專利名稱：涂層原地沉積方法及使用該方法制成的物品的制作方法
涂層原地沉積方法及使用該方法制成的物品相關(guān)申請案交互參照本發(fā)明基于法條35U.S.C.§ 119主張在2010年9月23日所申請的美國臨時專利申請案第61/385,899號的優(yōu)先權(quán)，其藉由引用形式而整體并入本文。關(guān)于聯(lián)邦資助研究或發(fā)展的聲明不適用。本發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明涉及涂層，且更具體的涉及制造涂層的方法。背景涂層頻繁地用于各 種應(yīng)用中，以保護(hù)涂層下方的材料免于環(huán)境暴露和/或改質(zhì)涂層下方材料的物理性質(zhì)?？赏ㄟ^涂層進(jìn)行調(diào)整的物理性質(zhì)包含，但不限于光學(xué)性質(zhì)、熱性質(zhì)與機(jī)械性質(zhì)。更具體而言，物品的熱與電磁吸收及放射性質(zhì)會深受沉積于其上的涂層薄層的存在影響。已經(jīng)發(fā)展出數(shù)種不同技術(shù)來沉積薄層涂層。這些技術(shù)可包含:例如濺鍍、蒸鍍沉積、脈沖式雷射吸附、電解電鍍、無電解電鍍、化學(xué)氣相沉積等。在物品的制造中，這些涂層技術(shù)大部分都需要獨(dú)立于用以制造物品的其它制造步驟而進(jìn)行。此外，許多的這些沉積技術(shù)都需要專用設(shè)備，這會增加含有涂層的物品的制造所需時間及花費(fèi)。鑒于前述，在該領(lǐng)域中用于制造涂層(特別是在制造物品期間)的簡單、低成本技術(shù)會是實質(zhì)有利的。本發(fā)明即滿足了此需求并可同時提供相關(guān)優(yōu)點。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，本文說明了用于在金屬表面上沉積涂層的方法。這些方法包含加熱金屬表面至不大于其熔點的溫度；當(dāng)正在加熱該金屬表面時，對其施加真空；且在正加熱該金屬表面時，釋放真空并回填第一吹掃氣體。該第一吹掃氣體與該加熱金屬表面反應(yīng)，以于該加熱金屬表面上沉積至少一層的涂層。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，本文說明了用于在太陽能接收器上沉積涂層的方法。這些方法包含對具有外表面與內(nèi)表面的環(huán)孔施加真空，該外表面是由一種對太陽能輻射至少部分透明的材料所限定，而該內(nèi)表面是由金屬管所限定；在正在施加真空時加熱該金屬管至不高于其熔點的溫度；以及在正在加熱該金屬管時，釋放真空并且回填第一吹掃氣體，其中該第一吹掃氣體會與該加熱金屬管反應(yīng)，以于該金屬管上沉積至少一層的涂層。根據(jù)本發(fā)明一些具體實施例，通過方法來制備太陽能接收器，該方法包含對具有外表面與內(nèi)表面的環(huán)孔施加真空，該外表面是由一種對太陽能輻射至少部分透明的材料所限定，而該內(nèi)表面是由金屬管所限定；在正在施加真空時加熱該金屬管至不高于其熔點的溫度；以及在正在加熱該金屬管時，釋放真空并且回填第一吹掃氣體，其中該第一吹掃氣體會與該加熱金屬管反應(yīng)，以于該金屬管上沉積至少一層的涂層。前文已經(jīng)相當(dāng)廣泛地概述了本發(fā)明的技術(shù)特征，為了可以更好地理解，下文將詳細(xì)描述。本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點將在下文中給予描述，這構(gòu)成了所述權(quán)利要求的主題。


為了更完整理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)將結(jié)合附圖對本發(fā)明具體實施例進(jìn)行詳細(xì)描述作為參考，其中:圖1說明示例性太陽能接收器的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明一部分與在金屬表面上沉積涂層的方法有關(guān)。本發(fā)明另一部分與具有涂層沉積其上的金屬表面(特別是太陽能接收器)有關(guān)。雖然涂層頻繁地以其絕佳實用性而使用于各式各樣的應(yīng)用中，但用于沉積涂層的技術(shù)卻大量增加了制造含有涂層的物品所需的時間與花費(fèi)。本文所述方法可通過提供用于在金屬表面上制備涂層的簡單技術(shù)而有利地解決該領(lǐng)域中的這些缺失。更特別的是，在某些情況下，本文所述的涂布方法可用以在金屬表面上原位沉積涂層。