專利名稱：電泳顯示裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電泳顯示裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為有源矩陣型的電泳顯示裝置，已知有在像素內(nèi)具備有開關(guān)用晶體
管和存儲(chǔ)電路(SRAM: Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器) 的電泳顯示裝置(參照專利文獻(xiàn)l)。進(jìn)而，本申請(qǐng)的申請(qǐng)人，提出了除了 存儲(chǔ)電路之外，在像素內(nèi)還設(shè)置有開關(guān)電路的電泳顯示裝置(參照專利文 獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1特開2003—84314號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2008—268853號(hào)公報(bào)
圖16 (a)是具備專利文獻(xiàn)2所記載的結(jié)構(gòu)的電泳顯示裝置500中的 像素540的電路結(jié)構(gòu)圖，圖16 ( b )是電泳顯示裝置500的顯示部505的 概要剖面圖。
如圖16 (a)所示，像素540具備選擇晶體管41、鎖存電路70、開 關(guān)電路580、像素電極35、電泳元件32和共用電極37。此外，在像素540 上，連接有掃描線66、數(shù)據(jù)線68、高電位電源線50、低電位電源線49、 第l控制線91和第2控制線92。
如圖16 (b)所示，在電泳顯示裝置500的顯示部505中，配置有多 個(gè)像素電極35A、 35B,在像素電極35A、 35B雙方與相對(duì)的共用電極37 之間，夾持著具有微嚢20的電泳元件32，微嚢20與像素電極35A、 35B， 經(jīng)由粘接劑層33粘接。
此外，關(guān)于圖16所示的電路元件、電極、電泳元件等的詳情，在后面
4的實(shí)施方式中參照?qǐng)D2等詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
在專利文獻(xiàn)2記載的電泳顯示裝置500中，是這樣的結(jié)構(gòu)利用保持 于鎖存電路70中的電壓對(duì)開關(guān)電路580進(jìn)行控制，經(jīng)由開關(guān)電路580將2 條控制線91、 92中的任意一條與像素電極35連接，從而向像素電極35 輸入電位(Sl或S2)。根據(jù)這樣的電泳顯示裝置500，通過(guò)對(duì)第1及第2 控制線91、 92的電位進(jìn)行控制，可以進(jìn)行中間灰度等級(jí)的顯示、顯示部的 部分改寫等，并且具有能夠減少像素間的泄漏電流的優(yōu)點(diǎn)。
但是，從實(shí)現(xiàn)電泳顯示裝置的進(jìn)一步高性能化、低功耗化方面看，在 專利文獻(xiàn)2記載的電泳顯示裝置中還存在以下的(1) ~ (3)所表示的問(wèn) 題。
(1) 在電泳顯示裝置500中，雖然能夠清楚地顯示白色顯示的像素與 黑色顯示的像素的邊界，但是當(dāng)顯示在相對(duì)于像素的排列方向傾斜的方向 上延伸的直線、曲線等的情況下，卻存在著會(huì)明顯看出鋸齒狀圖形(臺(tái)階 狀的鋸齒紋)的問(wèn)題。該點(diǎn)，在電泳顯示裝置500中，因?yàn)槿缭诤竺娴?3) 中所詳述地，可以進(jìn)行顯示部的部分改寫，所以可以通過(guò)在黑白的邊界部 分設(shè)置中間灰度等級(jí)的顯示區(qū)域來(lái)進(jìn)行反鋸齒處理。但是，在這樣的驅(qū)動(dòng) 方法中，因?yàn)樾枰獙⒂糜陲@示中間灰度等級(jí)的圖像數(shù)據(jù)傳送給像素，所以 存在著因驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)而引起的消耗電流的增大、直至顯示完畢為止的時(shí)
間變長(zhǎng)等這樣的問(wèn)題。
(2) 并不限于電泳顯示裝置500，在微嚢方式的電泳顯示裝置中，因 像素間泄漏電流而引起的功耗的上升成為問(wèn)題。具體地，如圖16(b)所 示，若黑色顯示的像素540A與白色顯示的像素540B相鄰地配置，則在為 高電平電位VH (例如15V)的#>素電極35A與為^f氐電平電位VL (例如 OV)的像素電極35B之間會(huì)形成橫向方向(基板面方向)的電場(chǎng)E。通過(guò) 該電場(chǎng)E，由于粘接微嚢與像素電極的粘接劑層33的微量水分的影響會(huì)產(chǎn) 生像素間泄漏電流。而且，由于這樣的像素間泄漏電流，會(huì)存在功耗變大 的問(wèn)題。
并且，所謂由于微量水分等的影響會(huì)產(chǎn)生泄漏電流，表示在像素電極35與粘接劑層33之間發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的可能性。即，有可能發(fā)生損害像 素電極35的可靠性的離子性遷移、腐蝕等。雖然如果將金、白金等貴金屬 用作像素電極的形成材料則可靠性會(huì)提高，但是因?yàn)椴捎觅F金屬會(huì)引起成 本的增加、制造工序的復(fù)雜化，所以難以在提高可靠性的同時(shí)抑制制造成 本。
(3)在電泳顯示裝置500中進(jìn)行部分改寫驅(qū)動(dòng)時(shí)，在未使顯示發(fā)生變 化的像素540中將與像素電極35連接的第l控制線或第2控制線92設(shè)置 為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
圖17及圖18是關(guān)于部分改寫驅(qū)動(dòng)的說(shuō)明圖。圖17 (a)是表示由電 泳顯示裝置500所具備的顯示部505的俯視結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖，圖17 ( b )是 表示圖17 (a)的像素540A 540D的剖面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。圖18是表示圖 17 (a)的像素540A、 540E、 540F的電路結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
此外，關(guān)于圖17及圖18所示的各構(gòu)成要素，在后面的實(shí)施方式中詳 細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。并且，在符號(hào)中附加的"A" "F"附加字符，是為了將 多個(gè)像素540和它們的構(gòu)成要素相互區(qū)別開而附加的，而并無(wú)其他含意。
在電泳顯示裝置500中，在僅改寫1個(gè)像素540A的情況下，如圖17 所示，使改寫對(duì)象像素540A的像素電極35A與第1控制線91經(jīng)由開關(guān)電 路580A電連接，并使維持顯示的像素540B 540F的像素電極35B 35F與 第2控制線92，分別經(jīng)由開關(guān)電路580B 580F電連接。并且，在第1控 制線91上提供高電平電位VH (例如15V)，另一方面，將第2控制線92 設(shè)置為高阻抗?fàn)顟B(tài)，在共用電極37上輸入低電平電位VL (例如0V)。
于是，在像素540A中，利用高電平電位VH的像素電極35A與低電 平電位VL的共用電極37的電位差，驅(qū)動(dòng)電泳元件32而成為黑色顯示。 另一方面，在其他的像素540B 540F中，因?yàn)橄袼仉姌O35B 35F為高阻 抗?fàn)顟B(tài)，所以在與共用電極37之間并不產(chǎn)生電位差，而維持顯示。
在上述的部分改寫驅(qū)動(dòng)中，雖然像素電極35B 35F被設(shè)置為高阻抗?fàn)?態(tài)的像素540B 540F的顯示應(yīng)該不發(fā)生變化，但是實(shí)際上卻存在著對(duì)比度 會(huì)下降的問(wèn)題。如前面的(2)中所記載地，在微嚢方式的電泳顯示裝置中，會(huì)產(chǎn)生經(jīng) 由粘接劑層33的像素間泄漏。因此，如圖17及圖18所示，在部分改寫驅(qū) 動(dòng)中，也會(huì)在改寫對(duì)象像素540A的像素電極35A與相鄰于像素電極35A 的像素電極35B、 35E之間產(chǎn)生像素間泄漏電流Lk。由此，會(huì)對(duì)維持顯示 的像素540B、 540E的像素電極35B、 35E輸入因泄漏而產(chǎn)生的電位。
