專利名稱：場致發(fā)光顯示裝置及場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法
技術領域：
本發(fā)明有關一種場致發(fā)光顯示裝置及場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，為采用場致發(fā)光(electroluminescence以下稱EL)自發(fā)光組件及薄膜晶體管(TFT)的彩色顯示裝置及其布局(layout)方法。
現(xiàn)有技術近年來，使用EL組件的EL顯示裝置，替代CRT或LCD顯示裝置而受矚目。此EL顯示裝置的彩色化方法，采用可發(fā)光紅，緑，藍3原色的發(fā)光材料分涂方式，及在單色發(fā)光材料上使用濾色片或色變換層等方式。
分涂方式按不同顏色使用不同發(fā)光材料，而此類發(fā)光材料，在色度、壽命、發(fā)光效率等方面各有不同固有特性。一般在顯示彩色圖像的顯示裝置，為取得白色平衡(white balance)、自各發(fā)光材料的色度自動決定各發(fā)光所需的亮度。該亮度與所加電流密度大致成正比，因此，發(fā)光效率較差的發(fā)光材料為獲得所需亮度，需加比其它發(fā)光區(qū)域大的電流密度。但是，此發(fā)光效率差的材料，對其加大電流密度部分，即増加發(fā)光材料本體的負載，而縮短其壽命，其結(jié)果，構(gòu)成EL顯示裝置整體壽命縮短的問題。


圖16為針對上述問題日本專利2000-290441公開的有機EL顯示裝置的概略平面圖。受柵極信號線51、漏極信號線52及電源驅(qū)動線53所圍住區(qū)域形成矩陣狀(matrix)。在其區(qū)域內(nèi)按每色形成具有不同面積的發(fā)光區(qū)域R90、G90、B90，此即可視為發(fā)光的區(qū)域。在此，R為紅色、G為緑色、B為藍色。
使各色有不同發(fā)光面積的基準、在于顯示各色的發(fā)光材料的發(fā)光效率。使用發(fā)光效率較差的發(fā)光材料的發(fā)光區(qū)域、較其它發(fā)光區(qū)域為大可確保所要的亮度，因此，對發(fā)光效率較差的發(fā)光材料不必加過大電流密度而可延長其壽命。
但是，如圖16所示，各信號線及驅(qū)動線的間隔，按設定面積最大的色所設定，故，空間利用率低而不適于高密度化。

發(fā)明內(nèi)容
于本發(fā)明，上述多個像素區(qū)域，各別與特定的色成分相對應。而多個上述色成分中，至少有1色成分的圖像區(qū)域，形成為與其它色成分的圖像區(qū)域不同面積。又，于各圖像區(qū)域中，有發(fā)光區(qū)域，至少有1色成分所對應的上述發(fā)光區(qū)域，在上述圖像區(qū)域內(nèi)，于第1方向形成長度與圖像區(qū)域相等，于第1方向交差的第2方向形成長度較上述圖像區(qū)域為短。
由此，可有效利用空間，而可加大發(fā)光區(qū)域。
附圖簡單說明圖1為本發(fā)明第1實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面2A及圖2B為于第1實施方式的EL檢測裝置的布局流程3為本發(fā)明第1實施方式的EL顯示裝置的像素區(qū)域周邊平面4A及圖4B為本發(fā)明第1實施方式的EL顯示裝置的剖面5A及圖5B為本發(fā)明第1實施方式的EL顯示裝置的第2TFT剖面6A至圖6D為本發(fā)明第1實施方式的EL顯示裝置的按制造工程的剖面7為本發(fā)明第1實施方式的EL顯示裝置的形成陽極用掩膜圖8為本發(fā)明第2實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面9為本發(fā)明第3實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面10為于第3實施方式的EL顯示裝置的像素區(qū)域周邊平面11A及圖11B為于第3實施方式的EL顯示裝置的剖面12A及圖12B為于第3實施方式的EL顯示裝置的第2TFT的剖面13A至圖13D為于第3實施方式的EL顯示裝置的按制造工程的剖面14為于第3實施方式的EL顯示裝置的形成陽極用掩膜圖15為于第4實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面16為以往的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面圖具體實施方式
圖1為第1實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面圖。圖中，與3原色(紅R、緑G、藍B)各色成分相對應的發(fā)光區(qū)域成周期性向列方向(row)配置，并且，同色配置成同一列的條紋(stripe)狀排列的狀況。各成分的壽命假定為G＞R＞B的關系。在此，壽命指以特定電流密度使連續(xù)發(fā)光時，亮度達初期亮度50％的亮度減半期，為表示發(fā)光材料隨經(jīng)過時間的劣化狀況的因素之一。
圖中像素區(qū)域PR、PG、PB可形成能視認各色成分發(fā)光的發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB，分別具有共同高度(垂直方向的長度)H、色成分相應的固有寬度WR、WG、WB(水平方向的長度)。又發(fā)光各色的發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB較像素區(qū)域PR、PG、PB的高度H為低、且分別具有與色成分相應的固有高度HR、HG、HB及與所對應發(fā)光區(qū)域相等的寬度WR、WG、WB。由此，沿像素區(qū)域PR、PG、PB一邊，形成相等高度的邊緣M(圖中斜線部分)。像素區(qū)域及發(fā)光區(qū)域的高度及寬度的長度設定方法，即圖案布局方法則如后述。再者，使發(fā)光區(qū)域的高度HR、HG、HB與所對應的像素區(qū)域高度H相等，使發(fā)光區(qū)域的寬度WR、WG、WB較各發(fā)光區(qū)域的寬度為短的WR’、WG’、WB’亦可?；虼祟惤M合亦可。
