
在本發(fā)明之一實施例中，形成凹陷部的方法可以是移除部分像素區(qū)域上方之第二介電層之部分厚度。
在本發(fā)明之一實施例中，形成凹陷部的方法可以是完全移除部分像素區(qū)域上方之第二介電層。
在本發(fā)明之一實施例中，形成凹陷部的方法可以是完全移除部分像素區(qū)域上方之第二介電層與移除第一介電層之部分厚度。
在本發(fā)明之一實施例中，形成凹陷部的方法可以是完全移除部分像素區(qū)域上方之第二介電層與第一介電層。
基于以上所述，本發(fā)明是利用半調(diào)式光刻掩膜在形成接觸窗的過程中，并同時減少位于像素區(qū)域上方之介電層厚度，因此具有此種主動元件陣列基板之OCB液晶顯示面板將具有多種液晶盒間隙，以改善色偏移現(xiàn)象。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1是一種公知的OCB液晶顯示面板的剖面圖。
圖2A至圖2E是本發(fā)明第一實施例之主動元件陣列基板制造流程示意圖。
圖3是本發(fā)明第一實施例之一種OCB液晶顯示面板之剖面圖。
圖4是本發(fā)明第二實施例之一種OCB液晶顯示面板的剖面圖。
圖5是本發(fā)明第三實施例之一種OCB液晶顯示面板的剖面圖。
圖6是本發(fā)明第四實施例之一種OCB液晶顯示面板的剖面圖。
主要元件標記說明100OCB液晶顯示面板110薄膜晶體管陣列基板
112、122基板114薄膜晶體管114a柵極114b第一介電層114c通道層114d歐姆接觸層114e源極114f漏極114g第二介電層116a、116b、116c像素電極118接觸窗120彩色濾光基板124黑矩陣126彩色濾光層126a紅色濾光層126b綠色濾光層126c藍色濾光層128共用電極層130、500OCB液晶層200、201、202、203主動元件陣列基板210、420基板220主動元件221柵極222第一介電層
223通道層224歐姆接觸層225源極226漏極230第二介電層240半調(diào)式光刻掩膜242透明基板244抗反光層244a不透光區(qū)域244b完全透光區(qū)244c部分透光區(qū)250a紅色像素區(qū)域250b綠色像素區(qū)域250c藍色像素區(qū)域252接觸窗254凹陷部260圖案化光刻膠層270像素電極300、301、302、303OCB液晶顯示面板400彩色濾光陣列基板440黑矩陣460a紅色濾光層460b綠色濾光層460c藍色濾光層
480共用電極層d1、d2、d3、H1、H2、H3間距D1、D2、D3距離具體實施方式
第一實施例圖2A至圖2E是本發(fā)明第一實施例之主動元件陣列基板制造流程示意圖。請參照圖2A，本實施例之主動元件陣列基板的制造方法包括下列步驟。首先，提供基板210，并于基板210上形成掃描配線(圖中未表示)與主動元件220之柵極221，且柵極221與掃描配線電連接。然后，于基板210上形成第一介電層222，且此第一介電層222覆蓋住柵極221。接著，在第一介電層222上形成通道層223與歐姆接觸層224。
在第一介電層222上形成數(shù)據(jù)配線(圖中未表示)以及源極225與漏極226，其中數(shù)據(jù)配線與源極225電連接，且源極225與漏極226設置于歐姆接觸層224上。此外，掃描配線與數(shù)據(jù)配線在基板210上定義出紅色像素區(qū)域250a、綠色像素區(qū)域250b與藍色像素區(qū)域250c。另外，源極225與漏極226的材質(zhì)則可為鉻金屬、鋁合金或是其它適當導體材料。在形成源極225與漏極226之后，以源極225與漏極226作為蝕刻掩膜，移除通道層223上方的歐姆接觸層224，也就是會進行背通道蝕刻(Back ChannelEtching，BCE)。之后，于基板210上形成第二介電層230，以覆蓋主動元件220與第一介電層222。另外，第二介電層230的材質(zhì)例如為氮化硅(silicon nitride)或是其它適當之材質(zhì)。
值得注意的是，本實施例雖然以三道光刻掩膜工序形成圖2A所示之結(jié)構(gòu)為例進行說明，但本發(fā)明并不限定形成圖2A所示之結(jié)構(gòu)所需的光刻掩膜數(shù)。