因此，因?yàn)橄袼?40B 540F的像素電極35B 35F經(jīng)由第2控制線92 互相電連接，所以像素電極35B、 35E的電位，也被提供給與它們相鄰的 其他像素電極35C、 35F等。而且，在這樣在像素電極35B 35F上輸入了 電位的狀態(tài)下，若在共用電極37上輸入例如低電平電位VL而進(jìn)行圖像顯 示工作，則連像素540B 540F的顯示也發(fā)生變化，從而顯示部505整體的 對(duì)比度會(huì)下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述以往技術(shù)的問(wèn)題而提出的，其目的之一在于提供 可以進(jìn)行平滑地表現(xiàn)輪廓的顯示、優(yōu)選地也能夠抑制泄漏電流的產(chǎn)生的電 泳顯示裝置。
本發(fā)明的電泳顯示裝置，為了解決上述問(wèn)題，是具有以下部件的電泳 顯示裝置夾持包括電泳微粒的電泳元件而相對(duì)的第1基板及第2基板； 具備有多個(gè)包括前述電泳元件的像素的顯示部；形成于前述笫2基板的前
述電泳元件側(cè)的共用電極；以及形成于前述第1基板及第2基板中的任意 一個(gè)上的第l控制線及第2控制線，其中，前述像素，具備像素開關(guān)元件、 連接到前述像素開關(guān)元件的存儲(chǔ)電路、連接到前述存儲(chǔ)電路的開關(guān)電路和 連接到前述開關(guān)電路并與前述共用電極相對(duì)地配置的第1像素電極及第2 像素電極；前述開關(guān)電路，包括第1開關(guān)和第2開關(guān)，第l開關(guān)利用前述 存儲(chǔ)電路的輸出信號(hào)控制前述第1控制線與前述第1像素電極的導(dǎo)通，第 2開關(guān)利用前述存儲(chǔ)電路的輸出信號(hào)控制前述第2控制線與前述第2像素 電極的導(dǎo)通。
如果采用該結(jié)構(gòu)，則在圖像顯示工作中，能夠?qū)⒔?jīng)由第l開關(guān)連接到 第l控制線的第l像素電極的電位和經(jīng)由第2開關(guān)連接到第2控制線的第2像素電極的電位的至少一方，設(shè)定為由第1或第2開關(guān)電斷開的高阻抗 狀態(tài)。
在像素電極被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素內(nèi)的區(qū)域中，雖然理論上電泳 元件不會(huì)被驅(qū)動(dòng)，但是實(shí)際上，因?yàn)闀?huì)產(chǎn)生像素間泄漏，所以在與被輸入 了電位的像素電極之間會(huì)產(chǎn)生電荷的移動(dòng)。這樣，被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)的 第1或第2像素電極的電位，成為與存在于其周圍的、被輸入了電位的第 1或笫2像素電極的電位相應(yīng)的電位。
例如，如果在高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素電極的周圍較多地配置有高電平電位 的像素電極，則該高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素電極的電位會(huì)成為接近于高電平電位 的中間電位(高電平電位的50~100%)。相反，如果在周圍較多地配置有 低電平電位的像素電極，則該高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素電極的電位會(huì)成為接近于 低電平電位的中間電位(高電平電位的0~50%)。
而且，如上所述地高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素電極的電位成為高電平電位與低 電平電位的中間電位的結(jié)果，這樣的像素電極上的電泳元件，會(huì)以與像素 電極的電位相應(yīng)的中間灰度等級(jí)進(jìn)行顯示。例如，像素電極的電位如果是 高電平電位的80%左右，則該<象素電極上的區(qū)域成為深灰色的中間灰度等 級(jí)顯示，如果是20%左右，則該像素電極上的區(qū)域成為戌灰色的中間灰度 等級(jí)顯示。
從而，在本發(fā)明的電泳顯示裝置中，因?yàn)樵谟苫叶鹊燃?jí)不同的像素構(gòu) 成的區(qū)域的邊界處，會(huì)形成上述的中間灰度等級(jí)顯示的區(qū)域，所以可顯示 自然與被實(shí)施了反鋸齒處理的圖像。因而，如果采用本發(fā)明，則能夠得到 輪廊得以被平滑地表現(xiàn)的顯示。
優(yōu)選地，在前述像素中，分別設(shè)置有多個(gè)前述第l及第2像素電極。
通過(guò)形成為這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)橄袼乇环指畛筛嗟淖酉袼?，所以像?的輪廓處的分辨率實(shí)質(zhì)性地提高，從而能夠得到更高品質(zhì)的顯示。并且， 通過(guò)增加分割數(shù)，因?yàn)榈?像素電極與第2像素電極的邊界線長(zhǎng)度縮短， 并且電位不同的像素電極彼此之間的距離變長(zhǎng)，所以能夠減少泄漏電流。
優(yōu)選地，在前述像素中，設(shè)置有相同數(shù)量的多個(gè)前述第l及第2像素 電極。通過(guò)形成為這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)槟軌蛉菀椎貙⒌趌像素電極的總計(jì)面積
與第2像素電極的總計(jì)面積設(shè)定得相同，所以能夠防止由于二者的面積差 異而使反射率按每一像素變得不同的情況。
優(yōu)選地，在相鄰的2個(gè)前述像素的邊界部分， 一個(gè)前述像素的1個(gè)前 述第1像素電極與另一個(gè)前述像素的1個(gè)前述第2像素電極相鄰配置。
如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則因?yàn)樵诨叶鹊燃?jí)不同的像素的邊界處相鄰地 配置電位不同的第l像素電極和第2像素電極，所以能夠防止在圖像的輪 廓為直線狀的部分處輪廓變得模糊的情況。
優(yōu)選地，在相鄰的2個(gè)前述像素的邊界部分， 一個(gè)前述像素的l個(gè)前 述第1像素電極與另一個(gè)前述像素的1個(gè)前述第1像素電極相鄰配置。
通過(guò)形成為這樣的結(jié)構(gòu)，能夠更加平滑地表現(xiàn)圖像的輪廓。并且，能 夠形成為也不會(huì)產(chǎn)生部分改寫驅(qū)動(dòng)中的對(duì)比度下降的問(wèn)題的電泳顯示裝 置。
優(yōu)選地，在前述像素中，分別設(shè)置有前述第1及第2像素電極各2個(gè)； 前述第l像素電極與前述第2像素電極，在前述像素內(nèi)被互不相同地平面 配置。
通過(guò)形成為這樣的結(jié)構(gòu)，能夠防止各個(gè)像素中的顯示的偏差，并且， 對(duì)于高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素電極的電荷流入也變得均勻。
本發(fā)明的電泳顯示裝置，在圖像顯示工作時(shí)，構(gòu)成同一前述像素的前 述第l及第2像素電極之中至少一個(gè)電極，被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)。利用這 樣的結(jié)構(gòu)，也能夠確定本發(fā)明的電泳顯示裝置。
接下來(lái)，本發(fā)明的電子設(shè)備，具備有上迷的電泳顯示裝置。
如果采用該結(jié)構(gòu)，則能夠提供具備有可以進(jìn)行輪廓平滑的高品質(zhì)顯示 的顯示單元的電子設(shè)備。


圖l是實(shí)施方式的電泳顯示裝置的概要結(jié)構(gòu)圖； 圖2是像素的電路結(jié)構(gòu)圖3是表示像素電極等的俯視配置(第l像素配置)的說(shuō)明圖；圖4是沿著圖3中所示的A—A，線的局部剖面圖； 圖5是表示顯示部的俯視結(jié)構(gòu)的作用說(shuō)明圖6是與像素電路一起表示沿著圖5中所示的B—B，線的剖面結(jié)構(gòu) 的i兌明圖7是表示圖像數(shù)據(jù)、像素的電位狀態(tài)和顯示圖像的對(duì)應(yīng)關(guān)系的說(shuō)明
圖8是表示第2像素配置的俯視圖9是表示圖像數(shù)據(jù)、像素的電位狀態(tài)和顯示圖像的對(duì)應(yīng)關(guān)系的說(shuō)明
圖IO是泄漏電流的說(shuō)明圖ll是表示部分改寫驅(qū)動(dòng)時(shí)的顯示部的電位狀態(tài)的說(shuō)明圖12是關(guān)于對(duì)比度下降的抑制的作用說(shuō)明圖13是表示作為電子設(shè)備的一例的手表的圖14是表示作為電子設(shè)備的一例的電子紙張的圖15是表示作為電子設(shè)備的一例的電子筆記本的圖16是表示以往的電泳顯示裝置的圖17是以往的電泳顯示裝置中的部分改寫驅(qū)動(dòng)的說(shuō)明圖；以及
圖18是關(guān)于以往的電泳顯示裝置中的對(duì)比度下降的說(shuō)明圖。
符號(hào)說(shuō)明
