本發(fā)明屬于非晶薄帶制取技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法及制備系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

為獲得非晶合金特殊的微觀結(jié)構(gòu)，要求制備過程中以極高的冷卻速率直接從熔融狀態(tài)快淬到凝固點(diǎn)以下的溫度。單輥快淬技術(shù)是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的技術(shù)。

在現(xiàn)行技術(shù)中，都是采用連續(xù)甩帶方法將合金熔融體經(jīng)噴嘴持續(xù)噴射到高速旋轉(zhuǎn)的冷卻棍面上制成連續(xù)的非晶薄帶。這樣制成的非晶薄帶從頭至尾都是連續(xù)的，一爐熔體制成非晶薄帶通常都是有數(shù)千米以上的長(zhǎng)度。為了存儲(chǔ)、搬運(yùn)方便等原因，通常需要將單輥快淬法制成的非晶薄帶進(jìn)行盤繞，然而，這種盤繞成卷的非晶薄帶往往并不是應(yīng)用所需的，后續(xù)應(yīng)用過程中通常需要將盤繞成卷的非晶薄帶重新倒出來進(jìn)行分切。

可見，這種技術(shù)，不但盤繞過程需要耗費(fèi)工時(shí)和人力成本，而且盤繞過程還會(huì)引入使非晶材料性能下降的應(yīng)力；另外，盤繞成卷的非晶薄帶重新分切過程非但需要分切設(shè)備使得非晶器件生產(chǎn)投入增大，而且生產(chǎn)效率低，耗費(fèi)工時(shí)和人力成本高。當(dāng)前，最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了非晶薄帶甩制過程中的自動(dòng)盤繞，但是這種自動(dòng)盤繞技術(shù)，一方面，因?yàn)閯偹χ七€沒涼透的非晶薄帶盤繞過程中會(huì)引入應(yīng)力的作用導(dǎo)致非晶薄帶性能的顯著下降；另一方面，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)盤繞的技術(shù)非常復(fù)雜，設(shè)備昂貴，且故障率高和損耗大。

綜上所述，現(xiàn)行非晶薄帶甩制工藝存在冗余工序，非但使得生產(chǎn)廠商負(fù)擔(dān)了昂貴的多余設(shè)備投入，浪費(fèi)工時(shí)和勞力、生產(chǎn)效率低，而且影響非晶器件的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法及制備系統(tǒng)，旨在解決現(xiàn)行非晶薄帶甩制工藝存在冗余工序，免去現(xiàn)行非晶薄帶制備過程的盤繞、倒帶、分切等工序，非晶薄帶制備過程直接獲得非晶條段，免去盤繞和分切，避免盤繞分切過程引入應(yīng)力，提高非晶薄帶生產(chǎn)效率和質(zhì)量，降低非晶軟磁器件生產(chǎn)的勞動(dòng)力成本和設(shè)備投入。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，該免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法在垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上設(shè)有若干個(gè)溝槽，使非晶薄帶在甩制過程中在溝槽處自動(dòng)斷開，形成條段狀非晶薄帶。

進(jìn)一步，冷卻輥面上所設(shè)溝槽為直線或?yàn)榍€；溝槽的寬度為0.1mm～0.5mm,深度為0.1mm～0.3mm。

進(jìn)一步，所述免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法具體包括：

按目標(biāo)要求組分配置母料，用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法配置母合金；

根據(jù)目標(biāo)要求在冷卻輥面上設(shè)置溝槽；

根據(jù)目標(biāo)要求配置非晶薄帶收集裝置；

根據(jù)目標(biāo)要求配置熔體噴嘴并熔融母合金；

根據(jù)目標(biāo)要求采用單輥快淬法制備非晶薄帶疊垛。

進(jìn)一步，在冷卻輥前方設(shè)有條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器，將來自冷卻輥的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集并整齊疊放。

進(jìn)一步，所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器用于自動(dòng)升降條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器托板的高度。

