專利名稱：：用于拋光氧化鋁及氧氮化鋁基材的組合物、方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于拋光基材的組合物及方法。更具體而言，本發(fā)明進一步涉及用于對氧化鋁或氧氮化鋁表面進行化學機械拋光的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：氧化鋁(Al203)基材(例如藍寶石基材)及氧氮化鋁基材通常適用于許多應用中，例如商業(yè)、工業(yè)、科學及軍事應用。這些基材通常為非常堅固及透明的材料，從而使它們可用于窗、基板及穿頂應用中。另外，氧化鋁及氧氮化鋁耐受非常高的溫度，從而使它們特別可用于其中產(chǎn)生高熱量的電子應用中。氧化鋁和/或氧氮化鋁的一種電子應用為用作激光應用中的晶體。具體而言，具有鈦或鉻摻雜物的藍寶石晶體可用于激光應用中，特別是在電磁波譜的紅光至近紅外區(qū)域中。純氧化鋁晶體可以生長為大的單晶結(jié)晶塊，該單晶結(jié)晶塊可以切片為晶片并拋光以形成堅硬、堅固、耐溫及透明的晶體薄片。例如，這樣的薄片可用作高質(zhì)量手表中的觀察表面，因為該材料非凡的硬度使得該表面幾乎不可能被刮傷。單晶氧化鋁的晶片還可用在半導體工業(yè)中作為生長基于氮化鎵的藍色及綠色發(fā)光二極管的基材。為了利用氧化鋁及氧氮化鋁基材的在許多不同應用(包括微電子)中的用途，由氧化鋁和/或氧氮化鋁制成的基材必須經(jīng)拋光或平坦化以提供光滑清潔的表面。通常，氧化鋁和/或氧氮化鋁基材的拋光或平坦化涉及使用其中具有研磨材料的液體組合物以使用拋光墊來研磨基材的表面，這通常稱為化學機械拋光("CMP")工藝。在典型的CMP工藝中，將基材放置成與旋轉(zhuǎn)著的拋光墊直接接觸。栽體(carrier)對基材的背面施加壓力。在拋光工藝期間，在對基材背面保持向下的力的同時旋轉(zhuǎn)墊及臺。在拋光期間將研磨及化學反應溶液(通常稱為"漿當將漿料提供到基材/墊界面處時，墊相對于基材的旋轉(zhuǎn)移動促進拋光工藝。以此方式繼續(xù)進行拋光直至實現(xiàn)所需的拋光效果。由于低的材料移除速率，氧化鋁和/或氧氮化鋁基材表面的拋光具有長拋光時間及低產(chǎn)量的缺點。為改善拋光時間，可使用高濃度的研磨劑。例如，已知用于拋光藍寶石基材表面的漿料包含最高達50重量o/。的研磨劑濃度。然而，高的研磨劑含量可以導致來自摩擦力的具有損害程度的熱，這對用于拋光氧化鋁和/或氧氮化鋁基材的拋光墊有負面影響。因此，存在對用于拋光氧化鋁和/或氧氮化鋁基材的改善的組合物的需要。具體而言，存在對使移除速率增加的組合物的需要。此外，存在對用于利用改善的組合物拋光氧化鋁和/或氧氮化鋁基材的改善的系統(tǒng)及方法的需要。
發(fā)明內(nèi)容在本發(fā)明的一種實施方式中，提供一種拋光基材的方法。該方法包括以下步驟提供包含研磨劑、液體載體及磷型一元酸(phosphorus-typemono-acid)的組合物，其中所述組合物具有l(wèi)-7的pH值；提供選自氧化鋁及氧氮化鋁的基材；提供用于物理研磨該基材的裝置(means);及通過將該基材與該用于物理研磨該基材的裝置及該組合物接觸而磨除該基材的至少一部分。在本發(fā)明的又一實施方式中，提供一種化學機械拋光系統(tǒng)。該系統(tǒng)包含包含研磨劑、液體載體及磷型一元酸的組合物，其中所述組合物具有l(wèi)-7的pH值；選自氧化鋁及氧氮化鋁的基材；及用于物理研磨該基材的裝置。本發(fā)明的額外特征及優(yōu)點將描述于對目前優(yōu)選實施方式的詳細描述和附圖中，并從對目前優(yōu)選實施方式的詳細描述和附圖中變得明晰。圖1顯示說明用含有變化量的磷酸的漿料拋光(測定為移除速率(nm/min))藍寶石晶片的劑量響應的曲線圖。圖2顯示說明用一系列含有變化量的磷酸及變化的pH值的漿料拋光藍寶石晶片的移除速率的曲線圖。圖3顯示說明用一系列含有各種量的磷酸及變化的pH值的漿料拋光藍寶石晶片的△曳力(單位為牛頓)的曲線圖。