100 電泳顯示裝置，20微嚢，30元件基板(第l基板)，31對(duì) 置基板(第2基板)，32 電泳元件，33 粘接劑層，37共用電極，40、 40A、 40B、 40C、 40D、 40a、 40b、 40c、楊、40e、 40f 像素，41 選 擇晶體管(像素開關(guān)元件)，49低電位電源線，50高電位電源線，55共 用電極布線，61掃描線驅(qū)動(dòng)電路，62數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，63控制器， 64 共用電源調(diào)制電路，66 掃描線，68 數(shù)據(jù)線，70、 70C、 70D 鎖存 電路(存儲(chǔ)電路)，91 第l控制線，92 第2控制線，351、 351a、 351b、 351aC、 351aD、 351bC、 351bD 第1像素電極，352、 352a、 352b、 352aC、 352aD、 352bC、 352bD 第2像素電極，TG1、 TG1C、 TG1D、 TGla、 TGlb、 TGlc 第l傳輸門(第l開關(guān))，TG2、 TG2C、 TG2D、 TG2a、TG2b、 TG2c 第2傳輸門(第2開關(guān))。
具體實(shí)施例方式
以下，利用

作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式的有源矩陣方式的電 泳顯示裝置。
此外，本實(shí)施方式，表示本發(fā)明的一種方式，而并非對(duì)該發(fā)明進(jìn)行限 定，可以在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)任意地進(jìn)行變形。并且，在以下的 附圖中，為了使各結(jié)構(gòu)容易理解，存在使比例尺、數(shù)量等與實(shí)際的結(jié)構(gòu)有 所不同而進(jìn)行顯示的情況。
圖1是實(shí)施方式的電泳顯示裝置100的概要結(jié)構(gòu)圖。 電泳顯示裝置100，具備多個(gè)像素40矩陣狀地排列而成的顯示部5。 在顯示部5的周邊，配置有掃描線驅(qū)動(dòng)電路61、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62、控制 器(控制部)63及共用電源調(diào)制電路64。掃描線驅(qū)動(dòng)電路61、數(shù)據(jù)線驅(qū) 動(dòng)電路62及共用電源調(diào)制電路64，分別與控制器63相連接?？刂破?3， 根據(jù)從上級(jí)裝置提供的圖像數(shù)據(jù)、同步信號(hào)等，綜合性地對(duì)上述電路進(jìn)行 控制。
在顯示部5中，形成有從掃描線驅(qū)動(dòng)電路61延伸的多條掃描線66、 從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62延伸的多條數(shù)據(jù)線68，并且與它們的交叉位置對(duì)應(yīng) 地設(shè)置像素40。
掃描線驅(qū)動(dòng)電路61，經(jīng)由m條掃描線66 (Yl、 Y2.....Ym )連接
到各個(gè)像素40，并且在控制器63的控制之下，依次選擇第1行到第m行 的掃描線66。掃描線驅(qū)動(dòng)電路61，經(jīng)由所選擇的掃描線66，向設(shè)置于像 素40中的選擇晶體管41 (參照?qǐng)D2)提供規(guī)定導(dǎo)通定時(shí)的選擇信號(hào)。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62,經(jīng)由n條數(shù)據(jù)線68 (Xl、 X2.....Xn )連接到
各個(gè)像素40，并且在控制器63的控制之下，將規(guī)定與像素40的各個(gè)對(duì)應(yīng) 的1位像素?cái)?shù)據(jù)的圖像信號(hào)提供給像素40。
并且，在本實(shí)施方式中，在規(guī)定像素?cái)?shù)據(jù)"O"的情況下，將低電平(L) 的圖像信號(hào)提供給像素40，在規(guī)定像素?cái)?shù)據(jù)"1"的情況下，將高電平(H) 的圖像信號(hào)提供給像素40。在顯示部5中，還設(shè)置有從共用電源調(diào)制電路64延伸的5條全局布線 (低電位電源線49、高電位電源線50、共用電極布線55、第1控制線91 及第2控制線92)，各條布線與像素40相連接。共用電源調(diào)制電路64，在 控制器63的控制之下，生成應(yīng)當(dāng)提供給上述布線的各個(gè)的各種信號(hào)，另一 方面，進(jìn)行這些各布線的電連接及斷開(高阻抗化)。 圖2是像素40的電路結(jié)構(gòu)圖。
在像素40中，設(shè)置有選擇晶體管(像素開關(guān)元件)41、鎖存電路(存 儲(chǔ)電路)70、開關(guān)電路80、電泳元件32、第1像素電極351、第2像素電 極352和作為對(duì)置電極的共用電極37。以包圍這些元件的方式，配置掃描 線66、數(shù)據(jù)線68、低電位電源線49、高電位電源線50、第1控制線91 及第2控制線92。像素40，是利用鎖存電路70將圖像信號(hào)作為電位進(jìn)行 保持的SRAM ( Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)方式的 結(jié)構(gòu)。
上述元件之中，也將由選擇晶體管41、鎖存電路70、開關(guān)電路80、 第l及第2像素電極351、 352構(gòu)成的部分稱為像素電路。該像素電路及共 用電極37和包括第l控制線91、第2控制線92的全局布線，由掃描線驅(qū) 動(dòng)電路61、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路62及共用電源調(diào)制電路64所驅(qū)動(dòng)。
選擇晶體管41 ，是包括N-MOS( Negative Metal Oxide Semiconductor, 負(fù)金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的像素開關(guān)元件。選擇晶體管41的柵端子連 接到掃描線66，源端子連接到數(shù)據(jù)線68，漏端子連接到鎖存電路70的數(shù) 據(jù)輸入端子N1。
鎖存電路70，具備傳送反相器70t和反饋反相器70f。傳送反相器70t 及反饋反相器70f均是C-MOS反相器。傳送反相器70t和反饋反相器70f, 形成為在相互的輸入端子上連接有另一方的輸出端子的環(huán)結(jié)構(gòu)，并且對(duì)各 個(gè)反相器，從經(jīng)由高電位電源端子PH連接的高電位電源線50供給高電位 的電源電壓，從經(jīng)由低電位電源端子PL連接的低電位電源線49供給低電 位的電源電壓。
傳送反相器70t，具有P-MOS ( Positive Metal Oxide Semiconductor,
正金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管71和N-MOS晶體管72， P-MOS晶體管71和N-MOS晶體管72其各自的漏端子連接到數(shù)據(jù)輸出端子N2。 P-MOS晶 體管71的源端子連接到高電位電源端子PH， N-MOS晶體管72的源端子 連接到低電位電源端子PL。 P-MOS晶體管71及N-MOS晶體管72的柵 端子(傳送反相器70t的輸入端子)，與數(shù)據(jù)輸入端子m (反饋反相器70f 的輸出端子)相連接。
反饋反相器70f'，具有P-MOS晶體管73和N-MOS晶體管74， P-MOS 晶體管73和N-MOS晶體管74其各自的漏端子連接到數(shù)據(jù)輸入端子Nl。 P-MOS晶體管73及N-MOS晶體管74的柵端子(反饋反相器70f的輸入 端子)，與數(shù)據(jù)輸出端子N2 (傳送反相器70t的輸出端子)相連接。
在上述結(jié)構(gòu)的鎖存電路70中，若存儲(chǔ)高電平(H)的圖像信號(hào)(像素 數(shù)據(jù)'T，)，則從鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸出端子N2輸出低電平(L)的信號(hào)。 另 一方面，若在鎖存電路70中存儲(chǔ)低電平(L )的圖像信號(hào)(像素?cái)?shù)據(jù)"0")， 則從數(shù)據(jù)輸出端子N2輸出高電平(H)的信號(hào)。
鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸入端子Nl及數(shù)據(jù)輸出端子N2，與開關(guān)電路80 相連接。進(jìn)而，開關(guān)電路80，分別連接到第1及第2像素電極351、 352 和第1及第2控制線91、 92。開關(guān)電路80，具備第1傳輸門TG1 (第1 開關(guān))和第2傳輸門TG2 (第2開關(guān))而構(gòu)成。