在如上配置的多個像素區(qū)域P周邊，形成多個柵極信號線51在水平方向，多個漏極信號線52及多個驅(qū)動電源線53在垂直方向。自柵極信號線51至像素區(qū)域的距離DH，自驅(qū)動電源線53至像素區(qū)域的距離DW，與各像素區(qū)域PR、PG、PB的寬度WR、WG、WB無關，分別設定成為定值。這是在各像素區(qū)域P周邊配置柵極信號線51及驅(qū)動電源線53時，為使像素區(qū)域P的上側(cè)及左側(cè)形成的空間成為共同形狀的緣故。像素區(qū)域P周邊的平面構(gòu)造將后述，但是，由此，可使裝設在各信號線所圍區(qū)域內(nèi)的TFT及保持電容電極等構(gòu)成構(gòu)件為共同構(gòu)造。配置，而各區(qū)域內(nèi)的設計容易，如后述，在變更發(fā)光材料時，有無需變更其構(gòu)成構(gòu)件的構(gòu)造。配置的好處。再者，像素區(qū)域周邊的布局方法不限于此，留下DH、DW距離處，設在下側(cè)及右側(cè)或此類位置的組合均可。
于如上所述布局的方法，不僅各像素區(qū)域內(nèi)的空間無浪費，亦可確保為修正發(fā)光區(qū)域面積所需的邊緣。
圖2A為說明本實施方式中圖案布局方法的流程圖。以下，依此圖說明各區(qū)域的設定及變更方法。
在步驟S1，測量各發(fā)光材料的亮度。首先，自各色發(fā)光材料的色度，對各色成分決定能取得白色平衡的理想亮度L1。另一方面，自各材料找出所有發(fā)光材料的亮度半衰期大致能成為目標値的電流密度I0，分別測量其時的發(fā)光亮度L0。
在步驟S2，取得于步驟S1測量的各色成分的亮度L0與理想亮度L1的比，L1/L0(亮度比)，而分別設定各像素區(qū)域P的寬度WR、WG、WB，使各色成分的亮度比，能對應各色成分所對應的像素區(qū)域P的寬度。例如各色的亮度比為R∶G∶B＝2∶1∶3時，設定像素區(qū)域的寬度WR∶WG∶WB＝2∶1∶3。
在步驟S3，設定像素區(qū)域P的高度為共同高度H。此時，將高度H設定為較可預測的發(fā)光區(qū)域E的高度HR、HG、HB稍長，取得可設邊緣M的空間。是為應付需重新設發(fā)光區(qū)域E的高度HR、HG、HB時，或變更發(fā)光材料時。由先前的步驟S2及此步驟S3，可設定將發(fā)光區(qū)域E擴大為最大的像素區(qū)域P。
在步驟S4，分別設定發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB。首先將發(fā)光區(qū)域E的寬度、設定為與所對應像素區(qū)域P的寬度WR、WG、WB相等。其次，發(fā)光區(qū)域E的高度設定為在步驟S3所預測的値，HR、HG、HB(HR＝HG＝HB)。此時，各像素區(qū)域的寬度WR、WG、WB，與亮度比對應所設定，故對應各色成分的發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB的面積與亮度比對應。
在步驟S5，由以上步驟所設定値試作，或進行模擬(simulation)等，確認顯示有無問題。例如是否有白色平衡等。如無問題，則布局完成，有問題時，則退回步驟S4。例如，知B的亮度不足時，使B所對應的發(fā)光區(qū)域高度HB加高即可。
由以上方法，應發(fā)光材料的亮度半衰期，可設定各色成分對應的像素區(qū)域及發(fā)光區(qū)域。又，在本實施方式，設定發(fā)光區(qū)域的高度全為共同，但，本發(fā)明不限于此，可另設定發(fā)光區(qū)域的高度。其時，使各色成分對應的像素區(qū)域的寬度大致與亮度比對應，按色成分調(diào)整發(fā)光區(qū)域E高度，可使發(fā)光面積與亮度比對應。
圖2B因遇到改良材料或其它理由時發(fā)光材料有所變更，表示變更發(fā)光區(qū)域的方法的流程圖。例如，因改良B材料的條件與改良前的條件相同時，檢討于亮度半衰期T的電流密度自I0變?yōu)镮1(＞I0)的狀況。
于步驟S1，測量所變更材料的亮度。所變更B的發(fā)光材料的亮度半衰期，找出大致能成為其目標値T的電流密度I1，測量此時的發(fā)光亮度L1。
于步驟S2，設定B的發(fā)光區(qū)域高度。于步驟S1所測量的在電流密度I1的亮度L1，與隨B在變更前的電流密度I0的亮度L0間的變化比率X(＝L1/L0)，變更對應各色成分的發(fā)光區(qū)域E的高度。該變更方法有三，說明如下。
第1種方法為隨變化比率X，將變更發(fā)光材料的B以外的R及G所相對的發(fā)光區(qū)域高度較變更前為高(HR→HR’、HG→HG’、X＝HR’/HR＝HG’/HG)，由此，取得各色平衡的方法。于本實施方式，在最初設定像素區(qū)域及發(fā)光區(qū)域時，在相對應的所有像素區(qū)域內(nèi)設邊緣M。為此，加上擴大發(fā)光區(qū)域的變更，各色的亮度増加，整體亮度亦増加。
第2種方法為如上述隨變化比率X，對變更發(fā)光材料的所相對應的發(fā)光區(qū)域高度，使其較變更前為低(HB→HB’、X＝HB/HB’)，由此取得平衡的方法。此方法當由于重復修正高度等，而使無材料變更的發(fā)光區(qū)域R、G的至少一方，已與像素區(qū)域成相等高度，無法再更高時，此方法有效。
第3種方法為以上第1及第2方法的組合，此時，因變更有自由度，而可靈活處理。
上述的方法，僅將因材料變更而實現(xiàn)亮度半衰期T的亮度改變作為問題，但實際上，材料變更時，色度亦會變，此時，為取得白色平衡的理想亮度，因各色成分而改變。于是，如上述，按色成分重新求得亮度比而分別再設定發(fā)光區(qū)域的高度，以使該亮度比能對應各色成分所對應的發(fā)光面積。此時，上述第3方法為有效并且實用。
繼之，于步驟S3，如同圖2A的步驟S5，判斷至此的設定是否有問題。以步驟S2，所設定値試作，或進行模擬等，確認作為顯示裝置是否有問題，如無，則布局完成，如有，則退回步驟S2。
