本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種實現(xiàn)自動清洗的烘烤腔結(jié)構(gòu)及其自動清洗方法。

背景技術(shù)：

眾所周知，金屬成膜對腔體的真空度要求較高。一般腔體的預(yù)先壓力需達到10E^-8Torr級別后硅片方可進入腔體進行后續(xù)的成膜動作。因此金屬成膜的設(shè)備安裝有烘烤-Degas腔體，即通過高溫烘烤吹氣去除硅片表面附著的水汽。

但這樣也帶來一種弊端，前道硅片上的副產(chǎn)物隨著烘烤時水汽的蒸騰而揮發(fā)，被帶離硅片表面，繼而逐漸在烘烤腔體的內(nèi)壁和烘烤腔體的加熱器上堆積，如圖1所示，最終造成整個烘烤腔體的顆粒數(shù)增加。

現(xiàn)有技術(shù)的清洗方式為手動的濕法清洗：打開烘烤腔，通過人工擦拭實現(xiàn)對腔體內(nèi)壁及加熱器表面的清潔，從而減少烘烤腔體內(nèi)的顆粒數(shù)，清洗結(jié)果如圖2所示。打開烘烤腔意味著腔體將暴露在大氣壓中，所以清洗完畢恢復(fù)正常生產(chǎn)以前還需要有一個連續(xù)抽真空的過程。

因此，需要開發(fā)一種按設(shè)定條件觸發(fā)自動清洗的烘烤腔結(jié)構(gòu)及其自動清洗方法。通過自動清洗可以去除腔體內(nèi)壁及加熱器表面上堆積的硅片的前道副產(chǎn)物的揮發(fā)物，減少腔體內(nèi)顆粒，避免由于假借人力可能引起的清洗效果因人而異的波動，也使省略了打開腔體后恢復(fù)真空所必須的抽真空過程，實現(xiàn)進一步提高清洗效率的最終目的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過自動清洗去除腔體內(nèi)壁及加熱器表面上堆積的硅片的前道副產(chǎn)物的揮發(fā)物，減少腔體內(nèi)顆粒，實現(xiàn)進一步提高清洗效率的最終目的。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種實現(xiàn)自動清洗的烘烤腔結(jié)構(gòu)，包括腔體以及腔體內(nèi)部的加熱器，其特征在于，一個外置遙控清洗模塊通過氣體管線與腔體相連；

可選的，所述遙控清洗模塊由控制信號觸發(fā)工作；

優(yōu)選的，所述控制信號為烘烤工藝中的基礎(chǔ)統(tǒng)計數(shù)據(jù)；

優(yōu)選的，所述烘烤工藝的基礎(chǔ)統(tǒng)計數(shù)據(jù)是烘烤片數(shù)，也可以是烘烤腔累計的工作時間；

可選的，所述外置遙控清洗模塊內(nèi)有纏繞氣體管線的線圈

優(yōu)選的，所述線圈通電后產(chǎn)生磁場，電離管線內(nèi)氣體并將帶正電荷的氣體離子再經(jīng)由所述氣體管線通入烘烤腔內(nèi)；

優(yōu)選的，所述被電離的氣體為大質(zhì)量的惰性氣體；

優(yōu)選的，所述大質(zhì)量的惰性氣體為氬氣；

本發(fā)明提出了一種實現(xiàn)自動清洗烘烤腔的方式，外置遙控清洗模塊接收控制信號后，對其內(nèi)部線圈通電，電離惰性氣體，同時線圈形成的磁場將電離所得帶正電荷的離子偏轉(zhuǎn)后通入烘烤腔內(nèi)，對腔體及內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行轟擊清洗；

可選的，所述惰性氣體為氬氣Ar。

現(xiàn)有技術(shù)的清洗方式為手動的濕法清洗，打開烘烤腔，通過人工擦拭實現(xiàn)對腔體內(nèi)壁及加熱器表面的清潔來減少烘烤腔體內(nèi)的顆粒數(shù)。但其缺點是顯而易見的，首先人工清洗的效果往往會因為操作者動作和技能的熟練程度發(fā)生波動；其次，濕法清洗必須打開腔體，而打開烘烤腔意味著腔體將暴露在大氣壓中，所以清洗完畢恢復(fù)正常生產(chǎn)以前還需要有一個連續(xù)抽真空的過程，這會影響生產(chǎn)進度。