第1傳輸門TG1，包括P-MOS晶體管81和N-MOS晶體管82。P-MOS 晶體管81及N-MOS晶體管82的源端子連接到第1控制線91， P-MOS 晶體管81及N-MOS晶體管82的漏端子連接到第1像素電極351。P-MOS 晶體管81的柵端子連接到鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸入端子Nl, N-MOS晶體 管82的柵端子連接到鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸出端子N2。
笫2傳輸門TG2，包括P-MOS晶體管83與N-MOS晶體管84。P-MOS 晶體管83及N-MOS晶體管84的源端子連接到第2控制線92， P-MOS 晶體管83及N-MOS晶體管84的漏端子連接到第2像素電極352。P-MOS 晶體管83的柵端子連接到鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸出端子N2, N-MOS晶體 管84的柵端子連接到鎖存電路70的數(shù)據(jù)輸入端子Nl。
在此，當(dāng)在鎖存電路70中存儲(chǔ)低電平(L)的圖像信號(hào)(像素?cái)?shù)據(jù)"O")、 從數(shù)據(jù)輸出端子N2輸出高電平(H)的信號(hào)的情況下，第1傳輸門TG1成為導(dǎo)通狀態(tài)從而第1控制線91與第1像素電極351電連接，從而第1 控制線91的電位S1被輸入到第l像素電極351。此時(shí)，因?yàn)榈?傳輸門 TG2因鎖存電路70的輸出信號(hào)而被設(shè)定為關(guān)斷狀態(tài)，所以第2像素電極 352成為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
另一方面，當(dāng)在鎖存電路70中存儲(chǔ)高電平(H)的圖像信號(hào)(像素?cái)?shù) 據(jù)"r，)、從數(shù)據(jù)輸出端子N2輸出低電平(L)的信號(hào)的情況下，第2傳 輸門TG2成為導(dǎo)通狀態(tài)，從而第2控制線92的電位S2被輸入到第2像素 電極352。此時(shí)，第l傳輸門TG1為關(guān)斷狀態(tài)，從而第1像素電極351成 為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
這樣，在像素40中，基于由鎖存電路70所存儲(chǔ)的圖像信號(hào)，第l傳 輸門TG1和第2傳輸門TG2排他性地進(jìn)行工作，使第1像素電極351和 第2像素電極352之中僅一方的像素電極與對(duì)應(yīng)的控制線相連接，而另一 方的像素電極則被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
圖3是表示顯示部5中的第1及第2像素電極351、 352和掃描線66 及數(shù)據(jù)線68的俯視配置的圖。圖4是電泳顯示裝置IOO的沿著圖3中所示 的A—A'線的位置處的局部剖面圖。
如圖3所示，在顯示部5中，多個(gè)像素40排列成矩陣狀，掃描線66 及數(shù)據(jù)線68延伸于相鄰的像素40的邊界區(qū)域。在各個(gè)像素40中，2個(gè)第 l像素電極351 (351a、 351b)和2個(gè)第2像素電極352 (352a、 352b), 相互交錯(cuò)地正方形配置。即，在大致正方形形狀的像素40的俯視區(qū)域，大 致正方形形狀的第l像素電極351a與第l像素電極351b配置在對(duì)角位置 上，第2像素電極352a與第2像素電極352b配置于另一對(duì)角位置上。本 實(shí)施方式的情況下，在顯示部5中的相鄰像素40彼此間，以相同種類的像 素電極彼此(第1像素電極351彼此、第2像素電極352彼此)不相鄰的 方式規(guī)則性地排列。
配置于像素40內(nèi)的第1像素電極351a、 351b,都連接到圖2中所示 的第1傳輸門TG1。并且，第2像素電極352a、 352b，都連接到第2傳輸 門TG2。
即，像素40，具有分別與配置于一個(gè)對(duì)角線方向上的2個(gè)第l像素電極351a、 351b對(duì)應(yīng)的2個(gè)第1子像素和分別與配置于另 一對(duì)角線方向上 的2個(gè)第2像素電極352a、 352b對(duì)應(yīng)的2個(gè)第2子像素。
如圖4所示，電泳顯示裝置100，具備以下的結(jié)構(gòu)在元件基板30(第 1基板)與對(duì)置M 31 (第2基板)之間，夾持有排列多個(gè)微囊20而形成 的電泳元件32。在顯示部5中，在元件^i^30的電泳元件32側(cè)，第l像 素電極351a (351)與笫2像素電極352b (352)交替地排列，電泳元件 32經(jīng)由粘接劑層33與第1像素電極351及第2像素電極352粘接。
元件基板30，是由玻璃、塑料等構(gòu)成的基板，并且因?yàn)榕渲糜谂c圖像 顯示面相反的一側(cè)，所以也可以不透明。在元件基板30之上，形成有包括 圖1、圖2等中所示的掃描線66、數(shù)據(jù)線68、選擇晶體管41、鎖存電路 70、開關(guān)電路80等的電路層34，在電路層34之上，形成第1及第2像素 電極351、 352。第l及第2像素電極351、 352,由在Cu箔上將鍍鎳與鍍 金以該順序進(jìn)行疊層而得到的物質(zhì)或Al、 ITO (氧化銦錫)等形成。
另一方面，對(duì)置基板31是由玻璃、塑料等構(gòu)成的基板，并且因?yàn)榕渲?于圖像顯示側(cè)，所以形成為透明基板。在對(duì)置基板31的電泳元件32側(cè)， 形成有與多個(gè)像素電極351、 352相對(duì)的平面形狀的共用電極(對(duì)置電極) 37，在共用電極37之上設(shè)置電泳元件32。共用電極37,是由MgAg、 ITO、 IZO (氧化銦鋅)等形成的透明電極。
此外，電泳元件32， 一般預(yù)先形成于對(duì)置;i^31側(cè)，并被處理作為 包括直至粘接劑層33為止的電泳片。在制造工序中，電泳片以在粘接劑層 33的表面貼附有保護(hù)用的剝離片的狀態(tài)被進(jìn)行處理。而且，通過(guò)對(duì)于另行 制造的元件基板30(形成有第l及第2像素電極351、 352、各種電路等)， 貼附揭去了剝離片的該電泳片，來(lái)形成顯示部5。因此，粘接劑層33僅存 在于第l及第2像素電極351、 352側(cè)。
微嚢20，例如具有50|Lim左右的粒徑，且其是在內(nèi)部封入有分散介 質(zhì)21、多個(gè)白色微粒(電泳微粒)27和多個(gè)黑色微粒(電泳微粒)26的 球狀體。微嚢20，如圖4所示，被共用電極37、第l及笫2像素電極351、 352所夾持。既可以在1個(gè)像素40內(nèi)包括多個(gè)微嚢20，也可以在1個(gè)微嚢 20的俯視區(qū)域內(nèi)包括多個(gè)像素40。微嚢20的外殼部(壁膜)，采用聚曱基丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸乙 酯等丙烯酸樹脂、尿素樹脂、阿拉伯膠等具有透光性的高分子樹脂等形成。
分散介質(zhì)21是使白色微粒27和黑色微粒26分散在微嚢20內(nèi)的液體。 作為分散介質(zhì)21，能夠例示水、醇類溶劑(曱醇、乙醇、異丙醇、丁醇、 辛醇、曱基溶纖劑等)、酯類(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮類(丙酮、甲 乙酮、甲基異丁基酮等)、脂肪族烴(戊烷、己烷、辛烷等)、脂環(huán)式烴(環(huán) 己烷、甲基環(huán)己烷等)、芳香族烴(苯、甲苯、具有長(zhǎng)鏈烷基的苯類(二甲 苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基 苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卣代烴(二氯曱烷、氯仿、四氯化碳、 1，2-二氯乙烷等)、羧酸鹽等，也可以是其他的油類。這些物質(zhì)能夠單獨(dú)或 作為混合物使用，也可以進(jìn)而混合表面活性劑等。
白色微粒27，例如是由二氧化鈦、鋅華、三氧化銻等白色顏料構(gòu)成的 微粒(高分子或者膠體)，其例如帶負(fù)電而使用。黑色微粒26，例如是由 苯胺黑、炭黑等黑色顏料構(gòu)成的微粒(高分子或者膠體)，其例如帶正電而 使用。
在這些顏料中，根據(jù)需要，能夠添加由電解質(zhì)、表面活性劑、金屬皂、 樹脂、橡膠、油、清漆、化合物等的微粒構(gòu)成的電荷控制劑，鈦類偶聯(lián)劑， 鋁類偶聯(lián)劑，硅烷類偶聯(lián)劑等分散劑，潤(rùn)滑劑，穩(wěn)定劑等。
并且，也可以代替黑色微粒26及白色微粒27，而采用例如紅色、綠 色、藍(lán)色等的顏料。如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則能夠在顯示部5上顯示紅色、 綠色、藍(lán)色等。