依如上所述方法，僅變更發(fā)光區(qū)域E的高度，發(fā)光區(qū)域以外的布局全不變更，亦可應付隨材料變更的發(fā)光特性變化。因此，制造程序所用掩膜的變更最小即可。具體言之，決定發(fā)光區(qū)域的掩膜最小變更1張即可。又，使對應一種色成分的發(fā)光區(qū)域E的高度形成與像素區(qū)域P的高度H相等，只要調(diào)整其它色成分的發(fā)光區(qū)域高度，即可應付隨材料變更的發(fā)光特性變化。此時，與像素區(qū)域的高度H形成相等高度的發(fā)光區(qū)域，能對應需形成最大發(fā)光面積的色成分的發(fā)光區(qū)域為佳。又，于本實施方式，僅說明變更B發(fā)光材料的狀況，G或R時亦相同，變更2色以上的發(fā)光材料時亦可適用。再者，于本實施方式，在發(fā)光區(qū)域上部設邊緣M以因應材料變更等，但，在發(fā)光區(qū)域E下部或左右任一方設邊緣M亦相同，亦可變更設有邊緣M的發(fā)光區(qū)域E寬度以對應材料變更。此時，發(fā)光區(qū)域高度保持固定而變更其寬度即可。
在上述圖2A、2B的處理，以計算機進行為宜。即，計算機可將圖2A、2B的處理，所需的程序，連同理想發(fā)光亮度、基本像素區(qū)域的大小、邊緣M値等數(shù)據(jù)存儲。于是，在對各發(fā)光材料測量亮度時，將此數(shù)據(jù)輸入計算機。經(jīng)計算機進行處理S2至S4，決定像素區(qū)域及發(fā)光區(qū)域的大小而輸出。對此，經(jīng)實際試作，如有問題，則將其內(nèi)容輸入即可決定修正的大小。又，用計算機進行仿真，同時判斷并修正其結(jié)果，則隨輸入發(fā)光材料的亮度測量結(jié)果，可進行像素區(qū)域及發(fā)光區(qū)域的設計。又，圖2B的處理經(jīng)計算機存儲其處理程序，則隨輸入測量結(jié)果即可進行變更處理。
圖3為本實施方式中，像素區(qū)域PB周邊的構(gòu)造平面圖，圖4A及4B為沿圖3中A-A、B-B的剖面圖。以下，以圖3說明本實施方式的像素區(qū)域P與其周邊的構(gòu)造。
發(fā)光區(qū)域EB在像素區(qū)域PB上部設有邊緣M狀，配置于像素區(qū)域PB內(nèi)。又，串聯(lián)連接的2個第1TFT10，及保持電容電極線54與電容電極55的一部分配置于像素區(qū)域PB與柵極電極51之間。又，2個TFT10的柵極11分別連接于柵極信號線51。又，漏極信號線52側(cè)的TFT10的漏極13d連接于漏極信號線52。TFT10的源極13s連接于與保持電容電極線54之間構(gòu)成電容的電容電極55。又，TFT10的源極13s連接于并聯(lián)連接的2個第2TFT20的柵極電極21。2個TFT20的源極23s分別連接于驅(qū)動電源線53。又，2個TFT20的漏極電極23d，連接于漏極電極26，再藉其漏極電極26連接有機EL組件70的陽極6。
又保持電容電極線54藉柵極絕緣膜12，形成為面對連接于TFT10的源極13s的電容電極55。由此，保持電容電極線54與電容電極55間積蓄電荷構(gòu)成電容。此電容成為保持加于第2TFT20的柵極電極21的電壓的保持電容。又，TFT10的源極13s、通道13c、漏極13d、及電容電極55，形成為多晶硅(polysilicone)活性層的一部分，而除通道13c均為摻雜所形成。
于圖3，像素區(qū)域PB與發(fā)光區(qū)域EB為長方形，實際上，為確保更多發(fā)光面積，或為設計上的方便而非長方形亦有。于本說明書，嚴格講，雖非長方形但大致可認為是長方形的范圍內(nèi)者，均可視為長方形。又，設邊緣M處不限如本實施方式，只要偏向像素區(qū)域的一邊即可。又，于本圖說明對應B的像素區(qū)域PB與其周邊的構(gòu)造，但是，對應G及R的像素區(qū)域PG及PR與其周邊的構(gòu)造亦為大致共同。
于此，依圖4A說明開關用底式柵極型TFT的第1TFT10的構(gòu)造。在基板10上，由鉻(Cr)、鉬(Mo)等高熔點金屬所成的柵極電極11及保持電容電極線54。在其上藉柵極絕緣膜12及多晶硅(略稱為p-Si)膜沉積層活性層13。在其活性層13上，于柵極電極11對應位置，形成對活性層13注入離子時作為掩膜的阻擋層(stopper)14。而于活性層13設有漏極13d、源極13s及位于其間的通道13c。由此形成第1TFT10及保持電容。再在柵極絕緣膜12、活性層13、及擋塊14上全面形成由SiO2膜、SiN膜等所成的層間絕緣膜15。此層間絕緣膜15經(jīng)過與漏極12d相對位置形成的接觸孔，設由Al等金屬所成的漏極電極16，再在基板前面形成由有機樹脂所成的使表面平坦化的平坦化膜17。
其次，依圖4B說明有機組件驅(qū)動用底式柵極型TFT的第2TFT20的構(gòu)造。在基板10上，由Cr、Mo等高熔點金屬所成柵極電極21、柵極絕緣膜12、及p-Si所成活性層23，按其順序形成。在該活性層23上，與柵極電壓相對位置，形成阻擋層24為對活性層23注入離子時的掩膜。于活性層23，裝設漏極12d、源極23s、及位于其間的通道23c。由此，形成第2TFT。于是，在柵極絕緣膜12及活性層23上全面，形成由SiO2膜、SiN膜等層間絕緣膜15，經(jīng)過該層間絕緣膜15與漏極12d及源極23s對應位置形成的接觸孔、配置金屬所成的漏極電極26及連接于驅(qū)動電源的驅(qū)動電源線53。又，為使表面平坦，沉積層有機樹脂所成的平坦化膜17，貫穿該平坦化膜，連接于漏極電極26的ITO(indium tin oxide)所成陽極61形成于平坦化膜17上。其次，在陽極61上沉積層形成空穴輸送層62、發(fā)光層63、及電子輸送層64的3層所成發(fā)光組件層65，再覆蓋該發(fā)光組件層65，形成由Al合金等所形成的陰極66。在空穴輸送層62與陽極61間，沉積層形成由絕緣樹脂所成的第2平坦化膜67，由設于陰極61上的開口部，限制陽極露出區(qū)域。即，發(fā)光區(qū)域E，由第2平坦化膜67的開口部所決定。又于本圖的像素區(qū)域P由陽極61所決定。
