，實(shí)驗(yàn)例1是參考本案像素結(jié)構(gòu)（例如：圖2A~5A)使共享電極層CE的第 二開口 0P2與第二數(shù)據(jù)線DL2部分重迭。另外，實(shí)驗(yàn)例1的像素電極PE的一側(cè)邊是延伸至 第二開口 0P2使得像素電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭來形成耦合電容，但另一側(cè)邊是與第 一數(shù)據(jù)線DLl不重迭，且其它相關(guān)描述如前面實(shí)施例所示。實(shí)驗(yàn)例2的像素結(jié)構(gòu)與實(shí)驗(yàn)例1 的像素結(jié)構(gòu)類似，差異僅在于實(shí)驗(yàn)例2像素電極PE的另一側(cè)邊是與第一數(shù)據(jù)線DLl重迭， 且其它相關(guān)描述如實(shí)驗(yàn)例1所示。由表2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以得知，實(shí)驗(yàn)例1以及實(shí)驗(yàn)例2與 比較例1以及比較例2的像素結(jié)構(gòu)相比，可將串音噪聲由17. 15%降低為2. 99%。換言之， 當(dāng)?shù)诙_口 0P2是與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭設(shè)置，且像素電極PE延伸至第二開口 0P2使像素 電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭或是像素電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2的側(cè)邊重迭，即像素電 極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2的側(cè)邊切齊時(shí)，則可增加相反極性的電性耦合并有效的降低串音噪 聲對像素結(jié)構(gòu)的影響。其中，（A/B)*100%的相關(guān)描述可參閱前面的描述。
[0107] 詳細(xì)來說，由于像素電極PE是延伸至第二開口 0P2,因此，其與第二數(shù)據(jù)線DL2的 距離會(huì)拉近，并使相反極性的電性耦合增加。若無設(shè)置與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭的第二開口 0P2,則無法達(dá)到增加相反極性的電性耦合的效果。相同的，若像素電極PE未與第二數(shù)據(jù) 線DL2重迭或是像素電極PE未與第二數(shù)據(jù)線DL2的側(cè)邊重迭，即像素電極PE未與第二數(shù) 據(jù)線DL2的側(cè)邊切齊時(shí)，則無法有效的形成相反極性的耦合電容。再者，本發(fā)明前述實(shí)施 例皆是以像素電極PE在子像素中的最上層電極，共享電極CE位于像素電極PE的下方為 范例，則可稱為頂像素電極結(jié)構(gòu)（top-pixel structure)。對于共享電極CE在子像素中的 最上層電極，像素電極PE位于共享電極CE的下方，則可稱為頂共享電極結(jié)構(gòu)（top-common structure)。在此種情況下，因在子像素中像素電極PE的二邊緣已經(jīng)分別與二個(gè)相反極性 的第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭產(chǎn)生耦合電極而相互補(bǔ)償，因此，并不需要在像素 電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭處及/或共享電極CE與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭處形成開口。 也就是說，頂共享電極結(jié)構(gòu)（top-common structure)的設(shè)計(jì)并不適用于頂像素電極結(jié)構(gòu) (top-pixel structure)中。
[0108] 綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2所傳遞的信 號(hào)極性不相同。另外，第二開口 0P2與第二數(shù)據(jù)線DL2至少一部分在垂直方向上重迭。由 于像素電極PE會(huì)延伸至第二開口 0P2使像素電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2重迭或是像素電極 PE與第二數(shù)據(jù)線DL2側(cè)邊重迭，即像素電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2側(cè)邊切齊，因此，像素電極 PE與第二數(shù)據(jù)線DL2之間的距離會(huì)拉近。換言之，像素電極PE與第二數(shù)據(jù)線DL2之間經(jīng)由 開口形成的第二耦合電容C2可借由增加相反極性的耦合來降低串音噪聲（cross-talk)的 不良效果。