接下來(lái)，圖5是表示顯示部5的俯視結(jié)構(gòu)的作用說(shuō)明圖。圖6是與像 素電路一起表示沿著圖5中所示的B—B，線的位置處的剖面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明 圖。
此外，在圖5及圖6中，各部分的符號(hào)的附加字符"A"、 "B"、 "C"、 "D",是為了明確地區(qū)別這些構(gòu)成要素屬于像素40A-40D中的哪一個(gè)而 附加的。
在圖5中，示出了在顯示部5中排列的像素40之中、配置在2行2列上的4個(gè)像素40A 40D。像素40A 40D之中，3個(gè)像素40A 40C進(jìn)行 黑色顯示，像素40D進(jìn)行白色顯示。
在此，關(guān)于像素40中的圖像顯示工作，參照?qǐng)D6進(jìn)行說(shuō)明。
為了得到圖5中所示的顯示狀態(tài)，首先，使圖像信號(hào)(圖像數(shù)椐)存 儲(chǔ)到像素40的鎖存電路70中(圖像信號(hào)輸入步驟)。在圖6中所示的像素 40C、 40D的情況下，在像素40C的鎖存電路70C中，經(jīng)由選擇晶體管41C 從數(shù)據(jù)線68輸入低電平(L)的圖像信號(hào)，作為電位進(jìn)行存儲(chǔ)。在像素40D 的鎖存電路70D中，輸入高電平(H)的圖像信號(hào)，作為電位進(jìn)行存儲(chǔ)。
此外，在圖像信號(hào)輸入步驟中，只要以能夠在鎖存電路70C、 70D中 寫入、保持圖像信號(hào)的電壓使像素電路工作即可。從而，例如，將圖像信 號(hào)輸入步驟中的圖像信號(hào)的高電平電位設(shè)定為2 5V、將低電平電位設(shè)定為 0V，并將高電位電源線50的電位Vdd設(shè)定為2 5V，將低電位電源線49 的電位Vssi殳定為0V。
如果對(duì)鎖存電路70C、 70D寫入了圖像信號(hào)，則驅(qū)動(dòng)電泳元件32而執(zhí) 行使圖像顯示的工作(圖像顯示步驟)。
在該步驟中，在第1控制線91、第2控制線92和共用電極37上，供 給圖像顯示用的電位。具體地，將第l控制線91的電位S1設(shè)定為高電平 電位VH (例如10~15V)，將第2控制線92的電位S2設(shè)定為低電平電位 VL(例如OV)。在共用電極37上，輸入以預(yù)定周期重復(fù)高電平電位VH 和低電平電位VL的矩形波狀的脈沖。
并且，為了在第l及第2像素電極351、 352上供給圖像顯示用的電位 VH、 VL，使鎖存電路70C、 70D的電源電壓升高。即，使高電位電源線 50的電位Vdd上升為高電平電位VH，將低電位電源線49的電位Vss設(shè) 定為低電平電位VL。
從保持有低電平(L)的圖像信號(hào)的鎖存電路70C的數(shù)據(jù)輸出端子N2 輸出高電平(H)的電位(Vdd)，從數(shù)據(jù)輸入端子N1輸出低電平(L)的 電位(Vss)。由此，在像素40C中，第1傳輸門TG1C變成導(dǎo)通狀態(tài)從而 在第l像素電極351aC (及351bC)上輸入第1控制線91的電位S1 (高電平電位VH)。并且，因?yàn)榈?傳輸門TG2C為關(guān)斷狀態(tài)，所以第2像素 電極352aC (及352bC)變成高阻抗?fàn)顟B(tài)。
于是，在共用電極37的電位Vcom為低電平電位VL的期間，在第1 像素電極351aC、 351bC與共用電極37之間形成電場(chǎng)，由這樣的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng) 電泳元件32。由此，如圖5(a)所示，與第l像素電極351aC、 351bC對(duì) 應(yīng)的第1子像素進(jìn)行黑色顯示。并且，由于像素40A、 40B也進(jìn)行與上述 同樣的工作，所以與第1像素電極351對(duì)應(yīng)的第l子像素進(jìn)行黑色顯示。
另一方面，在像素40D中，從保持有高電平(H)的圖像信號(hào)的鎖存 電路70D的數(shù)據(jù)輸出端子N2輸出低電平(L)的電位(Vss)，從數(shù)據(jù)輸 入端子N1輸出高電平(H)的電位(Vdd)。由此，第2傳輸門TG2D變 成導(dǎo)通狀態(tài)從而在第2像素電極352aD (及352bD )上輸入第2控制線92 的電位S2 (低電平電位VL)。并且，因?yàn)榈趌傳輸門TG1D為關(guān)斷狀態(tài)， 所以第l像素電極351aD (及351bD)變成高阻抗?fàn)顟B(tài)。
于是，在共用電極37的電位Vcom為高電平電位VH的期間，在第2 像素電極352aD、 352bD與共用電極37之間形成電場(chǎng)，由這樣的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng) 電泳元件32。由此，如圖5(a)所示，與第2像素電極352aD、 352bD對(duì) 應(yīng)的第2子像素進(jìn)行白色顯示。
通過(guò)以上的工作，如圖5 (a)所示，能夠使像素40A 40D的一部分 子像素進(jìn)行黑色顯示或白色顯示。
在此，在各個(gè)像素40A-40D中，存在被輸入了電位的第1像素電極 351或第2像素電極352、高阻抗?fàn)顟B(tài)的第1像素電極351或第2像素電極 352。而且，對(duì)于將微嚢20與第l及第2像素電極351、 352粘接起來(lái)的粘 接劑層33，為了減少施加在微嚢20上的電壓的損失，使用電阻不那么高 的粘接劑。因此，如圖5(a)所示，在被輸入了電位的第l像素電極351 或第2像素電極352與高阻抗?fàn)顟B(tài)的第1像素電極351或第2像素電極352 之間，會(huì)產(chǎn)生像素間泄漏電流Lk。
具體地，像素40C的第2像素電極352aC，由被輸入了電位S1(高電 平電位VH)的第1像素電極351 (351bA、 351aC、 351bC)在三面包圍，從它們的第l像素電極351流入電荷。因此，高阻抗?fàn)顟B(tài)的第2像素電極 352aC，也變成接近于高電平電位VH的高電位。并且，第2像素電極 352bC，也同樣地由于像素間泄漏而變成接近于高電平電位VH的高電位。 由此，在與第2像素電極352aC、 352bC對(duì)應(yīng)的第2子像素中也驅(qū)動(dòng)電泳 元件32，從而如圖5(b)所示，與對(duì)應(yīng)于第1像素電極351aC、 351bC 的第1子像素同樣地進(jìn)行黑色顯示。從而，構(gòu)成像素40C的第1及第2子 像素都進(jìn)行黑色顯示。
另一方面，在像素40D中，因?yàn)榈?像素電極352aD、 352bD為低電 平電位VL，所以從高阻抗?fàn)顟B(tài)的第1像素電極351aD、 351bD向相鄰的 笫2像素電極352aD、 352bD流入泄漏電流。因此，笫l像素電極351aD、 351bD，變成接近于低電平電位VL的低電位。由此，在對(duì)應(yīng)于第l像素 電極351aD、 351bD的第1子像素中也驅(qū)動(dòng)電泳元件32,從而如圖5(b) 所示，與對(duì)應(yīng)于第2像素電極352aD、 352bD的第2子像素同樣地進(jìn)行白 色顯示。從而，構(gòu)成像素40D的第l及第2子像素都進(jìn)行白色顯示。
此外，高阻抗?fàn)顟B(tài)的笫l及第2像素電極351、 352的電位，相應(yīng)于與 它們相鄰的第1及笫2像素電極351、352的電位而成為不同的電位。例如， 在像素40C中，僅由高電平電位VH的第l像素電極351aC、 351bC所包 圍的第2像素電極352bC，變成與高電平電位VH基本相等的電位。并且， 在像素40D中，僅與低電平電位VL的第2像素電極352aD、 352bD相鄰 的第l像素電極351bD的電位，變成與低電平電位VL基本相等的電位。
從而，在黑色顯示的像素40連續(xù)的區(qū)域，第l子像素與第2子像素成 為基本相等的反射率的黑色顯示；在白色顯示的像素40連續(xù)的區(qū)域，第l 子像素與第2子像素成為基本相等的反射率的白色顯示。
另一方面，在像素40C的第l像素電極351aC、第2像素電極352aC 及像素40D的第l像素電極351aD、第2像素電極352aD所屬的行(從上 數(shù)第3行)中，高阻抗?fàn)顟B(tài)的第2像素電極352aC和第l像素電極351aD， 配置于高電平電位VH的第l像素電極351aC與低電平電位VL的第2像 素電極352aD之間。在此情況下，第2像素電極352aC和第1像素電極351aD的電位，變成高電平電位VH與低電平電位VL的中間的電位。
具體地，與高電平電位VH的第l像素電極351aC相鄰的笫2像素電 極352aC變成比較高的中間電位，與低電平電位VL的第2像素電極352aD 相鄰的第l像素電極351aD變成比較低的中間電位。從而，與第2^象素電 極352aC對(duì)應(yīng)的第2子像素成為深灰的中間灰度等級(jí)顯示，與第1像素電 極351aD對(duì)應(yīng)的第l子像素成為淺灰的中間灰度等級(jí)顯示。
