專利名稱：半色調(diào)掩模板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掩模板及其制造方法，特別涉及一種半色調(diào)掩模板及其制 造方法。
背景技術(shù)：
半色調(diào)掩模板包括透明的基板，基板上設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域 和透射區(qū)域，其中半透射區(qū)域的透射率介于非透射區(qū)域和透射區(qū)域的透射 率之間。目前，通過(guò)多次掩模工藝制造陣列基板或互補(bǔ)型氧化金屬半導(dǎo)體
(Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡(jiǎn)稱為C0MS )的過(guò)程中， 所使用的半色調(diào)掩模板通常設(shè)計(jì)在掩模板一面。即在掩模板一面沉積掩模 板材料(MaskMaterial),通過(guò)后續(xù)工藝在掩模板材料表面形成半透射區(qū) 域，然后在掩才莫材料表面沉積半色調(diào)材料(Half Tone Material),通過(guò) 后續(xù)工藝蝕刻除半透射區(qū)域外的半色調(diào)材料。其中掩模板材料通常為鉻(以 下簡(jiǎn)稱為"Cr")、半色調(diào)材料通常為鉻的氧化物(以下簡(jiǎn)稱為"CrOx")。 在基板一面用兩種材料形成半色調(diào)掩模板是比較常用的方法，并且被大多
生產(chǎn)廠商所采用。
現(xiàn)有技術(shù)半色調(diào)掩模板的制造方法如下
圖1為現(xiàn)有技術(shù)沉積Cr層的示意圖。在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū) 域和透射區(qū)域的基板1表面上沉積Cr層2。
圖2為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖。在Cr層2表面涂布光刻膠4， 然后通過(guò)光刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠4。
圖3為現(xiàn)有技術(shù)形成非透射區(qū)域的示意圖。通過(guò)蝕刻工藝去掉未被光
刻膠覆蓋的Cr層2，形成被Cr層2覆蓋的非透射區(qū)域。
圖4為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖。通過(guò)去膠工藝去掉剩余光刻膠。 圖5為現(xiàn)有技術(shù)沉積CrOx層的示意圖。在設(shè)置有Cr層2的基板1表
面上沉積Cr0x層3，使CrOx層3覆蓋整個(gè)基板1。
圖6為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖。在CrOx層3表面涂布光刻膠4，
然后通過(guò)光刻工藝去掉除半透射區(qū)域外的光刻膠4。
圖7為現(xiàn)有技術(shù)形成半透射區(qū)域的示意圖。通過(guò)蝕刻工藝去掉未被光
刻膠4覆蓋的CrOx層3，形成被CrOx層3覆蓋的半透射區(qū)域。
圖8為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖。通過(guò)去膠工藝去掉位于CrOx
層3上的光刻膠，完成半色調(diào)掩模板的制造。
圖9a為用現(xiàn)有方法制造的半色調(diào)掩模板的示意圖。掩模板表面有A
區(qū)域、B區(qū)域和C區(qū)域，其中A區(qū)域?yàn)榉峭干鋮^(qū)域；B區(qū)域和C區(qū)域?yàn)榘胪?br> 射區(qū)域。但是這種半色調(diào)掩模板在C區(qū)域出現(xiàn)重疊沉積的現(xiàn)象，即C區(qū)域
材料層的厚度大于B區(qū)域材料層的厚度，導(dǎo)致B區(qū)域和C區(qū)域具有不同的
透射率。
圖9b為用現(xiàn)有方法制造的另一半色調(diào)掩模板的示意圖。A區(qū)域?yàn)榉峭?射區(qū)域；B區(qū)域和C區(qū)域?yàn)榘胪干鋮^(qū)域，其中C區(qū)域?yàn)橥干渎蕽u變的區(qū)域， 導(dǎo)致了半透射區(qū)域具有多個(gè)透射率。
通過(guò)現(xiàn)有方法制造的半色調(diào)掩模板由于存在半透射區(qū)域出現(xiàn)材料層 重疊沉積的情況，導(dǎo)致半透射區(qū)域具有多個(gè)透射率，降低了掩模板的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半色調(diào)掩模板及其制造方法，有效解決現(xiàn)有 半色調(diào)掩模板的半透射區(qū)域具有多個(gè)透射率導(dǎo)致掩模板質(zhì)量降低的缺陷。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半色調(diào)掩模板，包括基板，基板 設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，在非透射區(qū)域設(shè)置掩模材料層，
5
在半透射區(qū)域的基板表面設(shè)有可調(diào)節(jié)透射率的壓花。
其中，掩模材料層設(shè)置在基板的一面，壓花設(shè)置在基板的另一面；或 者掩模材料層和壓花均設(shè)置在基板的同 一面。 其中，壓花的切面為錐形、半圓形或者梯形。
