專(zhuān)利名稱(chēng)：厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種光反射器件的制作方法，特別涉及一種厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法。
背景技術(shù)：
隨著光學(xué)系統(tǒng)向體積小、結(jié)構(gòu)緊湊方向發(fā)展,光學(xué)系統(tǒng)中的器件微型化成為光學(xué)器件設(shè)計(jì)與制作的ー個(gè)重要研究課題。而微型光學(xué)器件設(shè)計(jì)與制作的水平直接決定光學(xué)儀器的性能。具有多個(gè)臺(tái)階的多級(jí)微反射鏡是ー種光的反射器件，在光學(xué)系統(tǒng)中有著越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如光譜分析、光束整形和光纖耦合等。 目前，通過(guò)ニ元光學(xué)技術(shù)可以在石英等多種材料襯底上經(jīng)過(guò)多次光刻和多次(干法或濕法)腐蝕，制備多階梯微反射鏡的結(jié)構(gòu)。但是現(xiàn)有技術(shù)中的這種多級(jí)微反射鏡的制作方法存在以下缺點(diǎn)1、因多次套刻，水平精度難以保證；2、腐蝕或刻蝕深度難以精確控制，精度和重復(fù)性較差；3、階梯垂直間距調(diào)節(jié)范圍小；4、腐蝕或刻蝕出的反射鏡表面粗糙度難以滿足光學(xué)儀器要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決現(xiàn)有技術(shù)中制作的多級(jí)微反射鏡所存在的精度低、階梯垂直間距調(diào)節(jié)范圍小、表面粗糙，難以滿足光學(xué)儀器要求的技術(shù)問(wèn)題，提供一種階梯高度、表面粗糙度、水平精度、面形等可以精確控制的，厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的多級(jí)微反射鏡的制作方法具體如下一種厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法，包括以下步驟步驟I :利用沉積膜層的方法在多個(gè)基片上形成具有相同標(biāo)記圖案的膜層臺(tái)階，相鄰基片上的所述膜層臺(tái)階的高度等差遞增；步驟2 :利用沉積膜層的方法在基底上形成多個(gè)并列設(shè)置的條狀膜層結(jié)構(gòu)；該條狀膜層結(jié)構(gòu)與基片上的標(biāo)記圖案互補(bǔ)，所述基片上的膜層臺(tái)階可以插接在任意一個(gè)條狀膜層結(jié)構(gòu)上；步驟3 :按照膜層臺(tái)階從低到高的次序，將所述基片并列的插接在所述基底上；多個(gè)所述基片的與膜層臺(tái)階相対的一面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)；步驟4:在每個(gè)臺(tái)階的靠近高一級(jí)臺(tái)階的ー側(cè)，分別光刻并沉積膜層，形成高度和寬度均為臺(tái)階一半的次級(jí)臺(tái)階；步驟5 :判斷臺(tái)階級(jí)數(shù)是否符合所述多級(jí)反射鏡的級(jí)數(shù)要求，如果否則轉(zhuǎn)到步驟4，如果是則轉(zhuǎn)到步驟6;步驟6 :在臺(tái)階結(jié)構(gòu)的表面沉積增反射膜和保護(hù)膜。
在上述技術(shù)方案中，所述步驟3中，在將所述基片插接在所述基底上以后，還包括在所述基底與所述基片之間的高度精密調(diào)整及空隙填充固化劑的步驟。在上述技術(shù)方案中，在步驟I之前，還包括對(duì)基片進(jìn)行處理的步驟，具體為將基片的左側(cè)面和右側(cè)面進(jìn)行研磨并拋光，均使其表面粗糙度達(dá)到0. Inm Iy m，左側(cè)面平行于右側(cè)面。在上述技術(shù)方案中，所述步驟I中，在多個(gè)基片上形成膜層臺(tái)階時(shí)，同一個(gè)高度的膜層臺(tái)階的基片同時(shí)制作兩片，以使調(diào)整時(shí)保證操作臺(tái)平穩(wěn)。在上述技術(shù)方案中，形成膜層臺(tái)階或者條狀膜層結(jié)構(gòu)時(shí)，所采用的薄膜或厚膜材料為硅、ニ氧化硅、鋁、金、銅、氮化硅、鑰、鈦或鎳。上述所指的薄膜厚度為小于I Pm，厚膜厚度為大于等于I P m。在上述技術(shù)方案中，形成膜層臺(tái)階或者條狀膜層結(jié)構(gòu)時(shí)，薄膜或厚膜材料采用磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射、直流濺射、電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)和電鑄方法中的任意ー種。 在上述技術(shù)方案中，所述基片的材料為娃片、玻璃、石央、招片、欽片或銅片。