專利名稱：：真空處理設備、使用該真空處理設備制造圖像顯示設備的方法以及由該真空處理設備制...的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及真空處理設備、用于使用該真空處理設備制造圖像顯示設備的方法、以及由該真空處理設備制造的電子裝置。
背景技術：
：在用于以有機電致發(fā)光器件為代表的平板顯示器的玻璃基板處理設備中，通常通過在基板上形成具有期望精度的期望圖案而賦予基板期望功能。作為圖案形成方法，存在真空氣相沉積法、濺射法、光刻法、絲網(wǎng)印刷法等。然而，隨著要求顯示器具有較高清晰度的顯示能力，要求圖案形成設備在圖案形成時具有較高清晰度的精度。如專利文獻1中所述，已知真空氣相沉積法及濺射法作為能夠以比其它技術低的成本并且以比其它技術高的可靠性來實現(xiàn)較高的圖案精度的技術。特別地，在使用有機電致發(fā)光器件作為顯示裝置的顯示器的制造中，真空氣相沉積法作為對裝置有極小的水分損傷(moisturedamage)的干法處理而受到注意，在光刻法所使用的濕法處理中存在該水分損傷。當以使用真空氣相沉積法形成帶圖案的膜的方法作為例子時，該方法通過越過具有預先形成在圖案部的開口的掩模將材料氣相沉積在作為被成膜物體的基板上而以使掩模與基板緊密接觸的狀態(tài)在基板上形成期望圖案。因此，圖案的成品精度直接依賴于掩模的成品精度，因而需要研發(fā)在掩模上形成高精度的微細圖案的裝置(例如，專利文獻2)。需要減小掩模的厚度以在掩模上形成微細圖案，同時，要求掩模不會發(fā)生撓曲或皺折以確保掩模與被成膜物體的緊密接觸以及掩模的圖案精度。為此，在專利文獻3中說明了如下方法在對由厚度為500ym以下的金屬制成的掩模施加張力的狀態(tài)下將該掩模固定到框架。金屬掩模具有如下結構在對掩模施加張力的狀態(tài)下將掩模的周邊焊接到框架，張力總是作用在掩模的內(nèi)部，同時，反作用力總是作用在框架上。由此，確保了掩模的平面度，但是，另一方面，要求框架具有高的剛性。原因在于掩模必須承受抵抗沿向內(nèi)方向起作用的張力的反作用力，如果框架的剛性弱，則框架本身由于反作用力而變形，張力被緩和，結果，不能保持預定精度。由于上述原因，要求掩?？蚣芫哂懈叩膭傂砸孕纬筛呔鹊奈⒓殘D案，這意味著增加了由金屬制成的掩模的重量。根據(jù)對于增強處理能力的要求，隨著要求形成多個圖案并且被成膜物體本身的尺寸變大，掩模的重量進一步增加。例如，由金屬制成的55英寸(大約1300mmX800mm)的掩模有時具有多達300kg的重量。掩模尺寸的增加以及由此造成的重量的增加導致成膜設備中的用于被成膜物體和掩模的對準機構以及用于移動掩模的機構的規(guī)模增加，這使得難以保持高的精度。因此，為了解決與使用該掩模的成膜設備有關的問題，需要用于在維持高的精度的同時簡單地控制甚至具有重的重量的掩模的裝置。此外，除了上述問題之外，在真空氣相沉積法的成膜步驟中，通常需要被成膜物體的圖案形成面采用被向下定向并且與蒸發(fā)源相對的姿勢，這被稱為面朝下(向上沉積)法。另一方面，通常在將掩模和被成膜物體安裝在具有固定精度的平面度的臺的狀態(tài)下通過輕微地移動掩模和被成膜物體二者或掩模和被成膜物體中的任何一個來執(zhí)行對準步驟。當考慮從對準步驟到成膜步驟的步驟時，需要保持/維持曾被對準的掩模和被成膜物體并且即使在翻轉(zhuǎn)狀態(tài)下也不會導致不對準的裝置。由于上述原因，為了在處理大尺寸的被成膜物體的同時確保高的圖案精度，要求掩模固定機構在對準的情況下實現(xiàn)保持/固定較重的重量的掩模以及確保掩模與被成膜物體之間的緊密接觸這兩個功能。在用于實現(xiàn)上述要求的傳統(tǒng)技術中存在如下裝置如專利文獻4所述，該裝置通過在多圖案形成設備中采用用于已經(jīng)被劃分為多個小尺寸區(qū)域的掩模和氣相沉積法來確保高精度的對準的同時減小掩模的重量。圖5示出了傳統(tǒng)技術(專利文獻4)中的示意性結構的例子。該結構具有掩模，其在單個基板基臺52上具有多個以相同圖案形成的掩模；以及掩模對準機構51，其用于在對準部50中將掩模與基板對準；在完成各對準之后在基板反轉(zhuǎn)部53中將基板反轉(zhuǎn)為面朝下的姿勢；并在真空室55中進行氣相沉積。在真空室55內(nèi)的成膜部54中，通過使用成膜源56來進行氣相沉積處理。另外，用于固定磁性材料的金屬掩模的磁體已經(jīng)被用作用于固定掩模和被成膜物體的裝置，但是存在如下危險由于掩模重量的增加導致必要吸引力增加，因此，發(fā)生了由于掩模與被成膜物體之間的接觸所產(chǎn)生的刮擦或沖擊導致的未對準。在用于解決上述問題的傳統(tǒng)技術中，根據(jù)專利文獻5的發(fā)明公開了利用靜電卡盤保持被成膜物體并且由平面度優(yōu)異的硅材料形成掩模的技術。參考圖6，應該理解作為被成膜物體的玻璃基板64由于靜電吸引力而被臺架65保持，并且掩模被額外的保持件63保持。由于這個原因，不存在由于被成膜物體被上述磁體固定時可能產(chǎn)生的刮擦和沖擊導致的未對準。根據(jù)圖6所說明的實施方式，由玻璃基板64和保持件63保持的氣相沉積掩模62被構造成向下定向并且面對作為氣相沉積源并被配置在真空室60內(nèi)部的坩堝(crucible)61的面朝下姿勢。在該傳統(tǒng)技術中，用于固定玻璃基板64的裝置被構造成將電壓施加到內(nèi)置于臺架65中的電極65A并且使電極65A起到靜電卡盤的功能。照相機66A和66B被設置成使氣相沉積掩模62與玻璃基板64對準。掩模膜狀平面即使在張力被施加到掩模膜狀平面時也具有微細的撓曲，并且掩模膜狀平面本身的平面度與被成膜物體的基板的平面度不同。由于這個原因，當掩模與被成膜物體接觸時形成皺折等。結果，當在掩模與被成膜物體的接觸面之間形成間隙時，導致氣相沉積材料進入掩模的開口之外的地方，由此引起成品圖案的精度的惡化。為了防止被稱為"成膜模糊(film-formationblur)"的圖案精度的惡化，要求盡可能高地增強掩模與被成膜物體之間的緊密接觸。