專利名稱：鋁或鋁合金的殼體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種殼體及其制造方法，特別涉及ー種鋁或鋁合金的殼體及其制造方法。·
背景技術(shù)：
鋁或鋁合金目前被廣泛應(yīng)用于航空、航天、汽車及微電子等エ業(yè)領(lǐng)域。但鋁或鋁合金的標(biāo)準(zhǔn)電極電位很低，耐腐蝕差，暴露于自然環(huán)境中會引起表面快速腐蝕。提高鋁或鋁合金耐腐蝕性的方法通常是在其表面形成保護性的涂層。傳統(tǒng)的陽極氧化、電沉積、化學(xué)轉(zhuǎn)化膜技術(shù)及電鍍等鋁或鋁合金的表面處理方法存在生產(chǎn)エ藝復(fù)雜、效率低、環(huán)境污染嚴(yán)重等缺點。真空鍍膜(PVD)為一清潔的成膜技木。然而，由于鋁或鋁合金的標(biāo)準(zhǔn)電極電位很低，且PVD涂層本身不可避免的會存在微小的孔隙，因此該PVD涂層難以較好的防止鋁或鋁合金基體發(fā)生電化學(xué)腐蝕，因此對鋁或鋁合金基體的耐腐蝕能力的提高有限。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，提供ー種具有較好的耐腐蝕性的鋁或鋁合金的殼體。另外，還提供ー種上述殼體的制造方法。—種殼體,包括招或招合金基體,該殼體還包括及依次形成于該招或招合金基體上的鋁膜層和防腐蝕膜層，該防腐蝕膜層為氮氧化鋁梯度膜，其摻雜有銥金屬離子，所述氮氧化鋁梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體向遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度增加，所述銥金屬離子的摻雜方式為離子注入。一種殼體的制造方法，其包括如下步驟提供鋁或鋁合金基體；于該鋁或鋁合金基體的表面磁控濺射鋁膜層；于鋁膜層上磁控濺射氮氧化鋁梯度膜，所述氮氧化鋁梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體向遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度増加；于該氮氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子，形成防腐蝕膜層。本發(fā)明所述殼體的制造方法，在鋁或鋁合金基體上依次形成鋁膜層和防腐蝕膜層，該防腐蝕膜層為通過離子注入的方式摻雜銥金屬離子的氮氧化鋁梯度膜，鋁膜層和防腐蝕膜層的復(fù)合膜層可顯著提高所述殼體的耐腐蝕性，且該殼體的制造エ藝簡單、幾乎無環(huán)境污染。


圖I是本發(fā)明較佳實施方式殼體的剖視示意圖；圖2是制作圖I殼體所用鍍膜機的俯視示意圖。主要元件符號說明
殼體10鋁或鋁合金基體11鋁膜層13防腐蝕膜層15鍍膜機100鍍膜室20
軌跡21鋁靶22真空泵30
具體實施例方式請參閱圖1，本發(fā)明ー較佳實施例的殼體10包括鋁或鋁合金基體11、依次形成于該鋁或鋁合金基體11表面的鋁膜層13和防腐蝕膜層15。該防腐蝕膜層15為氮氧化鋁梯度膜，其摻雜有銥金屬離子，所述銥金屬離子的摻雜方式為離子注入。所述氮氧化鋁梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體11向遠離鋁或鋁合金基體11的方向呈梯度増加。所述防腐蝕膜層15的厚度為O. 5 2. O μ m。所述鋁膜層13的形成用以增強所述防腐蝕膜層15與鋁或鋁合金基體11之間的結(jié)合力。所述鋁膜層13的厚度為100 300nm。所述殼體10的制造方法主要包括如下步驟提供鋁或鋁合金基體11，該鋁或鋁合金基體11可以通過沖壓成型得到，其具有待制得的殼體10的結(jié)構(gòu)。將所述鋁或鋁合金基體11放入盛裝有こ醇或丙酮溶液的超聲波清洗器中進行震動清洗，以除去鋁或鋁合金基體11表面的雜質(zhì)和油污。清洗完畢后烘干備用。對經(jīng)上述處理后的鋁或鋁合金基體11的表面進行氬氣等離子清洗，進ー步去除鋁或鋁合金基體11表面的油污，以改善鋁或鋁合金基體11表面與后續(xù)膜層的結(jié)合力。