請參照圖2B，提供半調(diào)式光刻掩膜240，而此半調(diào)式光刻掩膜240包括透明基板242與抗反光層244，其中透明基板242的材質(zhì)例如是玻璃或石英。此外，此抗反光層244區(qū)分為不透光區(qū)域244a、完全透光區(qū)244b與部分透光區(qū)244c，其中部分透光區(qū)244c的透光率介于不透光區(qū)域244a與完全透光區(qū)244b的透光率之間。就本實施例而言，完全透光區(qū)244b的透光率為90％，而部分透光區(qū)244c的透光率為40％。值得注意的是，使得單一光刻掩膜具有不同透光率的方式并不限定于抗反光層244厚度的改變。舉例而言，若在透明基板242形成多數(shù)條狹縫，則此區(qū)域也可以視為部分透光區(qū)244c。
繼續(xù)參照圖2B，然后，于第二介電層230上形成光刻膠材料層(圖中未表示)。接著，利用上述之半調(diào)式光刻掩膜240對于此光刻膠材料層進行曝光工序。在顯影工序之后，便在第二介電層230上形成圖案化光刻膠層260。此外，圖案化光刻膠層260暴露出漏極226上方之第二介電層230之部分表面。值得注意的是，由于部分透光區(qū)244c的位置對應于紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b的位置，因此在曝光工序與顯影工序之后，紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b上方之圖案化光刻膠層260的厚度小于藍色像素區(qū)域250c上方之圖案化光刻膠層260的厚度。
請參照圖2C，以圖案化光刻膠層260為掩膜，移除部分第二介電層230，以形成接觸窗252，并在紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b上方形成凹陷部254，而藍色像素區(qū)域250c未有凹陷部254形成。之后，移除圖案化光刻膠層260，如圖2D所示。值得注意的是，本實施例以改善藍色色偏移現(xiàn)象為例進行說明，因此在紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b上方形成有凹陷部254。然而，就改善其它類型的色偏移而言(例如是紅色色偏移或綠色色偏移)，凹陷部254并不限定于形成于紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b上方。
請參照圖2E，在第二介電層230上形成像素電極270，且各像素電極270通過接觸窗252與漏極226電連接。至此，大致完成主動元件陣列基板200的制造。此外，像素電極270的材質(zhì)可以是銦錫氧化物(Indium TinOxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)或其它透明導電材料。
請繼續(xù)參照圖2E，利用上述之方法所制造出的主動元件陣列基板200中，紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b的凹陷部254與基板210之間的最小距離分別為D1與D2。在本實施例中，距離D1與距離D2相等。然而，在其它實施例中，距離D1與距離D2也可以不相等。此外，由于藍色像素區(qū)域250c上方并未形成凹陷部254，因此像素電極270至基板210之間距離D3大于距離D1、D2。更詳細而言，距離D1與D2是大于第一介電層222之厚度，且距離D1與距離D3之差距例如是介于1000埃至1500埃(angstrom)之間。以下就采用此種主動元件陣列基板200之OCB液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)進行說明。
圖3是本發(fā)明第一實施例之一種OCB液晶顯示面板之剖面圖。請參照圖3，此OCB液晶顯示面板300包括主動元件陣列基板200、彩色濾光基板400與OCB液晶層500。彩色濾光陣列基板400設置于主動元件陣列基板200的對向，且OCB液晶層500設置于主動元件陣列基板200與彩色濾光陣列基板400之間。其中，主動元件陣列基板200制造方法為上述之主動元件陣列基板200的制造方法所制造出的，此處不再贅述。
彩色濾光陣列基板400包括基板420、黑矩陣440、多個紅色濾光層460a、多個綠色濾光層460b、多個藍色濾光層460c與共用電極層480。其中，黑矩陣440設置于基板420上。此外，紅色濾光層460a、綠色濾光層460b以及藍色濾光層460c設置于基板420上，并覆蓋部分黑矩陣440，而共用電極層480設置于紅色濾光層460a、綠色濾光層460b以及藍色濾光層460c上。更詳細而言，紅色濾光層460a與紅色像素區(qū)域250a相對應，綠色濾光層460b與綠色像素區(qū)域250b相對應，藍色濾光層460c與藍色像素區(qū)域250c相對應。