[0109] 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形 都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一掃描線、一第一數(shù)據(jù)線以及一第二數(shù)據(jù)線，其中該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線所 傳遞的信號(hào)極性不相同，該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線兩兩相鄰； 一主動(dòng)元件，該主動(dòng)元件的元件極與該掃描線連接以及該主動(dòng)元件的源極與該第一數(shù) 據(jù)線連接； 一覆蓋層，覆蓋該掃描線、該第一數(shù)據(jù)線、該第二數(shù)據(jù)線以及該主動(dòng)元件； 一共享電極層，位于該覆蓋層上，其中該共享電極層具有一第一開口以及一第二開口， 該第一開口與該主動(dòng)元件至少一部份于垂直方向上重迭，該第二開口與該第二數(shù)據(jù)線至少 一部分在該垂直方向上重迭； 一絕緣層，位于該共享電極層上，其中，該絕緣層與該覆蓋層具有一接觸窗，該接觸窗 經(jīng)由該共享電極的該第一開口以暴露出該主動(dòng)元件的漏極； 一像素電極，位于該絕緣層上且經(jīng)由該接觸窗與該主動(dòng)元件的漏極電性連接，其中該 像素電極延伸覆蓋該第二開口，且該像素電極經(jīng)由該第二開口與該第二數(shù)據(jù)線之間形成一 耦合電容。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一開口與該第二開口彼此分離 開來。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一開口與該第二開口連接在一 起。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極與該第二數(shù)據(jù)線之間的 該耦合電容為A，該像素結(jié)構(gòu)的總電容為為B，其中A/B大于0%且小于或等于5%。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線為第I條數(shù)據(jù)線，且該 第二數(shù)據(jù)線為第1+1條數(shù)據(jù)線，其中I為正整數(shù)，以使得該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線之 間不存在其它數(shù)據(jù)線。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極的一邊緣與該第二數(shù)據(jù) 線在該垂直方向上重迭，且該像素電極的另一邊緣與該第一數(shù)據(jù)線不重迭。7. -種像素陣列，其特征在于，包括： 一掃描線、一第一數(shù)據(jù)線、一第二數(shù)據(jù)線以及一第三數(shù)據(jù)線，其中該第一數(shù)據(jù)線以及該 第二數(shù)據(jù)線所傳遞的信號(hào)極性不相同，該第一數(shù)據(jù)線的極性與該第三數(shù)據(jù)線所傳遞的信號(hào) 極性相同，且該第一數(shù)據(jù)線、該第二數(shù)據(jù)線與該第三數(shù)據(jù)線兩兩相鄰； 一第一主動(dòng)元件，該第一主動(dòng)元件的元件極與該掃描線連接以及該第一主動(dòng)元件的源 極與該第一數(shù)據(jù)線連接； 一第二主動(dòng)元件，該第二主動(dòng)元件的元件極與該掃描線連接以及該第二主動(dòng)元件的源 極與該第二數(shù)據(jù)線連接； 一覆蓋層，覆蓋該掃描線、該第一數(shù)據(jù)線、該第二數(shù)據(jù)線、該第一主動(dòng)元件以及該第二 主動(dòng)元件； 一第一共享電極，位于該覆蓋層上，其中該第一共享電極具有一第一開口以及一第二 開口，該第一開口與該第一主動(dòng)元件至少一部份于一垂直方向上重迭，該第二開口與該第 二數(shù)據(jù)線至少一部份于該垂直方向上重迭； 一第二共享電極，位于該覆蓋層上，其中該第二共享電極具有一第三開口以及一第四 開口，該第三開口與該第二主動(dòng)元件至少一部份于該垂直方向上重迭，該第四開口與該第 三數(shù)據(jù)線至少一部份于該垂直方向上重迭； 一絕緣層，位于該第一共享電極以及該第二共享電極上，其中，該絕緣層與該覆蓋層具 有一第一接觸窗與一第二接觸窗，該第一接觸窗經(jīng)由該第一共享電極的該第一開口以暴露 出該第一主動(dòng)元件的漏極，且該第二接觸窗經(jīng)由該第二共享電極的該第三開口以暴露出該 第二主動(dòng)元件的漏極； 一第一像素電極，位于該絕緣層上且經(jīng)由該第一接觸窗與該第一主動(dòng)元件的漏極電性 連接，其中該第一像素電極延伸覆蓋該第二開口，且該第一像素電極經(jīng)由該第二開口而與 該第二數(shù)據(jù)線之間形成一第一耦合電容；以及 一第二像素電極，位于該絕緣層上且經(jīng)由該第二接觸窗與該第二主動(dòng)元件的漏極電性 連接，其中該第二像素電極延伸覆蓋該第四開口，且該第二像素電極經(jīng)由該第四開口而與 該第三數(shù)據(jù)線之間形成一第二耦合電容。