作為用于實現(xiàn)上述要求的傳統(tǒng)技術，如專利文獻6所述，存在通過從一個相對端部順次將掩模固定到被成膜物體以用于增大緊密接觸面積的方法。圖7示出了在傳統(tǒng)技術的氣相沉積過程中用于布置磁體(永磁體)的步驟的剖視圖。圖7示出了在平行地布置金屬掩模72和基板71的狀態(tài)下使金屬掩模72與基板71緊密接觸的同時使用板狀磁體(永磁體)73來確保金屬掩模72與基板71之間的緊密接觸的過程。該過程通過將板狀磁體(永磁體)從一個端部72a順次與基板71接觸來增強金屬掩模72與基板71之間的緊密接觸。順便提及，已知在對如金屬模具等重物品進行機械加工時用于固定被加工物的永電磁體(專利文獻7)。永電磁體是包括永磁體和線圈的磁性裝置，并且永電磁體能夠通過對線圈施加大約0.5秒的短時間的電流來調(diào)整永電磁體對接觸部的磁性吸引。永電磁體不同于在吸引過程中總是需要施加電流的電磁體。永電磁體在吸引和非吸引過程中僅需要施加較短時間的電流，因此，永電磁體具有如下特征熱產(chǎn)生的問題少并且具有優(yōu)異的節(jié)能特性。專利文獻1:日本特公平06-51905號公報專利文獻2:日本特開平10-41069號公報專利文獻3:日本特許3539125號公報專利文獻4:日本特開2003-73804號公報專利文獻5:日本特開2004-183044號公報專利文獻6:日本特開2004-152704號公報專利文獻7:日本特公平02-39849號公報
發(fā)明內(nèi)容然而，使用專利文獻4所說明的傳統(tǒng)技術中的分開的掩模和分開的氣相沉積的上述解決方案具有如下問題設備增加了生產(chǎn)節(jié)拍時間(tacttime)并且不能應對大尺寸基板，在該大尺寸基板中，圖案被集體地氣相沉積，用于形成基板中的多面板。作為專利文獻5所述的上述傳統(tǒng)技術的用于將被成膜物體固定于靜電卡盤的裝置具有如下問題。被成膜物體通常由作為絕緣體的玻璃制成，被成膜物體具有高的體積電阻率(volumeresistivity)并且在常溫下不顯示靜電吸引力。由于這個原因，為了減小體積電阻率，成膜設備需要升高和降低溫度的過程及額外的機構?？蛇x地，當使用單極型靜電卡盤時，成膜設備需要如下新步驟將導電膜涂布在玻璃上并且賦予導電膜能夠被靜電吸引到玻璃的特性。作為需要如上所述的額外對策的結果，成膜設備已經(jīng)引起了如下新問題導致生產(chǎn)成本增加；并增加了設備的生產(chǎn)節(jié)拍時間和設備成本。另外，專利文獻6所說明的增強掩模與被成膜物體的緊密接觸的上述過程具有如下問題由于該過程在任意時刻都從一側(cè)順次地進行固定，因此，當改變被成膜物體的大小時，限制了自由度。該過程引起如下問題當設備需要應對被成膜物體的大尺寸基板時，設備的設計自由度和可擴展性特別地受到限制。另外，作為在真空中使掩模緊密地接觸基板和將掩模固定到基板的裝置，公開了使用永磁體類型的包括上述專利文獻4至6的大量文獻。然而，當使用永磁體來構造固定機構時，需要控制吸引操作和分離操作，以通過移動永磁體和改變被吸引物體與永磁體之間的距離來調(diào)整吸引力。當在真空中形成膜的狀態(tài)下進行操作時，響應于物體的移動的永磁體的操作方法變得復雜，由于大尺寸的設備而增加了驅(qū)動系統(tǒng)所需的動力，并且導致增加了設備的功率，這導致了省力性和可擴展性被損害的問題。另外，該類型的設備需要位于基臺的周邊的用于移動永磁體以進行控制的空間，因此造成了如下問題如果追求節(jié)省空間特性，則降低了臺架的剛性。本發(fā)明的一個方面是一種真空處理設備，其特征在于，該設備包括真空排氣裝置；室，由真空排氣裝置排出室的內(nèi)部的大氣；基臺，用于在該基臺上安裝被處理物體；磁性材料的掩模，其被布置于被處理物體的一表面?zhèn)?；以及永電磁體，其被包括在基臺中并且被布置于被處理物體的另一表面?zhèn)?，其中，通過用永電磁體吸引磁性材料的掩模而將被處理物體固定到基臺。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，永電磁體的構成部件的從材料的每單位面積的放氣速率(degassingrate)為4.0X10—4Pam/s以下。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，永電磁體的構成部件的表面受到鍍層處理、噴砂處理、研磨處理、樹脂涂覆處理、陶瓷涂覆處理或真空烘焙處理，或者用已經(jīng)受到過上述處理中的任何一種處理的金屬板、樹脂板或陶瓷板來覆蓋永電磁體的構成部件的表面，以實現(xiàn)期望的放氣速率。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，永電磁體的與被處理物體接觸的接觸面設置有壓紋形狀或微細針形狀的凹凸部，并且永電磁體與被處理物體的接觸面積被設定為98%以下。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，在真空處理設備中設置有能夠?qū)怏w導入由永電磁體和被處理物體形成的微細空間或從該微細空間排出氣體的機構，并且還設置有用于控制氣體的壓力的機構。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，在永電磁體和被處理物體之間的空間插入薄板，并且經(jīng)由薄板來固定被處理物體。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，薄板受到鍍層處理、噴砂處理、研磨處理或真空烘焙處理。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，磁性材料的掩模由掩模膜狀平面和固定掩模膜狀平面的周邊用的掩?？蚣軜嫵?，磁性材料的掩模膜狀平面被由永電磁體形成的第一磁體固定單元固定，磁性材料的掩?？蚣鼙挥捎离姶朋w形成且獨立于第一磁體固定單元工作的第二磁體固定單元固定。