請參閱圖2，提供一鍍膜機100，該鍍膜機100包括一鍍膜室20及連接于鍍膜室20的一真空泵30，真空泵30用以對鍍膜室20抽真空。該鍍膜室20內(nèi)設(shè)有轉(zhuǎn)架(未圖示)、ニ鋁靶22，轉(zhuǎn)架帶動鋁或鋁合金基體11沿圓形的軌跡21公轉(zhuǎn)，且鋁或鋁合金基體11在沿軌跡21公轉(zhuǎn)時亦自轉(zhuǎn)。該等離子清洗的具體操作及エ藝參數(shù)可為對該鍍膜室20進行抽真空處理至真空度為8. OX 10_3Pa，以300 500sCCm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分鐘)的流量向鍍膜室20內(nèi)通入純度為99. 999%的氬氣(工作氣體)，于鋁或鋁合金基體11上施加-300 -800V的偏壓，在所述鍍膜室20中形成高頻電壓，使所述氬氣離子化而產(chǎn)生氬氣等離子體對鋁或鋁合金基體11的表面進行物理轟擊，而達到對鋁或鋁合金基體11表面清洗的目的。所述氬氣等離子清洗的時間為3 lOmin。采用磁控濺射的方式在鋁或鋁合金基體11表面依次形成鋁膜層13及防腐蝕膜層15。形成該鋁膜層13及防腐蝕膜層15的具體操作方法及エ藝參數(shù)為在所述等離子清洗完成后，通入高純氬氣100 300sccm，開啟鋁靶22的電源，設(shè)置鋁靶22功率為2 8kw，調(diào)節(jié)鋁或鋁合金基體11的偏壓為-300 -500V，在鋁或鋁合金基體11表面沉積鋁膜層13，沉積5 10分鐘。形成所述鋁膜層13后，以氬氣為工作氣體，其流量為100 300sCCm，以氮氣和氧氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置氮氣和氧氣的初始流量分別為10 20SCCm和10 20SCCm，在鋁或鋁合金基體11上施加-150 -500V的偏壓，沉積所述防腐蝕膜層15。該防腐蝕膜層15為氮氧化鋁梯度膜，沉積所述防腐蝕膜層15吋，每沉積10 15min將氮氣和氧氣的流量增大10 20sCCm，使氮原子和氧原子在氮氧化鋁梯度膜中的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體11至遠離鋁或鋁合金基體11的方向呈梯度增加。沉積該氮氧化鋁梯度膜的時間為30 90mino所述氮氧化鋁梯度膜在其形成過程中可形成致密的Al-O-N相，增強所述防腐蝕 膜層15的致密性，以提高所述殼體10的耐腐蝕性。所述氮氧化鋁梯度膜的氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體11至遠離鋁或鋁合金基體11的方向呈梯度增加，可降低氮氧化鋁梯度膜與鋁膜層13或鋁或鋁合金基體11之間晶格不匹配的程度，有利于將濺射氮氧化鋁梯度膜的過程中產(chǎn)生的殘余應(yīng)カ向鋁或鋁合金基體11方向傳遞；又因為在氮氧化鋁梯度膜和鋁或鋁合金基體11之間沉積了塑性較好的鋁膜層13，可改善防腐蝕膜層15與鋁或鋁合金基體11之間的界面錯配度，當(dāng)?shù)趸X梯度膜中的殘余應(yīng)カ較大時，可以借助于該鋁膜層13以及鋁或鋁合金基體11的局部塑性變形實現(xiàn)殘余應(yīng)カ的釋放，從而減少所述氮氧化鋁梯度膜內(nèi)的殘余應(yīng)力，使殼體10不易發(fā)生應(yīng)力腐蝕，以提高所述殼體10的耐腐蝕性。所述應(yīng)カ腐蝕是指在殘余或/和外加應(yīng)カ及腐蝕介質(zhì)的作用下，引起的金屬失效現(xiàn)象。完成上述氮氧化鋁梯度膜的沉積后，于該氮氧化鋁梯度膜表面離子注入銥離子，從而形成上述防腐蝕膜層15。所述的注入銥離子的過程是將鍍覆有所述鋁膜層13及氮氧化鋁梯度膜的鋁或鋁合金基體11置于強流金屬離子注入機(MEVVA)中，該離子注入機中采用銥金屬靶材，該離子注入機首先將銥金屬進行電離，使其產(chǎn)生銥金屬離子蒸氣，并經(jīng)高壓電場加速使該銥金屬離子蒸氣形成具有幾萬甚至幾百萬電子伏特能量的銥離子束，射入氮氧化鋁梯度膜的表面，與氮氧化鋁梯度膜表層中及其表面的原子或分子發(fā)生的物理反應(yīng)，于該氮氧化鋁梯度膜的表面沉積形成銥金屬離子，制得所述防腐蝕膜層15。