其中，半透射區(qū)域與非透射區(qū)域部分重疊。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種半色調(diào)掩模板的制造方法，包 括在基板上設(shè)置非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，在基板的非透射區(qū) 域上形成掩模材料層和在基板的半透射區(qū)域上形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花。
其中，在基板的非透射區(qū)域上形成掩模材料層和在基板的半透射區(qū)域 上形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花具體為在非透射區(qū)域上形成掩模材料層；用 激光照射半透射區(qū)域基板表面，在基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花。
其中，在基板的非透射區(qū)域上形成掩模材料層和在基板的半透射區(qū)域 上形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花具體為用激光照射半透射區(qū)域基板表面，在 基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花；在非透射區(qū)域上形成掩模材料層。
其中，掩模材料層形成在基板的一面，壓花形成在基板的另一面；或 者掩模材料層和壓花形成在基板的同一面。
其中，半透射區(qū)域與非透射區(qū)域部分重疊。
其中，用激光照射半透射區(qū)域基板表面具體為用紫外光照射半透射 區(qū)域基板表面或者用紅外光照射半透射區(qū)域基板表面。
本發(fā)明提供一種半色調(diào)掩模板，通過(guò)在半透射區(qū)域的基板表面設(shè)置可 調(diào)節(jié)透射率的壓花，使得半透射區(qū)域具有一定透射率，從而減少了掩模材 料層數(shù)，解決了在多個(gè)材料層鄰接的區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積的缺陷，有 效地提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。同時(shí)，由于這種半色調(diào)掩模板僅使用了 一種掩模材料層，所以在制造過(guò)程中可以防止蝕刻液和已形成的掩模材料 層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，不僅進(jìn)一步提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量，而且還簡(jiǎn)化了 半色調(diào)掩模板的制造工程。
本發(fā)明提供一種半色調(diào)掩模板的制造方法，通過(guò)用激光照射半透射區(qū) 域，并在該區(qū)域形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花的方法，減少了掩模材料層數(shù)， 有效解決了現(xiàn)有半色調(diào)掩模板兩個(gè)材料層鄰接的區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積 的現(xiàn)象，從而提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。同時(shí)，由于在半色調(diào)掩模板的 制造過(guò)程中僅用了一種掩模材料，所以在制造過(guò)程中可以防止蝕刻液和已 形成的掩模材料層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，這樣不僅進(jìn)一 步提高了半色調(diào)掩模板的 質(zhì)量，而且還簡(jiǎn)化了半色調(diào)掩模板的制造工程。
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)沉積Cr層的示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖3為現(xiàn)有技術(shù)形成非透射區(qū)域的示意圖4為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖5為現(xiàn)有技術(shù)沉積CrOx層的示意圖6為現(xiàn)有技術(shù)涂布光刻膠的示意圖7為現(xiàn)有技術(shù)形成半透射區(qū)域的示意圖8為現(xiàn)有技術(shù)去掉光刻膠的示意圖9a為用現(xiàn)有方法制造的半色調(diào)掩模板的示意圖9b為用現(xiàn)有方法制造的另一半色調(diào)掩模板的示意圖IO為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的示意圖11為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的另一示意圖12a為本發(fā)明半色調(diào)掩模板壓花的結(jié)構(gòu)示意圖12b為本發(fā)明半色調(diào)掩模板壓花的另一結(jié)構(gòu)示意圖12c為本發(fā)明半色調(diào)掩模板壓花的再一結(jié)構(gòu)示意圖13為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖14為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第二實(shí)施例的流程圖； 圖15為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第三實(shí)施例的流程圖； 圖16為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第四實(shí)施例的流程圖。 附圖標(biāo)記"i兌明