進(jìn)一步，所述自動(dòng)升降托板的升降高度根據(jù)來自非晶薄帶疊垛高度傳感器探測(cè)到的非晶薄帶高度信號(hào)進(jìn)行自動(dòng)升降。

進(jìn)一步，所述母合金組分為FeSiB或FeCuNbSiB或FeCoNBSiB或FeSiBPC以及其它能夠形成非晶的軟磁合金；

所述條段狀非晶薄帶根據(jù)冷卻輥旋轉(zhuǎn)速度或根據(jù)熔融體噴嘴尺寸的大小進(jìn)行控制。

本發(fā)明另一目的在于提供一種免盤繞分切的非晶薄帶制備系統(tǒng)，該免盤繞分切的非晶薄帶制備系統(tǒng)包括：

用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法熔融母合金并將熔融的母合金輸送到甩制裝置的熔料裝置；

用于將熔融的母合金甩制成非晶薄帶的甩制裝置；

用于在甩制裝置前方設(shè)有的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器，所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器將來自甩制裝置的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集并整齊疊放。

進(jìn)一步，所述熔料裝置包括：

按目標(biāo)要求組分配置的并用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法熔融的合金熔融體；

用于盛裝合金熔融體的坩堝；

圍繞在坩堝外部并用于控制合金熔融體熔融溫度的高頻感應(yīng)線圈；

用于輸送熔融的合金熔融體的熔體噴嘴；

所述甩制裝置包括：

用于將熔體噴嘴輸送熔融的合金熔融體甩制成非晶薄帶的冷卻輥；

垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上開設(shè)的若干個(gè)溝槽，所述溝槽用于使非晶薄帶在甩制過程中在溝槽處自動(dòng)斷開，形成條段狀非晶薄帶；

所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器包括：

用于存放冷卻輥甩制成的非晶薄帶的自動(dòng)升降托板；

存放在自動(dòng)升降托板上的非晶薄帶疊垛；

連接在自動(dòng)升降托板后端的后端面整齊板；

連接在自動(dòng)升降托板側(cè)面的側(cè)面整齊板；

連接在自動(dòng)升降托板前面的前端面整齊擋板；

連接在自動(dòng)升降托板下面并用于調(diào)節(jié)托板升降的托板升降支桿；

容納托板升降支桿的升降支桿滑槽；

連接在非晶薄帶疊垛上方的喇叭收集器；

所述升降支桿滑槽開設(shè)在前端面整齊板上；所述非晶薄帶疊垛上安裝有用于控制自動(dòng)升降托板升降的非晶薄帶疊垛高度傳感器。

本發(fā)明提供的免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，在非晶薄帶甩制過程中直接獲得需要長(zhǎng)度的條段狀非晶薄帶，省略掉現(xiàn)有技術(shù)中的先進(jìn)行非晶薄帶盤繞再進(jìn)行倒盤和分切的冗余工序，提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本和設(shè)備投入，同時(shí)避免因盤繞引入應(yīng)力作用而導(dǎo)致非晶薄帶性能下降。