即，在制造物品期間，利用對已經(jīng)用于制造物品的至少某些操作進(jìn)行簡單調(diào)整，即可有優(yōu)勢地對物品施用涂層。例如，根據(jù)本發(fā)明的方法，可于物品制造期間，在使用真空加熱除氣(例如氫加熱除氣)時對物品施用涂層。含有可于物品的制造期間原位沉積涂層的金屬表面的物品的實例的為太陽能接收器。圖1顯示了示例性太陽能接收器1 00的示意圖。太陽能接收器100可使用作為拋物線底部的太陽能接收器數(shù)組中的熱能收集器，其中太陽能接收器100可自聚焦的太陽能輻射吸收熱能，同時盡可能以少熱方式發(fā)射回到大氣環(huán)境。示例的太陽能接收器100包含內(nèi)側(cè)金屬管110，其具有熱傳遞流體(例如油等高沸點流體)流經(jīng)其內(nèi)部空間，以將收集到的熱量帶離太陽能接收器100。為了使收集熱量達(dá)最大并降低熱發(fā)射，內(nèi)側(cè)金屬管110 —般由真空圍繞。為此，太陽能接收器100包含外表面120，其對于太陽能輻射呈至少部分透明(例如玻璃)，其與內(nèi)側(cè)金屬管110 —起限定了環(huán)孔115并包含真空?？山?jīng)由開口 130對環(huán)孔115施加真空。在大部分的情形中，內(nèi)側(cè)金屬管110利用涂層來進(jìn)行改質(zhì)而增加熱吸收性。在一般太陽能接收器的制造期間，利用加熱器(未示)來加熱內(nèi)側(cè)金屬管110，同時對環(huán)孔115施加真空，以除氣與脫附會減損所施加真空的物質(zhì)，并可調(diào)整熱吸收性。然而，根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，已經(jīng)有利地發(fā)現(xiàn)到，如果在正加熱內(nèi)側(cè)金屬管110時破除真空，而非密封環(huán)孔115以維持其中真空，并回填以吹掃氣體至環(huán)孔115，即可對內(nèi)側(cè)金屬管110進(jìn)行原位涂布。然后，藉由對環(huán)孔115再次施加真空、再藉由密封來維持真空，即可簡單地完成太陽能接收器100的制造。因此，本發(fā)明的方法提供機(jī)會而可簡單地利用涂層來改質(zhì)內(nèi)側(cè)金屬管110的表面，其僅需簡單地修改現(xiàn)有太陽能接收器制造中已經(jīng)存在的操作即可。在本文中，術(shù)語“真空”是指低于大氣壓力的任何壓力。如非另外指明，不應(yīng)將用語“真空”解釋限制為任何特定真空大小。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，適當(dāng)?shù)恼婵湛蔀榧sI X 10_5torr或更低。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例,適當(dāng)真空可為約I X 10_6torr或更低。在本文中，術(shù)語“涂層”是指在金屬表面上的一種材料，其至少為單一層的厚度?？筛鶕?jù)本發(fā)明的方法而施加至金屬表面的例示涂層包含、但不限于金屬氧化物涂層、金屬氮化物涂層、金屬碳化物涂層、以及金屬氟化物涂層。如非另外具體指明，術(shù)語“涂層”不應(yīng)被解釋為任何特定類型的涂層或任何特定層數(shù)的涂層。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，用于在金屬表面上沉積涂層的方法可包含加熱金屬表面至不大于其熔點的溫度；在正對該金屬表面加熱時，對該金屬表面施加真空；以及在加熱該金屬表面時，釋放真空并回填第一吹掃氣體，該第一吹掃氣體與該加熱金屬表面反應(yīng)，以于該加熱金屬表面上沉積至少一層的涂層。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，這些方法可進(jìn)一步包含:于該加熱金屬表面上沉積至少一層的涂層。一般而言，可根據(jù)本發(fā)明所述方法而利用涂層來對任何類型的金屬表面進(jìn)行改質(zhì)。在此方面，純金屬與金屬合金兩種都可以使用。在各種具體實施例中，適當(dāng)?shù)慕饘倏砂⒌幌抻?鈦、銅、鐵、鋁、鎢、及其任何組合。本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯可以知道的其它適當(dāng)金屬。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，可拋光金屬表面以移除上方的原生氧化物，進(jìn)以促進(jìn)涂層的沉積。