請繼續(xù)參照圖3，由于主動元件陣列基板200的像素電極270至基板210的距離分別為D1、D2、D3，因此主動元件陣列基板200與彩色濾光陣列基板400之間的液晶盒間隙為H1、H2、H3。此外，在本實施例中，H1＝H2＜H3。公知技術(shù)需要同時對于主動元件陣列基板110與彩色濾光基板120的結(jié)構(gòu)進行改變才能達到改善色偏移，而本實施例利用半調(diào)式光刻掩膜240在形成接觸窗252的過程中，同時在部分像素區(qū)域(例如是紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b)上形成凹陷部254，以改變像素電極270與基板210之間的最小距離D1、D2、D3。換言之，采用此種主動元件陣列基板200之液晶顯示面板300將具有多種液晶盒間隙，以改善色偏移現(xiàn)象。此外，隨著半調(diào)式光刻掩膜240的部分透光區(qū)244c之透光率的不同，像素電極270與基板210之間的最小距離D1、D2、D3便能有多種變化，其詳述如后。
第二實施例圖4是本發(fā)明第二實施例之一種OCB液晶顯示面板的剖面圖。請參照圖2B與圖4，本實施例之主動元件陣列基板201的制造方法與上述之主動元件陣列基板200的制造方法相似，其不同之處在于由于半調(diào)式光刻掩膜240的部分透光區(qū)244c之透光率的不同，紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b上之圖案化光刻膠層260的厚度也就不同。因此，在形成接觸窗252與凹陷部254之后，紅色像素區(qū)域250a與綠色像素區(qū)域250b上之像素電極270與基板210之間的距離D1、D2小于藍色像素區(qū)域250c上的像素電極270與基板210的距離D3。就本實施例而言，距離D1、D2等于第一介電層222之厚度，且距離D1、D2為相等。此外，距離D3與距離D1、D2之間的差距約為3000埃。
因此，具有此主動元件陣列基板201的OCB液晶顯示面板301將具有多種液晶盒間隙H1、H2、H3。在本實施例中，液晶盒間隙H1、H2、H3關(guān)系為H1＝H2＜H3。同樣地，隨著欲改善的色偏移現(xiàn)象的不同，液晶盒間隙H1、H2、H3也就隨著不同。
第三實施例圖5是本發(fā)明第三實施例之一種OCB液晶顯示面板的剖面圖。請參照圖5，本實施例之主動元件陣列基板202的制造方法與上述之主動元件陣列基板200、201的制造方法相似，其不同之處在于利用半調(diào)式光刻掩膜240所形成之圖案化光刻膠層260(如圖2B所示)為遮罩，完全移除第二介電層230與部份之第一介電層222。因此，凹陷部254內(nèi)之像素電極270與基板210之間的距離D1、D2小于藍色像素區(qū)域250c上的像素電極270至基板210之距離D3。就本實施例而言，距離D1、D2與D3的關(guān)系可以是D1＝D2＜D3，且距離D3與距離D1、D2之間的差距例如是介于4000埃至5500埃之間。因此，具有此主動元件陣列基板202之OCB液晶顯示面板302具有多種液晶盒間隙H1、H2、H3。就本實施例而言，液晶盒間隙H1、H2、H3關(guān)系為H1＝H2＜H3，因此此OCB液晶顯示面板302能夠改善藍色色偏移現(xiàn)象。同樣地，為了改善其它顏色的色偏移，液晶盒間隙H1、H2、H3之間將有不同的關(guān)系。
第四實施例圖6是本發(fā)明第四實施例之一種OCB液晶顯示面板的剖面圖。請參照圖5，本實施例之主動元件陣列基板203的制造方法與上述之主動元件陣列基板200的制造方法相似，其不同之處在于利用半調(diào)式光刻掩膜240(如圖2B所示)所形成之圖案化光刻膠層260(如圖2B所示)為遮罩，完全移除第二介電層230與第一介電層222。因此，凹陷部254內(nèi)之像素電極270與基板210之間的距離D1、D2小于藍色像素區(qū)域250c上的像素電極270至基板210之距離D3。就本實施例而言，距離D1、D2與D3的關(guān)系可以是D1＝D2＜D3，且距離D3與距離D1、D2之間的差距例如是7000埃之間。因此，具有此主動元件陣列基板203之OCB液晶顯示面板303具有多種液晶盒間隙H1、H2、H3。就本實施例而言，液晶盒間隙H1、H2、H3關(guān)系為H1＝H2＜H3，因此此OCB液晶顯示面板303能夠改善藍色色偏移現(xiàn)象。同樣地，為了改善其它顏色的色偏移，液晶盒間隙H1、H2、H3之間將有不同的關(guān)系。