在上述技術(shù)方案中，所述基底的材料為玻璃、硅、陶瓷、石英或鋁。在上述技術(shù)方案中，所述增反射膜采用磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射、直流濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)方法沉積。在上述技術(shù)方案中，所述保護(hù)膜層材料采用MgF2、Al2O3或Si02。本發(fā)明由于采用厚膜倒裝調(diào)整的方法制作多級(jí)微反射鏡，每個(gè)臺(tái)階的高度能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)，保證高度的精確控制，并且每個(gè)臺(tái)階的反射面是經(jīng)同一批次研磨拋光而成，不但表面面形和粗糙度都能一致，而且能夠達(dá)到設(shè)計(jì)的指標(biāo)要求，有效地提高了階梯表面粗糙度的控制精度、縱向尺寸精度，エ藝可控性強(qiáng)，微反射鏡表面粗糙度低、平面度高。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。圖la、Ib分別為原始基片的主視圖和俯視圖。圖2a、2b分別為帶結(jié)構(gòu)基片的主視圖和俯視圖。圖3a、3b、3c分別為基底和帶結(jié)構(gòu)基底的主視圖及帶結(jié)構(gòu)基底的俯視圖。圖4為微調(diào)架裝置結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是3個(gè)臺(tái)階的多級(jí)微反射鏡的結(jié)構(gòu)圖。圖6是在3個(gè)臺(tái)階面上定位生長(zhǎng)膜層臺(tái)階的示意圖。圖中的附圖標(biāo)記表示為11-基片的上表面；12_基片的下表面；13_基片的左側(cè)面；14_基片的右側(cè)面；15-基片的后側(cè)面；16_基片的前側(cè)面；21-膜層臺(tái)階；31_基底；32_條狀膜層結(jié)構(gòu)；41_微調(diào)架；42_承片臺(tái)；43_顯微鏡；51-帶結(jié)構(gòu)基片的上表面；61_掩膜版圖形；62_膜層臺(tái)階。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的多級(jí)微反射鏡的制作方法的發(fā)明思想為一種厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法，包括以下步驟步驟I :利用沉積膜層的方法在多個(gè)基片上形成具有相同標(biāo)記圖案的膜層臺(tái)階，相鄰基片上的所述膜層臺(tái)階的高度等差遞增。具體的說(shuō)，先把多個(gè)基片進(jìn)行清洗和打磨處理，使得矩形基片的至少ー對(duì)邊相互平行，并且表面粗糙度達(dá)到0. Inm Iy m。然后在多個(gè)經(jīng)過(guò)清洗和打磨處理的基片上，利用沉積膜層的方法，分別形成高度不同的膜層臺(tái)階，相鄰的基片上的膜層臺(tái)階依次遞增，遞增的高度相同。步驟2 :利用沉積膜層的方法在基底上形成多個(gè)并列設(shè)置的條狀膜層結(jié)構(gòu)；該條狀膜層結(jié)構(gòu)與基片上的標(biāo)記圖案互補(bǔ)，所述基片上的膜層臺(tái)階可以插接在任意一個(gè)條狀膜層結(jié)構(gòu)上。在本步驟中，基底上形成的多個(gè)條狀膜層結(jié)構(gòu)完全相同，并且并列接連。每個(gè)基片的膜層臺(tái)階都可以插接在任意一個(gè)條狀膜層結(jié)構(gòu)上。
步驟3 :按照所述基片上的膜層臺(tái)階的高度的不同，按照從低到高的次序，將所述基片并列的插接在所述基底上。多個(gè)所述基片的與膜層臺(tái)階相対的一面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，換句話說(shuō)，以成形有膜層臺(tái)階的一面為基片的下表面，則基片的上表面形成了臺(tái)階結(jié)構(gòu)。步驟4:在每個(gè)臺(tái)階的靠近高一級(jí)臺(tái)階的ー側(cè)，分別光刻并沉積膜層，形成高度和寬度均為臺(tái)階一半的次級(jí)臺(tái)階。也就是說(shuō)，在每一級(jí)臺(tái)階上分別形成ー個(gè)高度和寬度都為現(xiàn)有臺(tái)階一半的次級(jí)臺(tái)階，直接導(dǎo)致臺(tái)階的級(jí)數(shù)翻倍。步驟5 :判斷臺(tái)階級(jí)數(shù)是否符合所述多級(jí)反射鏡的級(jí)數(shù)要求，如果否則轉(zhuǎn)到步驟4，如果是則轉(zhuǎn)到步驟6。步驟6 :在臺(tái)階結(jié)構(gòu)的表面沉積增反射膜和保護(hù)膜，形成多級(jí)微反射鏡。 