專利名稱：Azo-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，尤其涉及一種AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電薄膜電極，是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個(gè)器件的發(fā)光效率。其中，氧鋅鋁(AZO)是最常用的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。而AZO的功函數(shù)一般只有4.5eV,經(jīng)過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達(dá)到4.7 5.1eV,與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(jí)(典型的為5.7 6.3eV)還有比較大的能級(jí)差距，造成載流子注入勢(shì)壘的增加，妨礙著發(fā)光效率的提高。通過后處理的方法可以提高導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)，但由于多了一些步驟工藝，造成成本較高，且效率較低的結(jié)果。而通過在薄膜中摻雜某些元素來提高功函數(shù)的方法，又有一定的制約性:因?yàn)閾诫s大量會(huì)影響薄膜的導(dǎo)電性能，摻雜少量又達(dá)不到功函數(shù)提高的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題之一在于提供一種既可以提高導(dǎo)電薄膜表面功函數(shù)又可以降低成本的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜。一種AZO-鹵化鋅(ZnR2)雙層導(dǎo)電膜，包括AZO層和鹵化鋅層；其中，AZO層中，AZO層中，ZnO質(zhì)量百分含量為90 99.5%, Al2O3的質(zhì)量百分含量為0.5 10%適化鋅(ZnR3)中，R為鹵素，選自F、Cl或Br。所述AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜，優(yōu)選，AZO層中，ZnO質(zhì)量百分含量為97%，Al2O3的質(zhì)量百分含量為3% ；所述AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜，所述AZO層的厚度為50 300nm，鹵化鋅層的厚度為
0.5 3nm ;優(yōu)選,所述AZO層的厚度為150nm,鹵化鋅層的厚度為lnm。本發(fā)明所要解決的問題之二在于提供上述AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜的制備方法，該制備方法的步驟如下:S1、稱取ZnO和Al2O3粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得AZO陶瓷靶材；其中，AZO陶瓷靶材中，ZnO質(zhì)量百分含量為80 97% ,Al2O3的質(zhì)量百分含量為3 20% ;以及將ZnR2粉體置于600 950°C下燒結(jié)處理，制得鹵化鋅陶瓷靶材；其中，ZnR2粉體中，R為鹵素，選自F、C1或Br ；S2，將步驟SI中得的AZO陶瓷靶材、鹵化鋅陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體的真空度設(shè)置在1.0X 10_3Pa 1.0X 10_5Pa之間；S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)
0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ;其中，基靶間距為45 95mm，就是指襯底與其中一個(gè)靶的垂直距離，另一個(gè)靶材就等做完第一個(gè)之后，再調(diào)整到第一個(gè)靶所在的位置就行了 ；S4、濺射鍍膜處理:首先濺射AZO陶瓷靶材，并在襯底表面沉積AZO層；接著濺射鹵化鋅陶瓷靶材，在AZO層表面沉積ZnR2層；濺射鍍膜處理完成后，制得AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜。所述的AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜的制備方法，優(yōu)選:所述步驟SI中，AZO陶瓷靶材中，ZnO質(zhì)量百分含量為97%，Al2O3的質(zhì)量百分含量為3%;所述AZO陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C，所述鹵化鋅陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為7500C ；所述步驟S2中，真空腔體的真空度設(shè)置在5.0X 10_4Pa ；所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25SCCm ;所述襯底溫度為500°C，所述濺射功率為100W ；所述步驟S4中，所述AZO層的厚度為50 300nm，鹵化鋅層的厚度為0.5 3nm ；更優(yōu)選，所述AZO層的厚度為150nm，鹵化鋅層的厚度為lnm。本發(fā)明的AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜，在450 790nm波長范圍可見光透過率85% 90%，方塊電阻范圍20 90Ω/ □，表面功函數(shù)5.5 6.1eV ;本發(fā)明的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜，既能保持良好的導(dǎo)電性能，又使薄膜的功函數(shù)得到顯著的提高；使用該薄膜作為OLED的陽極，可使其發(fā)光效率得到明顯的提高。采用磁控濺射設(shè)備制備AZO-ZnR2雙層導(dǎo)電膜，其制備工藝簡(jiǎn)單、易于控制。


圖1為實(shí)施例1制得的AZO-ZnF2雙層導(dǎo)電膜樣品的透射光譜。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。下述各實(shí)施例中的襯底均采用玻璃。實(shí)施例11、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為194g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為6g)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnF2粉體150g，在750°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnF2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnF2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnF2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；

4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ；
6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為150nm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnF2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為Inm的ZnF2層；最后得到AZO ZnF2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為6.0eV0圖1為實(shí)施例1制得的AZO-ZnF2雙層導(dǎo)電膜樣品的透射光譜；使用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)試，測(cè)試波長為300 900nm ;圖1中可知，薄膜在可見光范圍具有良好的透過性能，是優(yōu)秀的透明導(dǎo)電薄膜材料。實(shí)施例21、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為180g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為20g)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnF2粉體150g，在600°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnF2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnF2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnF2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為0.2Pa ;襯底溫度 為250°C，濺射功率為150W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為50mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnF2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為3nm的ZnF2層；最后得到AZO-ZnF2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍90 Ω/ □、表面功函數(shù)為
6.1eV0實(shí)施例31、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為199g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為Ig)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnF2粉體150g，在950°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnF2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnF2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnF2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為300mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnF2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為0.5nm的ZnF2層；最后得到AZO-ZnF2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為 5.5eV。