具體實施例方式提供組合物以用于氧化鋁基材(例如藍寶石)和/或氧氮化鋁基材的改善的拋光。具體而言，該組合物包含研磨劑、液體載體及磷型一元酸。對pH值的控制進一步改善拋光速率。此外，提供拋光氧化鋁和/或氧氮化鋁基材的系統(tǒng)及方法。如所提及的，根據(jù)本發(fā)明進行拋光或平坦化的基材涉及氧化鋁(通常稱為氧化鋁(alumina))和/或氧氮化鋁。具體而言，合適的基材為藍寶石。更具體而言，基材為單晶藍寶—石。單晶藍寶石為氧化鋁(八1203)的合成的、透明的品種。合成藍寶石自1902年即開始商業(yè)生產(chǎn)。存在用于生產(chǎn)藍寶石的許多晶體生長方法。一部分方法包括佐克拉斯基法(Czochralskimethod)、基魯普羅斯法(Kyropoulosmethod)、垂直梯度凝固法("VGF")及水平定向結(jié)晶法(J.Bohm，TheHistoryofCrystalGrowth,AmericanAssociationofCrystalGrowthNewsletter,第17(2)巻，第2-4頁)。本發(fā)明涵蓋其它制造藍寶石晶體的方法，且本發(fā)明不應局限于以上提及的部分方法。用作本發(fā)明中的基材的藍寶石晶片優(yōu)選沿"C"平面切割，且因此稱為"C平面藍寶石"。然而，本發(fā)明不限于此?？捎米骰牡乃{寶石基材還可以其它方式切割，包4舌R平面切割、M平面切割及A平面切割。用在本發(fā)明中拋光或平坦化藍寶石基材的研磨劑可以為可以充當研磨劑的任何合適的金屬氧化物。合適的金屬氧化物包括，但不限于，氧化鋁、二氧化硅、氧化鈦、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鍺、氧化鎂、及其組合。二氧化硅的可用形式包括，但不限于，熱解二氧化硅、沉淀二氧化硅及縮聚二氧化硅。優(yōu)選地，二氧化硅為縮聚二氧化硅，且有時稱為膠體二氧化硅?？s聚二氧化硅顆粒通常通過將Si(OH)4縮合以形成膠體顆粒而制備。這樣的研磨顆粒可以根據(jù)美國專利5,230，833(其全部引入本文作為參考)而制備。研磨顆粒還可作為各種可商購得到的產(chǎn)品中的任何產(chǎn)品而獲得，例如FusoPL-1及PL-2產(chǎn)品，Akzo-NobelBindzil50/80產(chǎn)品，及Nalco1050、2327及2329產(chǎn)品，以及可得自DuPont、Bayer、AppliedResearch、NissanChemical及Clariant等的其它類似產(chǎn)品。本發(fā)明的方法包括在液體載體中引入了研磨劑的組合物。研磨劑優(yōu)選懸浮于組合物中，更具體而言，懸浮于組合物的液體載體組分中。當研磨劑懸浮于組合物中時，研磨劑優(yōu)選是膠體穩(wěn)定的。術(shù)語"膠體穩(wěn)定"是指研磨顆粒隨時間保持懸浮。通常，研磨劑具有10nm-500nm的平均粒度。研磨劑的優(yōu)選平均粒度為20nm-200nm。此外，可將研磨劑以1重量％-50重量％的濃度引入到液體載體中。優(yōu)選地，研磨劑以5重量°/。-30重量％的濃度存在于組合物中?？蓪⒈景l(fā)明的磷型一元酸以0.0025重量％-0.5重量％的濃度引入到組合物中。更優(yōu)選地，將磷型一元酸以0.01重量％-0.1重量％的濃度引入到組合物中。優(yōu)選地，磷型一元酸為磷酸、膦?；宜帷喠姿?、曱基膦酸、或其混合物。然而，任何磷型一元酸均可用于本發(fā)明，且本發(fā)明不應限于此。使用液體載體以便于將研磨劑、磷型一元酸、及溶解或懸浮于液體載體中的任何添加劑施加到待拋光(例如，平坦化)的合適的基材的表面上。液體載體通常為含水載體，且可以僅為水(即，可以由水組成)，可以基本上由水組成，可以包含水及合適的可與水混溶的溶劑，或者可以為乳液。合適的可與水混溶的溶劑包括醇(例如，曱醇、乙醇)及醚。優(yōu)選地，含水載體包含水、基本上由水組成、或者由水組成。