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做以詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作總臺(tái)階面數(shù)為160，臺(tái)階高度為lOOnm，寬度為Imm的多級(jí)微反射鏡的方法具體步驟如下步驟(一)、采用硅片、玻璃、石英、鋁片、鈦片或銅片作為原始基片，并對(duì)其進(jìn)行清洗處理，其清洗處理的步驟為I)以甲苯、丙酮、こ醇超聲清洗15分鐘，去除油污等有機(jī)物；2)用去離子水超聲清洗，無(wú)水こ醇脫水后烘干。步驟(ニ)、將10片相同的原始基片雙面拋光，即對(duì)基片的上表面11和基片的下表面12進(jìn)行拋光處理。然后再對(duì)各基片的左側(cè)面13和基片的右側(cè)面14進(jìn)行研磨并拋光，均使其表面粗糙度達(dá)到0. Inm I y m,基片的左側(cè)面13平行于基片的右側(cè)面14，并且各基片的厚度均為H，寬度為32mm，如圖la、Ib所示(本發(fā)明對(duì)于基片的前側(cè)面16與基片的后側(cè)面15之間的平行度沒(méi)有特別高的要求)。然后，對(duì)各基片進(jìn)行清洗處理，其清洗處理的步驟為I)以甲苯、丙酮、こ醇超聲清洗15分鐘，去除油污等有機(jī)物；2)用去離子水超聲清洗，無(wú)水こ醇脫水后烘干。步驟(三)、在第一個(gè)和第六個(gè)原始基片上表面涂覆光刻膠，用條形狀明暗條紋等間距光刻版曝光，并顯影、堅(jiān)膜，形成條形狀掩膜圖形，然后通過(guò)磁控濺射或射頻濺射或離子束濺射或直流濺射或電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)或電鑄等方法將硅或ニ氧化硅或鋁或金或銅或氮化硅或鑰或鈦或鎳或其它鍍膜材料沉積或電鑄于原始基片表面，用去膠劑去除光刻膠，得到如圖2a和圖2b所示條形狀的膜層臺(tái)階21，其厚度為16 ym。重復(fù)以上步驟，得到與第一個(gè)和第六個(gè)原始基片上的膜層臺(tái)階21標(biāo)記圖案相同的其他原始基片上的膜層臺(tái)階，其中第二個(gè)和第七個(gè)原始基片的膜層臺(tái)階厚度為12. m，第三個(gè)和第八個(gè)原始基片的膜層臺(tái)階厚度為9.6 ym，以此類(lèi)推，第四個(gè)和第九個(gè)原始基片的膜層臺(tái)階厚度為6. 4 pm，第五個(gè)和第十個(gè)原始基片的膜層臺(tái)階的厚度為3. 2 y m。從而得到10個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片，其中第一到第五個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片在后續(xù)步驟中用于制作ー個(gè)多級(jí)微反射鏡，而第六到第十個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片用于在后續(xù)步驟中調(diào)整時(shí)保證操作臺(tái)平穩(wěn)。步驟(四)、取ー塊高平面度的拋光平板作為基底，如圖3a所示，基底31的材料可以是玻璃或硅或陶瓷或石英或鋁或其他金屬。在其表面上涂覆光刻膠，掩膜、曝光、顯影，形成等間距膠線條，然后沉積ー層厚度小于3. 2 y m的膜層材料，剝離光刻膠，得到如圖3b所示的條狀膜層結(jié)構(gòu)32。該條狀膜層結(jié)構(gòu)32上與膜層臺(tái)階21的標(biāo)記圖案互補(bǔ)，從而使得步驟(三)中制作的帶結(jié)構(gòu)基片可以插裝在基底31的條狀膜層結(jié)構(gòu)32上。步驟(五)、如圖4所示，將基底31正面朝下，用微調(diào)架41的螺絲擰緊固定，再將第一個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片上表面11朝上，置于承片臺(tái)42上，調(diào)節(jié)承片臺(tái)的左右(X方向)，前后(Y方向)及角旋轉(zhuǎn)手輪，并通過(guò)微調(diào)架41上方的顯微鏡43觀察，使基底與帶結(jié)構(gòu)基片的標(biāo)記圖案對(duì)準(zhǔn)。為了保證基底與帶結(jié)構(gòu)基片接觸不發(fā)生偏斜，將第六個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片放在托盤(pán)的合適位置上。對(duì)準(zhǔn)后，將承片臺(tái)42沿著Z軸方向上升，使基底與帶結(jié)構(gòu)基片壓緊后，用固化劑填充帶結(jié)構(gòu)基片與基底間的空隙，用此方法依次將第二個(gè)，第三個(gè)，……，第五個(gè)帶結(jié)構(gòu)的基片定位在基底的特定位置上，使各帶結(jié)構(gòu)基片的右側(cè)面與相鄰帶結(jié)構(gòu)基片的左側(cè)面緊密接觸，即第一片帶結(jié)構(gòu)基片的右側(cè)面與第二片帶結(jié)構(gòu)基片的左側(cè)面面接觸，第二片基片的右側(cè)面與第三片帶結(jié)構(gòu)基片的左側(cè)面面接觸，……;如圖5所示，疊放后的5個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片的上表面51就形成了多級(jí)微反射鏡結(jié)構(gòu)。