本發(fā)明的目的是通過在垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上橫向設(shè)置溝槽，使合金熔融體膜面依靠自身粘性和張力在所設(shè)置的溝槽處在被冷卻凝固前自行斷開實(shí)現(xiàn)的。采用高頻感應(yīng)技術(shù)將母合金加熱成熔融液態(tài)，將合金熔融體噴射到設(shè)有橫向溝槽的表面拋光的快速旋轉(zhuǎn)的冷卻輥面上。噴射到冷卻輥面的合金熔融體，在光滑的輥面處被快速冷卻形成厚薄和寬度均勻的非晶薄帶。在輥面上設(shè)置的溝槽處，由于合金熔融體自身的粘性和表面張力，合金熔融體先形成連續(xù)的液膜，但由于溝槽處的輥面下凹不能緊貼熔融體液膜，使得在溝槽上方的液膜的冷卻速率遠(yuǎn)低于溝槽兩側(cè)，而與輥面緊密接觸的溝槽兩側(cè)的熔融體液膜被快速冷卻凝固下來，先一步冷卻凝固成的溝槽兩側(cè)的非晶薄帶從兩側(cè)各自通過自身導(dǎo)熱將溝槽處的熔融合金液膜溫度降低，這種從兩側(cè)導(dǎo)熱降溫的過程使得溝槽處的液膜形成溫度梯度(即兩側(cè)溫度低中間溫度高)，溝槽處液膜的這種溫度梯度使得液膜以槽口中心線為分界線向兩側(cè)分離，形成了非晶薄帶整齊的斷口。這樣形成的非晶薄帶的長(zhǎng)度就由冷卻輥面上溝槽間的狐面距離來決定，在生產(chǎn)過程中可以根據(jù)后續(xù)應(yīng)用的需要靈活調(diào)節(jié)。由于所得非晶薄帶的長(zhǎng)度等于冷卻輥面上設(shè)置的溝槽間的弧面距離，只要設(shè)置的溝槽弧面間距統(tǒng)一，就可以獲得長(zhǎng)度一致的非晶薄帶。這種長(zhǎng)度一致的條段狀非晶薄帶，后續(xù)的收集也十分方便。便于與后續(xù)的器件制備工藝銜接，實(shí)現(xiàn)非晶器件制備流水線的自動(dòng)控制。

本發(fā)明技術(shù)與現(xiàn)有非晶薄帶制備技術(shù)相比，具有明顯優(yōu)勢(shì)。首先，本發(fā)明技術(shù)相比現(xiàn)有技術(shù)，具有節(jié)省工序，減少設(shè)備投入、避免重復(fù)勞動(dòng)，節(jié)省勞動(dòng)成本的優(yōu)點(diǎn)：在現(xiàn)行技術(shù)中，都是采用連續(xù)甩帶方法將合金熔融體制成連續(xù)的非晶薄帶，一爐熔體制成非晶薄帶的長(zhǎng)度通常都在數(shù)千米以上。這么長(zhǎng)的非晶薄帶給后續(xù)的收集、存儲(chǔ)和搬運(yùn)帶來了很多困難，通常人們采用將非晶薄帶進(jìn)行盤繞的方法進(jìn)行收集。然而，這種后續(xù)的非晶薄帶的盤繞過程，需要耗費(fèi)大量的人力物力，也嚴(yán)重影響了非晶薄帶甩制進(jìn)程(只有將前一爐融體甩制的薄帶收集完才能進(jìn)行第二爐融體的甩制)。為了提升生產(chǎn)效率，人們開發(fā)了在線自動(dòng)盤繞技術(shù)，但由于極高冷卻速率的要求，冷卻輥的旋轉(zhuǎn)速度極高，在線自動(dòng)盤繞技術(shù)十分復(fù)雜，設(shè)備昂貴，通常一條在線盤繞生產(chǎn)線需要多投入500萬元以上。而且，在線自動(dòng)盤繞技術(shù)在非晶薄帶盤繞過程中會(huì)引入很大的應(yīng)力，這種應(yīng)力作用在還未冷卻充分的非晶薄帶上會(huì)引起性能的嚴(yán)重下降。另外，這種盤繞成卷的非晶薄帶，給后續(xù)應(yīng)用也帶來了很多麻煩，通常人們需要將其倒出來，重新分切，非但增加了倒盤和分切設(shè)備的投入，而且，這種倒盤和分切過程需要浪費(fèi)大量的勞動(dòng)力，增加了非晶器件的生產(chǎn)成本。采用本發(fā)明技術(shù)，在非晶薄帶甩制過程中，直接獲得所需長(zhǎng)度的非晶薄帶，節(jié)省了現(xiàn)有工藝所需的盤繞設(shè)備、倒盤設(shè)備和分切設(shè)備投入，大大降低了非晶薄帶及非晶器件生產(chǎn)過程的設(shè)備投入；同時(shí)避免了現(xiàn)有工藝的盤繞、倒盤和分切等重復(fù)勞動(dòng)，大大降低了勞動(dòng)成本。再者，采用本發(fā)明技術(shù)，還避免了現(xiàn)有技術(shù)在盤繞、分切過程中應(yīng)力作用的引入，也就避免了因?yàn)楸P繞、分切而引起的非晶薄帶性能下降。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的免分切非盤繞的非晶薄帶制備系統(tǒng)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的非晶薄帶收集器的截面圖；