更優(yōu)選地，含水載體包含去離子水、基本上由去離子水組成、或者由去離子水組成?？梢杂萌魏魏线m的方式，例如，通過向組合物中添加pH值調(diào)節(jié)劑來調(diào)節(jié)組合物的pH值。合適的pH值調(diào)節(jié)劑包括，例如，；咸(例如，氫氧化鉀、氫氧化銨、碳酸鈉、及其混合物)以及酸(例如，無機酸(例如，硝酸、硫酸及鹽酸)及有機酸(例如，乙酸、檸檬酸、丙二酸、丁二酸、酒石酸及草酸)。優(yōu)選地，組合物的pH值為1-7。更優(yōu)選地，組合物的pH值為2-4.5。組合物可以任選地進一步包含一種或多種添加劑。這樣的添加劑包括表面活性劑(例如，陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、非離子表面活性劑、兩性表面活性劑、氟化表面活性劑、及其混合物)、聚合物穩(wěn)定劑、或其它表面活性分散劑、pH緩沖劑、殺生物劑、生物抑制劑(biostat)、及螯合或絡(luò)合劑。本發(fā)明的方法包括基材的物理研磨?？衫萌魏问侄?means)來研磨基材，基材與拋光組合物接觸。用于物理研磨基材的可能的手段可以包括，但不限于，拋光墊、含有至少一種固定研磨劑的拋光墊、拋光帶、含有至少一種固定研磨劑的拋光帶、刷子、用在磁流變流體拋光中的拋光機、彈性拋光工具和/或漿料噴射拋光。物理研磨基材的優(yōu)選實施方式為拋光墊。合適的拋光墊包括，例如，編織及非編織拋光墊。此外，合適的拋光墊可以包含變化的密度、硬度、厚度、壓縮性、壓縮后的回彈能力及壓縮模量的任何合適的聚合物。合適的聚合物包括，例如，，但不限于，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共成產(chǎn)物、及其混合物。拋光墊可以具有任何合適的尺寸。通常，拋光墊在形狀上為圓形。拋光墊包含拋光表面，該拋光表面任選地進一步包含便于拋光組合物跨越拋光墊表面的輸送的溝槽、通道和/或穿孔。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，這樣的溝槽、通道或穿孔可以為任何合適的深度及寬度。優(yōu)選地，拋光墊至少包含由標準墊修整方法產(chǎn)生的小溝槽。拋光墊可以單獨使用或作為多層堆疊的拋光墊中的一層使用。例如，拋光墊可以與副墊層組合使用，該副墊層基本上與該拋光墊共同擴張。可以用原子力顯微鏡(AFM)測量經(jīng)拋光的氧化鋁和/或氧氮化鋁表面(例如晶片或其它相似的氧化鋁和/或氧氮化鋁表面)的表面粗糙度。通常，使用2x2iam的掃描尺寸，且可以計算掃描的區(qū)域的平均粗糙度(Ra)。通常，可接受的表面粗糙度值具有小于1.0nm的Ra?？稍诟叨葤伖獾谋砻嫔峡吹降椭?.1nm-0.2nm的粗糙度值。實施例以下實施例進一步說明本發(fā)明，但是當然不應解釋為限制本發(fā)明的范圍。以下實施例描述了為拋光2英寸的C平面藍寶石晶片而制備及評估的拋光配方。使用10.5psi(約0.738kg/cm2)的下壓力、69rpm的壓板速度及160m1/分鐘的漿料進料速率在LogitechCDP拋光工具上進行拋光。在該LogitechCDP拋光工具上使用的拋光墊為CMCD100拋光墊，其為經(jīng)同心開槽(groove)以幫助漿料流動的聚氨酯墊。拋光時間皆為IO分鐘。通過測量經(jīng)拋光的晶片的重量損失且轉(zhuǎn)換為nm/min來計算拋光速率。實施例1邊攪拌邊將40%的磷酸溶液的2.5g等分試樣(aliquot)添加至997g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化硅(40。/。的固體，約110nm的平均粒度)。用10%的HC1溶液將pH值調(diào)節(jié)至2.0。所得溶液含有0.05%的最終磷酸濃度。實施例2除省去磷酸外，如實施例1中所描述的那樣制備對照漿料。將pH值調(diào)節(jié)至2.3。實施例3邊攪拌邊將100°/。的膦?