本發(fā)明涉及氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)工藝，尤其涉及一種改良的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜退火方法。

背景技術(shù)：

透明導(dǎo)電薄膜被廣泛應(yīng)用于太陽電池，平板顯示器，熱鏡和有機(jī)電致發(fā)光二極管等光電子器件。由于這些電子器件的面板上所使用的基板通常本身不具有導(dǎo)電性，因此需要在基板上鍍上一層透明導(dǎo)電電極。這種經(jīng)過制作后具導(dǎo)電性的基板即為透明導(dǎo)電薄膜。由于具有較低電阻率以及在300~1200nm波段間的良好的透過率，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜近年來備受人們關(guān)注。

近年來，為了進(jìn)一步改善氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率和透過率，研究者開始嘗試在制備步驟完成后加入后續(xù)的退火步驟，即在高溫下對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理，以促進(jìn)半導(dǎo)體薄膜中氧化銦晶體的形成。 例如，在Phys. Status Solidi RRL 8, No. 12, 987–990 (2014)中，記載了在利用原子層沉積系統(tǒng)（ALD）制備氧化銦透明導(dǎo)電薄膜后，再在200 ℃下進(jìn)行1 h的氮?dú)馔嘶?。然而在退火后，氧化銦透明?dǎo)電薄膜的電阻率僅下降了0.08 mΩ?cm。又例如，在Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, No. 28, 2007, pp. L685–L687中，記載了在利用磁控濺射法制備氧化銦透明導(dǎo)電薄膜后，再在200 ℃下進(jìn)行2 h的真空退火。然而在退火后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率僅僅下降了0.1 mΩ?cm。

由上述的例子可見，盡管在退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率有所降低，但這種降低的幅度非常小，效果并不明顯。這是因?yàn)楸M管上述的退火處理提高了導(dǎo)電薄膜的結(jié)晶，導(dǎo)致載流子遷移率升高并引起電阻率的下降，但其同時(shí)引起載流子濃度的下降，導(dǎo)致薄膜電阻率下降并不明顯。

為了改善氧化銦透明薄膜的電阻率，另一種方案是在薄膜中摻雜其它氧化物。例如，在得到廣泛應(yīng)用的氧化銦錫薄膜（ITO，或者摻錫氧化銦）中，氧化銦與氧化錫的比例約為9:1。在氧化銦中摻雜氧化錫主要是為了提高氧化銦薄膜里的載流子濃度，從而獲得更為降低的電阻率，提高薄膜的電導(dǎo)率；然而摻雜氧化錫會(huì)同時(shí)導(dǎo)致薄膜透過率的下降，尤其是在近紅外波段。

綜上所述，目前對(duì)氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的后續(xù)處理和工藝改良很難實(shí)現(xiàn)在有效降低其電阻率的同時(shí)保持或提高其透射率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種改良的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜退火方法，在使用本方法進(jìn)行退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率得到較大降低，且其在300~1200nm波段的透射率得到明顯提高。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種改良的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜退火方法，其特征在于：在氣體氛圍下對(duì)氧化銦透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行退火處理，所述的氣體氛圍選自高純氫氣、水蒸氣、氮?dú)鈿錃饣旌蠚?、一氧化碳、水蒸氣空氣混合氣中的一種或多種。

當(dāng)選擇多種氣體進(jìn)行混合時(shí)，所選用的各種氣體之間無比例限制，可為任意配比。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在使用上述的一種或多種氣體作為氣體氛圍進(jìn)行退火時(shí)，所得的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率顯著降低，且其在300~1200nm波段的透射率得到明顯提高。經(jīng)實(shí)驗(yàn)得知，當(dāng)氣體氛圍為高純氫氣或水蒸氣時(shí)，退火后所得的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率最低。因此，上述的氣體氛圍進(jìn)一步優(yōu)選為高純氫氣或進(jìn)一步優(yōu)選為水蒸氣。