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，金屬表面可為太陽能接收器中的金屬管。特別是，在金屬管使用于太陽能接收器的例子中，可使用例如鋼、不銹鋼、碳鋼及其組合。雖然本發(fā)明的某些具體實施例已于太陽能接收器的上下文中進(jìn)行說明，但應(yīng)理解到具有金屬表面的任何類型的物品都可以本發(fā)明具體實施例的涂層來進(jìn)行改質(zhì)。即，本文中關(guān)于太陽能接收器的說明應(yīng)被視為說明本質(zhì)、而非限制。更特定而言，應(yīng)可理解具有金屬表面的任何類型的物品都可通過加熱該金屬表面、并直接(例如，經(jīng)由在物品中的環(huán)孔、凹穴等開口)或間接(例如，通過將物品或其部分放置在例如真空爐的加熱裝置中，其可放置于真空下并接著回填吹掃氣體)對該金屬表面施加真空，而以本發(fā)明具體實施例的涂層來進(jìn)行改質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，用于在太陽能接收器的金屬表面上沉積涂層的方法可包含對具有外表面與內(nèi)表面的環(huán)孔施加真空，該外表面是由一種對太陽能輻射至少部分透明的材料所限定，而該內(nèi)表面是由金屬管所限定；在正在施加真空時加熱該金屬管至不高于其熔點的溫度；以及在正在加熱該金屬管時，釋放真空并且回填第一吹掃氣體，該第一吹掃氣體會與該加熱金屬管反應(yīng)，以于該金屬管上沉積至少一層的涂層。在太陽能接 收器的例子中，可使用各種材料來形成環(huán)孔的外表面。一般而言，形成環(huán)孔外表面的材料需要對太陽能輻射呈至少部分透明，以使太陽能輻射可沖擊于金屬管所限定的內(nèi)表面。此外，形成環(huán)孔外表面的材料一般需要具有至少某一程度的抗加熱變形能力，因為在太陽能聚焦于太陽能接收器上時會產(chǎn)生可觀的熱量。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述對太陽能輻射呈至少部分透明的合適材料可為玻璃。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，玻璃可進(jìn)一步包含抗反射涂層，用以使自其的反射達(dá)到最小，以使傳送至金屬管的太陽能輻射量達(dá)到最大。根據(jù)本發(fā)明的方法，在于太陽能接收器的金屬管上沉積涂層后，即可通過繼續(xù)標(biāo)準(zhǔn)制造操作而簡易地完成太陽能接收器的制造。為此，根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，在沉積涂層后、以及在正在加熱金屬管時，所述方法可進(jìn)一步包含對環(huán)孔再次施加真空。在某些具體實施例中，所述方法可進(jìn)一步包含密封該環(huán)孔以維持其中的真空，并完成太陽能接收器的制造。根據(jù)本發(fā)明的其他具體實施例，可通過重復(fù)本文所述方法而于金屬管上沉積至少另外一層的涂層。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，可通過重復(fù)本文所述方法的操作而沉積至少另外一層的涂層。在本發(fā)明方法的某些具體實施例中，在沉積涂層后、以及在正加熱該金屬表面時，可對該金屬表面再次施加真空。在本發(fā)明方法的某些具體實施例中，在正加熱該金屬表面時，可通過釋放真空并回填第二吹掃氣體而沉積至少另外一層的涂層。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，第一吹掃氣體與第二吹掃氣體可為相同。即，根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，該涂層可包含多數(shù)層，其中所有層體都是相同的。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，第一吹掃氣體與第二吹掃氣體可為不同的；即，根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，該涂層可含有多數(shù)層，其中至少某些層體是不同的。通過重復(fù)本發(fā)明方法的操作，即可沉積具有任何層數(shù)的涂層，例如I層至約100層、或I層至約20層、或I層至約10層、或I層至約5層、或I層、或2層、或3層、或4層、或5層、或6層、或7層、或8層、或9層或10層。在存在多數(shù)層的具體實施例中，各種層數(shù)的涂層會對金屬表面提供不同的性質(zhì)。例如，第一層可提升金屬表面的電磁吸收性質(zhì)，而具有不同物質(zhì)的第二層可降低其熱發(fā)射性質(zhì)。
