專利名稱：鹵素?fù)诫sito導(dǎo)電膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，尤其涉及一種鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電薄膜電極，是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個器件的發(fā)光效率。其中，氧化銦錫(ITO)是最常用的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。而ITO的功函數(shù)一般只有4.5eV,經(jīng)過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達(dá)到4.7 5.1eV,與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7 6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙著發(fā)光效率的提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題之一在于提供一種可以提高發(fā)光效率的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法。一種鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其制備工藝如下:S1、稱取In2O3、SnO2和SnA4粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得陶瓷靶材；其中，A選自F、Cl或Br ；In2O3> SnO2和SnA4粉體的摩爾數(shù)分別為1.6
2.0mol >0.05 0.3mol 以及 0.08 0.2mol ；S2，將步驟SI中得到的陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體設(shè)置成真空態(tài)；S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工`藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)
0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C ;濺射功率為30 150W ;接著進(jìn)行制膜，得到所述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為In203Ax:ySn4+ ;其中，A為摻雜元素，x的取值范圍為0.08 0.25, y的取值范圍為
0.1 0.19。上述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜制備方法中:步驟SI中，優(yōu)選，In2O3> SnO2和SnA4粉體的摩爾數(shù)分別為1.8mol、0.15mol以及
0.12mol，相應(yīng)地，步驟S3中，x的取值范圍為0.13，y的取值范圍為0.15 ;所述靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C。步驟S3中，優(yōu)選，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25SCCm ;所述襯底溫度為500°C ;所述濺射功率為100W。本發(fā)明所要解決的問題之二在于提供一種鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜采用上述方法制得，該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為In203Ax:ySn4+ ;其中，A為摻雜元素，X的取值范圍為0.08 0.25，y的取值范圍為0.1 0.19 ;優(yōu)選，x的取值范圍為
0.13，y的取值范圍為0.15。所述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其方塊電阻范圍為20 100 Ω / □以及表面功函數(shù)為5.5 6.1eV0本發(fā)明的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，在450 790nm波長范圍可見光透過率85% 90%，方塊電阻范圍20 100 Ω/ □，表面功函數(shù)5.5 6.leV，使用該薄膜作為OLED的陽極，可使其發(fā)光效率得到明顯的提高。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備制備鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其制備工藝簡單、易于控制。


圖1為實(shí)施例中鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備工藝流程圖；圖2為實(shí)施例1制得的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜樣品的透射光譜。
具體實(shí)施例方式本實(shí)施例中提供的一種齒素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜,該齒素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為In203Ax:ySn4+ ;其中，A為摻雜元素，A選自F、Cl或Br，x的取值范圍為0.08 0.25，y的取值范圍為0.1 0.19 ;優(yōu)選，X的取值范圍為0.13，y的取值范圍為0.15 ;所述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的方塊電阻范圍20 100 Ω / 口以及表面功函數(shù)為5.5 6.1eV0本實(shí)施例中提供的上述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜制備方法，如圖1所示，其制備工藝如下:S1、陶瓷靶材的制備:稱取ln203、SnOjP SnA4粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C (優(yōu)選1250°C )下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；其中，A選自F、Cl或Br ；In2O3> SnO2和SnA4粉體的摩爾數(shù)分別為 1.6 2.0mol.0.05 0.3mol 以及 0.08 0.2mol ；S2、將步驟SI中的陶瓷靶材和襯底(如，玻璃)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，，并將真空腔體設(shè)置成真空態(tài)；真空態(tài)的真空度是采用機(jī)械泵和分子泵把腔體抽至1.0X KT3Pa 1.0X I(T5Pa,優(yōu)選真空度為 5.0X KT4Pa ；S3、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，優(yōu)選60mm ;襯底溫度為250°C 750°C，優(yōu)選500°C ;氬氣工作氣體的氣體流量10 35sccm，優(yōu)選25sccm ;磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2 4Pa，優(yōu)選2.0Pa ;濺射功率為30 150W，優(yōu)100W ;工藝參數(shù)調(diào)整完畢后，接著進(jìn)行制膜，得到所述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為In2O3AxIySn4+ ;其中，A為摻雜元素，x的取值范圍為0.08 0.25，y的取值范圍為0.1