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，第一磁體固定單元在中央部和周邊部獨立地驅(qū)動永電磁體。雖然掩模膜狀平面由于張力而被張架，但是掩模膜狀平面由于其重量而變形為一定的形狀，因為包括如加工精度和平面度等復雜的誤差因素，因此，不能控制該變形。因此，當從小的區(qū)域或部位任意地開始接觸時，掩模在跟隨物體變形的同時不必與被處理物體緊密接觸。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，掩模膜狀平面用的第一磁體固定單元對磁性材料的掩模膜狀平面施加磁力，使得掩模的固定操作從被處理物體的中央部開始并且于被處理物體的周邊部結束。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，永電磁體是可脫磁充磁型。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，永電磁體僅在電流流過永電磁體時消除磁吸引力。本發(fā)明的另一個方面是一種用于制造圖像顯示設備的方法，其特征在于，用作為本發(fā)明的一個方面的真空處理設備形成圖像顯示設備的導電部。本發(fā)明的另一個方面是一種用于制造圖像顯示設備的方法，其特征在于，用作為本發(fā)明的一個方面的真空處理設備形成圖像顯示設備的吸氣部。本發(fā)明的另一個方面是一種電子裝置，其特征在于，電子裝置具有用作為本發(fā)明的一個方面的真空處理設備形成的圖案部。根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的一個典型實施方式，其特征在于，永電磁體的與被處理物體接觸的接觸面的平面度被設定為50m以下。本發(fā)明能夠提供一種設備，該設備即使具有在應對尺寸增大的被處理物體時重量增加由此使精度劣化的問題也能夠集中地在掩模上形成具有高精度的圖案，同時，無需使用如靜電卡盤等部件就能實現(xiàn)低成本和高生產(chǎn)率。另外，本發(fā)明無需通過使用外部驅(qū)動機構來驅(qū)動永磁體就能夠在短時間內(nèi)實現(xiàn)吸引狀態(tài)和非吸引狀態(tài)，因此，能夠提供一種具有節(jié)能特性和高生產(chǎn)率的設備。此外，該設備不需要相對于基臺驅(qū)動永磁體所需的空間，因此，能夠在該設備中設置固定機構，該固定機構具有高剛性和節(jié)省空間特性的特征，因此，能夠提供一種能夠容易地應對被處理物體的尺寸的進一步增大的要求和具有高擴展性的設備。圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構的示意性結構的剖(正)視圖；圖IB是將用于本發(fā)明的掩模的俯視圖；圖1C是用于說明在磁性材料的掩模被將用于本發(fā)明的永電磁體吸引時的磁場的狀態(tài)的剖(正)視圖；圖ID是用于說明在磁性材料的掩模未被將用于本發(fā)明的永電磁體吸引時的磁場的狀態(tài)的剖(正)視圖；圖IE是示出將用于本發(fā)明的永電磁體的典型實施方式的一個例子的剖(正)視圖；圖IF是示出將用于本發(fā)明的永電磁體的典型實施方式的一個例子的剖(正)視圖；圖1G是示出將用于本發(fā)明的永電磁體的典型實施方式的一個例子的剖(正)視圖；圖2A是示出根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構在完成對準時的狀態(tài)的圖；圖2B是示出根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構已經(jīng)完成對準并且僅掩?？蚣鼙挥离姶朋w吸引和固定的狀態(tài)的圖；圖2C是示出在根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構中掩?？蚣鼙还潭ú⑶冶惶幚砦矬w的中央部與掩模膜狀平面的中央部接觸的狀態(tài)的圖；圖2D是示出在根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構中掩模膜狀平面與被處理物體完全接觸的狀態(tài)的圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備的整體示意性結構的圖；圖4是示出通過使用根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的真空處理設備制造的圖像顯示設備的一個例子的圖5是示出傳統(tǒng)技術中的示意性典型實施方式的立體圖6是傳統(tǒng)技術中的掩模氣相沉積設備的典型實施方式的示意圖7是示出在傳統(tǒng)技術的氣相沉積過程中利用磁體使掩模緊密接:驟的圖。101掩模框架用的固定機構(永電磁體)102掩模膜狀平面用的固定機構(永電磁體)102X掩模膜狀平面的中央部用的固定機構(永電磁體)102Y掩模膜狀平面的周邊部用的固定機構(永電磁體)102a作為磁性材料的永電磁體的部件102b極性固定磁體102c極性可變磁體102d線圈102e磁體固定部件102f布線用空間102g非磁性材料件102h壓紋加工突起部102i連通間隙空間102j通孔151a驅(qū)動電源151b驅(qū)動電源151c驅(qū)動電源152a布線152b布線152c布線161排出管162閥163真空泵164真空計171氣體導入管172閥173氣罐174壓力計200掩模200a掩?？蚣?00b掩模膜狀平面300被處理物體400基臺401a閥9<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>具體實施例方式現(xiàn)在將說明根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式。圖IA是示出根據(jù)本發(fā)明的原理的真空處理設備的基臺部的示意性結構的剖(正)視圖。圖1A示出了被處理物體300與稍后將說明的掩模200(包括200a和200b)的對準已經(jīng)完成且在翻轉(zhuǎn)狀態(tài)下進行氣相沉積時的真空處理設備的狀態(tài)。