實(shí)施例41、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為194g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為6g)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnCl2粉體150g，在750°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnCl2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnCl2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnCl2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍 膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為150nm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnCl2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為Inm的ZnCl2層；最后得到AZO-ZnCl2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25Ω/ □、表面功函數(shù)為6.0eV0實(shí)施例51、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為180g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為20g)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnCl2粉體150g，在600°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnCl2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnCl2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnCl2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為50mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnCl2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為3nm的ZnCl2層；最后得到AZO-ZnCl2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍70Ω/ □、表面功函數(shù)為6.1eV0實(shí)施例61、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為199g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為Ig)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnCl2粉體150g，在950°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnCl2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnCl2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnCl2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為300mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnCl2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為0.5nm的ZnCl2層；最后得到AZO-ZnCl2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為5.6eVo實(shí)施例71、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為194g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為6g)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnBr2粉體150g，在750°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnBr2陶瓷靶材樣品，將·陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnBr2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnBr2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25SCCm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為150nm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnBr2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為Inm的ZnBr2層；最后得到AZO-ZnBr2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25 Ω / □、表面功函數(shù)為5.9eV。實(shí)施例81、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為180g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為20g)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnBr2粉體150g，在600°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnBr2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnBr2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnBr2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為50mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnBr23陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為3nm的ZnBr2層；最后得到AZO-ZnBr2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍88 Ω / □、表面功函數(shù)為6.0eV0實(shí)施例91、選用純度分別為99.99%的ZnO和Al2O3粉體(其中，ZnO的質(zhì)量數(shù)為199g，Al2O3的質(zhì)量數(shù)為lg)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到AZO陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的AZO陶瓷靶材；以及選用純度分別為99.99%的ZnBr2粉體150g，在950°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到ZnBr2陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的ZnBr2陶瓷靶材；2、將AZO、ZnBr2陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35SCCm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ；6、接著進(jìn)行鍍膜:首先，濺射AZO陶瓷靶材，在玻璃襯底表面沉積厚度為300mm的TIO導(dǎo)電膜；接著，濺射ZnBr2陶瓷靶材，在AZO層表面沉積厚度為0.5nm的ZnBr2層；最后得到AZO-ZnBr2雙層導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜為透明狀；該導(dǎo)電膜的塊電阻范圍20 Ω/ □、表面功函數(shù)為5.8eVo 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種AZO-齒化鋅雙層導(dǎo)電膜,其特征在于，該雙層導(dǎo)電膜包括AZO層和齒化鋅層；其中，AZO層中，ZnO質(zhì)量百分含量為90 99.5 %，Al2O3的質(zhì)量百分含量為0.5 10 % ;鹵化鋅中的鹵素選自F、Cl或Br。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，AZO層中，ZnO質(zhì)量百分含量為97%, Al2O3的質(zhì)量百分含量為3%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，所述AZO層的厚度為50 300nm，鹵化鋅層的厚度為0.5 3nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜，其特征在于，所述AZO層的厚度為150nm,齒化鋅層的厚度為lnm。
5.一種AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，該制備方法的步驟如下: S1、稱取ZnO和Al2O3粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得AZO陶瓷靶材；其中，AZO陶瓷靶材中，ZnO質(zhì)量百分含量為80 97%，Al2O3的質(zhì)量百分含量為3 20% ;以及 將鹵化鋅粉體置于600 950°C下燒結(jié)處理，制得鹵化鋅陶瓷靶材；其中，鹵化鋅中的鹵素選自F、Cl或Br ； S2，將步驟SI中得的AZO陶瓷靶材、鹵化鋅陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體的真空度設(shè)置在1.0X 10_3Pa 1.0X 10_5Pa之間； S3，調(diào)整磁控濺射 鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ； S4、濺射鍍膜處理:首先濺射AZO陶瓷靶材，并在襯底表面沉積AZO層；接著濺射鹵化鋅陶瓷靶材，在AZO層表面沉積鹵化鋅層；濺射鍍膜處理完成后，制得AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，AZO陶瓷靶材中，ZnO質(zhì)量百分含量為97%，Al2O3的質(zhì)量百分含量為3% ;所述AZO陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C，所述鹵化鋅陶瓷靶材制備的燒結(jié)溫度為750°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，真空腔體的真空度設(shè)置在5.0X 10_4Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25sccm ;所述襯底溫度為500°C，所述濺射功率為100W。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述AZO層的厚度為50 300nm，鹵化鋅層的厚度為0.5 3nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述AZO層的厚度為150nm，鹵化鋅層的厚度為lnm。
全文摘要
本發(fā)明屬于導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，其公開了一種AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜及其制備方法；該雙層導(dǎo)電膜包括AZO層和鹵化鋅層；其中，AZO層中，ZnO質(zhì)量百分含量為80～97％，SnO2的質(zhì)量百分含量為3～20％；鹵化鋅層中，鹵素選自F、Cl或Br。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備，制備AZO-鹵化鋅雙層導(dǎo)電膜，其在450～790nm波長范圍可見光透過率85％～90％，方塊電阻范圍20～90Ω/□，表面功函數(shù)5.5～6.1eV。
文檔編號(hào)C23C14/08GK103243299SQ20121003021
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司