本實施例中注入所述銥離子的參數(shù)為離子注入機的真空度為lXl(T4Pa，離子源電壓為30 100kV，離子束流強度為O. I 5mA，控制銥離子注入劑量在I X 1016ions/cm2到I X 1018ions/cm2 之間。所述銥金屬離子與所述氮氧化鋁梯度膜中的原子為冶金結(jié)合，因此，該注入的銥金屬離子不易脫落，且由于是在高能離子注入的條件下形成，該銥金屬注入氮氧化鋁梯度膜中后形成為非晶態(tài)，由于非晶態(tài)結(jié)構(gòu)具有各向同性、表面無晶界、無位錯、偏析，均相體系等特點，故，經(jīng)離子注入銥金屬離子后的氮氧化鋁梯度膜使殼體10在腐蝕性介質(zhì)中不易形成腐蝕微電池，發(fā)生電化學(xué)腐蝕的可能極小，大大提高了殼體10的耐蝕性。以下結(jié)合具體實施例對殼體10的制備方法及殼體10進行說明實施例I等離子清洗氬氣流量為280SCCm，鋁或鋁合金基體11的偏壓為-300V，等離子清洗的時間為9分鐘；濺鍍鋁膜層13 :通入氬氣lOOsccm，開啟鋁靶22，設(shè)置鋁靶22功率為2kw，設(shè)置鋁或鋁合金基體11的偏壓為-500V，沉積5分鐘；濺鍍防腐蝕層15:形成一氮氧化鋁梯度膜，以氬氣為工作氣體，其流量為lOOsccm，以氮氣和氧氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置氮氣和氧氣的初始流量分別為IOsccm和lOsccm，在鋁或鋁合金基體11上施加-500V的偏壓；每沉積IOmin將氮氣和氧氣的流量增大IOsccm,沉積時間控制為30min ；對氮氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子，エ藝參數(shù)為 設(shè)置真空度為lX10_4Pa，離子源電壓為30kV，離子束流強度為O. 1mA，控制銥離子注入劑量為lX1016ionS/cm2。實施例2等離子清洗氬氣流量為230SCCm，鋁或鋁合金基體11的偏壓為-480V，等離子清洗的時間為7分鐘；濺鍍鋁膜層13 :通入氬氣200sccm，開啟鋁靶22，設(shè)置鋁靶22功率為5kw，設(shè)置鋁或鋁合金基體11的偏壓為-400V，沉積7分鐘；濺鍍防腐蝕層15:形成一氮氧化鋁梯度膜，以氬氣為工作氣體，其流量為200sccm,以氮氣和氧氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置氮氣和氧氣的初始流量分別為15sccm和60sccm，在鋁或鋁合金基體11上施加-300V的偏壓；每沉積12min將氮氣和氧氣的流量增大15sccm,沉積時間控制為60min ；對氮氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子，エ藝參數(shù)為設(shè)置真空度為I X 10_4Pa，離子源電壓為60kV，離子束流強度為2mA，控制銥離子注入劑量在lX1017ionS/cm2。實施例3等離子清洗氬氣流量為160SCCm，鋁或鋁合金基體11的偏壓為-400V，等離子清洗的時間為6分鐘；濺鍍鋁膜層13 :通入氬氣300sccm，開啟鋁靶22，設(shè)置鋁靶22的功率為8kw，設(shè)置鋁或鋁合金基體11的偏壓為-300V，沉積10分鐘；濺鍍防腐蝕層15:形成一氮氧化鋁梯度膜，以氬氣為工作氣體，其流量為300sccm,以氮氣和氧氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置氮氣和氧氣的初始流量分別為20sccm和lOOsccm，在鋁或鋁合金基體11上施加-150V的偏壓；每沉積15min將氮氣和氧氣的流量增大20sccm,沉積時間控制為90min ；對氮氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子，エ藝參數(shù)為設(shè)置真空度為lX10_4Pa，離子源電壓為100kv，離子束流強度為5mA，控制銥離子注入劑量為lX1018ionS/cm2。本發(fā)明較佳實施方式的殼體10的制造方法，在鋁或鋁合金基體11上依次形成鋁膜層13及防腐蝕膜層15，該防腐蝕膜層15為氮氧化鋁梯度膜，其摻雜有銥金屬離子。該鋁膜層13、防腐蝕膜層15組成的復(fù)合膜層顯著地提高了所述殼體10的耐腐蝕性，且該制造エ藝簡単。