被處理物體300被配置在配置于基臺400的永電磁體102(包括102X和102Y)上，并且掩模200被配置在基臺400上。掩模200的掩模膜狀平面200b被配置于被處理物體300的上方，該被處理物體300被配置在永電磁體102上，并且掩模膜狀平面200b的周邊被掩?？蚣?00a包圍。掩模200由具有高剛性的掩?？蚣?00a和薄的掩模膜狀平面200b構成。掩模200由金屬的磁性材料形成，在本實施方式中，使用如鐵基磁性材料等磁性材料。為了減少特別是在氣相沉積期間由于輻射熱輸入導致的熱膨脹，使用如因鋼材料等低熱膨脹材料。由磁性材料形成的掩模膜狀平面200b具有微細開口，并且通過蝕刻技術等在掩模膜狀平面200b上形成期望圖案。隨著形成高清晰度的圖案的趨勢，要求減小厚度，可以形成具有50微米以下的厚度的金屬膜。圖IB是掩模200的俯視圖。掩模200具有掩模膜狀平面200b和掩?？蚣?00a，其中，在掩模膜狀平面200b上設置有微細開口，用于在被處理物體300的被處理面上形成薄膜圖案。如果作為圖案區(qū)域的掩模膜狀平面200b厚，則產(chǎn)生形成在微細開口的周邊部中的膜變薄的問題，因此，要使掩模膜狀平面200b比掩?？蚣?00a薄，例如，掩模膜狀平面200b有時被設定為具有0.05mm以下的厚度。當掩模膜狀平面200b變薄時，從對角線方向進入微細開口的成膜粒子能夠到達基板。掩模膜狀平面200b通過在預先被施加張力的狀態(tài)下在周邊與掩?？蚣?00a焊接的方法被固定，并且掩模膜狀平面200b被配置成被掩模框架200a包圍。要求磁性材料的掩?？蚣?00a具有將由于抵抗施加到掩模膜狀平面200b的張力的反作用力而產(chǎn)生的變形控制到指定值以內(nèi)所需的剛性。結果，增加了掩模200的整體重量，并且基板尺寸為大約1300mmX800mm的掩模達到300kg的重量。在圖1A中，永電磁體101以與掩?？蚣?00a相對的方式被配置在相對于永電磁體102上的被處理物體300的安裝面與掩模200相反的一側(cè)，以使永電磁體101吸引并固定掩模200的掩?？蚣?00a。包括位于中央部的永電磁體102X和位于周邊部的永電磁體102Y的永電磁體102被配置于由掩模框架200a用的永電磁體101夾持的部分。永電磁體102被配置在相對于永電磁體102上的被處理物體300的安裝面與掩模200相反的一側(cè)，并且實現(xiàn)了吸引和固定掩模200的掩模膜狀平面200b的功能。永電磁體102被配置成對掩模膜狀平面200b均勻地施加吸引力。為了使永電磁體101和102產(chǎn)生磁吸引力以吸引和固定掩模200，永電磁體101用的驅(qū)動電源151c、中央部的永電磁體102X用的驅(qū)動電源151a以及周邊部的永電磁體102Y用的驅(qū)動電源151b可以經(jīng)由布線152a至152c向永電磁10體101和102施加預定電流。圖1C和圖1D示出了固定機構(永電磁體)102的典型實施方式的一個例子。首先，現(xiàn)在將說明根據(jù)本發(fā)明的永電磁體。本說明書所說明的永電磁體指的是具有如下本質(zhì)特性的磁體能夠利用來自外部的電控制通過控制永磁體的磁場泄漏到永電磁體的外部的狀態(tài)和永磁體的磁場不泄漏到永電磁體的外部的狀態(tài)來實現(xiàn)磁吸弓I狀態(tài)和非吸引狀態(tài)。因此，該結構不限于下述結構，只要該結構基本能夠發(fā)揮上述功能，就可以包括本說明書所說明的永電磁體?，F(xiàn)在將參考圖1C和圖1D說明根據(jù)本發(fā)明的永電磁體的操作。這里，附圖標記102a表示磁性材料，附圖標記102b表示極性固定磁體，附圖標記102c表示極性可變磁體，附圖標記102d表示線圈，附圖標記102f表示在其中容納用于向線圈102d施加電流的未示出的布線用空間。附圖標記L表示從極性固定磁體102b發(fā)出的磁力線。圖中的附圖標記N和S表示磁極。首先，參考圖1C，現(xiàn)在將說明磁性材料的掩模200被磁性地吸引的狀態(tài)。首先，對線圈102d施加電流大約0.5秒。由此，極性可變磁體102c的極性被反轉(zhuǎn)，并且極性固定磁體102b的極性和極性可變磁體102c的極性變得相同。由此，磁場大量地泄漏到永電磁體的外部，并且磁性材料磁性地吸引掩模200。接著，將參考圖1D說明非吸引(脫磁)狀態(tài)。首先，對線圈102d施加電流大約0.5秒。由此，極性可變磁體102c的極性被反轉(zhuǎn)，并且極性固定磁體102b和極性可變磁體102c被轉(zhuǎn)換到彼此吸引的狀態(tài)，換句話說，被轉(zhuǎn)換到磁力線不從永電磁體102的表面泄漏的狀態(tài)。然后，磁性材料形成不吸引掩模200的狀態(tài)。這樣，根據(jù)本發(fā)明的永電磁體通過使用從外部施加的電流來形成永電磁體的磁場泄漏到外部的狀態(tài)和永電磁體的磁場不泄漏到外部的狀態(tài)而實現(xiàn)了作為其本質(zhì)特性的磁吸引狀態(tài)和非吸引狀態(tài)。極性固定磁體102b需要是具有高的磁通密度以實現(xiàn)在永電磁體102中產(chǎn)生吸引力的作用的磁體，通常使用稀土磁體。作為極性可變磁體102c，例如，如鋁-鎳-鈷基磁體等磁體被用來實現(xiàn)控制極性固定磁體102b的磁通的作用，并且通過使用設置在極性可變磁體102c的外部的線圈101d接收來自外部的磁控制而使上述磁體具有反轉(zhuǎn)磁通方向(反轉(zhuǎn)磁極)的特性。磁體固定部件102e被用于固定所容納的磁體。當以這種方式使用永電磁體時，從設備的操作控制的觀點來看，能夠僅通過使用電路的電控制來調(diào)整磁吸引力。因此，與僅由永磁體構成的設備相比，該設備的結構被極大地簡化，并且該設備能夠增強其可靠性并且能夠降低價格。圖1E示出了固定機構(永電磁體)的典型實施方式的另一個例子。該典型實施方式具有如下結構用非磁性材料件102g覆蓋圖1C和圖1D所示的永電磁體102的外表面。以這種方式進行構造的原因如下。