l一基板； 2—Cr層； 3—Cr0x層；
4一光刻膠； 5—掩模材料層； 6—壓花。
具體實(shí)施例方式
圖10為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10所示，半色調(diào)掩 模板包括透明的基板l,基板l設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū) 域，其中非透射區(qū)域上設(shè)有掩模材料層5,用于防止光線透過(guò)；半透射區(qū) 域設(shè)置了可以調(diào)節(jié)透射率的壓花6,使得該區(qū)域具有設(shè)定的透射率；透射 區(qū)域僅有千凈透明的基板1。本實(shí)施例中，位于非透射區(qū)域的掩模材料層5 和位于半透射區(qū)域的壓花6設(shè)置在基板1的一面。在這里半透射區(qū)域的透 射率一般控制在30°/ -70%,但是出于一些特殊工藝需要可以設(shè)置成其他透 射率值。
本實(shí)施例通過(guò)在半透射區(qū)域的基板表面設(shè)置可調(diào)節(jié)透射率的壓花，使 得半透射區(qū)域具有一定透射率，從而減少了掩模材料層數(shù)，解決了在多個(gè) 材料層鄰接的區(qū)域出現(xiàn)材料層重疊沉積的缺陷，有效地提高了半色調(diào)掩模 板的質(zhì)量。同時(shí)，由于這種半色調(diào)掩模板僅使用了一種掩模材料層，所以 在制造過(guò)程中可以防止蝕刻液和已形成的掩模材料層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，這樣 不僅進(jìn)一步提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量，而且還簡(jiǎn)化了半色調(diào)掩模板的制 造工程。
進(jìn)一步的，基板可以為玻璃基板、石英基板或藍(lán)寶石基板等具有較高 透射率的千凈的基板；掩模材料成為CrOx層、Si層、Cr層、Mo層或Ti
層等便于沉積工藝中沉積的非透射性材料層。
圖11為本發(fā)明半色調(diào)掩模板另一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11所示，半色調(diào)
掩模板包括透明的基板l,基板l設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射 區(qū)域，基板l 一面的非透射區(qū)域上設(shè)有掩模材料層5,用于防止光線透過(guò)； 基板1另一面的半透射區(qū)域設(shè)置了可以調(diào)節(jié)透射率的壓花6,使得該區(qū)域 具有設(shè)定的透射率，并且半透射區(qū)域和非透射區(qū)域部分重疊，重疊區(qū)域?yàn)?D;透射區(qū)域僅有干凈透明的基板1。在這里半透射區(qū)域的透射率通常控制 在30%~70%,但是出于一些特殊工藝需要也可以設(shè)置成其他透射率值。
在本實(shí)施例通過(guò)把掩模材料層和壓花分別設(shè)置在基板的兩面，并且半 透射區(qū)域和非透射區(qū)域部分重疊，即與半透射區(qū)域相鄰的部分非透射區(qū)域 的基板表面設(shè)有壓花，因此可以帶來(lái)防止漏光的有益效果，另外還可以提 高工程容差的有益效果。
下面將說(shuō)明壓花及壓花調(diào)節(jié)透射率的原理。
在本發(fā)明中所提及的壓花為設(shè)有凹部和凸臺(tái)的基板表面，凹部為用激 光蝕刻基板使基板表面形成向下凹陷的部分，凸臺(tái)為二個(gè)凹陷部分之間形 成的向上凸起的部分。
圖12a為本發(fā)明半色調(diào)掩模板壓花的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖12a所示，在 半透射區(qū)域中每個(gè)凸臺(tái)的高度h是相同的，并且每個(gè)凸臺(tái)的側(cè)面和水平面 之間的夾角a也是相同的，另外壓花的切面為錐形。這種時(shí)候在錐形的側(cè) 面會(huì)產(chǎn)生全反射現(xiàn)象，降低該區(qū)域的透射率。
圖12b為本發(fā)明半色調(diào)掩模板壓花的另一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖12b所示， 壓花區(qū)域的切面為半圓形。半圓形壓花的高度為壓花的頂點(diǎn)到壓花的谷底 平面之間的垂直距離，即圖12b中的高度h;半圓型壓花的角度為壓花谷 底平面和壓花側(cè)面射線之間的夾角，即圖12b中的夾角a。
圖12c為本發(fā)明半色調(diào)掩模板壓花的再一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖12c所示， 壓花區(qū)域的切面為梯形。梯形壓花的高度為壓花的頂端到底端之間的垂直 距離，即圖12c中的高度h;梯形壓花的角度為壓花底端平面和壓花側(cè)面