具體而言，在所述的氮?dú)鈿錃饣旌蠚庵校獨(dú)馀c氫氣的體積比為99:1至1：99。

具體而言，在所述的水蒸氣空氣混合氣中，水蒸氣與空氣的體積比為99:1至1：99。

具體而言，在本發(fā)明的退火方法中，所述退火處理的退火溫度為250 ℃至600 ℃，退火時(shí)間為3 min至5 h。

本發(fā)明所使用的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜可通過本領(lǐng)域常用的方法進(jìn)行制備。優(yōu)選地，所述的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜薄膜通過薄膜沉積技術(shù)在柔性塑料基底或硬性基底上進(jìn)行制備，沉積速率為0.1至100埃每秒，襯底溫度為25至200 ℃，制備所得的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜厚度為50至1000nm。具體而言，所述的薄膜沉積技術(shù)優(yōu)選為濺射法、化學(xué)反應(yīng)熱蒸發(fā)法、離子束沉積法、離子束增強(qiáng)沉積法、化學(xué)氣相沉積法或激光消融沉積法。柔性塑料基底優(yōu)選為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET）、萘二甲酸聚乙烯酯（PEN）、聚醚砜（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚砜、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、芳香族聚酯、聚酰亞胺、聚醚酯、聚醚酰胺、乙酸纖維素、脂肪族聚氨酯、聚丙烯晴、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯或脂肪族或聚(二(環(huán)戊二烯))。所述的硬性基底優(yōu)選為單晶硅、多晶硅、非晶硅或玻璃。

有益效果：

1.經(jīng)本發(fā)明的方法退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200 nm波段范圍內(nèi)的透過率接近90%，近紅外波段平均透過率超過925，且電阻率的下降幅度大，退火后電阻率下降至0.35 mΩ?cm左右，有望取代目前工業(yè)上透過率較差的ITO薄膜，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景；

2.當(dāng)使用經(jīng)本發(fā)明的退火方法處理后的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜作為異質(zhì)結(jié)太陽電池的窗口層時(shí)，能夠明顯提高這些太陽電池的轉(zhuǎn)換效率；

3.本發(fā)明的退火方法所使用的儀器設(shè)備主要為退火爐，與現(xiàn)有的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜生產(chǎn)工藝對(duì)接良好，無需另外使用專門設(shè)備。此外，退火工藝在較低溫度，如250℃下仍能取得良好效果，故生產(chǎn)成本較低。

附圖說明

下面結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說明。

圖1示出了實(shí)施例1的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖2示出了實(shí)施例2的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖3示出了實(shí)施例3的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖4示出了實(shí)施例4的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖5示出了實(shí)施例5的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖6示出了實(shí)施例6的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖7示出了實(shí)施例7的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖8示出了實(shí)施例8的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果；

圖9示出了實(shí)施例9的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在經(jīng)退火和未經(jīng)退火處理后在300~1200nm波段的透射率測(cè)量結(jié)果。

具體實(shí)施方式

以下列舉具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。需要指出的是，實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明，不代表本發(fā)明的保護(hù)范圍，其他人根據(jù)本發(fā)明作出的非本質(zhì)的修改與調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

在下文的實(shí)驗(yàn)步驟中，使用PhysTech公司的 RH2035B霍爾效應(yīng)測(cè)試儀對(duì)電阻率進(jìn)行測(cè)量；使用日立U-4100紫外/可見/近紅外分光光度計(jì)對(duì)透過率進(jìn)行測(cè)量。

實(shí)施例1

本實(shí)施例采用磁控濺射法在玻璃襯底材料上沉積氧化銦透明導(dǎo)電薄膜，并在氮?dú)鈿錃饣旌蠚夥諊逻M(jìn)行退火。具體步驟如下：

1.通過磁控濺射法在玻璃襯底材料上制備氧化銦透明導(dǎo)電薄膜。該氧化銦透明導(dǎo)電薄膜厚度為100 nm，襯底溫度為150 ℃。

2.將步驟1所得的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜放入退火爐中的石英舟；

3.打開高純氮?dú)忾_關(guān)，向退火管通入高純氮?dú)鈨煞昼?，以將退火爐中的空氣排凈；

4.關(guān)閉高純氮?dú)忾_關(guān)，打開氮?dú)鈿浠旌蠚獾拈_關(guān)，向退火管內(nèi)通入氮?dú)鈿錃饣旌蠚猓辉谠摰獨(dú)鈿錃饣旌蠚庵?，氮?dú)馀c氫氣的體積比為9:1；

5.在氮?dú)鈿錃饣旌蠚獾姆諊羞M(jìn)行退火，退火溫度為250 ℃，退火時(shí)間為30 min；

6.退火完畢后，關(guān)閉氮?dú)馀c氫氣的混合氣開關(guān)，重新打開高純氮?dú)忾_關(guān)，通入高純氮?dú)鈨煞昼?，以將退火爐中的混合氣體排凈，完成氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的制備。

對(duì)經(jīng)上述退火處理和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜（即通過上述第一步制備的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜）進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量。未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為5.16×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為4.42×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了51mΩ?cm。

圖1示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖1可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在近紅外波段（780-1200 nm）的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例2