；宜崛芤旱?.40g等分試樣添加至998g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化硅(40。/。的固體，約110nm的平均粒度)。用10。/。的HCl溶液將pH值調(diào)節(jié)至2.17。所得溶液含有0.07%的最終膦?；宜釢舛?。實施例4邊攪拌邊將100%的亞磷酸溶液的0.80g等分試樣添加至999g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化石圭(40。/。的固體，約110nm的平均粒度)。用10%的HCl溶液將pH值調(diào)節(jié)至2.17。所得溶液含有0.04%的最終亞磷酸濃度。實施例5邊攪拌邊將100%的曱基膦酸溶液的1.0g等分試樣添加至999g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化硅(40。/o的固體，約110nm的平均粒度)。使用10%的HC1溶液將pH值調(diào)節(jié)至2.5。所得溶液含有0.05%的最終曱基膦酸濃度。實施例6邊攪拌邊將70%的硝酸溶液的0.9g等分試樣添加至999g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化硅(40%的固體，約110nm的平均粒度)。用10%的HC1溶液將pH值調(diào)節(jié)至2.5。所得溶液含有0.03%的最終硝酸濃度。9實施例7邊攪拌邊將96.5%的硫酸溶液的1.0g等分試樣添加至999g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化硅(40。/。的固體，約110nm的平均粒度)。用10%的HCl溶液將pH值調(diào)節(jié)至1.75。所得溶液含有0.05%的最終硫酸濃度。實施例8邊攪拌邊將100%的氨基磺酸溶液的1.0g等分試樣添加至999g去離子水中。邊攪拌邊向此溶液中添加1000g膠體二氧化硅(40。/。的固體，約110nm的平均粒度)。用10。/。的HCl溶液將pH值調(diào)節(jié)至2.21。所得溶液含有0.05%的最終氨基磺酸濃度。表1說明用相對低的pH值的等摩爾濃度的磷酸、膦酰基乙酸、亞磷酸及甲基膦酸的膠體二氧化硅漿料的藍寶石表面移除速率(nm/min)。還列出了其它常用添加劑以說明磷型一元酸化合物的提高的移除速率。按照移除速率的順序列出實施例1-8,表現(xiàn)出較高移除速率的組合物首先列出。表1.<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>如表l中所示，與不添加添加劑(實施例2)相比，磷型一元酸(包括磷酸、膦酰基乙酸、亞磷酸及甲基膦酸(分別為實施例1、實施例3、實施例4及實施例5))顯示出提高的藍寶石移除速率。此外，與其它簡單一元酸(例如，硝酸、氨基磺酸和硫酸)相比，磷型一元酸也顯示出提高的移除速率。實施例9-15如實施例1中所描述的那樣制備一系列具有變化含量的磷酸的漿料。磷酸的最終濃度為0%(實施例9)、0.005%(實施例10)、0.01%(實施例11)、0.02%(實施例12)、0.03%(實施例13)、0.04%(實施例14)及0.05%(實施例15)。將實施例9-15的所有漿料的pH值調(diào)節(jié)至2.5?；摹伖夤ぞ呒皰伖鈼l件如以上對實施例l-8所描述的那樣。結(jié)果圖解于圖1中。在圖1中可以看出，在非常低的濃度及低的pH值下可以看出磷酸對藍寶石移除速率的效果。圖2顯示說明以下實施例16-34中所描述的該系列的漿料的藍寶石移除速率的曲線圖。圖2的曲線圖的每一條線均表示一系列具有變化的磷酸濃度的漿料的藍寶石移除速率。圖3顯示說明以下實施例16-34中所描述的該系列的漿料的摩擦(friction)的變化的圖。圖3的曲線圖的每一條線均表示一系列具有變化的磷酸濃度的漿料的摩擦的變化。實施例16-19如實施例1那樣制備一系列漿料，除了具有變化含量的磷酸，并且視需要用10%的HC1或10%的KOH將pH值調(diào)節(jié)至1.7外。