以所設計的方法制造本實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域的方法，除前所述的使用第2平坦化膜67的第1方法外，不使用第2平坦化膜67，如圖5A所示，依有機EL組件的陽極61形狀調(diào)整的第2方法。此時，因在陽極61上全區(qū)域發(fā)光的緣故，發(fā)光區(qū)域E由陽極61所決定，而像素區(qū)域P由發(fā)光層63所決定。但，陽極61如圖3所示，與第2TFT20的漏極23d接觸部分形成突出，此部分需自發(fā)光區(qū)域E除外。
又，如圖5B所示，亦有不使用第2平坦化膜67，依發(fā)光層63調(diào)節(jié)的第3種方法。此時，在發(fā)光層63全域發(fā)光，因此，發(fā)光區(qū)域E由發(fā)光層63決定，像素區(qū)域P由陽極61決定。
圖6A至圖6D為本實施方式中EL顯示裝置的制造方法的按制造工序的剖面圖。此圖與圖3中B-B剖面圖相符合。沿本圖說明使用第1種方法的EL顯示裝置制造方法。
圖6A為第1種制造程序的剖面圖。由此程序，先以既有方法形成第2TFT20，經(jīng)覆蓋TFT20狀沉積層層間絕緣膜15后，形成與TFT20的源極23s連接的驅(qū)動電源線53，及與TFT20的漏極23d連接的漏極電極26。在其上沉積層平坦化膜17后，貫穿該平坦化膜17，且可到達漏極電極26形成接觸孔CT。于是，通過該接觸孔CT，以覆蓋平坦化膜17全面的透明陽極材料，ITO用濺鍍法(sputtring)沉積層。
圖6B為第2種程序的剖面圖。由此程序，首先，在ITO28上涂布抗蝕劑(resist)，使用掩膜經(jīng)曝光，顯影而將抗蝕劑圖案化。其次，將其抗蝕劑為掩膜，蝕刻ITO28而形成陽極61。
圖6C為第3程序的剖面圖。由此程序，首先在陽極61及平坦化膜17上，以有機樹脂所成的第2平坦化膜材料利用自旋式涂布法(spincoat)沉積層。其次，使用掩膜105將此第2平坦化膜材料曝光，顯影而形成第2平坦化膜67。在此，所用掩膜105，例如圖7所示，具有多個開口部R50、G50、B50。掩膜的開口部R50、G50、B50為決定發(fā)光區(qū)域者，具有規(guī)定寬度WR、WG、WB及高度HR、HG、HB。由此，在與發(fā)光區(qū)域E對應的形狀與位置，形成第2平坦化膜67的開口部。在形成開口部的區(qū)域，露出陽極61。
圖6D為第4程序的剖面圖。由此工序，首先以覆蓋露出的陽極61在平坦化膜67上對基板全面沉積空穴輸送層62。其次，使用掩膜，對每一發(fā)光材料沉積，形成發(fā)光層63。繼之，將電子輸送層64沉積于基板全面。由以上的空穴輸送層62、發(fā)光層63、電子輸送層64所成的發(fā)光組件層65上，使用掩膜沉積陰極66。但是，此發(fā)光材料的電阻較高，致陽極與陰極所挾區(qū)域的發(fā)光組件層65成為發(fā)光區(qū)域。又，空穴輸送層62與電子輸送層64均形成于基板全面，但，亦可對不同發(fā)光材料，使用不同輸送層材料。
如上，按各色可獲得具有所需發(fā)光區(qū)域的使用有機EL組件的彩色顯示裝置。
其次，說明第2種方法的由陽極61調(diào)整發(fā)光區(qū)域E的制造方法。此方法與先前說明的第1方法大致相同的程序即可，但在不形成第2平坦化膜67的點有所不同。即，使用掩膜與發(fā)光區(qū)域同形狀與位置形成陽極61，在其上以覆蓋陽極61狀形成發(fā)光組件層65與陰極66。由此，可得如圖5A的具剖面構(gòu)造的EL顯示裝置。又，形成陽極61用掩膜，如同先前圖7的掩膜，使用與發(fā)光區(qū)域E對應的位置與形狀具開口部者即可。
其次說明第3方法的以發(fā)光層63調(diào)整發(fā)光區(qū)域E的制造方法。此方法與先前說明的第2方法大致相同的程序即可，但形成陽極61較大于發(fā)光區(qū)域，而使用掩膜與發(fā)光區(qū)域同形狀與位置形成發(fā)光層63。由此，可得如圖5B的具剖面構(gòu)造的EL顯示裝置。又，形成發(fā)光層63用掩膜，如同先前圖7的掩膜，使用與發(fā)光區(qū)域E對應位置且形狀具開口部者即可。但是，因按色成分使用不同發(fā)光材料，而需相同數(shù)量的掩膜。此時，各掩膜的開口部需分別對應各色成分的發(fā)光區(qū)域。
于本實施方式，于像素區(qū)域P內(nèi)設邊緣M以設定發(fā)光區(qū)域E，在不變更已設計的發(fā)光區(qū)域?qū)挾龋稍谙袼貐^(qū)域的范圍內(nèi)調(diào)整發(fā)光區(qū)域高度。由此，既使材料變更，亦可獲得相同白色平衡。此時，無需變更柵極信號線51、漏極信號線52、及驅(qū)動電源線53所圍區(qū)域本體的大小及圖案布局。因此，變更掩膜的張數(shù)最少至1張即可。例如使用第2平坦化膜67制造EL顯示裝置時，配合發(fā)光區(qū)域的高度變更，僅變更形成第2平坦化膜67用掩膜105開口部高度即可。即僅變更1張形成第2平坦化膜67用掩膜即可應付。又，陽極61形成為較發(fā)光區(qū)域E大，但較像素區(qū)域P小，即，像素區(qū)域P會有不能由陽極61決定的狀況時。此時，加高發(fā)光區(qū)域E的高度而比陽極61更高時，為變更發(fā)光區(qū)域E的高度，需變更形成第2平坦化膜67用的掩膜，同時也要變更形成陽極61用掩膜。此時，需要變更2張掩膜。
其次，圖8為第2實施方式的EL顯示裝置發(fā)光區(qū)域的平面圖。于圖8，如同第1實施方式所設定像素區(qū)域PR、PG、PB與發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB，配置成單數(shù)行與雙數(shù)行錯開約1.5像素區(qū)域，可任選互相鄰接的3像素區(qū)域，亦可得R、G、B組合的所謂三角(delta)排列。
像素區(qū)域P與發(fā)光區(qū)域E，如同第1實施方式，以圍住此像素區(qū)域與發(fā)光區(qū)域，配置多個柵極信號線51成水平方向。又，多個漏極信號線52及多個驅(qū)動電源線53，配置成對的垂直/水平方向。又，柵極信號線51與漏極信號線52或驅(qū)動電源線53互為交差。
又，如本實施方式的三角排列時，因圖案布局狀況，配置在互鄰行的同色像素區(qū)域的寬度會有不同，此時，調(diào)整發(fā)光區(qū)域的高度或?qū)挾仁蛊浠橥娣e即可。又，于本實施方式變更發(fā)光材料時，亦僅變更發(fā)光區(qū)域即可，該變更的掩膜數(shù)為最少的僅1張即可。