圖3本發(fā)明實(shí)施例提供的冷卻輥截面圖。

圖中：1、條段狀非晶薄帶；2、高頻感應(yīng)線圈；3、坩堝；4、合金熔融體；5、溝槽；6、冷卻輥；7、后端面整齊板；8、非晶薄帶疊垛；9、側(cè)面整齊板；10、自動(dòng)升降托板；11、托板升降支桿；12、升降支桿滑槽；13、前端面整齊擋板；14、喇叭收集器；15、熔體噴嘴；16、非晶薄帶疊垛高度傳感器。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的應(yīng)用原理作詳細(xì)描述。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的免盤繞分切的非晶薄帶制備系統(tǒng)，包括：

用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法熔融母合金并將熔融的母合金輸送到甩制裝置的熔料裝置；

用于將熔融的母合金甩制成非晶薄帶的甩制裝置；

用于在甩制裝置前方設(shè)有的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器，所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器將來自甩制裝置的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集并整齊疊放。

進(jìn)一步，所述熔料裝置包括：

按目標(biāo)要求組分配置的并用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法熔融的合金熔融體4；

用于盛裝合金熔融體的坩堝3；

圍繞在坩堝外部并用于控制合金熔融體熔融溫度的高頻感應(yīng)線圈2；

用于輸送熔融的合金熔融體的熔體噴嘴15；

所述甩制裝置包括：

用于將熔體噴嘴輸送熔融的合金熔融體甩制成非晶薄帶的冷卻輥6；

垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上開設(shè)的若干個(gè)溝槽5，所述溝槽用于使非晶薄帶在甩制過程中在溝槽處自動(dòng)斷開，形成條段狀非晶薄帶1；

所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器包括：

用于存放冷卻輥甩制成的非晶薄帶的自動(dòng)升降托板10；

存放在自動(dòng)升降托板上的非晶薄帶疊垛8；

連接在自動(dòng)升降托板后端的后端面整齊板7；

連接在自動(dòng)升降托板側(cè)面的側(cè)面整齊板9；

連接在自動(dòng)升降托板前面的前端面整齊擋板13；

連接在自動(dòng)升降托板下面并用于調(diào)節(jié)托板升降的托板升降支桿11；

容納托板升降支桿的升降支桿滑槽12；

連接在非晶薄帶疊垛8上方的喇叭收集器14；

所述升降支桿滑槽開設(shè)在前端面整齊板上；所述非晶薄帶疊垛上安裝有用于控制自動(dòng)升降托板升降的非晶薄帶疊垛高度傳感器16。

本發(fā)明實(shí)施例提供的免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，該免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法在垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上設(shè)有若干個(gè)溝槽，使非晶薄帶在甩制過程中在溝槽處自動(dòng)斷開，形成條段狀非晶薄帶。

進(jìn)一步，冷卻輥面上所設(shè)溝槽為直線或?yàn)榍€；溝槽的寬度為0.1mm～0.5mm,深度為0.1mm～0.3mm。

進(jìn)一步，所述免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法具體包括：

按目標(biāo)要求組分配置母料，用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法配置母合金；

根據(jù)目標(biāo)要求在冷卻輥面上設(shè)置溝槽；

根據(jù)目標(biāo)要求配置非晶薄帶收集裝置；

根據(jù)目標(biāo)要求配置熔體噴嘴并熔融母合金；

根據(jù)目標(biāo)要求采用單輥快淬法制備非晶薄帶疊垛。

進(jìn)一步，在冷卻輥前方設(shè)有條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器，將來自冷卻輥的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集并整齊疊放。