磷酸的最終濃度為0%(實施例16)、0,1%(實施例17)、0.3%(實施例18)及0.5°/。(實施例19)?；摹伖夤ぞ呒皰伖鈼l件如以上對實施例1-8所描述的那樣。實施例16-19在圖2-3中顯示為由菱形符號表示的數(shù)據(jù)點。實施例20-24如實施例1中所描述的那樣制備一系列具有變化含量的磷酸的漿料，并且視需要用10%的HC1或10%的KOH將pH值調(diào)節(jié)至2.6。磷酸的最終濃度為0%(實施例20)、0.02%(實施例21)、0.06%(實施例22)、0.1%(實施例23)及0.2%(實施例24)?；摹伖夤ぞ呒皰伖鈼l件如以上對實施例1-8所描述的那樣。實施例20-24在圖2-3中顯示為由方形符號表示的數(shù)據(jù)點。實施例24-28如實施例1中所描述的那樣制備一系列具有變化含量的磷酸的漿料，并且視需要用10%的HC1或10%的KOH將pH值調(diào)節(jié)至4.5。磷酸的最終濃度為0%(實施例24)、0.02%(實施例25)、0.06%(實施例26)、0,1%(實施例27)及0.2%(實施例28)。基材、拋光工具及拋光條件如以上對實施例1-8所描述的那樣。實施例24-28在圖2-3中顯示為由三角形符號表示的數(shù)據(jù)點。實施例29-33如實施例1中所描述的那樣制備一系列具有變化含量的磷酸的漿料，但視需要用10%的HC1或10%的KOH將pH值調(diào)節(jié)至7.0。磷酸的最終濃度為0%(實施例29)、0.01%(實施例30)、0.02%(實施例31)及0.1%(實施例32)?；摹伖夤ぞ呒皰伖鈼l件如以上對實施例1-8所描述的那樣。實施例29-33在圖2-3中顯示為由圓形符號表示的數(shù)據(jù)點。圖2說明在變化的磷酸濃度及pH值下磷酸對藍寶石移除速率的效果。如所說明的，藍寶石移除速率依賴于pH值，在低pH值及高pH值下，藍寶石移除速率減小。藍寶石移除速率在pH值為2.6及4.5時最大。使用研磨顆粒的一個缺點是當研磨顆粒拋光基材時由摩擦所導致的熱的產(chǎn)生。使用增加濃度的研磨顆粒成為產(chǎn)生摩擦熱的原因之一，由此成為，例如，拋光墊的老化的原因之一。圖3說明如以上所描述的實施例16-33的戈力(單位為牛頓)的變化。曳力的變化是對漿料的摩擦等級的量度。對于圖2，如上所述，由菱形符號表示的數(shù)據(jù)點對應于實施例16-19。此外，如上所述，由方形符號表示的數(shù)據(jù)點對應于實施例20-24。如上所述，由三角形符號表示的數(shù)據(jù)點對應于實施例24-28;并且如上所述，由圓形符號表示的數(shù)據(jù)點對應于實施例29-33。如所圖解的，當pH值水平增加時，曳力的變化增大。曳力等級(并因此，摩擦等級)的變化在pH值為1.7及2.6時最低。盡管已經(jīng)著重于優(yōu)選實施方式描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應明白，可使用優(yōu)選實施方式的變體，且意欲以除本文具體描述的方式之外的方式實踐本發(fā)明。因此，本發(fā)明包括由權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神及范圍所包含的所有修改。權(quán)利要求1.一種拋光基材的方法，包括以下步驟提供包含研磨劑、液體載體及磷型一元酸的組合物，其中所述組合物具有1-7的pH值；提供選自氧化鋁及氧氮化鋁的基材；提供用于物理研磨該基材的裝置；及通過將該基材與該用于物理研磨該基材的裝置及該組合物接觸而磨除該基材的至少一部分。2.權(quán)利要求1的方法，其中該基材為藍寶石。3.權(quán)利要求2的方法，其中該藍寶石為單晶藍寶石。4.權(quán)利要求l的方法，其中該用于物理研磨該基材的裝置為拋光墊。5.權(quán)利要求4的方法，其中拋光機包含拋光墊。6.