本發(fā)明不限于如上的實施方式，各發(fā)光區(qū)域的排列方式有條帶(strip)排列、三角排列之外，亦可為交叉(diagonal)排列。又，發(fā)光區(qū)域的形狀不限于長方形，平行四邊形或L字型等均可。再者，L字型時，自L字合理取出長方形等將其高度視為發(fā)光區(qū)域的高度HR、HG、HB，使該高度按每色成分的亮度調(diào)整，以設定發(fā)光區(qū)域/再布局即可。發(fā)光區(qū)域于TFT制造方法。各材料則使用現(xiàn)有者即可，TFT的構(gòu)造不僅是底式柵極型，柵極電極設在活性層上的所謂頂式柵極型亦可。另，已說明過根據(jù)亮度半衰期設定，變更發(fā)光面積，但，亦可如發(fā)光效率，根據(jù)發(fā)光材料所具固有特性及隨經(jīng)過時間變化的特性，以設定，變更發(fā)光面積亦有可能。此時，可將壽命換為發(fā)光效率即可。
于本實施方式，說明將發(fā)光層的光，經(jīng)過TFT基板側(cè)向背面?zhèn)容敵龅牡撞堪l(fā)射型EL顯示裝置，但，將發(fā)光層的光自TFT基板表面?zhèn)容敵龅乃^頂部發(fā)射型EL顯示裝置亦可適用。
如上，依本實施方式，則可不致浪費空間配置發(fā)光區(qū)域，而各發(fā)光區(qū)域可形成更大。可使各發(fā)光材料的壽命齊一，而可提供即使累積使用時間過多亦能保持白色平衡狀態(tài)的高品質(zhì)EL顯示裝置。
又，像素區(qū)域內(nèi)設有發(fā)光區(qū)域，在其像素區(qū)域范圍內(nèi)變更發(fā)光區(qū)域的大小，可使變更材料后的發(fā)光材料的壽命與發(fā)光效率等，能對應經(jīng)過的時間變化的特性。因此無需變更發(fā)光區(qū)域以外的TFT與保持電容的布局，可縮短平面布局的設計期間及制造期間。欲變更平面布局時，隨其亦需將形成EL顯示裝置的構(gòu)成構(gòu)件各層需重新設計，制造變更，但是，在本發(fā)明僅需變更發(fā)光區(qū)域，而可縮短各層的設計，制造變更的期間。因此，縮短此設計，制造期間，可大幅削減設計，制造成本。此時，發(fā)光區(qū)域有關的EL組件構(gòu)成構(gòu)件的陽極、形成于陽極上的平坦化膜、及發(fā)光層中，重制需變更者即可。即，僅重制為形成有變更的構(gòu)成構(gòu)件的掩膜，而需變更的掩膜數(shù)，最少為1張即可。因此，可大幅削減重制掩膜的成本。
<日本專利2003-017454>
圖9為第3實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面圖。此圖如同圖1為條帶排列的情形。于此例，表示各色成分的發(fā)光材料的壽命為G＞R＞＞B的關系，而取3者壽命的差，假定最小的組合為G與R。
圖中像素區(qū)域PR、PG、PB，分別具有共同高度(垂直方向的長度)H，與分別按色成分的固有寬度<水平方向的長度>WR、WG(＝WR)、WB。在此，壽命差較小的R與G的寬度相等。發(fā)光各色的發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB較像素區(qū)域PR、PG、PB的高度H為低，并且分別具有按色成分的固有高度HR、HG、HB，及所對應發(fā)光區(qū)域相等的寬度WR、WG(＝WR)、WB。在此，使寬度相等的R與G壽命差部分，于其高度HR、及HG所調(diào)整。由此，沿像素區(qū)域PR、PG、PB的一邊，形成邊緣MR、MG、MB(圖中斜線部分)。又，使發(fā)光區(qū)域高度HR、HG、HB與對應的像素區(qū)域的高度H相等，發(fā)光區(qū)域的寬度WR、WG、WB較各發(fā)光區(qū)域的寬度為短的固有値WR’、WG’、WB’亦可。
在如上配置的多個像素區(qū)域P周邊，形成多個柵極信號線51成水平方向，多個漏極信號線52及多個驅(qū)動電源線53成垂直方向。自柵極信號線51至像素區(qū)域的距離DH、自驅(qū)動電源線53至像素區(qū)域的距離DW，與各像素區(qū)域PR、PG、PB的寬度WR、WG、WB無關，分別設定成固定。
于如此布局，各像素區(qū)域內(nèi)的空間無浪費，同時可預留為修正發(fā)光區(qū)域面積所需的邊緣。并且，因2個像素區(qū)域?qū)挾认嗟?，而設計容易。
于本實施方式的圖案布局方法，如同上述圖2，但是于步驟S2，選擇亮度比較小者，使其寬度相等。又，于步驟S4，分別另設定各發(fā)光區(qū)域高度HR、HG、HB。
即，于步驟S1測量各發(fā)光材料的亮度。
于步驟S2，設定像素區(qū)域PR、PG、PB的寬度WR、WG、WB。首先，于步驟S1按色成分取測定的亮度L0與理想亮度L1的比L1/L0(亮度比)。于是，與亮度比的差為最小的2種色成分相對應的像素區(qū)域?qū)挾认嗟?。與其它色成分對應的像素區(qū)域?qū)挾?，則與先前2種亮度比的任一方，或按其平均而設定。例如，各色的亮度比為R∶G∶B＝1.2∶1∶3時，使亮度比差為最小的發(fā)光材料組合為R與G。如是，設定WR與WG相等，WB則應R與G的亮度比的一方或其平均而設定。即，應R的亮度比設定時，成為WR∶WG∶WB＝1.2∶1.2∶3，應R與G的亮度比平均設定時，成為WR∶WG∶WB＝1.1∶1.1∶3。
于步驟S3，設定像素區(qū)域P高度H為共同。此時，將高度H設定為較可預測的一種色成分所對應發(fā)光區(qū)域E的高度稍長，取得可設邊緣M的空間。