例如，當利用掩模成膜時，為了維持膜的品質(zhì)，在成膜過程中通常需要0.1Pa至1.0X10—6Pa的壓力或者有時需要比前述壓力低的壓力。當在這樣的真空下使用具有大的放氣速率的材料時，排出系統(tǒng)變得巨大，形成污染物，并且產(chǎn)生灰塵，這導致設備成本大大地增加，使得需要將放氣速率降低到盡可能小的值。為了在使用掩模進行處理的高真空的環(huán)境下使用永電磁體，部件、特別是暴露于真空的部分需要將其放氣速率降低到比預定值小的值。已知能夠通過采用拋光的(buff-polished)軟鋼來降低放氣速率，并且優(yōu)選將通過上述處理實現(xiàn)的氣體的放出值、即每單位面積的放氣速率設定為4.OX10—4Pam/S以下(非專利文獻1:由ULVAC，Inc.，編輯的《真空手冊》，第47頁)。非專利文獻1:由ULVALULVAC，Inc.，編輯的《真空手冊》，第47頁。永電磁體的部件采用磁性不銹鋼被認為是實現(xiàn)這樣的放氣速率的一種方法。例如，考慮采用SUS430作為磁體材料的方法。在圖IE的典型實施方式中，通過利用表面已經(jīng)被處理過的非磁性材料件102g覆蓋永電磁體來降低放氣速率。具體地，考慮使非磁性材料件102g的表面受到如非電解鍍鎳(nonelectrolyticnickelplating)等的鍍層處理、噴砂(blasting)處理和研磨處理等表面處理以及放氣處理(真空烘焙)?？蛇x地，永電磁體的表面可以受到如涂布能夠應對真空的樹脂或陶瓷材料的樹脂涂覆或陶瓷涂覆、鍍層處理、噴砂處理、研磨處理和真空烘焙處理等表面處理。此外，也可以用已經(jīng)受到真空烘焙處理、鍍層處理、噴砂處理、研磨處理、樹脂涂覆或陶瓷涂覆的金屬板、樹脂板或陶瓷板來覆蓋永電磁體。此外，也可以利用通常用于真空構件的非磁性材料、例如不銹鋼(SUS304)或鋁合金來覆蓋永電磁體的表面?？紤]到可加工性，此時采用的板厚優(yōu)選是0.lmm至3mm。減少要放出的氣體的另一種方法是包括如下步驟的方法將已經(jīng)受過上述段落所說明的表面處理的非磁性金屬構件配置在磁性固定構件102e上，并且利用焊接將該非磁性金屬構件固定到磁性材料102a，該磁性材料102a由SS400(用于通常用結構的軋制構件)等制成并且已經(jīng)受過上述段落所說明的表面處理。另外，盡管布線被容納在空間102f中以將電流供給到永電磁體中的線圈102d，但是，將布線從大氣狀態(tài)的外部導入真空狀態(tài)的永電磁體102的內(nèi)部的空間102f的方法可以采用商業(yè)上的真空用電流導入端子(饋通件(fieldthrough))。為了提高設備的生產(chǎn)率，需要響應功能性要求來加工永電磁體與被吸引物品的接觸面。在圖1E所說明的典型實施方式中，無需改變永電磁體102的制造過程就能夠確保接觸面的加工精度。留意點如下非磁性材料件102g需要是非磁性材料從而不影響磁通；因為磁吸引力根據(jù)接觸面的距離而減小，因此，需要推導出關于非磁性材料件102g的優(yōu)選狀態(tài)。例如，優(yōu)選采用如奧氏體不銹鋼、鋁合金、鈦合金、彈性體、玻璃和陶瓷等能夠用在真空中的非磁性材料作為非磁性材料，并且將接觸面的距離、即非磁性材料件102g的厚度設定在大約0.OOlmm至5mm。當使用圖1A所示的掩模吸引機構在真空處理設備中對被處理物體300進行處理時，永電磁體102與被處理物體300接觸。永電磁體102與被處理物體300的接觸面設置有壓紋形狀或微細針(pin)形狀的凹凸部，并且期望將接觸面積設定為永電磁體102的接觸面所在的表面的表面積的98%以下。第一個原因在于，永電磁體102的接觸面與被處理物體300反復地接觸，因此需要通過盡可能地減小接觸面積來防止如灰塵等污染物沉積在永電磁體102的接觸面上。第二個原因在于，需要通過減小接觸面積來改進被處理物體300的可分離性，這是因為永電磁體102具有在非吸引(脫磁)期間即使磁場較弱(大約30高斯)但仍具有殘留磁場的特征，并且在被處理物體300從永電磁體102分離時該殘留磁場用作分離阻力。優(yōu)選地，將永電磁體102與被處理物體300的接觸面積的值設定為永電磁體102的接觸面所在的表面的表面積的98%以下。圖1F示出了永電磁體102與被成膜物體300的接觸面被壓紋加工的典型實施方式。壓紋加工是以交錯的形式在永電磁體102的表面上配置圓柱狀突起的加工。接觸面的表面具有突起部102h(接觸部)，并且在突起部102h的附近存在間隙空間102i?？梢酝ㄟ^對表面進行這樣的表面處理來減小接觸面積。還可以通過改變加工形狀來改變接觸面積。為了使用采用了圖1所示的掩模吸引機構的真空處理設備進行處理，還可以設置能夠?qū)怏w導入由永電磁體102和被處理物體300形成的微細空間和從該空間排出氣體的機構以及控制氣體壓力的機構。還可以通過在設備中設置能夠?qū)Ρ惶幚砦矬w300和永電磁體102之間的空間進行抽真空或?qū)怏w導入該空間的機構來控制被處理物體300的溫度并且控制氣體壓力，以在該空間中形成具有足夠?qū)崧实膶?。這樣的結構被用于靜電卡盤等?？梢酝ㄟ^對永電磁體102進行賦予該功能的處理并且以預定壓力將氣體導入該空間而形成具有足夠?qū)崧实膶?。上述必要加工不需要特定的技術。如形成通孔或槽的情況那樣，能夠以與普通機械加工類似的方式對永電磁體102的金屬表面容易地進行加工。圖1G示出了掩模吸引機構的典型實施方式，該掩模吸引機構的永電磁體102與被成膜物體300之間的接觸面受到了壓紋加工，氣體能夠經(jīng)由通孔102j被導入連通間隙空間102i以及從該連通間隙空間102i排出。通過壓紋加工在永電磁體102的表面上以交錯的形式形成圓柱狀突起，并且連通間隙空間102i在接觸面內(nèi)彼此連通。因此，通過在任意部分中設置通孔，能夠使氣體擴散到全體連通間隙空間或者能夠使被填充的氣體從全體連通間隙空間中排出。由此，能夠?qū)⑦B通間隙空間102i中的氣體壓力控制到期望值。通孔102j經(jīng)由閥162被排出管161連接到真空泵163，通過操作真空泵163并且打開閥162排出連通間隙空間102i中的氣體?？