本實(shí)施例采用化學(xué)反應(yīng)熱蒸發(fā)法制備氧化銦透明導(dǎo)電薄膜，并在氮?dú)鈿錃饣旌蠚夥諊逻M(jìn)行退火。具體步驟如下：

1. 使用乙醇溶液和去離子水對(duì)玻璃基底材料進(jìn)行超聲各5 min，將玻璃基底材料轉(zhuǎn)移到電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)的旋轉(zhuǎn)載物臺(tái)上，使用鎢舟裝載金屬銦顆粒進(jìn)行沉積，使用真空系統(tǒng)將蒸發(fā)室的壓力抽至1×10^-3 Pa；

2.向蒸發(fā)室持續(xù)通入高純氧氣，使蒸發(fā)室氣壓維持在1×10^-1 Pa，襯底溫度為25 ℃；載物臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)置為30轉(zhuǎn)每分鐘。使用蒸發(fā)電源鎢舟進(jìn)行加壓，使氧化銦的蒸發(fā)速率為0.3埃每秒。打開擋板，開始沉積薄膜；當(dāng)蒸發(fā)薄膜厚度為100 nm時(shí)停止沉積薄膜，完成氧化銦薄膜的沉積；

3. 將步驟2得到的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜放入退火爐中的石英舟；

4.打開高純氮?dú)忾_關(guān)，向退火管通入高純氮?dú)鈨煞昼?，將退火爐中的空氣排凈；

5.關(guān)閉高純氮?dú)忾_關(guān)，打開氮?dú)鈿錃饣旌蠚獾拈_關(guān)，向退火管內(nèi)通入氮?dú)鈿錃饣旌蠚?；在該氮?dú)鈿錃饣旌蠚庵?，氮?dú)馀c氫氣的體積比為99:1；

6.在氮?dú)鈿錃饣旌蠚獾姆諊羞M(jìn)行退火，退火溫度為300℃，退火時(shí)間為20 min；

7.退火完畢后，關(guān)閉氮?dú)馀c氫氣的混合氣開關(guān)，重新打開高純氮?dú)忾_關(guān)，通入高純氮?dú)鈨煞昼?，以將退火爐中的混合氣體排凈，完成氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的制備。

對(duì)經(jīng)上述退火處理和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜（即通過上述第1、2步制備的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜）進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量。未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為1.72×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為4.44×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了17mΩ?cm。

圖2示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在300~600nm波段的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例3

本實(shí)施例采用化學(xué)溶液法在玻璃基底材料上沉積氧化銦透明導(dǎo)電薄膜，并在高純氫氣氛圍下進(jìn)行退火，具體步驟如下：

1. 使用乙醇溶液和去離子水對(duì)玻璃基底材料進(jìn)行超聲各5 min，使用化學(xué)溶液法制備氧化銦薄膜。薄膜厚度約100 nm；

2.將通過得到的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜放入退火爐中的石英舟；

3.打開高純氮?dú)忾_關(guān)，向退火管通入高純氮?dú)鈨煞昼姡詫⑼嘶馉t中的空氣排凈；

4.關(guān)閉高純氮?dú)忾_關(guān)，打開高純氫氣的開關(guān)，向退火管內(nèi)通入高純氫氣；

5.在高純氫氣氛圍中進(jìn)行退火，退火溫度為250 ℃，退火時(shí)間為60min；

6.退火完畢后，關(guān)閉高純氫氣開關(guān)，重新打開高純氮?dú)忾_關(guān)，通入高純氮?dú)鈨煞昼?，以將退火爐中的高純氫氣排凈，完成氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的制備。

上述的化學(xué)溶液法依據(jù)W. Zhang等, Controllable biomolecule-assisted synthesis and gas sensing properties of In₂O₃ micro/nanostructures with double phases, Sensors and Actuators B: Chemical, 239 (2017) 270-278中公開的步驟進(jìn)行。

對(duì)經(jīng)上述退火處理和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜（即通過上述第1步制備的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜）進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量。未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為7.47×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為4.02×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了74mΩ?cm。

圖3示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在780-1200nm左右波段的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例4

本實(shí)施例采用離子束沉積法在玻璃襯底材料上沉積氧化銦透明導(dǎo)電薄膜，并在水蒸氣氛圍下進(jìn)行退火。具體步驟如下：

1.使用乙醇溶液和去離子水對(duì)玻璃基底材料進(jìn)行超聲各5 min，將玻璃基底材料轉(zhuǎn)移到離子束鍍膜機(jī)的旋轉(zhuǎn)載物臺(tái)上，使用氧化銦粉末進(jìn)行沉積，使用真空系統(tǒng)將蒸發(fā)室的壓力抽至1×10^-3 Pa；