0.19。上述制備方法的步驟SI中，優(yōu)選，ln203、SnOjP SnA4粉體的摩爾數(shù)分別為1.8mol、
0.15mol以及0.12mol，相應(yīng)地，步驟S3中，x的取值范圍為0.13，y的取值范圍為0.15。鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，在450 790nm波長范圍可見光透過率85% 90%，方塊電阻范圍20 100Ω/ □，表面功函數(shù)5.5 6.leV，使用該薄膜作為OLED的陽極，可使其發(fā)光效率得到明顯的提高。采用磁控濺射設(shè)備制備鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其制備工藝簡單、易于控制。下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。下述各實(shí)施例中的襯底均采用玻璃。

實(shí)施例1
1、選用純度分別為99.99%的ln203、SnO2和SnF4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為1.8mol，SnO2的摩爾數(shù)為0.15mol, SnF4的摩爾數(shù)為0.12mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3F0.η:0.15Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍30Ω/ 口、表面功函數(shù)為6.0eV0圖2為實(shí)施例1制得的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜樣品的透射光譜；使用紫外可見分光光度計(jì)測試，測試波長為300 900nm ;圖2中可知，薄膜在可見光范圍具有良好的透過性能，是優(yōu)秀的透明導(dǎo)電薄膜材料。實(shí)施例21、選用純度分別為99.99%的ln203、SnO2和SnF4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為1.6mol, SnO2的摩爾數(shù)為0.05mol, SnF4的摩爾數(shù)為0.2mol)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材 樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為0.2Pa ;襯底溫度為250°C，濺射功率為150W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3F0.25: 0.16Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍90 Ω / 口、表面功函數(shù)為6.1eV0實(shí)施例31、選用純度分別為99.99%的In2O3> SnO2和SnF4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為2mol，Sn02的摩爾數(shù)為0.3mol，SnF4的摩爾數(shù)為0.08mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3F0.0s:0.19Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍22Ω/ 口、表面功函數(shù)為5.5eV。實(shí)施例41、選用純度分別為99.99%的ln203、SnO2和SnCl4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為1.8mol，Sn02的摩爾數(shù)為0.15mol, SnCl4的摩爾數(shù)為0.12mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In203Clai3:0.15Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍50 Ω / □、表面功函數(shù)為5.9eV0實(shí)施例51、選用純度分別為99.99%的In203、Sn02和Sn Cl4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為
1.6mol，SnO2的摩爾數(shù)為0.05mol, Sn Cl4的摩爾數(shù)為0.2mol)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為0.2Pa ;襯底溫度為250 °C，濺射功率為150W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In203Cla25:0.16Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍30 Ω/ □、表面功函 數(shù)為6.0eV0實(shí)施例61、選用純度分別為99.99%的In203、Sn02和Sn Cl4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為2mol，Sn02的摩爾數(shù)為0.3mol，Sn Cl4的摩爾數(shù)為0.08mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；
3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3Cl0.0s: 0.19Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍25 Ω / □、表面功函數(shù)為5.7eV。實(shí)施例71、選用純度分別為99.99%的ln203、SnO2和SnBr4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為
1.8mol，Sn02的摩爾數(shù)為0.15mol，SnBr4的摩爾數(shù)為0.12mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為60mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到5.0XKT4Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為25sCCm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa;襯底溫度為500°C，濺射功率為100W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3Brai3 = 0 .15Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍40 Ω / □、表面功函數(shù)為5.6eV0實(shí)施例81、選用純度分別為99.99%的ln203、SnO2和SnBr4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為