于步驟S4，分別設定發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB。首先，將發(fā)光區(qū)域E的寬度，設定與對應的像素區(qū)域P的寬度WR、WG、WB相等。其次，與各色成分對應的發(fā)光區(qū)域面積比，與各色成分的亮度比的比成對應狀，設定發(fā)光區(qū)域E的高度。于步驟S2，雖非正確與亮度比的比對應設定各像素區(qū)域P的寬度WR、WG、WB，但大多情形，對應各色成分的發(fā)光區(qū)域E的高度HR、HG、HB不相同。即，使對應亮度比差小的2種色成分的像素區(qū)域P的寬度相等，因此，發(fā)光區(qū)域E的高度不同為其亮度比之差的部分。但是，因選擇亮度比之差為最小的色成分，發(fā)光區(qū)域E高度不致有極端差異。又，其2種色成分以外的色成分所對應的發(fā)光區(qū)域的高度，亦按亮度比的比設定像素區(qū)域的寬度，將與2種色成分所對應的發(fā)光區(qū)域高度大致相同。例如于步驟S2所示各色的亮度比為R∶G∶B＝1.2∶1∶3，而WR∶WG∶WB＝1.2∶1.2∶3時，HR∶HG∶HB＝1.2/1.2∶1/1.2∶1＝1.2∶1∶1.2。
于步驟S5，以上述步驟所設定値試運行，或進行模擬，用以確認顯示是否有問題。
由以上方法，按發(fā)光材料的亮度半衰期，可設定對應各色成分的像素區(qū)域及發(fā)光區(qū)域。依此方法，使特性相近的發(fā)光材料的發(fā)光區(qū)域?qū)挾认嗟?，僅需微調(diào)整發(fā)光區(qū)域E的高度，亦可正確對應其特性小差異。又，使高度設定為最高的發(fā)光區(qū)域與像素區(qū)域相等高度，可使像素區(qū)域使用更加有效率。又，于本實施方式，在發(fā)光區(qū)域上部設邊緣M以對應材料變更等，但，邊緣M設在發(fā)光區(qū)域E下部或左右任一方亦有同效，亦可將設有邊緣M的發(fā)光區(qū)域E寬度變更以對應材料變更。此時，僅要在固定發(fā)光區(qū)域高度之下變更寬度即可。
圖10為本實施方式像素區(qū)域PB周邊的構(gòu)造平面圖，圖11A及11B為圖10中沿A-A及B-B剖面圖。以下依圖10說明本實施方式的像素區(qū)域P與其周邊的構(gòu)造。
發(fā)光區(qū)域EB配置于像素區(qū)域PB內(nèi)，如像素區(qū)域PB上部設有邊緣M狀。又，串聯(lián)連接的2個第1TFT10，及保持電容電極線54與保持電容電極55的一部分，配置于像素區(qū)域PB與柵極電極51之間。又，2個TFT10的柵極114，分別連接于柵極信號線51。又，漏極信號線52側(cè)的TFT10的漏極12d，連接于漏極信號線52。TFT10的源極112S，在與保持電容電極線54之間，連接于成為保持電容CS的保持電容電極55。再者，TFT10的源極112s，連接于并聯(lián)連接的2個第2TFT20的柵極電極124。2個TFT20的源極122s，分別連接于驅(qū)動電源線53。又，2個TFT20的漏極122d，連接于漏極電極26，再藉其漏極電極26連接于有機EL組件70的電極61又，保持電容電極線54藉絕緣膜113，形成為與連接于源極112s的保持電容電極55成相對狀。由此，保持電容電極線54與保持電容電極55間蓄積電荷而成電容。此電容成為保持加于第2TFT20的柵極電極124的電壓的保持電容Cs。又，TFT10的源極112s、通道112c、漏極112dm及電容電極55等、形成為多結(jié)晶硅的活性層112的一部分，除柵極電極124、電容電極線54下方的區(qū)域以外均摻雜不純物。
在此說明開關用頂式柵極型TFT的第1TFT10與連接于其源極的保持電容Cs的構(gòu)造。在基板10上，例如沉積層SiN、SiO2所成的絕緣膜111。再在其上形成由多晶硅(p-Si)膜的活性層112，連接于同由p-Si所成的保持電容電極55。又，于活性層112設漏極112d、源極112s、及位于其間的通道112c。再將其活性層112及保持電容電極55以覆蓋狀沉積層SiO2、SiN所成柵極絕緣膜113。在其上，形成由鉻(Cr)、鉬(Mo)等高熔點金屬所成的柵極電極114及保持電容電極線54。又，柵極電極114設成跨越通道112c，保持電容電極線54設成與保持電容電極55相對。由此構(gòu)成第1TFT10。
再者，在柵極電極114與柵極絕緣膜113上面，形成由SiO2膜、SiN膜所構(gòu)成的層間絕緣膜15。經(jīng)過形成于此層間絕緣膜15的漏極112d相對位置的接觸孔、設由Al等金屬所成漏極電極16，再在其上面，形成有機樹脂所成使表面平坦的平坦化膜17。
其次，說明有機EL組件的驅(qū)動用頂式柵極型TFT的第2TFT20的構(gòu)造。在基板10上，例如沉積層由SiN、SiO2所成的絕緣膜111。在其上形成p-Si膜的活性層122。又，于活性層122設漏極122d、源極122s、及位于其間的通道122c。其活性層122成覆蓋狀，沉積層SiO2、SiN形成柵極絕緣膜113。在其上，形成由Cr、Mo等高熔點金屬所成的柵極電極124跨越通道122c。由此構(gòu)成第2TFT20。
再者，在柵極電極124與柵極絕緣膜113上面，形成由SiO2膜、SiN膜所形成的層間絕緣膜15。經(jīng)過形成于此層間絕緣膜15的源極122s漏極122d所對應位置的接觸孔、配置由金屬所成漏極電極26，與連接于驅(qū)動電源的驅(qū)動電源線53。再在其上面，形成有機樹脂所成使表面平坦的平坦化膜17，貫穿該平坦化膜17，連接于漏極電極26的由ITO(indium tin oxide)所成電極61，形成于平坦化膜17上。繼之，在電極61上，沉積層形成空穴輸送層62、發(fā)光層63、電子輸送層64所成的發(fā)光組件層65，再以覆蓋該發(fā)光組件層65之狀形成Al合金等所成的電極66。在空穴輸送層62與電極61之間，沉積層形成絕緣樹脂所成的第2平坦化膜67，由電極61上所設開口部，限制電極61的露出區(qū)域。即，發(fā)光區(qū)域E由第2平坦化膜67的開口部所決定。再者，于本圖的像素區(qū)域P，則由電極61所決定。
本實施方式的EL顯示裝置發(fā)光區(qū)域E制造成所設定形狀的方法，除先前所述的使用第2平坦化膜67的第1方法之外，有不使用第2平坦化膜67的如圖12A所示，以有機EL組件的電極61形狀調(diào)整的第2種方法。此時的發(fā)光區(qū)域E由電極61所決定，像素區(qū)域P則由發(fā)光層63決定。又，同如不使用第2平坦化膜67，如圖12B所示，亦有依發(fā)光層63調(diào)整的第3種方法。此時，發(fā)光區(qū)域E由發(fā)光層63決定，像素區(qū)域P則由電極61決定。