梢杂烧婵沼?64來確認氣體壓力。另外，在閥172被打開時，另一個通孔102j將來自氣罐173的經(jīng)過氣體導入管171的氣體導入連通間隙空間102i。可以由氣壓計174來確認氣體壓力。參考圖1E的上述說明基于如下情況用已經(jīng)受到表面處理的非磁性材料件102g覆蓋永電磁體102的表面。現(xiàn)在，將參考圖1E說明另一個典型實施方式。在另一個典型實施方式中，在使用具有圖1所示的掩模吸引機構的真空處理設備的處理中，如圖1E所示，掩模吸引機構被構造成將薄板102g插入到永電磁體102和被處理物體300之間并且經(jīng)由薄板102g來固定被處理物體300。要求永電磁體102具有用于保持被處理物體300的作業(yè)平面的功能，因此永電磁體102需要具有足夠的平面度。然而，永電磁體102是通過組裝如框架、多個磁體和磁性材料件等多個部件而構成的，使得在永電磁體102上存在凹凸部。可以通過經(jīng)由具有足夠平面度的薄板固定被處理物體300來消除這些臺階。為了進一步增強平面度，允許預先準備對板進行加工的額外空間，并且在將板固定在永電磁體102上的狀態(tài)下對板進行平面加工。為了將永電磁體102固定到板，優(yōu)選使用粘合劑、螺栓連接、焊接周邊等技術。永電磁體102的磁吸引力依賴于永電磁體102和被處理物體300之間的距離，換句話說，依賴于薄板的厚度。因此，期望薄板的優(yōu)選厚度是100iim至3mm。能夠進一步對該薄板進行鍍層處理、噴砂處理、研磨處理及真空烘焙。在使用具有圖1A所示的掩模吸引機構的真空處理設備的處理中，當為了提高設備的生產(chǎn)率而對被處理物體的接觸面進行加工時，期望永電磁體102與被處理物體300的接觸面被加工成獲得50iim以下的平面度。當在處于被固定狀態(tài)的被處理(被成膜)物體上形成膜時，如果不能確保接觸面的平面度，則將引起成膜精度的劣化。通常，被處理物體300(例如，玻璃基板)被形成為具有足夠的平面度(例如，10iim以下)，使得永電磁體102的接觸面也需要具有相同的平面度。關于優(yōu)選條件，期望平面度是50ym以下。尺寸為1300mmX800mm的掩模由于其自重而撓曲50ym，并且永電磁體與被處理物體的接觸面需要具有與掩模由于其自重而撓曲的平面度相同程度的平面度。圖2是示出在根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備中從掩模200與被處理物體300對準開始到氣相沉積準備結束的步驟的概念圖。在固定機構(永電磁體)101、102X和102Y中，白色示出的部分表示非吸引狀態(tài)，黑色示出的部分表示吸引狀態(tài)。圖2A所示的狀態(tài)表示掩模200和被處理物體300被對準的狀態(tài)。被處理物體300被安裝在基臺400上，并且掩模200(200a和200b)被定位在基臺400上。在真空處理設備中，首先，在圖2A的狀態(tài)下，需要在基臺400的平面上確定掩模200相對于被處理物體300的相對位置，以使該相對位置成為預定精度范圍內(nèi)的值。當對準掩模200和被處理物體300時，可以移動它們中的任一方。例如，通過預先在被處理物體300的預定位置和掩模200上的對應位置形成對準標記來實現(xiàn)對準操作，并在經(jīng)由照相機觀察所述位置的同時對準所述位置，如示出了傳統(tǒng)技術的圖6所示。當掩模200和被處理物體300相對移動時，如果兩者彼此接觸，則可能在被處理物體300中形成刮擦。因此，如圖2A所示，在掩模200和被處理物體300之間設置一定的間隙，以使掩模200和被處理物體300彼此不接觸，從而解決上述問題。另一方面，如果該間隙大，則在下面的步驟中當使掩模膜狀平面200b與被處理物體300彼此緊密接觸并固定時，該間隙導致未對準，所以期望該間隙被形成為盡可能地窄。具體地，期望該間隙被形成為500iim以下。圖2B示出了如下狀態(tài)在完成對準之后，通過僅單獨操作掩模框架用的固定機構101而利用磁力吸引并固定掩?？蚣?00a。在用于控制圖2所示的永電磁體101和102的吸引操作和非吸引操作的控制電路的結構中，分別獨立地操作驅(qū)動固定掩?？蚣苡玫挠离姶朋w101的電源和驅(qū)動固定掩模膜狀平面用的永電磁體102的電源。當從未示出的驅(qū)動電源施加短時間的電流時，固定掩?？蚣苡玫挠离姶朋w101產(chǎn)生磁吸引力。此時，僅掩?？蚣?00a被固定在基臺400上，并且掩模膜狀平面200b和被處理物體300之間的空間具有預定間隙，使得不會由于該操作而產(chǎn)生未對準。圖2C示出了如下狀態(tài)在將掩?？蚣?00a固定在基臺400上之后，通過僅單獨地操作掩模膜狀平面200b的中央部固定機構的永電磁體102X并且通過磁力使掩模膜狀平面200b的中央部彈性變形，而使被處理物體300的中央部與掩模膜狀平面200b的中央部接觸。根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構通過利用未示出的驅(qū)動電源向永電磁體102X施加短時間的電流而產(chǎn)生磁吸引力。掩模吸引機構也可以通過在已經(jīng)對掩模膜狀平面200b的中央部施加張力的狀態(tài)下使該中央部與被處理物體300接觸來確保良好的緊密接觸，同時，與使磁體一下子吸引整個表面的情況相比，使掩模200中的皺折少并且使未對準少。圖2D示出了如下狀態(tài)通過使被處理物體300的中央部與掩模膜狀平面200b的中央部接觸，然后通過僅向掩模膜狀平面200b的周邊固定機構的永電磁體102Y施加短時間的電流來產(chǎn)生磁吸引力，并且使掩模膜狀平面200b的周邊部向被處理物體300的被處理面方向彈性變形，而最終使掩模膜狀平面200b與被處理物體300彼此完全接觸。固定掩模膜狀平面200b用的永電磁體102X和102Y被配置成對掩模膜狀平面200b均勻地施加吸引力。具體地，永電磁體被均勻地配置在與掩模膜狀平面200b相對的面內(nèi)。