鉬鋁鉬金屬膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及真空鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前制作單面OGS(one glass solut1n)產(chǎn)品主要是使用ITO搭橋，但隨著產(chǎn)品尺寸的逐漸變大，單面大尺寸OGS在使用ITO搭橋時(shí)，線電阻較大，可能會(huì)超出IC的驅(qū)動(dòng)能力，且制程復(fù)雜，制備價(jià)格高。而使用金屬橋結(jié)構(gòu)代替ITO搭橋的OGS可以實(shí)現(xiàn)降低成本，
簡化制程。
[0003]現(xiàn)有工藝制備的鉬鋁鉬(MT)金屬膜的反射率較高，當(dāng)反射率大于35%時(shí)，會(huì)由于橋點(diǎn)明顯從而制約了金屬橋結(jié)構(gòu)的OGS產(chǎn)品發(fā)展。因此，開發(fā)低反射率的金屬膜制備工藝有著重要意義，開發(fā)低反射率金屬膜是開發(fā)金屬橋結(jié)構(gòu)OGS代替ITO搭橋的OGS的必需過程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種反射率較低的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法。
[0005]一種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，包括如下步驟:
[0006]提供基底并對所述基底進(jìn)行預(yù)處理；
[0007]在通入工作氣體和反應(yīng)氣體的條件下，在磁控反應(yīng)濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應(yīng)濺射在預(yù)處理過的所述基底上沉積氮化鉬層，其中，所述磁控反應(yīng)濺射的靶材為鉬靶，所述工作氣體為惰性氣體，所述反應(yīng)氣體為氮?dú)猓灰约?br>[0008]在真空度為0.1Pa?1Pa的條件下，在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在所述氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層，形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述基底為玻璃基底。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，所述對所述基底進(jìn)行預(yù)處理的操作為:對所述基底進(jìn)行過UV、AP離子源清洗。
[0011 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述在預(yù)處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述工作氣體與所述反應(yīng)氣體的體積比為150?220:50?100。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在預(yù)處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述工作氣體的流量為150sccm?220sccm，所述反應(yīng)氣體的流量為50sccm?lOOsccm。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在預(yù)處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述氮化鉬層的材料為MoNx，2/3 ( x<3o
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在預(yù)處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述氮化鉬層的厚度為40nm?60nmo
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層的操作中，所述鋁層的厚度為230nm?270nmo
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層的操作中，所述鉬層的厚度為40nm?60nmo
[0017]這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法在工作氣體和反應(yīng)氣體均存在的條件下，在基底上磁控反應(yīng)濺射形成氮化鉬層，接著在氮化鉬層上依次形成鋁層和鉬層。相對于傳統(tǒng)的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法制得的鉬鋁鉬金屬膜中，氮化鉬層相對于鉬層金屬性降低，從而降低了整體的消光系數(shù)、減少反射光能，調(diào)節(jié)進(jìn)入氮化鉬層的吸收光能和透射光能，使鋁層的反射光和氮化鉬層的反射光在基底表面形成干涉相消從而降低反射率。相對于傳統(tǒng)的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法制得的鉬鋁鉬金屬膜的反射率較低。
【附圖說明】
[0018]圖1為一實(shí)施方式的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法的流程圖；
[0019]圖2為實(shí)施例1制得的鉬鋁鉬金屬膜在550nm對應(yīng)反射率降低至小于10%的反射率圖譜曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面主要結(jié)合附圖對鉬鋁鉬金屬膜的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0021]如圖1所示的一實(shí)施方式的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，包括如下步驟:
[0022]S10、提供基底并對基底進(jìn)行預(yù)處理。
[0023]基底一般選擇玻璃基底，具體的可以為0.4mm,0.55mm,0.7mm厚度的蘇打、龍跡或康寧等觸摸屏用玻璃。
[0024]對基底進(jìn)行預(yù)處理的操作為:對基底進(jìn)行過UV, AP離子源清洗預(yù)處理。
[0025]S20、在通入工作氣體和反應(yīng)氣體的條件下，在磁控反應(yīng)濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應(yīng)濺射在預(yù)處理過的基底上沉積氮化鉬層。
[0026]S20中，磁控反應(yīng)濺射的靶材為鉬靶，工作氣體為惰性氣體，反應(yīng)氣體為氮?dú)?，磁控濺射的功率5.8kw。
[0027]具體的，工作氣體為氦氣、氖氣、氬氣、氣氣或氣氣。
[0028]氮?dú)夂投栊詺怏w的混合氣體氛圍中，工作氣體與反應(yīng)氣體的體積比為150?220:50?100。在一個(gè)具體的實(shí)施例中，工作氣體的流量為150sccm?220sccm，反應(yīng)氣體的流量為 50sccm ?10sccm0
[0029]沉積得到的氮化鉬層的材料為無定形氮化鉬，化學(xué)式為MoNx，2/3 ( x〈3?？梢酝ㄟ^控制反應(yīng)氣體的流量控制得到的無定形氮化鉬MoNx* X的具體取值。
[0030]特別的，X= 3/2，此時(shí)，MoNxS Mo 2N3。
[0031]沉積得到的氮化鉬層的厚度為40nm?60nm。
[0032]S30、在真空度為0.1Pa?1Pa的條件下，在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層，形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層。
[0033]S30中，磁控濺射的靶材分別為鋁靶和鉬靶，磁控濺射的功率為5.8kw,工作氣體的流量為IlOsccm?220sccm。
[0034]沉積得到的銷層的厚度為230nm?270nm，沉積得到的鉬層的厚度為40nm?60nmo
[0035]這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法制程較簡單、易于實(shí)現(xiàn)，并且價(jià)格較低。
[0036]這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法在工作氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體氛圍下，在基底上磁控反應(yīng)濺射形成氮化鉬層，接著在氮化鉬層上依次形成鋁層和鉬層。相對于傳統(tǒng)的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法制得的鉬鋁鉬金屬膜中，氮化鉬層相對于鉬層金屬性降低，從而降低了整體的消光系數(shù)、減少反射光能，調(diào)節(jié)進(jìn)入氮化鉬層的吸收光能和透射光能，使鋁層的反射光和氮化鉬層的反射光在基底表面形成干涉相消從而降低反射率。相對于傳統(tǒng)的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法制得的鉬鋁鉬金屬膜的反射率較低。
[0037]以下為具體實(shí)施例。
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