一種cmp片狀研磨修整器及其生產(chǎn)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種CMP片狀研磨修整器，其包括修整本體，所述修整本體包括由外到內(nèi)依次設(shè)置的超細(xì)磨粒層、中間層和基體層，所述中間層為低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑，所述超細(xì)磨粒層通過低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑與所述基體層連接。還提供一種CMP片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法，包括步驟：母板上預(yù)鍍超細(xì)磨粒，把固定在母板的超細(xì)磨粒層反轉(zhuǎn)后裝到基體層上，除去母板，化學(xué)處理。本發(fā)明的CMP片狀研磨修整器，使參與研磨工作的磨粒數(shù)穩(wěn)定，從而使加工對象（或者PAD）的研磨量定量化，而且能使磨粒保持充分的把持力，不會掉砂并能提高效率、高精度地加工，本發(fā)明提供的CMP片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法簡單，易操作。
【專利說明】[0001] 一種CMP片狀研磨修整器及其生產(chǎn)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及金剛砂、CBN (立方氮化硼)的超細(xì)磨粒【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種C Μ P 片狀研磨修整器及其生產(chǎn)方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 以前的CMP，直接把超細(xì)磨粒先預(yù)鍍到基體上，然后再正式電鍍到基體上。正式 電鍍的鍍層厚度一般在超細(xì)磨粒直徑的5 0 %?7 0 %，從鍍層突出的超細(xì)磨粒需要接觸 加工對象才能加工，但超細(xì)磨粒的大小不一，例如用#1〇〇的金剛砂時(shí)，買入的超細(xì)磨粒粒 徑就在1 2 7 μ m?1 6 5 μ m之間，最大差也有3 8 μ m，這樣，接觸加工對象的超細(xì) 磨粒的凹凸有3 8 μ m左右，不能進(jìn)行定量研磨。如果把超細(xì)磨粒的粒徑進(jìn)行最高分級的 話，也只能得到1 2 7 μ m?1 1 6 μ m左右的超細(xì)磨粒，最大差仍有1 1 μ m。另外，如 果對買入的超細(xì)磨粒進(jìn)行分級，它的合格率會下降，只有3 0 %?5 0 %可用，提高了生產(chǎn) 成本。為提高研磨力，正式電鍍時(shí)會把鍍層鍍薄，但這樣容易發(fā)生掉砂。另外，為了讓超細(xì) 磨粒尖端一致，有時(shí)會對電鍍后的金剛砂、C B N工具進(jìn)行再研磨，但是再研磨超細(xì)磨粒尖 端，會把作用于加工物的超細(xì)磨粒的表面積加大，導(dǎo)致對加工物的研磨力降低或者不穩(wěn)定， 而且再研磨會對超細(xì)磨粒造成損傷，可能導(dǎo)致磨粒表面發(fā)生開裂或鍍層發(fā)生破邊，鍍層發(fā) 生破邊時(shí)，加工中，有的超細(xì)磨粒會混入研磨對象（P A D)中，造成更大的破邊，從而帶來 很大的經(jīng)濟(jì)損失。
[0004]


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種具有穩(wěn)定的研磨力、經(jīng)久耐用且沒有掉 砂的C Μ P片狀研磨修整器及其生產(chǎn)方法。
[0006] 本發(fā)明解決其技術(shù)問題提供一種C Μ Ρ片狀研磨修整器，其包括修整本體，所述 修整本體包括由外到內(nèi)依次設(shè)置的超細(xì)磨粒層、中間層和基體層，所述中間層為低熔點(diǎn)金 屬或結(jié)合劑，所述超細(xì)磨粒層通過低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑與所述基體層連接。
[0007] 本發(fā)明還提供一種CM Ρ片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法，包括步驟： a) 母板上預(yù)鍍超細(xì)磨粒； 在母板上預(yù)鍍超細(xì)磨粒后，再正式電鍍固定砂粒，形成超細(xì)磨粒層； b) 把固定在母板的超細(xì)磨粒層反轉(zhuǎn)后裝到基體層上； 使用夾具把固定在母板的超細(xì)磨粒裝到基體層上，接合時(shí)基體層和超細(xì)磨粒層尖端平 行，所述基體層和所述超細(xì)磨粒層之間用低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑連接； c) 除去母板； d) 化學(xué)處理，把15%的HC1與Na2B407混合，并升溫至50°C。
[0008] 作為對本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述步驟a中的正式電鍍鍍層的厚度是 超細(xì)磨粒粒徑的1 0 0 %?2 0 0 %。
[0009] 作為對本發(fā)明所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述步驟b中使用的低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn) 在2 0 0 °C以下。
[0010] 因此，本發(fā)明提供的c Μ P片狀研磨修整器，使參與研磨工作的磨粒數(shù)穩(wěn)定，從而 使加工對象(或者PAD)的研磨量定量化，而且能使磨粒保持充分的把持力，不會掉砂并能提 高效率、高精度地加工，本發(fā)明提供的C Μ P片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法簡單，易操作。