根據(jù)本典型實施方式的掩模吸引機構通過從各未示出的驅(qū)動電源向永電磁體施加大約0.5秒的脈沖電流而產(chǎn)生磁吸引力。在已經(jīng)完成圖2A至圖2D所示的一系列操作時，掩模膜狀平面200b與被處理物14體300由于吸引力而處于彼此緊密接觸的狀態(tài)，并且被處理物體300通過被掩模膜狀平面200b推向基臺400而被保持和固定。由此，即使被處理物體300采用如玻璃基板等非磁性材料，被處理物體300也能夠被固定在基臺400上。關于用于該目的的磁吸引力，期望固定掩?？蚣?00a用的永電磁體101顯示出能夠抵抗整個掩模200的重力而保持并固定整個掩模200的磁吸引力。期望固定掩模膜狀平面用的永電磁體102X和102Y的磁吸引力顯示出比掩模膜狀平面200b和與掩模接觸的被處理物體300的總重大的磁吸引力。通過使掩模膜狀平面200b與被處理物體300的中央至周邊順次接觸同時使掩模膜狀平面200b和被處理物體300之間不發(fā)生皺折和未對準，能夠可靠地獲得良好的緊密接觸。與專利文獻6所述的作為傳統(tǒng)技術的從一端順次吸引掩模的裝置相比，該掩模吸引機構能夠容易地應對掩模200或被處理物體300的尺寸增大的情況。原因在于，該機構能夠使掩模膜狀平面200b與被處理物體的中央部至周邊順次且中心對稱地接觸，使得如果在掩模膜狀平面上形成皺折，則掩模膜狀平面變形(離開)的距離總是最短。另一方面，如果從一端吸引掩模膜狀平面，則因為僅沿一個方向存在所產(chǎn)生的皺折所離開的距離，因此，被處理物體的尺寸極大地影響了該距離。因此，與傳統(tǒng)技術相比，該機構能夠在不由于接觸產(chǎn)生的沖擊和刮擦而導致未對準的情況下增強緊密接觸，結果，能夠減小膜圖案和掩模圖案之間的未對準。另外，本發(fā)明能夠容易地應對進一步增大被處理物體的尺寸的要求。這里，將參考圖3說明被處理物體300的傳送和回收操作。圖3所示的真空處理設備經(jīng)由閥(401a、401b和401c)被連接到如真空泵等真空排氣裝置(402a、402b和402c)。在圖3所示的用于加載/對準/固定被處理物體的室31中進行加載、對準和固定被處理物體300的步驟。由未示出的傳送系統(tǒng)將如基板等被處理物體300傳送到用于加載/對準/固定被處理物體的室31。由未示出的用于傳遞被處理物體的裝置將被傳送的被處理物體300安裝在永電磁體102上。由未示出的掩模傳送系統(tǒng)將由掩?？蚣?00a和掩模膜狀平面200b構成的掩模200傳送到基臺400。以這種方式被傳送的被處理物體300和掩模200在用于加載/對準/固定被處理物體的室31中被如圖2所示地對準并且被準備用于氣相沉積。永電磁體101、102X和102Y的操作與圖2所示的操作相同。當已經(jīng)完成氣相沉積的準備時，操作用于加載/對準/固定被處理物體的室31的內(nèi)部的轉(zhuǎn)動機構，并且反轉(zhuǎn)被處理物體300以準備在氣相沉積室32中進行氣相沉積。然后，由傳送系統(tǒng)將反轉(zhuǎn)的被處理物體300傳送到氣相沉積室32，并且執(zhí)行氣相沉積步驟。在氣相沉積室32中通過使用氣相沉積源34進行了氣相沉積之后，回收被處理物體300。首先，此時，由未示出的傳送系統(tǒng)將進行了氣相沉積之后的被處理物體300傳送到固定解除和被處理物體排出室33。接著，操作被處理物體排出室33內(nèi)部的轉(zhuǎn)動機構，將被處理物體300轉(zhuǎn)換成從氣相沉積期間的狀態(tài)反轉(zhuǎn)的狀態(tài)，并且將被處理物體300設置在基臺400上。通過解除固定解除和被處理物體排出室33中的固定機構101和102的固定狀態(tài)的操作，使已通過轉(zhuǎn)動機構從氣相沉積期間的狀態(tài)反轉(zhuǎn)的被處理物體300與基臺400分離。然后，傳遞被處理物體用的未示出的裝置將被處理物體300傳遞到傳送系統(tǒng)，并且傳送系統(tǒng)將被處理物體300送出到預定位置，從而回收被處理物體300。玻璃基板被廣泛地用作平板顯示器用的基板，在該應用中，傳統(tǒng)上已經(jīng)通過在基臺400上安裝如靜電卡盤等裝置來確保固定功能。根據(jù)本發(fā)明的掩模吸引機構無需使用靜電卡盤就能夠?qū)崿F(xiàn)與靜電卡盤的固定功能相同的固定功能，并且能夠降低設備成本。另外，圖2A至圖2D所示的步驟能夠容易被程序化，因此，能夠通過將上述程序合編到設備的操作程序而容易地實現(xiàn)自動化，這能夠?qū)崿F(xiàn)設備的省力化。順便提及，本實施方式說明了真空氣相沉積設備，但是也可以應用于濺射法、化學氣相沉積法等，并且并不依賴于成膜方法。如上所述，掩模吸引機構使占掩模的重量的大部分的掩?？蚣?00a的吸引力產(chǎn)生/釋放動作的操作與需要與被處理物體300緊密接觸的掩模膜狀平面200b的吸引力產(chǎn)生/釋放動作的操作分開，由此能夠防止由于對準操作中可能產(chǎn)生的沖擊和由于接觸造成的刮擦導致的被處理物體的未對準。由此，真空處理設備能夠在保持正確的對準狀態(tài)的同時進行如成膜等處理，并且如專利文獻4說明的傳統(tǒng)技術所述，能夠在不將區(qū)域分為能夠確保對準精度的多個范圍的狀態(tài)下進行如對準和成膜等處理，并且能夠進行高精度的掩模處理以能夠應對大尺寸的被處理物體。圖4示出了通過使用根據(jù)本發(fā)明的典型實施方式的真空處理設備制造的圖像顯示設備的一個例子。在使電子源基板81和面板82這兩個玻璃基板以一定的距離水平地相對并且沿上下方向安裝有被稱為間隔件89的支撐構件的狀態(tài)下，支撐框架86包圍內(nèi)部的外周。由此，氣密室90具有被兩個基板和支撐框架86包圍的結構。面板82具有使熒光膜84和金屬背板85堆疊在玻璃基板83上的結構。電子源基板81具有如下結構如Y方向布線24、X方向布線26和導電膜(元件膜)27等導電部件被堆疊在電子源基板81上。在形成氣密室90之后，根據(jù)預定步驟通過經(jīng)由Y方向布線24、X方向布線26和導電膜(元件膜)27對電子源施加電壓并且使所發(fā)射的電子撞擊相對的面板82上的熒光膜84來顯示圖像。