圖13A至圖13D為本實施方式的EL顯示裝置的制造方法按制造工序的剖面圖。此圖與圖10B-B剖面圖一致。沿此圖，說明使用第1方法的EL顯示裝置制造工序。
圖13A為第1程序的剖面圖。于此程序，首先以既有方法形成第2TFT20，覆蓋TFT20沉積層層間絕緣膜15后，形成TFT20的源極122s與所連接的驅(qū)動電源線53、TFT20的漏極122d與所連接的漏極電極26。在其上沉積層平坦化膜17后，形成接觸孔CT，貫穿該平坦化膜17，且到達漏極電極26。經(jīng)過該接觸孔CT，以能覆蓋平坦化膜17全面的透明材料，使用濺射法(sputtring)沉積ITO層28。
圖13為第2程序的剖面圖。于此程序，首先在ITO層28上涂布抗蝕劑，使用掩膜曝光，顯影而使抗蝕劑布局圖案。其次，以該抗蝕劑為掩膜，蝕刻ITO層28形成電極28。
圖13C為第2程序的剖面圖。于此程序，首先在電極61及平坦化膜17上，由有機樹脂所成的第2平坦化膜材料使用自旋式涂布法(spincoat)等沉積層。其次，使用掩膜105使該第2平坦化膜材料曝光，顯影而形成第2平坦化膜67。在此所用掩膜105，例如圖14所示具有多個開口部R50、G50、B50。掩膜的各開口部R50、G50、B50具有與發(fā)光區(qū)域相同的寬度WR、WG、WB及高度HR、HG、HB。由此，在與發(fā)光區(qū)域E對應的形狀與位置，形成第2平坦化膜67的開口部。在形成該開口部區(qū)域，露出電極61。
圖13D為第4程序的剖面圖。于此程序，首先，以覆蓋所露出電極61之狀在平坦化膜67上沉積空穴輸送層62于基板全面。其次，使用掩膜沉積每一發(fā)光材料，形成發(fā)光層63。繼之，沉積電子輸送層64于基板全面。在如上形成的空穴輸送層62、發(fā)光層63、電子輸送層64所成的電子組件層65上，使用掩膜沉積電極66。又，此發(fā)光材料的電阻較高，由電極61與電極66所挾區(qū)域的發(fā)光層65即為發(fā)光區(qū)域。又，空穴輸送層62與電子輸送層64同形成于基板全面，但，亦可按發(fā)光材料使用不同輸送層材料。
如上，可獲得使用具有按各色所欲發(fā)光區(qū)域的有機組件的彩色顯示裝置。
其次說明第2種方法的由電極61調(diào)整發(fā)光區(qū)域E的制造方法。此方法如同先前說明的第1方法相同工序即可，僅不形成第2平坦化膜67的點不同。即，使用掩膜形成電極61如同發(fā)光區(qū)域的形狀與位置，而在其上覆蓋電極61形成發(fā)光組件層65與電極66。由此，可獲得具有如圖12A的剖面構(gòu)造的EL顯示裝置。又，形成電極61用掩膜，例如同前圖14的掩膜，使用與發(fā)光區(qū)域E對應位置與形狀具有開口部者即可。
其次為第3種方法，說明由發(fā)光層63調(diào)整發(fā)光區(qū)域E的制造方法。此方法如同先前說明的第2方法相同工序即可，但，形成電極61大于發(fā)光區(qū)域，使用掩膜形成電極63如同發(fā)光區(qū)域E的形狀與位置。由此，可獲得具有如圖12B的剖面構(gòu)造的EL顯示裝置。又，形成電極63用掩膜，例如同前圖14的掩膜，使用與發(fā)光區(qū)域E對應位置與形狀具有開口部者即可。但，因使用按色成分不同的發(fā)光材料，需要同其數(shù)量的掩膜。此時，各掩膜需各具有每1色所對應發(fā)光區(qū)域E的開口部。
于本實施方式，在像素區(qū)域P內(nèi)設邊緣M以設定發(fā)光區(qū)域E，于此，可不變更已設計的發(fā)光區(qū)域?qū)挾?，而可在像素區(qū)域范圍內(nèi)調(diào)整發(fā)光區(qū)域的高度。于此，既使材料變更，亦可得相同白色平衡。此時，無需變更柵極信號線51、漏極信號線52、及驅(qū)動電源線53所圍住區(qū)域本體的大小與布局，而變更掩膜的張數(shù)至最少的一張。例如使用第2平坦化膜67制造EL顯示裝置時，配合變更發(fā)光區(qū)域高度，僅變更形成第2平坦化膜67用掩膜105的開口部高度即可。即，僅變更一張形成第2平坦化膜67用掩膜即可應付。又，電極61雖大于發(fā)光區(qū)域E、卻形成小于像素區(qū)域，即，像素區(qū)域P有不受電極61決定的情形。此時，可使發(fā)光區(qū)域E高度加高，而成為較電極61高時，為變更發(fā)光區(qū)域E高度，需變更形成第2平坦化膜67用掩膜，同時亦需變更形成電極61用掩膜。如此，需變更2張掩膜。
其次，圖15為第4實施方式的EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域平面圖。于圖15，如同第3實施方式所設定像素區(qū)域PR、PG、PB與發(fā)光區(qū)域ER、EG、EB，配置成單數(shù)行與雙數(shù)行錯開約1.5像素，可任選互為鄰接的3像素區(qū)域，亦可得R、G、B組合的所謂三角排列。
依本實施方式，像素區(qū)域?qū)?種色成分的一方向長度設定成相等，因此、布局更簡單。又于第3、第4實施方式，亦可如上述第1、第2實施方式同樣變形，并得到同樣的效果。
權(quán)利要求
1.一種場致發(fā)光顯示裝置，其具有發(fā)光區(qū)域的像素區(qū)域以一定規(guī)則多種配置，其中上述多個像素區(qū)域，可對應各個特定色成分的同時，多個上述色成分中至少一種色成分所對應的像素區(qū)域，形成面積為不同于其它色成分所對應的像素區(qū)域，至少對應一種色成分的上述發(fā)光區(qū)域，在上述像素區(qū)域內(nèi)形成為于第1方向的長度與像素區(qū)域相等，于與第1方向交叉的第2方向的長度較上述像素區(qū)域為短。
2.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中上述多個像素區(qū)域分別對應3種色中的任1種，而像素區(qū)域的面積按所對應的色而各異。
3.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中與各色成分對應的上述多個像素區(qū)域，在上述第1方向及上述第2方向中一方形成相等的長度。