之間的夾角，即圖12c中的夾角a。這種時(shí)候在梯形的側(cè)面會(huì)產(chǎn)生全反射 現(xiàn)象；然而在梯形的頂部，即梯形的平面部分則使光線射入。
本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法包括在基板上設(shè)置非透射區(qū)域、半 透射區(qū)域和透射區(qū)域，在非透射區(qū)域上形成掩模材料層和用激光照射半透 射區(qū)域基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花。其中，在非透射區(qū)域上形成掩 模材料層和用激光照射半透射區(qū)域基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花可以 為在非透射區(qū)域上形成掩模材料層；用激光照射半透射區(qū)域基板表面， 在基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花。其中，在非透射區(qū)域上形成掩模材 料層和用激光照射半透射區(qū)域基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花也可以 為用激光照射半透射區(qū)域基板表面，在基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率的壓 花；在非透射區(qū)域上形成掩模材料層。
圖13為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第一實(shí)施例的流程圖，具體
為
步驟101、通過(guò)沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域 的基板表面沉積掩模材料層，并使該材料層覆蓋整個(gè)基板表面；
步驟102、通過(guò)沉積工藝在覆蓋有掩模材料層的基板表面涂布光刻膠， 通過(guò)光刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠；
步驟103、通過(guò)蝕刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的掩模材料層， 露出半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基板表面，形成被掩模材料層覆蓋的非透射 區(qū)域；
步驟104、通過(guò)去膠工藝去掉剩余光刻膠，使得掩模材料層僅覆蓋在 非透射區(qū)域。
步驟105、用激光照射半透射區(qū)域基板表面，在基板表面形成可以調(diào) 節(jié)透射率的壓花，使其具有設(shè)定的透射率。
本實(shí)施例通過(guò)用激光照射半透射區(qū)域，并在該區(qū)域形成可調(diào)節(jié)透射率 的壓花的方法，減少了掩模材料層數(shù)，有效解決了兩個(gè)材料層鄰接的區(qū)域
出現(xiàn)材料層重疊沉積的現(xiàn)象，從而提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。同時(shí)，由 于在半色調(diào)掩模板的制造過(guò)程中僅用了一種掩模材料，所以在制造過(guò)程中 可以防止蝕刻液和已形成的掩模材料層產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，這樣不僅進(jìn)一 步提 高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量，而且還簡(jiǎn)化了半色調(diào)掩模板的制造工程。
用激光照射半透射區(qū)域形成壓花的原理如下
在氧化物玻璃中，緊密連接在一起的氧離子具有較大的能帶隙，因此 氧離子從價(jià)帶(valence band )激起到傳導(dǎo)帶(conduct ion band )時(shí)需要 吸收大量的能量。所以根據(jù)E-hv在紫外線區(qū)域會(huì)出現(xiàn)電子被激起 (excitation)的現(xiàn)象；在紅外線區(qū)域則會(huì)出現(xiàn)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(network structure )的共振或者轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷(rotational transition )現(xiàn)象，兩種 現(xiàn)象均導(dǎo)致玻璃的透射率下降。但是大多數(shù)可視光線不能被吸收，即氧化 物玻璃對(duì)可視光線是透明的。
在本實(shí)施例中，用激光形成壓花的步驟也可以在已形成有掩模材料層 的基板另一面進(jìn)行。這樣可以防止用激光形成壓花時(shí)，在非透射區(qū)域已經(jīng) 形成的掩模材料層受到激光影響。同時(shí)還可以使半透射區(qū)域和非透射區(qū)域 部分重疊，即與半透射區(qū)域相鄰的部分非透射區(qū)域的基板表面形成壓花， 這樣可以產(chǎn)生防止半透射區(qū)域和非透射區(qū)域相鄰的區(qū)域漏光的有益效果， 另外還可以提高工程容差。進(jìn)一步地，本實(shí)施例中，用激光照射半透射區(qū) 域基板表面時(shí)，可以用紫外光照射半透射區(qū)域基板表面或者用紅外光照射 半透射區(qū)域基板表面。
更進(jìn)一步地，基板可以為玻璃基板、石英基板或藍(lán)寶石(sa卯hire) 基板等具有較高透射率的干凈的基板；掩模材料成為Cr0x層、Si層、Cr 層、Mo層或Ti層等便于沉積工藝中沉積的非透射性材料層。