為了使氣密室90以高的可靠性工作，黑色導體91、非蒸發(fā)型吸氣劑87需要存在于內(nèi)部的空間中以保持該功能，并且需要在面板82上預先形成膜。特別地，由于功能上的限制，非蒸發(fā)型吸氣劑87需要配置有預定的圖案。當通過使用根據(jù)本發(fā)明的真空處理設備中的掩模而在圖案部上形成膜時，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高的顯示品質(zhì)的高清晰度的圖像顯示裝置。換句話說，通過使用根據(jù)本發(fā)明的處理設備，能夠以高圖案精度、高生產(chǎn)率和低成本制造出使用大面積的玻璃基板的圖像顯示裝置。順便提及，基于可脫磁充磁型永電磁體說明了上述典型實施方式，在該可脫磁充磁型永電磁體中，通過施加短時間的電流來產(chǎn)生(ON)和消除(OFF)磁吸引力。電磁體和永磁體的一些組合通常是永磁體，并且僅當電流流過時消除磁吸引力。在前者的永電磁體的情況下，當磁吸引力從OFF切換為ON或從ON切換為OFF時，電流短時間流過永電磁體。另一方面，在后者的情況下，當期望磁吸引力從ON切換為OFF時，電流能夠以期望的時間連續(xù)地流過永電磁體。上述典型實施方式并不限制本發(fā)明的范圍，而是可以根據(jù)本典型實施方式的示教或建議進行適當?shù)母淖儯詫崿F(xiàn)本發(fā)明的權利要求的主題。權利要求一種真空處理設備，其包括真空排氣裝置；室，由所述真空排氣裝置排出所述室的內(nèi)部的大氣；基臺，用于在所述基臺上安裝被處理物體；磁性材料的掩模，其被布置于所述被處理物體的一表面?zhèn)?；以及永電磁體，其被包括在所述基臺中并且被布置于所述被處理物體的另一表面?zhèn)?，其中，通過用所述永電磁體吸引磁性材料的所述掩模而將所述被處理物體固定到所述基臺。2.根據(jù)權利要求1所述的真空處理設備，其特征在于，所述永電磁體的構成部件的從材料的每單位面積的放氣速率為4.OX10—4Pam/s以下。3.根據(jù)權利要求1所述的真空處理設備，其特征在于，所述永電磁體的構成部件的表面受到鍍層處理、噴砂處理、研磨處理、樹脂涂覆處理、陶瓷涂覆處理或真空烘焙處理，或者用已經(jīng)受到過上述處理中的任何一種處理的金屬板、樹脂板或陶瓷板來覆蓋所述永電磁體的構成部件的表面。4.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，所述永電磁體的與所述被處理物體接觸的接觸面設置有壓紋形狀或微細針形狀的凹凸部，并且所述永電磁體與所述被處理物體的接觸面積被設定為98%以下。5.根據(jù)權利要求1至4中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，在所述真空處理設備中設置有能夠?qū)怏w導入由所述永電磁體和所述被處理物體形成的微細空間或從所述微細空間排出氣體的機構，并且還設置有用于控制所述氣體的壓力的機構。6.根據(jù)權利要求1至5中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，在所述永電磁體和所述被處理物體之間的空間插入薄板，并且經(jīng)由所述薄板來固定所述被處理物體。7.根據(jù)權利要求1至6中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，薄板受到鍍層處理、噴砂處理、研磨處理或真空烘焙處理。8.根據(jù)權利要求1至7中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，磁性材料的所述掩模由掩模膜狀平面和固定所述掩模膜狀平面的周邊用的掩?？蚣軜嫵?，磁性材料的所述掩模膜狀平面被由所述永電磁體形成的第一磁體固定單元固定，磁性材料的所述掩?？蚣鼙挥伤鲇离姶朋w形成且獨立于第一磁體固定單元工作的第二磁體固定單元固定。9.根據(jù)權利要求8所述的真空處理設備，其特征在于，所述第一磁體固定單元在中央部和周邊部獨立地驅(qū)動所述永電磁體。10.根據(jù)權利要求9所述的真空處理設備，其特征在于，所述掩模膜狀平面用的所述第一磁體固定單元對磁性材料的所述掩模膜狀平面施加磁力，使得所述掩模的固定操作從所述被處理物體的中央部開始并且于所述被處理物體的周邊部結束。11.根據(jù)權利要求1至10中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，所述永電磁體是可脫磁充磁型。12.根據(jù)權利要求1至10中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，所述永電磁體僅在電流流過所述永電磁體時消除磁吸引力。13.—種用于制造圖像顯示設備的方法，其特征在于，用權利要求1所述的真空處理設備形成所述圖像顯示設備的導電部。14.一種用于制造圖像顯示設備的方法，其特征在于，用權利要求1所述的真空處理設備形成所述圖像顯示設備的吸氣部。15.—種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置具有用權利要求1所述的真空處理設備形成的圖案部。16.根據(jù)權利要求1至12中的任一項所述的真空處理設備，其特征在于，所述永電磁體的與所述被處理物體接觸的接觸面的平面度被設定為50iim以下。全文摘要一種真空處理設備，其使用磁性材料的掩模膜狀平面和磁性材料的掩?？蚣軄硖幚肀惶幚砦矬w，該真空處理設備的特征在于，由永電磁體吸引磁性材料的掩模，永電磁體被配置在相對于安裝有被處理物體的表面與掩模相反的一側(cè)。文檔編號C23C14/04GK101790597SQ20088010033公開日2010年7月28日申請日期2008年3月28日優(yōu)先權日2008年3月28日發(fā)明者井上雅人,姬路俊明,松井紳申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司