進(jìn)一步，所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器用于自動(dòng)升降條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器托板的高度。

進(jìn)一步，所述自動(dòng)升降托板的升降高度根據(jù)來自非晶薄帶疊垛高度傳感器探測(cè)到的非晶薄帶高度信號(hào)進(jìn)行自動(dòng)升降。

進(jìn)一步，所述母合金組分為FeSiB或FeCuNbSiB或FeCoNBSiB或FeSiBPC以及其它能夠形成非晶的軟磁合金；

所述條段狀非晶薄帶根據(jù)冷卻輥旋轉(zhuǎn)速度或根據(jù)熔融體噴嘴尺寸的大小進(jìn)行控制。

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的應(yīng)用原理作進(jìn)一步描述。

實(shí)施例1

按照以下步驟完成本發(fā)明實(shí)施例1：

1.母合金配制：按原子比包括78％的Fe、9％的Si和13％的B配制混合，在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱熔融后冷卻獲得母合金。

2.在直徑為45cm的冷卻輥的輥面上垂直于旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置0.3mm寬0.2mm深的溝槽，然后拋光冷卻輥面。

3.利用包括以下子步驟的單輥快淬技術(shù)制備出本發(fā)明的非晶合金薄帶。

(a)將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于1400℃的坩堝中。

(b)在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼續(xù)加熱至過熱成合金熔融體。

(c)通氣加壓使熔融合金從坩堝底部0.1mm寬和10mm長(zhǎng)的噴嘴噴向以1200轉(zhuǎn)/分(28.3米/秒)的速度高速旋轉(zhuǎn)的冷卻輥表面，合金熔融體在光滑輥面處被快速冷卻凝固成非晶薄帶，在輥面溝槽處形成整齊斷口自動(dòng)斷開，形成寬為1cm，厚為30μm，長(zhǎng)度為141cm的非晶薄帶，在離心力和剝離氣流的作用下非晶薄帶被依次拋向喇叭收集器的喇叭口。

(d)拋向薄帶喇叭收集器的非晶薄帶在前端面整齊擋板和重力以及吹送氣流或磁力的作用下被收集到喇叭收集器的頸部。

(e)從喇叭收集器頸部滑落的非晶薄帶，被處在下方與之銜接的后端面整齊板和側(cè)面整齊板，以10-30次/分的頻次往復(fù)夾齊動(dòng)作而被整理成整齊疊放的非晶薄帶疊垛。

(f)非晶薄帶疊垛放置在托板上，托板的位置由托板升降支桿控制，托板升降支桿可以在升降支桿滑槽中自由升降，根據(jù)位置傳感器感知的非晶薄帶疊垛的高度自動(dòng)升降托板的位置，以滿足整齊收集非晶薄帶的要求。

實(shí)施例2

按照以下步驟完成本發(fā)明實(shí)施例2：

1.母合金配制：按原子比包括73.5％的Fe、1.0％的Cu、3.0％的Nb、13.5％原子比的Si和9.0％原子比的B配制混合，在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱熔融后冷卻獲得母合金。

2.在直徑為45cm的冷卻輥的輥面上3等分處垂直于旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置0.15mm寬0.2mm深的溝槽，然后拋光冷卻輥面。

3.利用包括以下子步驟的單輥快淬技術(shù)制備出本發(fā)明的非晶合金薄帶。

(a)將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于1400℃的坩堝中。

(b)在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼續(xù)加熱至過熱成合金熔融體。

(c)通氣加壓使熔融合金從坩堝底部0.1mm寬和5mm長(zhǎng)的噴嘴噴向以1400轉(zhuǎn)/分高速旋轉(zhuǎn)的冷卻輥表面，合金熔融體在光滑輥面處被快速冷卻凝固成非晶薄帶，在輥面溝槽處形成整齊斷口自動(dòng)斷開，形成寬為5mm，厚為25μm，長(zhǎng)度為47cm的非晶薄帶，在離心力和剝離氣流的作用下非晶薄帶被依次拋向喇叭收集器的喇叭口。