接下來(lái)，圖7是表示圖像數(shù)據(jù)、像素的電位狀態(tài)和顯示圖像的對(duì)應(yīng)關(guān) 系的說(shuō)明圖。
圖7 ( a )是用與顯示部5對(duì)應(yīng)的矩陣狀的排列(9行6列)概念性地 表示傳送給顯示部5的圖像數(shù)據(jù)D的圖。在該圖中，配置成矩陣狀的正方 形形狀的格柵，對(duì)應(yīng)于輸入到各個(gè)像素40的像素?cái)?shù)據(jù)。對(duì)應(yīng)于黑色顯示的 像素?cái)?shù)據(jù)Dp "0"(低電平的圖像信號(hào))表示為涂黑的格柵，對(duì)應(yīng)于白色 顯示的像素?cái)?shù)據(jù)Dp "1"(高電平的圖像信號(hào))表示為涂白的格柵。
若采用圖7(a)中所示的圖像數(shù)據(jù)D而執(zhí)行上述的圖像顯示工作，則 排列在顯示部5中的第l及第2像素電極351、352的電位，成為如圖7(b) 所示的狀態(tài)。在圖7 (b)中，以對(duì)應(yīng)于圖7 (a)的方式(9行6列)排列 像素40。在各個(gè)像素40中，2個(gè)笫1像素電極351與2個(gè)第2像素電極 352，配置得互不相同。
圖7(b)中，涂黑的格柵，是與被輸入了高電平電位VH的第l像素 電極351對(duì)應(yīng)的第1子像素(進(jìn)行黑色顯示的子像素)。并且，涂白的格柵， 是與被輸入了低電平電位VL的第2像素電極352對(duì)應(yīng)的第2子像素(進(jìn) 行白色顯示的子像素)。進(jìn)而，寫入有數(shù)值的格柵，是與高阻抗?fàn)顟B(tài)的第l 像及第2素電極351、 352對(duì)應(yīng)的子像素。并且，寫入到格柵的數(shù)值，表示 與該子像素對(duì)應(yīng)的第1及第2像素電極351、 352的電位電平，"100"對(duì)應(yīng) 于高電平電位VH， "0"對(duì)應(yīng)于低電平電位VL。
如圖7(b)所示，在顯示部5中排列的第l及第2像素電極351、 352， 與所輸入的圖像數(shù)據(jù)D (像素?cái)?shù)據(jù)Dp "0"、 Dp 'T，)的分布相應(yīng)地，成 為低電平電位VL、高電平電位VH或者低電平電位VL與高電平電位VH 之間的電位。例如，在三面被黑色顯示的第1子像素所包圍的高阻抗?fàn)顟B(tài)的第2子像素中，其第2像素電極352的電位成為高電平電位VH的80% 左右。反之，在三面被白色顯示的第2子像素所包圍的高阻抗?fàn)顟B(tài)的第1 子像素中，其第l像素電極351的電位成為高電平電位VH的20。/。左右。 圖7 (c)是表示與圖7 (a)、 (b)對(duì)應(yīng)的顯示部5的顯示狀態(tài)的圖。 如圖7 (c)所示，在連續(xù)地配置有黑色顯示的像素40的圖示左上側(cè) 的區(qū)域，盡管僅在第l像素電極351上輸入了第l控制線91的電位S1， 但是第1及第2子像素都進(jìn)行黑色顯示。并且，在連續(xù)地配置有白色顯示 的像素40的圖示右下側(cè)的區(qū)域，盡管僅在第2像素電極352上輸入了第2 控制線92的電位S2,但是第1及第2子像素都進(jìn)行白色顯示。
而且，在進(jìn)行黑色顯示的像素40與進(jìn)行白色顯示的像素40相鄰的區(qū) 域，如圖7(b)所示，因?yàn)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)的第1及第2像素電極351、 352 的電位成為低電平電位VL與高電平電位VH之間的電位，所以成為與像 素電極的電位相應(yīng)的深淺的灰色顯示。由此，如果對(duì)圖7 (a)與圖7 (b) 進(jìn)行比較則明顯地，由黑色顯示的像素40構(gòu)成的區(qū)域與由白色顯示的像素 40構(gòu)成的區(qū)域的、在傾斜方向上延伸的邊界被進(jìn)^f亍了反鋸齒處理，成為鋸 齒狀圖形(臺(tái)階狀的鋸齒紋)得到緩和的平滑的顯示。 (第2像素配置)
雖然在上述實(shí)施方式中，如圖3所示，說(shuō)明了第1及第2像素電極351、 352以同一方式配置而成的像素40規(guī)則性地排列的情況(第1像素配置)， 但是在本發(fā)明的電泳顯示裝置中，也能夠應(yīng)用其他的像素配置。圖8是表 示電泳顯示裝置100中的第2像素配置的俯視圖。
在圖8中，抽取在顯示部5中排列的像素40之中的4個(gè)像素40a 40d 而示出。像素40a 40d，在都互不相同地配置有2個(gè)第l像素電極351a、 351b (第1子像素)、2個(gè)第2像素電極352a、 352b (第2子像素)這一 點(diǎn)上相同。但是，在像素40a、 40d與像素40b、 40c中，像素內(nèi)的第l像 素電極351a、 351b及第2像素電極352a、 352b的配置不同。
具體地，在像素40a、 40d中，在沿著連接圖示的左上方與右下方的 方向的對(duì)角位置上配置第l像素電極351a、 351b,相對(duì)于此，在像素40b、 40c中，則在沿著連接圖示的右上方與左下方的方向的對(duì)角位置上配置第1像素電極351a、 351b。
由此，相鄰的像素40a與像素40b,成為在Y象素邊界重復(fù)的配置，從 而配置為在像素間的邊界處相同種類的像素電極彼此相鄰。也就是說(shuō)， 像素40a的第2像素電極352a與像素40b的第2像素電極352a相鄰地配 置，像素40a的第l像素電極351b與像素40b的第l像素電極351b相鄰 地配置。
進(jìn)而，在圖示上下方向上相鄰的像素40a與像素40c也成為同樣的配 置關(guān)系。即，像素40a的第2像素電極352b與像素40c的第2像素電極 352b相鄰地配置，像素40a的第1像素電極351b與像素40c的第1像素 電極351b相鄰地配置。
圖9是表示采用圖8中所示的像素配置的情況下的圖像數(shù)據(jù)、像素的 電位狀態(tài)和顯示圖像的對(duì)應(yīng)關(guān)系的說(shuō)明圖，是與前面的圖7對(duì)應(yīng)的圖。
在圖9(a)中，示出了與圖7(a)同樣的圖像數(shù)據(jù)D。若采用圖9 ( a ) 中所示的圖像數(shù)據(jù)D而執(zhí)行圖像顯示工作，則排列在顯示部5中的第l及 第2像素電極351、 352的電位，成為如圖9 (b)所示的狀態(tài)。
圖9 (b)中的顯示方法，與圖7 (b)相同。
在圖8所示的像素配置中，因?yàn)樵谙袼?0彼此的邊界部分，相同種類 的子像素相鄰地配置，所以在圖9 (b)中，在像素?cái)?shù)據(jù)Dp "0"連續(xù)的區(qū) 域，與第1像素電極351對(duì)應(yīng)的黑色顯示的第l子像素(涂黑的格柵)彼 此相鄰地配置；在像素?cái)?shù)據(jù)Dp "1"連續(xù)的區(qū)域，與第2像素電極352對(duì) 應(yīng)的白色顯示的第2子像素(涂白的子像素)彼此相鄰地配置。
而且，在黑色顯示的像素40與白色顯示的像素40相鄰的區(qū)域，黑色 顯示的第1子像素與白色顯示的第2子像素并非相鄰地配置，而是在它們 之間，介有像素電極為高阻抗?fàn)顟B(tài)的第l或第2子像素。
圖9 (c)是表示與圖9 (a)、 (b)對(duì)應(yīng)的顯示部5的顯示狀態(tài)的圖。
如圖9 (c)所示，連續(xù)地配置有黑色顯示的像素40的圖示左上側(cè)的 區(qū)域，盡管僅在第1像素電極351上輸入了第l控制線91的電位S1，但 是第l及第2子像素均進(jìn)行黑色顯示。并且，在連續(xù)地配置有白色顯示的 像素40的圖示右下側(cè)的區(qū)域，盡管僅在第2像素電極352上輸入了笫2控制線92的電位S2，但是第1及第2子像素均進(jìn)行白色顯示。
而且，在進(jìn)行黑色顯示的像素40與進(jìn)行白色顯示的像素40相鄰的區(qū) 域，如圖9(b)所示，因?yàn)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)的第1及第2像素電極351、 352 的電位成為低電平電位VL與高電平電位VH之間的電位，所以成為與像 素電極的電位相應(yīng)的深淺的灰色顯示。由此，由黑色顯示的像素40構(gòu)成的 區(qū)域與由白色顯示的像素40構(gòu)成的區(qū)域的、在傾斜方向上延伸的邊界被進(jìn) 行了反鋸齒處理，成為鋸齒狀圖形(臺(tái)階狀的鋸齒紋)得到緩和的平滑的 顯示。
在以上說(shuō)明的第2像素配置的情況下，如前面所記載地，在黑色顯示 的第l子像素與白色顯示的第2子像素之間， 一定介有像素電極為高阻抗 狀態(tài)的笫1或第2子像素。因此，在黑色顯示與白色顯示的邊界區(qū)域，必 定配置有中間灰度等級(jí)(灰色顯示)的第l或第2子像素。從而，即使與 采用了第l像素配置的情況相比較，也能夠得到鋸齒狀圖形不明顯的平滑 的顯示。