2.將旋轉(zhuǎn)載物臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度設(shè)置為每分鐘30轉(zhuǎn)，并使氧化銦的蒸發(fā)速率達(dá)到0.3埃每秒。打開擋板，開始沉積薄膜；當(dāng)蒸發(fā)薄膜厚度為100nm時(shí)停止沉積薄膜，完成氧化銦薄膜的沉積；

3.將步驟2得到的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜放入退火爐中的石英舟；

4.打開高純氮?dú)忾_關(guān)，向退火管通入高純氮?dú)鈨煞昼?，將退火爐中的空氣排凈；

5.關(guān)閉高純氮?dú)忾_關(guān)，打開水蒸氣的開關(guān)，向退火管內(nèi)通入水蒸氣；

6.在水蒸氣的氛圍中進(jìn)行退火，退火溫度為250 ℃，退火時(shí)間為90 min；

7.退火完畢后，關(guān)閉水蒸氣開關(guān)，重新打開高純氮?dú)忾_關(guān)，通入高純氮?dú)鈨煞昼?，將退火爐中的水蒸氣排凈，完成氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的制備。

對(duì)經(jīng)上述退火處理和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜（即通過上述第1、2步制備的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜）進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量。未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為5.77×10^-3Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為7.55×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了5mΩ?cm。

圖4示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在780-1200nm波段的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例5

本實(shí)施例與實(shí)施例1的唯一不同之處在于：退火的氣體氛圍選用一氧化碳。

對(duì)經(jīng)本實(shí)施例的退火處理和未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量，測(cè)得未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為1.32×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為6.30×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了13mΩ?cm。

圖5示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在780-1200nm左右的波段的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例6

本實(shí)施例與實(shí)施例1的唯一不同之處在于：退火的氣體氛圍選用水蒸氣空氣混合氣，水蒸氣和空氣的體積比為99:1。

對(duì)經(jīng)本實(shí)施例的退火處理和未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量，測(cè)得未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為1.32×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為6.31×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了13mΩ?cm。

圖6示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在780-1200nm左右的波段的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例7

本實(shí)施例與實(shí)施例1的唯一不同之處在于：退火的氣體氛圍選用氫氣與一氧化碳的混合氣體，氫氣和一氧化碳的體積比為50:50。

對(duì)經(jīng)本實(shí)施例的退火處理和未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量，測(cè)得未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為1.08×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為6.52×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了10mΩ?cm。

圖7示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段的透射率均得到了明顯提高。

實(shí)施例8

本實(shí)施例與實(shí)施例1的唯一不同之處在于：退火的氣體氛圍選用氫氣氮?dú)饣旌蠚夂退魵饪諝饣旌蠚?，氫氣氮?dú)饣旌蠚夂退魵饪諝饣旌蠚獾捏w積比為20:80；在氫氣氮?dú)饣旌蠚庵校瑲錃夂偷獨(dú)獾捏w積比為1:99；在水蒸氣空氣混合氣中，水蒸氣和空氣的體積比為1:99。

對(duì)經(jīng)本實(shí)施例的退火處理和未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量，測(cè)得未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為1.08×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為3.65×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了10mΩ?cm。

圖8示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在780-1200nm左右的波段的透射率得到了明顯提高。

實(shí)施例9

本實(shí)施例與實(shí)施例1的唯一不同之處在于：退火的氣體氛圍選用氫氣、一氧化碳和水蒸氣的混合氣，氫氣：一氧化碳：水蒸氣的體積比為20:40:40。

對(duì)經(jīng)本實(shí)施例的退火處理和未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行電阻率和透射率的測(cè)量，測(cè)得未經(jīng)退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為1.08×10^-2Ω?cm，經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜的電阻率為3.29×10^-4Ω?cm，即經(jīng)上述退火處理后，氧化銦透明薄膜的電阻率下降了10mΩ?cm。

圖9示出了經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜和未經(jīng)上述退火處理的氧化銦透明導(dǎo)電薄膜對(duì)波長為300~1200nm的光的透射率測(cè)量結(jié)果。由圖可見，經(jīng)退火處理后，氧化銦透明導(dǎo)電薄膜在300~1200nm波段，尤其是在780-1200nm左右的波段的透射率得到了明顯提高。

以上列舉的具體實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的說明。需要指出的是，以上實(shí)施例只用對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，不代表本發(fā)明的保護(hù)范圍，其他人根據(jù)本發(fā)明的提示做出的非本質(zhì)的修改和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。