再進(jìn)一步地，通過(guò)蝕刻工藝去掉基板表面材料層時(shí)，可以通過(guò)干蝕刻 工藝進(jìn)行蝕刻或者可以通過(guò)濕蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
圖14為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第二實(shí)施例的流程圖，具體
為
步驟201、基板設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，用激光照 射半透射區(qū)域基板表面，在基板表面形成可以調(diào)節(jié)透射率的壓花，使其具 有設(shè)定的透射率。
步驟202、通過(guò)沉積工藝在基板表面沉積掩模材料層，并使該材料層 覆蓋整個(gè)基板表面；
步驟203、通過(guò)沉積工藝在覆蓋有掩模材料層的基板表面涂布光刻膠， 通過(guò)光刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠；
步驟204、通過(guò)蝕刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的掩模材料層， 露出半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基板表面，形成被掩模材料層覆蓋的非透射 區(qū)域；
步驟205、通過(guò)去膠工藝去掉剩余光刻膠，使得掩模材料層僅覆蓋在 非透射區(qū)域。
在本實(shí)施例中，用激光形成壓花的步驟也可以在已形成有掩模材料層 的基板另一面進(jìn)行。同時(shí)還可以使半透射區(qū)域和非透射區(qū)域部分重疊，即 與半透射區(qū)域相鄰的部分非透射區(qū)域的基板表面形成壓花，這樣可以產(chǎn)生 防止半透射區(qū)域和非透射區(qū)域相鄰的區(qū)域漏光的有益效果，另外還可以提 高工程容差。
進(jìn)一步地，本實(shí)施例中，用激光照射半透射區(qū)域基板表面時(shí)，可以用 紫外光照射半透射區(qū)域基板表面或者用紅外光照射半透射區(qū)域基板表面。 并且形成壓花的過(guò)程中所使用的激光光強(qiáng)和波長(zhǎng)應(yīng)相同。如此一來(lái)可以在 基板表面形成均勻的壓花，使得半透射區(qū)域具有均勻的透射率。
圖15為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第三實(shí)施例的流程圖，具體
為
步驟301、通過(guò)沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域
的基板表面沉積掩模材料層，并使該材料層覆蓋整個(gè)基板表面；
步驟302、通過(guò)沉積工藝在覆蓋有掩模材料層的基板表面涂布光刻膠，
通過(guò)光刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠；
步驟303、通過(guò)蝕刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的掩模材料層， 露出半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基板表面，形成被掩模材料層覆蓋的非透射 區(qū)域；
步驟304、用激光照射半透射區(qū)域基板表面，在基板表面形成可以調(diào) 節(jié)透射率的壓花，使其具有設(shè)定的透射率。
步驟305、通過(guò)去膠工藝去掉剩余光刻膠，使得掩模材料層僅覆蓋在 非透射區(qū)域。
用激光蝕刻基板的過(guò)程中，考慮到工程容差，在非透射區(qū)域和半透射 區(qū)域相鄰的部位有可能出現(xiàn)非透射區(qū)域的掩模材料層被用于蝕刻基板的激 光蝕刻掉，使得本應(yīng)為零透射率的非透射區(qū)域具有一定透射率，降低了半 色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
通過(guò)本實(shí)施例提示的方案，即去膠之前用激光蝕刻半透射區(qū)域，使得 剩余的光刻膠起保護(hù)膜的作用，即防止光刻膠下面的掩模材料層被激光蝕 刻掉，從而有效提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量，同時(shí)還可以提高工程的容差 能力，大大提高生產(chǎn)效率。
圖16為本發(fā)明半色調(diào)掩模板的制造方法第四實(shí)施例的流程圖，具體
為
步驟401、通過(guò)沉積工藝在設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域
的基板一面沉積掩模材料層，并使該材料層覆蓋整個(gè)基板；
步驟402、通過(guò)沉積工藝在覆蓋有掩模材料層的基板表面涂布光刻膠，
通過(guò)光刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的光刻膠；
步驟403、通過(guò)蝕刻工藝去掉半透射區(qū)域和透射區(qū)域的掩模材料層，
露出半透射區(qū)域和透射區(qū)域的基板表面，形成被掩模材料層覆蓋的非透射
區(qū)域；
步驟404、通過(guò)去膠工藝去掉剩余光刻膠，使得掩模材料層僅覆蓋在
非透射區(qū)域。