4.如權(quán)利要求3所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中沿上述多個像素區(qū)域的排列設多個信號線，而上述多個信號線，形成為自上述多個像素區(qū)域分別隔一定距離。
5.如權(quán)利要求3所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中沿上述多個像素區(qū)域的排列設多個驅(qū)動電源線，而上述多個驅(qū)動電源線，形成為自上述多個像素區(qū)域分別隔一定距離。
6.如權(quán)利要求2所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中上述像素區(qū)域的第1方向的長度，表示按各色發(fā)光材料的特性隨時間變化而設定。
7.一種場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其于發(fā)光區(qū)域的像素區(qū)域以一定規(guī)則多種配置，其具備按所設定表示各色發(fā)光材料的特性，分別決定對應第1方向的各色成分的上述像素區(qū)域長度的步驟；共同決定上述第1方向與交叉的第2方向的上述像素區(qū)域的長度的步驟及；在上述像素區(qū)域內(nèi)，設定上述第1方向及上述第2方向的一方與上述像素區(qū)域為相等長度，設定另一方較上述像素區(qū)域短或相等的長度，用以決定發(fā)光區(qū)域的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其中按上述發(fā)光材料的隨特性的變化，變更上述發(fā)光區(qū)域的上述另一方的長度，再布局上述發(fā)光區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其中上述發(fā)光材料的特性是發(fā)光材料隨時間而變化。
10.如權(quán)利要求9所述的場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其中上述發(fā)光材料隨時間而變化是指發(fā)光材料的壽命或發(fā)光效率。
11.一種場致發(fā)光顯示裝置，其具備發(fā)光區(qū)域的像素區(qū)域以一定規(guī)則多種配置，其中上述多個像素區(qū)域，對應各個特定色成分的同時，對應第1及第2色成分的像素區(qū)域形成相等面積的同時，對應第3色成分的像素區(qū)域，形成與上述第1及第2色成分所對應的像素區(qū)域不同的面積；至少在一種色成分所對應的像素區(qū)域內(nèi)，形成第1方向的長度與像素區(qū)域相等，于與第1方向交叉的第2方向的長度較上述像素區(qū)域為短，而形成上述發(fā)光區(qū)域。
12.如權(quán)利要求11所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中各色所對應的上述多個像素區(qū)域，于上述第1方向及第2方向中，有一相等長度的方形。
13.如權(quán)利要求12所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中沿上述多個像素區(qū)域排列有多個信號線，而上述多個信號線，形成于上述多個像素區(qū)域并分別隔一定距離。
14.如權(quán)利要求12所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中沿上述多個像素區(qū)域排列設多個驅(qū)動電源線，而上述多個驅(qū)動電源線，形成于上述多個像素區(qū)域并分別隔一定距離。
15.如權(quán)利要求12所述的場致發(fā)光顯示裝置，其中上述像素區(qū)域的第1方向的長度，按表示各色發(fā)光材料的特性隨時間變化而設定。
16.一種場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其于發(fā)光區(qū)域的像素區(qū)域以一定規(guī)則多種配置，其具備設定特性差最少的第1及第2發(fā)光材料發(fā)光的色成分所對應上述像素區(qū)域的第1方向長度相等，與第3發(fā)光材料所發(fā)光的色成分對應的上述像素區(qū)域的第1方向長度不同的步驟；共同決定上述第1方向與交叉的第2方向的上述像素區(qū)域的長度的步驟及；在上述像素區(qū)域內(nèi)，設定上述第1方向及上述第2方向的一方與上述像素區(qū)域相等長度，設定另一方較上述像素區(qū)域短或相等的長度，用以決定發(fā)光區(qū)域的步驟。
17.如權(quán)利要求16所述的場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其中按上述發(fā)光材料的隨特性的變化，變更上述發(fā)光區(qū)域的上述另一方的長度，再布局上述發(fā)光區(qū)域。
18.如權(quán)利要求17所述的場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其中上述發(fā)光材料的特性因發(fā)光材料隨時間變化而形成。
19.如權(quán)利要求18所述的場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，其中上述發(fā)光材料隨時間而變化指發(fā)光材料的壽命或發(fā)光效率。
全文摘要
本發(fā)明提供一種場致發(fā)光顯示裝置及場致發(fā)光顯示裝置的圖案布局方法，按每色成分，依照發(fā)光材料的壽命設定像素區(qū)域行方向的長度，由此可調(diào)整因不同材料的壽命差異。而且，為對應設計后的材料變更，在像素區(qū)域內(nèi)的行方向或列方向留邊緣以形成發(fā)光區(qū)域。
文檔編號H01J1/00GK1491069SQ0315891
公開日2004年4月21日 申請日期2003年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月13日
發(fā)明者松本昭一郎 申請人:三洋電機株式會社