(d)拋向薄帶喇叭收集器的非晶薄帶在前端面整齊擋板和重力以及吹送氣流或磁力的作用下被收集到喇叭收集器的頸部。

(e)從喇叭收集器頸部滑落的非晶薄帶，被處在下方與之銜接的后端面整齊板和側(cè)面整齊板，以10-30次/分的頻次往復(fù)夾齊動(dòng)作而被整理成整齊疊放的非晶薄帶疊垛。

(f)非晶薄帶疊垛放置在托板上，托板的位置由托板升降支桿控制，托板升降支桿可以在升降支桿滑槽中自由升降，根據(jù)位置傳感器感知的非晶薄帶疊垛的高度自動(dòng)升降托板的位置，以滿足整齊收集非晶薄帶的要求。

實(shí)施例3

按照以下步驟完成本發(fā)明實(shí)施例3：

1.母合金配制：

按原子比包括74.5％的Fe、8.8％的Si、9.8％的B、4.9％的P和2.0％的C混合配制合金母料，

2.在直徑為45cm的冷卻輥的輥面上5等分處垂直于旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置5個(gè)0.3mm寬0.2mm深的溝槽，然后拋光冷卻輥面。

3.利用包括以下子步驟的單輥快淬技術(shù)制備出本發(fā)明的非晶合金薄帶。

(a)將按上述原子比組成的母合金放入軟化溫度高于1400℃的坩堝中。

(b)在氬氣保護(hù)下，用高頻感應(yīng)法加熱母合金，直至熔化，并繼續(xù)加熱至過熱成合金熔融體。

(c)通氣加壓使熔融合金從坩堝底部寬0.1mm和15mm場(chǎng)的噴嘴噴向以1300轉(zhuǎn)/分高速旋轉(zhuǎn)的冷卻輥表面，合金熔融體在光滑輥面處被快速冷卻凝固成非晶薄帶，在輥面溝槽處形成整齊斷口自動(dòng)斷開，形成寬為15mm，厚為28μm，長(zhǎng)度為28cm的非晶薄帶，在離心力和剝離氣流的作用下非晶薄帶被依次拋向喇叭收集器的喇叭口。

(d)拋向薄帶喇叭收集器的非晶薄帶在前端面整齊擋板和重力以及吹送氣流或磁力的作用下被收集到喇叭收集器的頸部。

(e)從喇叭收集器頸部滑落的非晶薄帶，被處在下方與之銜接的后端面整齊板和側(cè)面整齊板，以10-30次/分的頻次往復(fù)夾齊動(dòng)作而被整理成整齊疊放的非晶薄帶疊垛。

(f)非晶薄帶疊垛放置在托板上，托板的位置由托板升降支桿控制，托板升降支桿可以在升降支桿滑槽中自由升降，根據(jù)位置傳感器感知的非晶薄帶疊垛的高度自動(dòng)升降托板的位置，以滿足整齊收集非晶薄帶的要求。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，不同于現(xiàn)有制備非晶薄帶的一般技術(shù)。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明技術(shù)具有省工省時(shí)、提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本的優(yōu)勢(shì)。首先，采用本發(fā)明技術(shù)無需耗費(fèi)勞力和時(shí)間對(duì)非晶薄帶進(jìn)行盤繞和倒盤，避免生產(chǎn)過程的勞動(dòng)成本浪費(fèi)，顯著地降低生產(chǎn)成本。現(xiàn)有制備非晶薄帶的技術(shù)，都需要先將長(zhǎng)達(dá)數(shù)千米的連續(xù)非晶薄帶進(jìn)行盤繞。這種盤繞過程，存在嚴(yán)重的勞動(dòng)力浪費(fèi)，增加了勞動(dòng)力成本，因?yàn)檫@種盤繞不符合后續(xù)應(yīng)用的要求，還得將盤繞成卷的非晶薄帶重新倒出來。而且為了等待已甩制非晶薄帶的盤繞，不能進(jìn)行連續(xù)的非晶薄帶甩制，誤工嚴(yán)重，影響了非晶薄帶的生產(chǎn)效率。其次，采用本發(fā)明技術(shù)可以直接獲得需要長(zhǎng)度的非晶薄帶，無需耗費(fèi)勞力和時(shí)間對(duì)非晶薄帶進(jìn)行倒盤和分切，避免生產(chǎn)過程的勞動(dòng)成本浪費(fèi)，顯著地降低生產(chǎn)成本。由于現(xiàn)有制備非晶薄帶的技術(shù)都是將非晶薄帶盤繞成卷，成卷的非晶薄帶往往不符合應(yīng)用的要求，通常需要盤繞成卷的非晶薄帶重新倒出來進(jìn)行分切。這種倒卷分切過程費(fèi)工費(fèi)時(shí)，一般需要占據(jù)非晶器件生產(chǎn)勞動(dòng)成本的50％以上。可見，采用本發(fā)明技術(shù)，可以比現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省50％以上的勞動(dòng)力成本。