根據(jù)本文所述的具體實施例，可在金屬表面上形成各種類型的涂層。在某些具體實施例中，這些涂層可包含:例如至少氧化物涂層、氮化物涂層、碳化物涂層或氟化物涂層。形成于金屬表面上的涂層類型的選擇可為依其希望用途而定，其屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員所明顯可知的。例如，可通過使金屬表面在加熱下與含氧吹掃氣體反應(yīng)而形成氧化物涂層；可藉由使金屬表面在加熱下與含氮吹掃氣體(特別是氮分子)反應(yīng)而形成氮化物涂層；藉由使金屬表面在加熱下與含碳吹掃氣體(包含但不限于有機(jī)化合物)反應(yīng)即可形成碳化物涂層；通過使金屬表面在加熱下與含氟吹掃氣體(特別是氟化氫)反應(yīng)即可形成氟化物涂層。其它類型的涂層亦為本領(lǐng)域技術(shù)人員所能明顯得知的。各種吹掃氣體與其組合皆可使用于本文所述的具體實施例中。應(yīng)知適合用于本發(fā)明具體實施例的吹掃氣體可為在室溫與室壓下為氣體的物質(zhì)，或是具有高蒸氣壓力及可直接揮發(fā)而形成氣相的液體或固體?？蛇m合用于本發(fā)明的具體實施例的示例性吹掃氣體包含:例如空氣、水蒸氣、氧、二氧化碳、一氧化碳、氮、氟、氯、溴、碘、氟化氫、氯化氫、溴化氫、碘化氫、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、四氟化硅、六氟化硫、四氟化硫、三氟化磷、五氟化磷、三氟化氮、一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、四氧化二氮、二酰亞胺、氫、氣態(tài)有機(jī)化合物及其任何組合。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，吹掃氣體可進(jìn)一步包含不與金屬表面反應(yīng)的稀釋氣體。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，該稀釋氣體可為惰性氣體，例如，氦氣、気氣、氖氣、氪氣或氙氣。當(dāng)存在時，氣體混合物中所含的稀釋氣體量可介于約0.1%至約99.9%之間，包括其間的所有次范圍。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，稀釋氣體含量可存在介于氣體混合物的約1%至約90%之間，或介于氣體混合物的約5%至約50%之間，或介于氣體混合物的約10%至約70%之間。不受任何理論或機(jī)制的限制，相信通過調(diào)整吹掃氣體存在的量而與金屬表面反應(yīng)、通過增加或減少稀釋氣體量，即可控制在金屬表面上的涂層的厚度。金屬表面上涂層的厚度可大幅度加以變化。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，在金屬表面上的每一層涂層在厚度上可介于約I納米至約I微米之間，包含其間的所有次范圍。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，涂層中的每一層的厚度可介于約I納米至約250納米之間，或介于約I納米至約100納米之間，或介于約5納米至約50納米之間，或介于約5納米至約100納米之間，或介于約10納米至約50納米之間。亦即，在至少某些具體實施例中，該涂層可為納米結(jié)構(gòu)。用于實施本發(fā)明具體實施例的適合溫度同樣地可在廣泛范圍中加以變化。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將知，可實施本發(fā)明具體實施例的基本溫度范圍主要是根據(jù)所選擇的金屬表面的熔點而定。除了低熔點金屬以外(例如熔點低于約800攝氏度的金屬，例如鋁)，用于實施本發(fā)明的具體實施例的適當(dāng)溫度可于約200攝氏度至約1000攝氏度之間變化，包括其間的所有次范圍。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，適當(dāng)溫度可介于約400攝氏度至約800攝氏度之間。在其它具體實施例中，適當(dāng)?shù)臏囟瓤山橛诩s300攝氏度至約600攝氏度之間。在另外其它具體實施例中，適當(dāng)?shù)臏囟瓤山橛诩s400攝氏度至約600攝氏度之間。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，適當(dāng)溫度可至少為約400攝氏度。