步驟405、用激光照射半透射區(qū)域基板另一面，在基板另一面形成可 以調(diào)節(jié)透射率的壓花，使其具有設(shè)定的透射率。
本實(shí)施例的制造方法通過(guò)在基板的兩面分別進(jìn)行形成覆蓋掩模材料 層的非透射區(qū)域的步驟和用激光形成壓花的步驟，可以防止非透射區(qū)域的 材料層被激光蝕刻掉，還可以方便地增加壓花區(qū)域的面積，從而在半透射 區(qū)域降低了漏光現(xiàn)象出現(xiàn)的機(jī)率，提高了半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì) 其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修 改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不 使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種半色調(diào)掩模板，包括基板，所述基板設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，在非透射區(qū)域設(shè)置掩模材料層，其特征在于在半透射區(qū)域的基板表面設(shè)有可調(diào)節(jié)透射率的壓花。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模板，其特征在于所述掩模材 料層設(shè)置在基板的一面，所述壓花設(shè)置在基板的另一面；或者所述掩模材 料層和所述壓花均設(shè)置在所述基板的同一面。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩模板，其特征在于所述壓花的 切面為錐形、半圓形或者梯形。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的半色調(diào)掩模板，其特征在于所述 半透射區(qū)域與所述非透射區(qū)域部分重疊。
5、 一種半色調(diào)掩模板的制造方法，其特征在于，包括在基板上設(shè)置 非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，在基板的非透射區(qū)域上形成掩模材 料層和在基板的半透射區(qū)域上形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半色調(diào)掩模板的制造方法，其特征在于 在基板的非透射區(qū)域上形成掩模材料層和在基板的半透射區(qū)域上形成可調(diào) 節(jié)透射率的壓花具體為在非透射區(qū)域上形成掩模材料層；用激光照射半透射區(qū)域基板表面，在所述基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率 的壓花。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半色調(diào)掩模板的制造方法，其特征在于 在基板的非透射區(qū)域上形成掩模材料層和在基板的半透射區(qū)域上形成可調(diào) 節(jié)透射率的壓花具體為用激光照射半透射區(qū)域基板表面，在所述基板表面形成可調(diào)節(jié)透射率 的壓花；在非透射區(qū)域上形成掩模材料層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5、 6或7所述的半色調(diào)掩模板的制造方法，其特征 在于所述掩模材料層形成在基板的一面，所述壓花形成在基板的另一面； 或者所述掩模材料層和所述壓花形成在所述基板的同 一面。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5、 6或7所述的半色調(diào)掩模板的制造方法，其特征 在于所述半透射區(qū)域與所述非透射區(qū)域部分重疊。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半色調(diào)掩模板的制造方法，其特征在 于所述用激光照射半透射區(qū)域基板表面具體為用紫外光照射半透射區(qū) 域基板表面或者用紅外光照射半透射區(qū)域基板表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半色調(diào)掩模板及其制造方法，半色調(diào)掩模板包括基板，基板設(shè)有非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，在非透射區(qū)域設(shè)置掩模材料層；在半透射區(qū)域的基板表面設(shè)有可調(diào)節(jié)透射率的壓花。制造方法包括在基板上設(shè)置非透射區(qū)域、半透射區(qū)域和透射區(qū)域，在基板的非透射區(qū)域上形成掩模材料層和在基板的半透射區(qū)域上形成可調(diào)節(jié)透射率的壓花。本發(fā)明可以解決重復(fù)沉積現(xiàn)象，并且還可以進(jìn)一步提高半色調(diào)掩模板的質(zhì)量。
文檔編號(hào)G03F1/08GK101387826SQ20071012173
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月13日
發(fā)明者劉圣烈, 柳在一 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司