權(quán)利要求1的方法，其中該磷型一元酸選自磷酸、膦?；宜帷喠姿?、曱基膦酸、及其混合物。7.權(quán)利要求l的方法，其中該磷型一元酸為磷酸。8.權(quán)利要求1的方法，其中該組合物具有2-4.5的pH值。9.權(quán)利要求l的方法，其中該研磨劑包括二氧化硅。10.權(quán)利要求1的方法，其中該酸的濃度大于0.0025重量％。11.權(quán)利要求1的方法，其中該酸的濃度大于0.01重量％。12.通過權(quán)利要求1的方法拋光的藍寶石晶片。13.權(quán)利要求12的藍寶石晶片，其中在2x2pm的掃描區(qū)域中，平均表面粗糙度小于1.0nm。14.權(quán)利要求7的方法，其中磷酸的濃度大于0.0025重量％。15.權(quán)利要求7的方法，其中磷酸的濃度大于0.01重量％。16.權(quán)利要求7的方法，其中磷酸的濃度為0.03重量％。17.權(quán)利要求14的方法，其中該pH值為2-4.5。18.—種化學機械拋光系統(tǒng)，其包含包含研磨劑、液體載體及磷型一元酸的組合物，其中所述組合物具有1-7的pH值；選自氧化鋁及氧氮化鋁的基材；及用于物理研磨該基材的裝置。19.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該基材為藍寶石。20.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該基材為單晶藍寶石。21.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該用于物理研磨該基材的裝置為拋光墊。22.權(quán)利要求21的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該拋光墊為帶槽聚氨酯墊。23.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該磷型一元酸選自磷酸、膦?；宜?、亞磷酸、曱基膦酸、及其混合物。24.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該磷型一元酸為磷酸。25.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該組合物具有2-4.5的pH值。26.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該研磨劑為二氧化硅。27.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該酸的濃度大于0.0025重量％。28.權(quán)利要求18的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該酸的濃度大于0.01重量%。29.權(quán)利要求24的化學機械拋光系統(tǒng)，其中磷酸的濃度大于0.0025重量％。30.權(quán)利要求24的化學機械拋光系統(tǒng)，其中磷酸的濃度大于0.01重量%。31.權(quán)利要求24的化學機械拋光系統(tǒng)，其中磷酸的濃度為0.03重量％。32.權(quán)利要求29的化學機械拋光系統(tǒng)，其中該pH值為2-4.5。全文摘要本發(fā)明提供一種用于氧化鋁和/或氧氮化鋁基材的改進的拋光或平坦化的方法及系統(tǒng)。具體而言，該組合物包含研磨劑、液體載體及磷型一元酸。優(yōu)選地，該磷型一元酸為磷酸、膦?；宜?、亞磷酸、甲基膦酸、或其混合物。對該組合物的pH值的控制進一步改善拋光速率。文檔編號B24B37/00GK101495271SQ200780019104公開日2009年7月29日申請日期2007年5月18日優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日發(fā)明者凱文·莫根伯格,穆克什·德賽申請人:卡伯特微電子公司