根據(jù)本發(fā)明的另一些具體實施例，適當(dāng)溫度可至少為約500攝氏度、或至少為約600攝氏度、或至少為約700攝氏度、或至少為約800攝氏度、或至少為約900攝氏度、或至少為約1000攝氏度。進(jìn)一步可知，金屬表面熔點以外的因素也可支配所選擇用以實施本發(fā)明具體實施例的溫度。例如，當(dāng)溫度過高時，某些吹掃氣體會變?yōu)榭扇肌⒈ɑ蚴遣环€(wěn)定。因此，根據(jù)本發(fā)明具體實施例而用以制備特定涂層的溫度可為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在能力的內(nèi)進(jìn)行常用實驗設(shè)計事項。根據(jù)本發(fā)明的一些具體實施例，該吹掃氣體可在被回填至金屬表面附近真空的前先受預(yù)加熱操作。需要對吹掃氣體進(jìn)行預(yù)加熱的可能理由包含、但不限于:為解決因絕熱膨脹(發(fā)生于回填真空空間時)所致的吹掃氣體的冷卻。吹掃氣體的冷卻可能會沖擊其與加熱金屬表面的反應(yīng)。 雖然已參照所公開的具體實施例來描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將可直接理解這些具體實施例僅為示例性的。應(yīng)理解在不脫離本發(fā)明的精神下可進(jìn)行各種修飾。上述所公開的特定具體實施例僅為示例性的，本領(lǐng)域技術(shù)人員在得到本文所指導(dǎo)的益處下可對本發(fā)明進(jìn)行不同、但卻為等效方式的改良與實施。此外，除了下述權(quán)利要求中所記載的以外，本文所示的結(jié)構(gòu)或設(shè)計的細(xì)節(jié)無任何限制。因此，明顯可知可對上述特定例示具體實施例進(jìn)行調(diào)整、組合或修飾，且所有的這些變化例都被視為是落在本發(fā)明的范疇與精神內(nèi)。在描述到成分或方法“包含”、“包含有”、“含有”或“包括”各種組份或步驟時，這些成分與方法也可“基本上含有”這些各種組份與操作步驟或“由其組成”。上述的所有數(shù)值與范圍都是可以某種程度變化。無論何時，在公開到數(shù)值范圍的下限值與上限值時，皆視為已經(jīng)公開了落于該較廣范圍內(nèi)的任何數(shù)值或任何次范圍。同時，在權(quán)利要求中的用語具有其清楚的原始意義，除非專利權(quán)人另行清楚指明。如果在本說明書中使用的文字或用語與通過引用形式而被并入本文中的一篇或多篇專利或其它文件之間有任何沖突，則應(yīng)采用與本說明書一致的定義。
權(quán)利要求
1.一種用于在金屬表面上沉積涂層的方法，所述方法包含: 加熱金屬表面至不高于其熔點的溫度； 在加熱所述金屬表面時，對其施加真空；以及 在加熱所述金屬表面時，釋放真空并回填第一吹掃氣體； 其中所述第一吹掃氣體與所述加熱金屬表面反應(yīng)，以于所述加熱金屬表面上沉積至少一層的涂層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含:在沉積所述涂層后及正在加熱所述金屬表面時，再次對其施加真空。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包含:在加熱該金屬表面時，通過釋放真空與回填第二吹掃氣體而沉積至少另一層的涂層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一吹掃氣體與所述第二吹掃氣體是相同的。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一吹掃氣體與所述第二吹掃氣體是不同的。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溫度為至少約400攝氏度。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一吹掃氣體是選自由空氣、水氣、氧、二氧化碳、一氧化碳、氮、氟、氯、溴、碘、氟化氫、氯化氫、溴化氫、碘化氫、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、四氟化硅、六氟化硫、四氟化硫、三氟化磷、五氟化磷、三氟化氮、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、四氧化二氮、二酰亞胺、氫、氣相有機(jī)化合物以及其任一組合所組成的組。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述涂層包含至少一層的氧化物涂層、氮化物涂層、碳化物涂層或氟化物涂層 。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一吹掃氣體進(jìn)一步包含稀釋氣體，其不與所述金屬表面反應(yīng)。