此外，雖然在第2像素配置中，因?yàn)樵诤谏@示與白色顯示的邊界必 定配置有灰色顯示的子像素，所以在相對(duì)于像素排列傾斜的方向上延伸的 輪廓的顯示品質(zhì)有所提高，但是另一方面，在沿著像素排列的方向(行方 向及列方向)上延伸的圖像的輪廓卻變得模糊。因?yàn)樵撦喞哪：ㄟ^(guò)使 顯示部5高清晰化會(huì)變得不明顯，所以可以在顯示部5為低分辨率的情況 下，采用可比較明確地顯示圖像的輪廓的第l像素配置，而在為高分辨率 的情況下采用第2像素配置。
這樣， 如果釆用本實(shí)施方式的電泳顯示裝置100,則無(wú)需執(zhí)行向顯示 部5的中間灰度等級(jí)的圖像數(shù)據(jù)的傳送，僅進(jìn)行通常的圖像顯示工作，就 能夠得到輪廊被進(jìn)行了反鋸齒處理的顯示。
接下來(lái)，關(guān)于電泳顯示裝置100中的泄漏電流，參照?qǐng)D10進(jìn)行說(shuō)明。
圖10 (a)是采用了圖3中所示的第1像素配置的情況下的泄漏電流 的說(shuō)明圖。圖10 (b)是采用了圖8中所示的第2像素配置的情況下的泄 漏電流的說(shuō)明圖。圖10 (c)是圖17中所示的以往的電泳顯示裝置500中 的泄漏電流的說(shuō)明圖。首先，在圖10(c)中所示的以往的電泳顯示裝置的情況、黑色顯示 的像素540a與白色顯示的像素540b相鄰的情況下，如在前面說(shuō)明了地， 產(chǎn)生從像素540a的像素電極35a朝向像素540b的像素電極35b的像素間 泄漏電流Lk (泄漏電流)。在該情況下，像素間泄漏電流Lk的路徑是1 個(gè)，能夠?qū)⒄辰酉袼仉姌O35a、 35b與微嚢20的粘接劑層33看作電阻Ro。
相對(duì)于此，在圖10 (a)中所示的采用了笫l像素配置的電泳顯示裝 置100中，像素40a及像素40b,分別被分割為4個(gè)子像素。在像素40a 中，僅在第l像素電極351a、 351b上輸入了第1控制線91的電位Sl (高 電平電位VH)。在像素40b中，僅在第2像素電極352a、 352b上輸入了 第2控制線92的電位S2 (低電平電位VL)。
圖10 (a)中所示的像素40a與像素40b的^f象素間泄漏，因?yàn)楦鱾€(gè)像 素被分割為子像素，所以成為經(jīng)由以下的多條路徑的泄漏電流。
(1 )從像素40a的第1像素電極351b向像素40b的第2像素電極352a 的像素間泄漏
(2) 從像素40a的第l像素電極351b，經(jīng)由像素40a的第2像素電 極352b和像素40b的第1像素電極351a,到達(dá)l象素40b的第2像素電極 352a的像素間泄漏
(3) 從像素40a的第l像素電極351b，經(jīng)由像素40a的第2像素電 極352b和像素40b的第1像素電極351a，到達(dá)像素40b的第2像素電極 352b的4象素間泄漏
(4) 從像素40a的第1像素電極351a,經(jīng)由像素40a的第2像素電 極352b和像素40b的第l像素電極351a,到達(dá)^^素40b的第2像素電極 352a的4象素間泄漏
(5) 從像素40a的第1像素電極351a,經(jīng)由像素40a的第2像素電 極352b和像素40b的第1像素電極351a,到達(dá)像素40b的第2像素電極 352b的像素間泄漏
首先，關(guān)于泄漏路徑(l),雖然電位不同的像素電極彼此相鄰，但是 像素40a的第l像素電極351a (高電平電位VH)與像素40b的第2像素 電極352a(低電平電位VL)的邊界的長(zhǎng)度，是圖10 ( c )的像素電極35a、35b的邊界的長(zhǎng)度的一半或以下。由此，泄漏電流的路徑變窄，從而泄漏 電流減少相應(yīng)的量。
接下來(lái)，在泄漏路徑(2) ~ (5)中，在從為高電平電位VH的像素 40a的第l像素電極351a、 351b，到達(dá)為低電平電位VL的像素40b的第 2像素電極352a、 352b之間，經(jīng)由為高阻抗?fàn)顟B(tài)的像素40a的第2像素電 極352b和像素40b的第l像素電極351a。這樣，因?yàn)槊看瓮ㄟ^(guò)〗象素電極 的邊界都負(fù)載粘接劑層33的電阻R，所以泄漏路徑整體上的電阻變大，流 到為低電平電位VL的像素40b的第2像素電極352a、352b的泄漏電流減 少。
這樣，在本發(fā)明的電泳顯示裝置100中，伴隨著將像素40分割成多個(gè) 子像素，像素間泄漏電流Lk的路徑增加。但是另一方面，因?yàn)槊恳粭l路 徑的電流量大幅度減少，所以作為整體的泄漏電流量，比圖10(c)中所 示的以往的結(jié)構(gòu)減少，減少至以往的80。/。左右。從而，如果釆用本實(shí)施方 式的電泳顯示裝置100,則能夠抑制顯示部5中的功耗。
接下來(lái)，在圖10 (b)中所示的第2像素配置的情況下，成為以下的 泄漏路徑。
(1) 從像素40a的第1像素電極351b，經(jīng)由像素40b的第1像素電 極351b到達(dá)像素40b的第2像素電極352a的4象素間泄漏
(2) 從像素40a的第l像素電極351b，經(jīng)由像素40b的笫1像素電 極351 b到達(dá)像素40b的第2像素電極352b的像素間泄漏
(3) 從像素40a的第1像素電極351b，經(jīng)由像素40a的第2像素電 極352b，到達(dá)像素40b的第2像素電極352b的像素間泄漏
(4) 從像素40a的第l像素電極351a，經(jīng)由像素40a的第2像素電 極352b，到達(dá)像素40b的第2像素電極352b的像素間泄漏
這樣，在采用了第2像素配置的電泳顯示裝置100中，泄漏路徑的數(shù) 量本身比第l像素配置的情況減少。并且，在圖10 (b)中所示的第2像 素配置中，為高電平電位VH的像素40a的第1像素電極351a、 351b與 為低電平電位VL的像素40b的第2像素電極352a、352b以不相鄰的方式 配置。從而，泄漏路徑(1) (4)，必定成為經(jīng)由像素電極為高阻抗?fàn)顟B(tài)的子像素的高電阻的路徑。
這樣，如果采用第2像素配置，則能夠比圖10 (a)中所示的采用了 第l像素配置的情況進(jìn)一步減少泄漏電流，能夠減少至以往的70%左右。
并且，在本實(shí)施方式的電泳顯示裝置100中，還能夠防止部分改寫驅(qū) 動(dòng)時(shí)的對(duì)比度下降。即，如上所述，在第l像素配置、第2像素配置的任 意一個(gè)中，都因?yàn)樾孤╇娏飨啾扔谝酝碾娪撅@示裝置500變少，所以能 夠減少對(duì)于不使顯示發(fā)生變化的像素40的電荷供給。從而，能夠抑制畫面 整體的對(duì)比度發(fā)生變化。
進(jìn)而，在采用第2像素配置的情況下，能夠更有效地防止部分改寫驅(qū) 動(dòng)時(shí)的對(duì)比度下降。以下，參照?qǐng)D11及圖12詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。
圖11是表示部分改寫驅(qū)動(dòng)時(shí)的顯示部5的電位狀態(tài)的說(shuō)明圖。圖12 是關(guān)于對(duì)比度下降的抑制的作用說(shuō)明圖。
在圖11中，示出了顯示部5的像素40之中、配置在3行2列上的6 個(gè)像素40a 40f。像素40a 40f之中，位于圖示左上端的像素40a為改寫對(duì) 象像素，其他的像素40b 40f為維持顯示的像素。
如圖11所示，在改寫對(duì)象像素40a中，在第1像素電極351a、 351b 上輸入第l控制線91的電位S1 (高電平電位VH)，第2像素電極352a、 352b雙方則為高阻抗?fàn)顟B(tài)。另一方面，在維持顯示的像素40b 40f中，第 l像素電極351a、 351b及第2像素電極352a、 352b雙方為高阻抗?fàn)顟B(tài)。 而且，在這樣的電位狀態(tài)下，通過(guò)在共用電極37上輸入低電平電位VL(或 者重復(fù)高電平電位VH和低電平電位VL的脈沖)，能夠有選擇地僅使像素 40a顯示黑色。
在圖11中所示的狀態(tài)下，因?yàn)閮H在像素40a的第l像素電極351a、 351b上輸入了電位Sl (高電平電位VH)，所以《象素間泄漏電流Lk,在這 些第1像素電極351a、 351b與相鄰于它們的第1或第2像素電極之間產(chǎn) 生。
在圖11中所示的第2像素配置中，第1像素電極351彼此之間、第2 像素電極352彼此之間隔著像素40的邊界地配置。這樣，在第2像素配置 中，雖然不用說(shuō)在改寫對(duì)象像素40a之內(nèi)，為高電平電位VH的第l像素電極351a、 351b與高阻抗?fàn)顟B(tài)的第2像素電極352a、 352b相鄰，但是與 像素40a的第1像素電極351b相鄰的像素40b的第1像素電極351b及像 素40c的第1〗象素電極351b也變成高阻抗?fàn)顟B(tài)。
在此，在圖12中，與像素40a 40c的像素電路一同示出上述的像素間 泄漏電流Lk的路徑。