1.6mol,Sn02的摩爾數(shù)為0.05mol，SnBr4的摩爾數(shù)為0.2mol)，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為45mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT3Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為IOsccm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為0.2Pa ;襯底溫度為250 °C，濺射功率為150W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3Bra25 = 0.16Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍100 Ω/ □、表面功函數(shù)為6.0eVo實(shí)施例91、選用純度分別為99.99%的ln203、SnO2和SnBr4粉體(其中，In2O3的摩爾數(shù)為2mol，SnO2的摩爾數(shù)為0.3mol, SnBr4的摩爾數(shù)為0.08mol)，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結(jié)，自然冷卻，得到陶瓷靶材樣品，將陶瓷靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的陶瓷靶材；2、將陶瓷靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進(jìn)行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)；其中，靶材和玻璃的基靶間距設(shè)定為95mm ；4、用機(jī)械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體的真空度抽到
1.0XKT5Pa ；5、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù):氬氣工作氣體流量為35sCCm;磁控濺射工作壓強(qiáng)為4.0Pa ;襯底溫度為750°C，濺射功率為30W ;接著進(jìn)行制膜，得到結(jié)構(gòu)式為In2O3Br0.08:0.19Sn4+的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的塊電阻范圍70 Ω / □、表面功函數(shù)為5.5eV。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對本發(fā)明專利保護(hù)范 圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，該制備方法的步驟如下: S1、稱取ln203、SnO2和SnA4粉體，經(jīng)過均勻混合后，在900 1300°C下燒結(jié)處理，制得陶瓷靶材；其中，A選自F、Cl或Br，In2O3'SnO2和SnA4粉體的摩爾數(shù)分別為1.6 2.0mol、0.05 0.3mol 以及 0.08 0.2mol ； S2，將步驟SI中制得的陶瓷靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體中，并將真空腔體設(shè)置成真空狀態(tài)； S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為:基靶間距為45 95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2 4Pa，氬氣工作氣體的流量為10 35SCCm，襯底溫度為250°C 750°C，濺射功率為30 150W ;接著進(jìn)行制膜，得到所述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜；該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為In2O3AxIySn4+ ;其中，A為摻雜元素，x的取值范圍為0.08 0.25，y的取值范圍為0.1 0.19。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟SIΦ, In2O3^SnO2 SnA4粉體的摩爾數(shù)分別為1.8mol、0.15mol以及0.12mol，相應(yīng)地，步驟S3中，X的取值范圍為0.13，y的取值范圍為0.15。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，所述靶材制備的燒結(jié)溫度為1250°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述真空狀態(tài)的真空度為1.0 X KT3Pa 1.0 X 10_5Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述真空狀態(tài)的真空度為5.0X10_4Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述基靶間距為60mm ;所述磁控濺射工作壓強(qiáng)為2.0Pa ;所述氬氣工作氣體的流量為25sccm ;所述襯底溫度為500°C ;所述濺射功率為100W。
7.一種采用權(quán)利要求1所述制備方法制得的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其特征在于，該鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的化學(xué)通式為In2O3Ax:ySn4+ ;其中，A為摻雜元素，x的取值范圍為0.08 0.25，y的取值范圍為0.1 0.19。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其特征在于，X的取值范圍為0.13，y的取值范圍為0.15。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其特征在于，所述鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜的方塊電阻范圍為20 100 Ω / 口以及表面功函數(shù)為5.5 6.1eV0
全文摘要
本發(fā)明屬于導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域，其公開了一種鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜及其制備方法；該導(dǎo)電薄膜的化學(xué)通式為In2O3Ax:ySn4+；其中，A為摻雜元素，A選自F、Cl或Br，x的取值范圍為0.08～0.25，y的取值范圍為0.1～0.19。本發(fā)明采用磁控濺射設(shè)備，制備鹵素?fù)诫sITO導(dǎo)電膜，其在450～790nm波長范圍可見光透過率85％～90％，方塊電阻范圍20～100Ω/□，表面功函數(shù)5.5～6.1eV。
文檔編號C23C14/35GK103243298SQ201210030228
公開日2013年8月14日 申請日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月10日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司