本發(fā)明提供的一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，不同于現(xiàn)有制備非晶薄帶的一般技術(shù)。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明技術(shù)工藝簡(jiǎn)單，具有大幅降低設(shè)備投入成本和勞動(dòng)生產(chǎn)成本的優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明技術(shù)，在避免重復(fù)勞動(dòng)大幅度節(jié)省勞動(dòng)力成本的同時(shí)還大幅度降低生產(chǎn)設(shè)備投入。一般的技術(shù)創(chuàng)新通常以加大設(shè)備投入為代價(jià)來節(jié)省勞動(dòng)力成本。而本發(fā)明技術(shù)則是以避免重復(fù)勞動(dòng)的方法實(shí)現(xiàn)勞動(dòng)力成本的大幅度下降，即省略了非晶薄帶的盤繞、倒盤和分切等十分耗費(fèi)勞力的工序，同時(shí)節(jié)省了技術(shù)復(fù)雜的昂貴設(shè)備投入，即節(jié)省了非晶薄帶在線自動(dòng)盤繞系統(tǒng)(通常需要數(shù)百萬元)和倒盤及分切設(shè)備，大大減輕了生產(chǎn)企業(yè)的設(shè)備投入壓力，提升企業(yè)的投入產(chǎn)出比。

本發(fā)明提供的一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，不同于現(xiàn)有制備非晶薄帶的一般技術(shù)。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明技術(shù)制備的非晶薄帶的性能具有明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)制備材料性能的優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明技術(shù)相比現(xiàn)有非晶薄帶技術(shù)，由于在非晶薄帶甩制過程中直接形成需要長(zhǎng)度的非晶薄帶，無需盤繞、分切，也就避免了現(xiàn)有技術(shù)因盤繞、分切引入應(yīng)力作用感生磁各向異性使材料性能下降的問題，因此，采用本發(fā)明技術(shù)制備的非晶薄帶的矯頑力、磁導(dǎo)率和剩磁等技術(shù)指標(biāo)都明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)制備的非晶薄帶。

采用本發(fā)明提供的一種免分切非盤繞的非晶薄帶制備方法，不同于現(xiàn)有制備非晶薄帶的一般技術(shù)。相比現(xiàn)有技術(shù)，具有節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明技術(shù)節(jié)省了現(xiàn)有技術(shù)中的盤繞、倒盤和分切等工序，也就自然節(jié)省了現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行盤繞、倒盤和分切等工序所需設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的耗能以及節(jié)省了為減弱因盤繞和分切引入應(yīng)力作用而進(jìn)行的退火工藝所需的耗能。同時(shí)，由于采用本發(fā)明技術(shù)制備的材料性能明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)制備的材料，使得后續(xù)制備的器件也性能更優(yōu)具有節(jié)能效果。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。