[0011]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中： 圖1是本發(fā)明的CMP片狀研磨修整器的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明的CΜΡ片狀研磨修整器生產(chǎn)方法步驟圖； 圖3是本發(fā)明的C Μ Ρ片狀研磨修整器生產(chǎn)方法步驟10示意圖； 圖4是本發(fā)明的C Μ Ρ片狀研磨修整器生產(chǎn)方法步驟20示意圖； 圖5是本發(fā)明的C Μ Ρ片狀研磨修整器生產(chǎn)方法步驟30示意圖； 現(xiàn)將附圖中的標(biāo)號說明如下：1為超細(xì)磨粒層，2為中間層，3為基體層，4為母板，步驟 10為預(yù)鍍超細(xì)磨粒，步驟20為反轉(zhuǎn)后裝到基體層，步驟30為除去母板，步驟40為化學(xué)處 理。
[0013]

【具體實(shí)施方式】
[0014] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不 用于限定本發(fā)明。
[0015] 如圖1所示，本發(fā)明具體實(shí)施例的CM Ρ片狀研磨修整器，其包括修整本體，修整 本體包括由外到內(nèi)依次設(shè)置的超細(xì)磨粒層1、中間層2和基體層3,中間層2為低熔點(diǎn)金屬 或結(jié)合劑，超細(xì)磨粒層1通過低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑與基體層3連接。
[0016] 如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例的一種CM P片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法，包括 步驟： 步驟10 :預(yù)鍍超細(xì)磨粒。
[0017] 如圖3所示，在母板4上預(yù)鍍超細(xì)磨粒，再正式電鍍固定砂粒，形成超細(xì)磨粒層1， 正式電鍍鍍層的厚度是超細(xì)磨粒粒徑的1 〇 〇 %?2 0 0 %，正式固定在接近常溫的環(huán)境 下進(jìn)行； 步驟20:反轉(zhuǎn)后裝到基體層。
[0018] 如圖4所示，使用制作裝用的夾具把固定在母板的超細(xì)磨粒層1反轉(zhuǎn)后裝到基體 層3上，接合時(shí)基體層3和超細(xì)磨粒層1尖端平行，基體層和超細(xì)磨粒層之間用低熔點(diǎn)金屬 或結(jié)合劑連接，低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)在最好在2 0 (TC以下，用樹脂結(jié)合劑對環(huán)境溫度不做 要求，但低熔點(diǎn)金屬和樹脂結(jié)合劑固化時(shí)會收縮，需要考慮它們各自的配比； 步驟30:除去母板。
[0019] 如圖5所示，除去母板4,低熔點(diǎn)金屬層或樹脂結(jié)合劑層的結(jié)合強(qiáng)度非常弱，所以 去除母板時(shí)不得使用很大的力氣，另外，結(jié)合分界處有數(shù)厘米的母板殘留，殘留部最好用化 學(xué)方式去除。
[0020] 步驟40 :化學(xué)處理，把15%的HC1與Na2B407混合，并升溫至50°C。
[0021] 正式固定超細(xì)磨粒的材料和超細(xì)磨粒在同一平面的話，會對研磨有影響，所以，要 去除固定超細(xì)磨粒的材料，突出超細(xì)磨粒，突出超細(xì)磨粒的方法，使用機(jī)械方式會對超細(xì)磨 粒造成損傷，所以最好采用化學(xué)方法，處理后便形成如圖1所示的c Μ P片狀研磨修整器。
[0022] 本發(fā)明提供的C Μ Ρ片狀研磨修整器，使參與研磨工作的磨粒數(shù)穩(wěn)定，從而使加 工對象(或者PAD)的研磨量定量化，而且能使磨粒保持充分的把持力，不會掉砂并能提高效 率、高精度地加工，本發(fā)明提供的C Μ P片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法簡單，易操作。
[0023] 應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換， 而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種C Μ P片狀研磨修整器，其包括修整本體，其特征在于，所述修整本體包括由外 到內(nèi)依次設(shè)置的超細(xì)磨粒層、中間層和基體層，所述中間層為低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑，所述超 細(xì)磨粒層通過低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑與所述基體層連接。
2. -種C Μ P片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括步驟： a) 母板上預(yù)鍍超細(xì)磨粒； 在母板上預(yù)鍍超細(xì)磨粒后，再正式電鍍固定砂粒，形成超細(xì)磨粒層； b) 把固定在母板的超細(xì)磨粒層反轉(zhuǎn)后裝到基體層上； 使用夾具把固定在母板的超細(xì)磨粒裝到基體層上，接合時(shí)基體層和超細(xì)磨粒層尖端平 行，所述基體層和所述超細(xì)磨粒層之間用低熔點(diǎn)金屬或結(jié)合劑連接； c) 除去母板； d) 化學(xué)處理，把15%的HC1與Ν%Β407混合，并升溫至50°C。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種C Μ P片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述 步驟a中的正式電鍍鍍層的厚度是超細(xì)磨粒粒徑的1 0 0 %?2 0 0 %。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種C Μ P片狀研磨修整器的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述 步驟b中使用的低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)在2 0 0 °C以下。
【文檔編號】B24B53/017GK104084884SQ201410313824
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月3日
【發(fā)明者】鄒余耀 申請人:南京三超金剛石工具有限公司