如圖12所示，像素間泄漏電流Lk,從像素40a的第1像素電極351b， 分別流向像素40b的第1像素電極351b、像素40c的第1像素電極351b。 但是，在像素40b及像素40c中，因?yàn)樵诟髯缘牡?像素電極351b上連 接的第1傳輸門TGlb、 TGlc成為關(guān)斷狀態(tài)，所以流入到第1像素電極 351b的電荷由第1傳輸門TGlb、 TGlc所攔截，從而并不會(huì)流入到作為 全局布線的第1控制線91上。
這樣，如果在電泳顯示裝置100中采用第2像素配置，則從改寫對(duì)象 像素40a流向相鄰的像素40b、 40c的泄漏電流，不會(huì)流入到作為全局布線 的第1控制線91或第2控制線92。從而，在部分改寫驅(qū)動(dòng)中維持顯示的 像素40的對(duì)比度并不發(fā)生變化，從而能夠得到高畫質(zhì)的顯示。
此外，雖然在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了將像素40分割成4個(gè)子像素的 結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，對(duì)像素40既可以 進(jìn)行6分割(3個(gè)第1子像素和3個(gè)第2子像素)、也可以進(jìn)行9分割(4 個(gè)或5個(gè)第1子像素和5個(gè)或4個(gè)第2子像素)。分割數(shù)越多，反鋸齒處理 的效果越大，能夠得到更加平滑的顯示。
進(jìn)而，在對(duì)像素40進(jìn)行5個(gè)或以上的多分割的情況下，對(duì)于像素40 內(nèi)的第1及第2子像素的排列，雖然優(yōu)選在像素40內(nèi)互不相同地進(jìn)行配置， 但是并不限于此，而能夠采用任意的排列。
并且，在對(duì)像素40進(jìn)行多分割的情況下，當(dāng)采用圖3中所示的第1 像素配置或者圖8中所示的第2像素配置時(shí)，僅著眼于相鄰的像素40的、 面對(duì)邊界部分的第1像素電極351和第2像素電極352的配置即可。即， 在采用第1像素配置的情況下，只要隔著相鄰的像素40的邊界配置第1 像素電極351和第2像素電極352即可；在采用笫2像素配置的情況下， 只要隔著相鄰的像素40的邊界配置第1像素電極351彼此、第2像素電極352彼此即可。對(duì)于不與像素40的邊界相鄰接的第1及笫2像素電極351、 352,能夠任意地進(jìn)行配置。 (電子設(shè)備)
接下來(lái)，說(shuō)明將上述各實(shí)施方式的電泳顯示裝置100應(yīng)用于電子i殳備 的情況。
圖13是手表1000的正視圖。手表1000，具備表殼1002和連接到表 殼1002的一對(duì)表帶1003。
在表殼1002的正面，設(shè)置有包括上述實(shí)施方式的電泳顯示裝置100 的顯示部1005、秒針1021、分針1022和時(shí)針1023。在表殼1002的側(cè)面， 設(shè)置有作為操作元件的轉(zhuǎn)柄1010和操作按鈕1011。轉(zhuǎn)柄1010連接到設(shè)置 于表殼內(nèi)部的巻軸(圖示省略)，與巻軸成為一體而按多級(jí)(例如2級(jí))設(shè) 置得按拔自如且旋轉(zhuǎn)自如。在顯示部1005中，能夠顯示成為背景的圖像、 曰期、時(shí)間等的字符串或者秒針、分針、時(shí)針等。
圖14是表示電子紙張1100的結(jié)構(gòu)的立體圖。電子紙張UOO，在顯示 區(qū)域1101具備上述實(shí)施方式的電泳顯示裝置100。電子紙張1100具有撓 性，且其具備由具有與現(xiàn)有的紙張同樣的質(zhì)感及柔軟性的可改寫的薄片構(gòu) 成的主體1102而構(gòu)成。
圖15是表示電子筆記本1200的結(jié)構(gòu)的立體圖。電子筆記本1200,是 上述的電子紙張1100多張裝訂起來(lái)并被封面1201所夾持的結(jié)構(gòu)。封面 1201，具備輸入例如從外部的裝置傳送來(lái)的顯示數(shù)據(jù)的圖示省略的顯示數(shù) 據(jù)輸入單元。由此，與該顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)地，電子紙張能夠原狀保持裝訂著 的狀態(tài)，進(jìn)行顯示內(nèi)容的改變、更新等。
根據(jù)以上的手表IOOO、電子紙張1100及電子筆記本1200,因?yàn)獒娪?了本發(fā)明的電泳顯示裝置100,所以成為具備有可以進(jìn)行輪廓平滑的高品 質(zhì)的顯示并且省電性也優(yōu)異的顯示部的電子i殳備。
此外，上述的電子設(shè)備，是例示本發(fā)明的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)，而并非要 對(duì)本發(fā)明的技術(shù)范圍進(jìn)行限定。例如，對(duì)于移動(dòng)電話機(jī)、便攜用音頻設(shè)備 等電子設(shè)備的顯示部，本發(fā)明的電泳顯示裝置也能夠適用。
權(quán)利要求
1.一種電泳顯示裝置，其具有夾持包括電泳微粒的電泳元件而相對(duì)的第1基板及第2基板；具備有多個(gè)包括前述電泳元件的像素的顯示部；形成于前述第2基板的前述電泳元件側(cè)的共用電極；以及形成于前述第1基板及第2基板中的任意一個(gè)上的第1控制線及第2控制線，其特征在于前述像素，具備像素開關(guān)元件、連接到前述像素開關(guān)元件的存儲(chǔ)電路、連接到前述存儲(chǔ)電路的開關(guān)電路和連接到前述開關(guān)電路并與前述共用電極相對(duì)地配置的第1像素電極及第2像素電極；前述開關(guān)電路，包括第1開關(guān)和第2開關(guān)，第1開關(guān)利用前述存儲(chǔ)電路的輸出信號(hào)控制前述第1控制線與前述第1像素電極的導(dǎo)通，第2開關(guān)利用前述存儲(chǔ)電路的輸出信號(hào)控制前述第2控制線與前述第2像素電極的導(dǎo)通。
2. 按照權(quán)利要求l所述的電泳顯示裝置，其特征在于 在前述像素中，分別設(shè)置有多個(gè)前述第1及第2像素電極。
3. 按照權(quán)利要求l所述的電泳顯示裝置，其特征在于 在前述像素中，設(shè)置有相同數(shù)量的多個(gè)前述第l及第2像素電極。
4. 按照權(quán)利要求3所述的電泳顯示裝置，其特征在于在相鄰的2個(gè)前述像素的邊界部分， 一個(gè)前述像素的1個(gè)前述第1像 素電極與另一個(gè)前述像素的1個(gè)前述第2像素電極相鄰配置。
5. 按照權(quán)利要求3所述的電泳顯示裝置，其特征在于在相鄰的2個(gè)前述像素的邊界部分， 一個(gè)前述像素的1個(gè)前述第1像 素電極與另一個(gè)前述像素的1個(gè)前述第1像素電極相鄰配置。
6. 按照權(quán)利要求3~5中的任意一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置，其特征在于在前述像素中，分別設(shè)置有前述第1及第2像素電極各2個(gè)； 前述第1像素電極與前述第2像素電極，在前述像素內(nèi)被互不相同地 平面配置。
7. 按照權(quán)利要求1~6中的任意一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置，其特征在于在圖像顯示工作時(shí)，構(gòu)成同一前述像素的前述第1及第2像素電極之 中至少一個(gè)電極，被設(shè)定為高阻抗?fàn)顟B(tài)。
8. —種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求1 7中的任意一項(xiàng)所述的電泳顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電泳顯示裝置及電子設(shè)備。提供一種可以進(jìn)行平滑地表現(xiàn)輪廓的顯示、優(yōu)選地也能夠抑制泄漏電流的產(chǎn)生的電泳顯示裝置。本發(fā)明的電泳顯示裝置，是以下的結(jié)構(gòu)在像素(40)中，具備選擇晶體管(41)、鎖存電路(70)、開關(guān)電路(80)和與共用電極(37)相對(duì)地配置的第1像素電極(351)及第2像素電極(352)；開關(guān)電路(80)，包括利用鎖存電路(70)的輸出信號(hào)控制第1控制線(91)與第1像素電極(351)的導(dǎo)通的第1傳輸門(TG1)和利用鎖存電路(70)的輸出信號(hào)控制第2控制線(92)與第2像素電極(352)的導(dǎo)通的第2傳輸門(TG2)。
文檔編號(hào)G02F1/167GK101620354SQ20091014257
公開日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2009年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者下平泰裕, 前田浩, 村山哲朗 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社