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于， 該第一開口與該第二開口彼此分離開來，且 該第三開口與該第四開口彼此分離開來。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于， 該第一開口與該第二開口連接在一起，且 該第三開口與該第四開口連接在一起。10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，該第一共享電極與該第二共享電極 彼此連接在一起。11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，該第一共享電極與該第二共享電極 之間通過一共享電極線而連接在一起。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線為第I條數(shù)據(jù)線，該第 二數(shù)據(jù)線為第1+1條數(shù)據(jù)線，且該第三數(shù)據(jù)線為第1+2條數(shù)據(jù)線，其中I為正整數(shù)，以使得 該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線之間不存在其它數(shù)據(jù)線，且該第二數(shù)據(jù)線以及該第三數(shù)據(jù) 線之間不存在其它數(shù)據(jù)線。13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于， 該第一像素電極的一邊緣與該第二數(shù)據(jù)線在該垂直方向上重迭，且該第一像素電極的 另一邊緣與該第一數(shù)據(jù)線不重迭。14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于， 該第二像素電極的一邊緣與該第三數(shù)據(jù)線在該垂直方向上重迭且該第二像素電極的 另一邊緣與該第二數(shù)據(jù)線不重迭。15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線、該第二數(shù)據(jù)線以及 該第三數(shù)據(jù)線為該像素陣列的前三條數(shù)據(jù)線，則該第一像素電極以及該第二像素電極分別 為該像素陣列的一第一子像素以及一第二子像素的像素電極。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素陣列，其特征在于， 該第一像素電極與該第二數(shù)據(jù)線之間的該親合電容為A，該第一子像素的總電容為B， 其中A/B大于0 %且小于或等于5 %，且 該第二像素電極與該第三數(shù)據(jù)線之間的該耦合電容為A'，該第二子像素的總電容為 B'，其中A' /B'大于0%且小于或等于5%。
【專利摘要】一種像素結(jié)構(gòu)，包括掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、主動(dòng)元件、覆蓋層、共享電極層、絕緣層以及像素電極。第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線所傳遞的信號(hào)極性不相同。覆蓋層覆蓋掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及主動(dòng)元件。共享電極層，位于覆蓋層上并具有第一開口以及第二開口。第一開口與主動(dòng)元件至少一部份于垂直方向上重迭。第二開口與第二數(shù)據(jù)線至少一部分在垂直方向上重迭。絕緣層位于共享電極層上。像素電極位于絕緣層上且經(jīng)由接觸窗與主動(dòng)元件電性連接。像素電極延伸覆蓋第二開口并經(jīng)由第二開口與第二數(shù)據(jù)線之間形成耦合電容。
【IPC分類】G02F1/1333, G02F1/1362, G02F1/1343
【公開號(hào)】CN105301855
【申請?zhí)枴緾N201510731684
【發(fā)明人】謝秀春, 陳亦偉, 陳明炎, 蘇志中
【申請人】友達(dá)光電股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年11月2日