10.一種用于在太陽能接收器上沉積涂層的方法，所述方法包含: 對具有外表面與內(nèi)表面的環(huán)孔施加真空，所述外表面是由一種對太陽能輻射呈至少部分透明的材料所限定，而所述內(nèi)表面是由金屬管所限定； 在正在施加真空時加熱所述金屬管至不高于其熔點的溫度；以及 在正在加熱所述金屬管時，釋放真空并且回填第一吹掃氣體； 其中所述第一吹掃氣體會與所述加熱金屬管反應(yīng)，以于所述金屬管上沉積至少一層的涂層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包含:在沉積所述涂層后及正在加熱所述金屬管時，對所述環(huán)孔再次施加真空。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包含:密封所述環(huán)孔以維持其中的真空。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包含:在加熱所述金屬管時，通過釋放真空及回填第二吹掃氣體而沉積至少另一層的涂層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一吹掃氣體與所述第二吹掃氣體是相同的。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一吹掃氣體與所述第二吹掃氣體是不同的。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述對太陽能輻射呈至少部分透明的材料包含玻3 ο
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述溫度為至少約400攝氏度。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一吹掃氣體是選自由空氣、水氣、氧、二氧化碳、一氧化碳、氮、氟、氯、溴、碘、氟化氫、氯化氫、溴化氫、碘化氫、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、四氟化硅、六氟化硫、四氟化硫、三氟化磷、五氟化磷、三氟化氮、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、四氧化二氮、二酰亞胺、氫、氣相有機(jī)化合物以及其任一組合所組成的組。
19.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述涂層包含至少一層的氧化物涂層、氮化物涂層、碳化物涂層或氟化物涂層。
20.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一吹掃氣體進(jìn)一步包含稀釋氣體，其不與所述金屬管反應(yīng)。
21.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述金屬管包含選自由碳鋼、不銹鋼以及其任一組合所組成組的金屬。
22.一種通過權(quán)利要求10的方法所制備的太陽能接收器。
23.如權(quán)利要求22所述的太陽能接收器，進(jìn)一步包含:熱傳遞流體，位于該金屬管的內(nèi)部空間內(nèi)。
24.如權(quán)利要求22所述的太陽能接收器，其中所述涂層包含至少一層的氧化物涂層、氮化物涂層、碳化物涂層或氟化物涂層。
25.如權(quán)利要求22所述 的太陽能接收器，其中該涂層包含納米結(jié)構(gòu)的涂層。
全文摘要
用于在金屬表面上沉積涂層的方法，可包含加熱金屬表面至不高于其熔點的溫度；在加熱該金屬表面時，對其施加真空；以及在加熱該金屬表面時，釋放真空并回填第一吹掃氣體，其中該第一吹掃氣體與該加熱金屬表面反應(yīng)，以于該加熱金屬表面上沉積至少一層的涂層。本發(fā)明的方法可用于在太陽能接收器制造期間原位沉積涂層，其中該太陽能接收器含有環(huán)孔，該環(huán)孔由金屬管限定作為內(nèi)表面，并由一種對太陽能輻射至少部分透明的材料作為外表面。
文檔編號C23C8/06GK103221573SQ201180045906
公開日2013年7月24日 申請日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月23日
發(fā)明者馬特·M·卡佩爾蘭齊克, 圖沙·K·沙赫 申請人:應(yīng)用奈米結(jié)構(gòu)公司