而本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以以設(shè)定條件作為控制信號觸發(fā)有外置的遙控清洗模塊啟動自動清洗。控制條件可以選用制程中已有的基礎(chǔ)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，無需另行特別建立新的統(tǒng)計參數(shù)：可以是烘烤硅片計數(shù)，也可以是烘烤腔的累計工作時間。遙控清洗模塊中有通電線圈可以將氣體電離，經(jīng)過與烘烤腔連接的氣體管線將帶電離子送入腔內(nèi)，對腔體內(nèi)壁及加熱器表面上堆積的硅片的前道副產(chǎn)物的揮發(fā)物進行物理轟擊，實現(xiàn)減少腔體內(nèi)顆粒，實現(xiàn)進一步提高清洗效率的最終目的。

作為優(yōu)化方案，本發(fā)明結(jié)構(gòu)使用的氣體是大質(zhì)量的惰性氣體Ar。一方面，使用惰性氣體因為其不易參加反應(yīng)，另一方面，Ar質(zhì)量夠大，電離后的正電離子可以用于清潔腔體的物理轟擊。

本發(fā)明還提出了基于上述結(jié)構(gòu)的自動清洗方法。本發(fā)明方法是全程不用打開腔體，因此清洗過程省略了打開腔體后恢復(fù)真空所必須的抽真空過程，同樣實現(xiàn)進一步提高清洗效率的最終目的。

綜上所述，本發(fā)明提出的實現(xiàn)自動清洗烘烤腔的結(jié)構(gòu)以及方法，通過控制信號觸發(fā)外置遙控清洗模塊，將大質(zhì)量氣體電離后通入腔體，由上述離子對腔體內(nèi)壁及加熱器表面進行轟擊清洗，減少腔體內(nèi)的顆粒數(shù)，實現(xiàn)進一步提高清洗效率的最終目的。

附圖說明

圖1是烘烤腔內(nèi)壁及加熱器在濕法清洗前的照片。

圖2是烘烤腔內(nèi)壁及加熱器在濕法清洗后的照片。

圖3是現(xiàn)有技術(shù)的烘烤腔的截面示意圖。

圖4是本發(fā)明的烘烤腔的截面示意圖。

圖5是本發(fā)明的遙控清洗模塊中線圈電離氣體示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細的表述，在詳述本發(fā)明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。

下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明作進一步說明。

由于金屬成膜前需要通過烘烤腔體對硅片進行真空下的高溫烘烤吹，去除附著在硅片表面的水汽。這種操作同時帶來弊端是硅片上前道工藝的副產(chǎn)物殘留隨著烘烤揮發(fā)，逐漸在烘烤腔體壁和烘烤腔體的加熱器上累積?，F(xiàn)有技術(shù)的烘烤腔的截面如圖3所示，其中環(huán)繞一周的是腔體內(nèi)部A,B為烘烤硅片的加熱器。

本實施例使用裝有遙控清洗模塊的烘烤腔結(jié)構(gòu)，其截面如圖4所示。其中，環(huán)繞一周的為腔內(nèi)壁A，B為加熱器，遙控清洗模塊D通過氣體管線E與腔體相連，遙控清洗模塊有觸發(fā)信號control控制進行清洗操作，將帶正電的大質(zhì)量的惰性氣體Ar的氣體離子G，通過氣體管線E送入腔內(nèi)進行物理轟擊。本實施例的control信號為硅片烘烤片數(shù)的計數(shù)，每完成50硅片烘烤觸發(fā)一次清洗。

如圖5所示為實施清洗時，遙控清洗模塊中線圈電離氣體的過程。對遙控模塊中纏繞氣體管線A的線圈B通電I，，將通過管線的氣體Ar電離成帶正電的大質(zhì)量的正電離子C和電子D，同時由通電線圈產(chǎn)生的磁場對帶電粒子進行偏轉(zhuǎn)，將帶正電的大質(zhì)量的正電離子C引導(dǎo)經(jīng)由氣體管線送入烘烤腔，對腔內(nèi)壁以及加熱器進行物理轟擊，去除表面堆積的前道工藝的副產(chǎn)物殘留，完成清洗。

實際操作中，也可以將烘烤腔工作的小時計數(shù)作為遙控清潔模塊的觸發(fā)信號。

上述描述僅是對本發(fā)明實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。