其中，圖5僅僅示出了 3個(gè)帶結(jié)構(gòu)基片所形成的3個(gè)臺(tái)階。步驟(六)、在有5個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)的帶結(jié)構(gòu)基片的上表面涂覆光刻膠，然后以圖6所示的掩膜版圖形61對(duì)5個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)上表面51進(jìn)行光刻。經(jīng)過(guò)掩膜，曝光，顯影等步驟后，通過(guò)磁控濺射方法將硅鍍膜材料沉積于臺(tái)階表面，用去膠劑去除光刻膠，在5個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)上表面51上分別形成ー個(gè)條形狀的膜層臺(tái)階62。于是，5個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)上表面51和5個(gè)條形狀的膜層臺(tái)階62，共同形成了一個(gè)每級(jí)臺(tái)階的寬度和厚度相同的，設(shè)有10級(jí)臺(tái)階的臺(tái)階結(jié)構(gòu)，姆級(jí)臺(tái)階的寬度為16mm,厚度為1.6iim。類(lèi)似的，依照在5個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)上表面51上形成5個(gè)條形狀的膜層臺(tái)階62的方法，得到的寬度為8mm，厚度為0. 8 ii m的20個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)；寬度為4mm，厚度為0. 4 y m的40個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。直到最后制作完成的多級(jí)微反射鏡的臺(tái)階高度為IOOnm,寬度為Imm的160個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)。步驟(七)、在多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)上表面沉積增反射膜和保護(hù)膜。在多級(jí)臺(tái)階結(jié)構(gòu)上表面沉積增反射膜是通過(guò)磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射、直流濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)方法，沉積于步驟(六)得到的多級(jí)微反射鏡結(jié)構(gòu)的上表面。所述增反射膜的材料采用金膜 或鋁膜或?qū)ζ渌ǘ斡蟹瓷渥饔玫哪硬牧?。之后在增反射膜上沉積保護(hù)膜，以防止膜層材料氧化。所述保護(hù)膜的材料采用MgF2、Al2O3或Si02。至此，完成160級(jí)多級(jí)微反射鏡制作。本發(fā)明中，形成膜層臺(tái)階或者條狀膜層結(jié)構(gòu)時(shí)，所采用的薄膜或厚膜材料是指，厚度為小于I U m的薄膜或厚度為大于等于I U m的厚膜。在其他的具體實(shí)施方式
中，所述的步驟(三)、(四)和(六)中，薄膜或厚膜材料可以采用硅，也可以采用ニ氧化硅或鋁或金或銅或氮化硅或鑰或鈦或鎳或其它可蒸鍍材料。薄膜或厚膜材料除了可以采用磁控濺射的方法，還可以采用射頻濺射或離子束濺射或直流濺射或電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)或電鑄等方法，沉積于各原始基片上表面?；牧铣丝梢赃x用硅片外，還可以選用玻璃、石英、鋁片、鈦片或銅片或其他金屬?；撞牧铣丝梢赃x用玻璃，還可以選用硅或石英或陶瓷或鋁或其他金屬。固化劑除了可以采用紅外固化膠外，還可以采用紫外固化膠。同樣的，去膠溶液除了可采用硫酸和硝酸混合溶液外，還可以采用丙酮與こ醚混合溶液。其他的具體實(shí)施方式
中，具體的沉積膜層的方法在此不再贅述。顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或 變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在干，包括以下步驟 步驟I:利用沉積膜層的方法在多個(gè)基片上形成具有相同標(biāo)記圖案的膜層臺(tái)階，相鄰基片上的所述膜層臺(tái)階的高度等差遞增； 步驟2 :利用沉積膜層的方法在基底上形成多個(gè)并列設(shè)置的條狀膜層結(jié)構(gòu)；該條狀膜層結(jié)構(gòu)與基片上的標(biāo)記圖案互補(bǔ)，所述基片上的膜層臺(tái)階可以插接在任意一個(gè)條狀膜層結(jié)構(gòu)上； 步驟3 :按照所述基片上的膜層臺(tái)階的高度的不同，按照從低到高的次序，將所述基片并列的插接在所述基底上；多個(gè)所述基片的與膜層臺(tái)階相対的一面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)； 步驟4:在每個(gè)臺(tái)階的靠近高一級(jí)臺(tái)階的ー側(cè)，分別光刻并沉積膜層，形成高度和寬度均為臺(tái)階一半的次級(jí)臺(tái)階； 步驟5 :判斷臺(tái)階級(jí)數(shù)是否符合所述多級(jí)反射鏡的級(jí)數(shù)要求，如果否則轉(zhuǎn)到步驟4，如果是則轉(zhuǎn)到步驟6 ； 步驟6 :在臺(tái)階結(jié)構(gòu)的表面沉積增反射膜和保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在于，所述步驟3中，在將所述基片插接在所述基底上以后，還包括在所述基底與所述基片之間的高度精密調(diào)整及空隙填充固化劑的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在于，在步驟I之前，還包括對(duì)基片進(jìn)行處理的步驟，具體為將基片的左側(cè)面和右側(cè)面進(jìn)行研磨并拋光，均使其表面粗糙度達(dá)到0. Inm I m，左側(cè)面平行于右側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在干， 所述步驟I中，在多個(gè)基片上形成膜層臺(tái)階時(shí)，同一個(gè)高度的膜層臺(tái)階的基片同時(shí)制作兩片，以使調(diào)整時(shí)保證操作臺(tái)平穩(wěn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在干， 形成膜層臺(tái)階或者條狀膜層結(jié)構(gòu)時(shí)，所采用的薄膜或厚膜材料為硅、ニ氧化硅、鋁、金、銅、氮化娃、鑰、鈦或鎳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法,其特征在于， 形成膜層臺(tái)階或者條狀膜層結(jié)構(gòu)時(shí)，薄膜或厚膜材料采用磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射、直流濺射、電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)和電鑄方法中的任意ー種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在于，所述基片的材料為娃片、玻璃、石央、招片、欽片或銅片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在于，所述基底的材料為玻璃、硅、陶瓷、石英或鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在于，所述增反射膜采用磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射、直流濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)方法沉積。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的制作多級(jí)微反射鏡的方法，其特征在于，所述保護(hù)膜層材料采用MgF2、Al2O3或SiO2。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種厚膜倒裝調(diào)整與定位生長(zhǎng)多層膜混合制作多級(jí)微反射鏡的方法，包括制作2M個(gè)原始基片并對(duì)其進(jìn)行清洗處理；在原始基片上光刻出所需掩膜圖形，然后沉積薄膜材料，剝離光刻膠，形成膜層結(jié)構(gòu)；在基底上光刻出掩蔽圖形；分別將M個(gè)倒置的帶結(jié)構(gòu)基片定位在基底特定位置上，并固定在一起，形成M個(gè)臺(tái)階結(jié)構(gòu)；再在此結(jié)構(gòu)面上光刻出掩膜膠圖形，沉積薄膜，剝離光刻膠，形成膜層結(jié)構(gòu)；在多級(jí)微反射鏡上表面沉積增反射膜層。本發(fā)明有效提高了階梯表面粗糙度的控制精度，橫縱向尺寸精度高，工藝重復(fù)性好，可控性強(qiáng)，不用化學(xué)腐蝕，減少污染，是制作較多臺(tái)階數(shù)目的多級(jí)微反射鏡的有效方法。
文檔編號(hào)G02B1/10GK102789016SQ20121025571
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月23日
發(fā)明者梁中翥, 梁靜秋, 鄭瑩 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所