1.一種免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，該免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法在垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上設(shè)有若干個(gè)溝槽，使非晶薄帶在甩制過(guò)程中在溝槽處自動(dòng)斷開(kāi)，形成條段狀非晶薄帶。
2.如權(quán)利要求1所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，冷卻輥面上所設(shè)溝槽為直線或?yàn)榍€；溝槽的寬度為0.1mm～0.5mm,深度為0.1mm～0.3mm。
3.如權(quán)利要求1所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，所述免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法具體包括：
按目標(biāo)要求組分配置母料，用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法配置母合金；
根據(jù)目標(biāo)要求在冷卻輥面上設(shè)置溝槽；
根據(jù)目標(biāo)要求配置非晶薄帶收集裝置；
根據(jù)目標(biāo)要求配置熔體噴嘴并熔融母合金；
根據(jù)目標(biāo)要求采用單輥快淬法制備非晶薄帶疊垛。
4.如權(quán)利要求1～3任意一項(xiàng)所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，在冷卻輥前方設(shè)有條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器，將來(lái)自冷卻輥的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集并整齊疊放。
5.如權(quán)利要求4所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器用于自動(dòng)升降條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器托板的高度。
6.如權(quán)利要求5所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，所述自動(dòng)升降托板的升降高度根據(jù)來(lái)自非晶薄帶疊垛高度傳感器探測(cè)到的非晶薄帶高度信號(hào)進(jìn)行自動(dòng)升降。
7.如權(quán)利要求3所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法，其特征在于，所述母合金組分為FeSiB或FeCuNbSiB或FeCoNBSiB或FeSiBPC以及能夠形成非晶的軟磁合金；
所述條段狀非晶薄帶根據(jù)冷卻輥旋轉(zhuǎn)速度或根據(jù)熔融體噴嘴尺寸的大小進(jìn)行控制。
8.一種如權(quán)利要求1所述免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備方法的免盤(pán)繞分切的非晶薄帶制備系統(tǒng)，其特征在于，該免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備系統(tǒng)包括：
用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法熔融母合金并將熔融的母合金輸送到甩制裝置的熔料裝置；
用于將熔融的母合金甩制成非晶薄帶的甩制裝置；
用于在甩制裝置前方設(shè)有的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器，所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器將來(lái)自甩制裝置的條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集并整齊疊放。
9.如權(quán)利要求8所述的免分切非盤(pán)繞的非晶薄帶制備系統(tǒng)，其特征在于，所述熔料裝置包括：
按目標(biāo)要求組分配置的并用交流電弧熔煉法或高頻感應(yīng)加熱法熔融的合金熔融體；
用于盛裝合金熔融體的坩堝；
圍繞在坩堝外部并用于控制合金熔融體熔融溫度的高頻感應(yīng)線圈；
用于輸送熔融的合金熔融體的熔體噴嘴；
所述甩制裝置包括：
用于將熔體噴嘴輸送熔融的合金熔融體甩制成非晶薄帶的冷卻輥；
垂直于快淬冷卻輥旋轉(zhuǎn)方向的冷卻輥面上開(kāi)設(shè)的若干個(gè)溝槽，所述溝槽用于使非晶薄帶在甩制過(guò)程中在溝槽處自動(dòng)斷開(kāi)，形成條段狀非晶薄帶；
所述條段狀非晶薄帶自動(dòng)收集器包括：
用于存放冷卻輥甩制成的非晶薄帶的自動(dòng)升降托板；
存放在自動(dòng)升降托板上的非晶薄帶疊垛；
連接在自動(dòng)升降托板后端的后端面整齊板；
連接在自動(dòng)升降托板側(cè)面的側(cè)面整齊板；
連接在自動(dòng)升降托板前面的前端面整齊擋板；
連接在自動(dòng)升降托板下面并用于調(diào)節(jié)托板升降的托板升降支桿；
容納托板升降支桿的升降支桿滑槽；
連接在非晶薄帶疊垛上方的喇叭收集器；
所述升降支桿滑槽開(kāi)設(shè)在前端面整齊板上；所述非晶薄帶疊垛上安裝有用于控制自動(dòng)升降托板升降的非晶薄帶疊垛高度傳感器。