晶片成型裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種晶片成型裝置，下模（2）上設置有至少一對成型凹槽（3），成型凹槽（3）的位置與晶片引線（7）的位置相匹配，沖模（1）上設置有與成型凹模（3）相配合的沖頭（4）。沖模（1）和下模（2）上均設置有與晶片本體（6）相配合的空腔（5）。沖頭（4）的外表面包覆有硬質合金層，成型凹槽（3）的內表面包覆有抗磨層。本實用新型采用沖壓成型方式，結構簡單，設計合理，加工成本低；沖模和下?？筛鶕?jù)需要做成多行多列，可實現(xiàn)對物料盤上的二極管晶片的批量沖壓成型，成型效率高；沖頭外表面設有硬質合金層，成型凹槽的內表面包覆有抗磨層，沖模和下模的使用壽命長。
【專利說明】晶片成型裝置

【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及一種晶片裝配裝置，特別是涉及一種晶片成型裝置。

【背景技術】
[0002] 在電子電路中經(jīng)常用到半導體二極管，它在許多電路中起著重要的作用，是誕生 最早的半導體器件之一，常用于整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等 電路中，應用非常廣泛。晶體三極管是內部含有兩個PN結，并且具有放大功能的特殊器件， 晶體三極管在電路中對信號具有放大和開關作用，應用也十分廣泛。
[0003] 由于PCB板焊接工藝等需要，通常要將二極管加工成如圖1所示的結構，即晶片本 體兩端的引線需要加工成帶彎鉤的形狀。傳統(tǒng)的成型方式是先將二極管從物料盤上切割下 來，然后一個一個地對二極管進行沖壓，使其引線沖壓成彎鉤狀，這種傳統(tǒng)成型方式效率極 其低下，且對于單個二極管而言，因其體積較小，所以抓取很困難，加工難度較大。 實用新型內容
[0004] 本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種成型效率高、效果好的晶 片成型裝置，成型模具使用壽命長。
[0005] 本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現(xiàn)的：晶片成型裝置，包括沖模和下 模，下模上設置有至少一對成型凹槽，成型凹槽的位置與晶片引線的位置相匹配，沖模上設 置有與成型凹模相配合的沖頭。
[0006] 所述的沖模和下模上均設置有與晶片本體相配合的，用于成型時放置晶片本體的 空腔。
[0007] 所述下模上的成型凹槽有六對。
[0008] 所述沖頭的外表面包覆有硬質合金層。
[0009] 所述成型凹槽的內表面包覆有抗磨層。
[0010] 本實用新型的有益效果是：
[0011] 1)采用沖壓成型方式，結構簡單，設計合理，加工成本低；
[0012] 2)沖模和下?？筛鶕?jù)需要做成多行多列，可實現(xiàn)對物料盤上的二極管晶片的批量 沖壓成型，成型效率高、效果好；
[0013] 3)沖頭外表面設有硬質合金層，增加了沖頭的剛性和抗磨損程度，增長了沖頭的 使用壽命；
[0014] 4)成型凹槽的內表面包覆有抗磨層，大大增強了成型凹槽的耐磨性能，增長了下 模的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1為需成型的晶片結構示意圖；
[0016] 圖2為晶片在物料盤上的結構示意圖；
[0017] 圖3為本實用新型沖模、下模結構示意圖；
[0018] 圖4為本實用新型使用狀態(tài)示意圖；
[0019] 圖中，1-沖模，2-下模，3-成型凹槽，4-沖頭，5-空腔，6-晶片本體，7-晶片引線。

【具體實施方式】
[0020] 下面結合附圖進一步詳細描述本實用新型的技術方案，但本實用新型的保護范圍 不局限于以下所述。
[0021] 晶片在物料盤上的結構如圖2所示，每行有六塊晶片，每塊晶片的晶片本體6均通 過晶片引線7連接在物料盤上。
[0022] 如圖3、圖4所示，晶片成型裝置，包括沖模1和下模2,下模2上設置有至少一對 成型凹槽3,成型凹槽3的位置與晶片引線7的位置相匹配，沖模1上設置有與成型凹模3 相配合的沖頭4。
[0023] 所述的沖模1和下模2上均設置有與晶片本體6相配合的，用于成型時放置晶片 本體6的空腔5,空腔5也可起到協(xié)助定位的作用，使物料盤平穩(wěn)的放置在下模2上，避免側 滑。
[0024] 所述下模2上的成型凹槽3有六對。
[0025] 所述沖頭4的外表面包覆有硬質合金層。
[0026] 所述成型凹槽3的內表面包覆有抗磨層。
[0027] 以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當理解本實用新型并非局限于本文 所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并 能夠在本文所述構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域 人員所進行的改動和變化不脫離本實用新型的精神和范圍，則都應在本實用新型所附權利 要求的保護范圍內。
【權利要求】
1. 晶片成型裝置，其特征在于：包括沖模（1)和下模（2)，下模（2)上設置有至少一對成 型凹槽（3)，成型凹槽（3)的位置與晶片引線（7)的位置相匹配，沖模（1)上設置有與成型凹 模（3)相配合的沖頭（4)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的晶片成型裝置，其特征在于：所述的沖模（1)和下模（2)上均 設置有與晶片本體（6)相配合的，用于成型時放置晶片本體（6)的空腔（5)。
3. 根據(jù)權利要求1所述的晶片成型裝置，其特征在于：所述下模（2)上的成型凹槽（3) 有六對。
4. 根據(jù)權利要求1所述的晶片成型裝置，其特征在于：所述沖頭（4)的外表面包覆有硬 質合金層。
5. 根據(jù)權利要求1所述的晶片成型裝置，其特征在于：所述成型凹槽（3)的內表面包覆 有抗磨層。
【文檔編號】B21F1/00GK203875251SQ201420325169
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權日:2014年6月18日
【發(fā)明者】鐘錫全 申請人:四川藍彩電子科技有限公司