權(quán)利要求
1.ー種殼體，包括招或招合金基體，其特征在于該殼體還包括依次形成于該招或招合金基體上的鋁膜層和防腐蝕膜層，該防腐蝕膜層為氮氧化鋁梯度膜，其摻雜有銥金屬離子，所述氮氧化鋁梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體向遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度増加，所述銥金屬離子的摻雜方式為離子注入。
2.如權(quán)利要求I所述的殼體，其特征在于所述防腐蝕膜層的厚度為O.5 2. O μ m。
3.如權(quán)利要求I所述的殼體，其特征在于所述鋁膜層的厚度為100 300nm。
4.一種殼體的制造方法，其包括如下步驟 提供鋁或鋁合金基體； 于該鋁或鋁合金基體的表面磁控濺射鋁膜層； 于鋁膜層上磁控濺射氮氧化鋁梯度膜，所述氮氧化鋁梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體向遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度增加； 于該氮氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子，形成防腐蝕膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于磁控濺射所述氮氧化鋁梯度膜的エ藝參數(shù)為以氬氣為工作氣體，其流量為100 300SCCm，以氮氣和氧氣為反應(yīng)氣體，設(shè)置氮氣和氧氣的初始流量分別為10 20SCCm和10 20SCCm，在鋁或鋁合金基體上施加-150 -500V的偏壓；姆沉積10 15min將氮氣和氧氣的流量增大10 20sccm,沉積時間控制為30 90min。
6.如權(quán)利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于對氮氧化鋁梯度膜注入銥金屬離子的エ藝參數(shù)為設(shè)置真空度為lX10_4Pa，離子源電壓為30 IOOkV,離子束流強度為O.I 5mA,控制銥離子注入劑量在IX 1016ions/cm2到IX 1018ions/cm2之間。
7.如權(quán)利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于沉積所述鋁膜層的エ藝參數(shù)為以鋁靶為靶材，通入氬氣100 300SCCm，開啟鋁靶，設(shè)置鋁靶功率為2 8kw，設(shè)置鋁或鋁合金基體的偏壓為-300 -500V，沉積5 10分鐘。
8.如權(quán)利要求4所述的殼體的制造方法，其特征在于所述殼體的制造方法還包括在沉積所述鋁膜層之前對鋁或鋁合金基體進行等離子清洗的步驟。
全文摘要
一種殼體，包括鋁或鋁合金基體，該殼體還包括依次形成于該鋁或鋁合金基體上的鋁膜層和防腐蝕膜層，該防腐蝕膜層為氮氧化鋁梯度膜，其摻雜有銥金屬離子，所述氮氧化鋁梯度膜中氮和氧的原子百分含量由靠近鋁或鋁合金基體向遠離鋁或鋁合金基體的方向呈梯度增加，所述銥金屬離子的摻雜方式為離子注入。該通過離子注入摻雜了銥金屬離子的氮氧化鋁梯度膜組成的復(fù)合膜層顯著地提高了所述殼體的耐腐蝕性。本發(fā)明還提供了上述殼體的制造方法。
文檔編號C23C14/35GK102691045SQ20111007040
公開日2012年9月26日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
發(fā)明者張新倍, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳曉強, 陳正士 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司