綜上所述，本發(fā)明利用半調(diào)式光刻掩膜在形成接觸窗的過程中，并同時減少位于像素區(qū)域上方之介電層厚度，因此具有此種主動元件陣列基板之OCB液晶顯示面板將具有多種液晶盒間隙，以改善色偏移現(xiàn)象。此外，本發(fā)明之主動元件陣列的制造方法與現(xiàn)有的工藝兼容。另外，在不增加光刻掩膜數(shù)量的情況下，本發(fā)明能夠制造出能夠改善色偏移現(xiàn)象之主動元件陣列基板。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與改進，因此本發(fā)明之保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種主動元件陣列基板的制造方法，其特征是包括提供基板，該基板上已形成多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個主動元件、第一介電層與第二介電層，其中上述這些掃描配線與上述這些數(shù)據(jù)配線在該基板上定義出多個像素區(qū)域，而各個上述主動元件分別通過相對應之該掃描配線與該數(shù)據(jù)配線控制，且該第一介電層由各個上述主動元件中延伸至上述這些像素區(qū)域上方，該第二介電層覆蓋于上述這些掃描配線、上述這些數(shù)據(jù)配線、上述這些主動元件與該第一介電層；提供半調(diào)式光刻掩膜，并利用該半調(diào)式光刻掩膜移除部分該第二介電層，以形成多個接觸窗，并在部分上述這些像素區(qū)域上方形成凹陷部；以及在各個上述像素區(qū)域上方形成像素電極，其中各個上述像素電極通過相對應之該接觸窗電連接至該主動元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是上述這些像素區(qū)域區(qū)分為多個紅色像素區(qū)域、多個綠色像素區(qū)域以及多個藍色像素區(qū)域，且該凹陷部位于上述這些紅色像素區(qū)域與上述這些綠色像素區(qū)域上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是上述這些紅色像素區(qū)域與上述這些綠色像素區(qū)域上方之該像素電極與該基板之間的最小距離為相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是形成該接觸窗與該凹陷部的步驟包括利用該半調(diào)式光刻掩膜在該第二介電層上形成圖案化光刻膠層；以該圖案化光刻膠層為掩膜，移除部分該第二介電層，以形成上述這些接觸窗，并在部分上述這些像素區(qū)域上方形成該凹陷部；以及移除該圖案化光刻膠層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是形成該凹陷部的步驟包括移除部分上述這些像素區(qū)域上方之該第二介電層之部分厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是形成該凹陷部的步驟包括完全移除部分上述這些像素區(qū)域上方之該第二介電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是形成該凹陷部的步驟包括完全移除部分上述這些像素區(qū)域上方之該第二介電層與移除該第一介電層之部分厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述之主動元件陣列基板的制造方法，其特征是形成該凹陷部的步驟包括完全移除部分上述這些像素區(qū)域上方之該第二介電層與該第一介電層。
全文摘要
一種主動元件陣列基板的制造方法。提供基板，且此基板上已形成有多條掃描配線、多條數(shù)據(jù)配線、多個主動元件、第一介電層與第二介電層。掃描配線與數(shù)據(jù)配線在基板上定義出多個像素區(qū)域，而第一介電層由主動元件中延伸至像素區(qū)域上方，且第二介電層覆蓋于第一介電層上。然后，利用半調(diào)式光刻掩膜所形成之圖案化光刻膠層為遮罩來移除部分第二介電層，以形成多個接觸窗與在部分像素區(qū)域上方形成凹陷部。然后，在像素區(qū)域上形成像素電極。因此，具有此主動元件陣列基板之液晶顯示面板將具有多種液晶盒間隙，以改善色偏移現(xiàn)象。
文檔編號G02F1/133GK101075583SQ20061008052
公開日2007年11月21日 申請日期2006年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月15日
發(fā)明者劉夢麒, 張原豪 申請人:中華映管股份有限公司