8]實施例1
[0039]提供玻璃基底并對玻璃基底進行過UV、AP離子源清洗預處理。
[0040]通入氦氣和氮氣，控制氦氣的流量為220sccm，氮氣的流量為50sccm，以鉬靶為靶材在磁控反應濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應濺射在預處理過的基底上沉積厚度為50nm的氮化鉬層。
[0041]在真空度為0.1Pa的條件下，分別以鋁靶和鉬靶為靶材在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在氮化鉬層上依次沉積厚度為250nm的厚度鋁層和厚度為50nm的鉬層，在玻璃基底上形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層，得到所需的鉬鋁鉬金屬膜。
[0042]對實施例1制得的鉬鋁鉬金屬膜進行反射率測試，結果如圖2所示。
[0043]由圖2可以看出，實施例1制得的鉬鋁鉬金屬膜在450nm?725nm處對應反射率降低約為10%。
[0044]實施例2
[0045]提供玻璃基底并對玻璃基底進行過UV、AP離子源清洗預處理。
[0046]通入氬氣和氮氣，控制氬氣的流量為220sccm，氮氣的流量為lOOsccm，以鉬革巴為靶材在磁控反應濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應濺射在預處理過的基底上沉積厚度為40nm的氮化鉬層。
[0047]在真空度為0.5Pa的條件下，分別以鋁靶和鉬靶為靶材在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在氮化鉬層上依次沉積厚度為230nm的厚度鋁層和厚度為50nm的鉬層，在玻璃基底上形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層的疊層結構，得到所需的鉬鋁鉬金屬膜。
[0048]實施例3
[0049]提供玻璃基底并對玻璃基底進行過UV、AP離子源清洗預處理。
[0050]通入氬氣和氮氣，控制氬氣的流量為llOsccm，氮氣的流量為50sccm，以鉬革E為革巴材在磁控反應濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應濺射在預處理過的基底上沉積厚度為60nm的氮化鉬層。
[0051]在真空度為IPa的條件下，分別以鋁靶和鉬靶為靶材在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在氮化鉬層上依次沉積厚度為270nm的厚度鋁層和厚度為60nm的鉬層，在玻璃基底上形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層的疊層結構，得到所需的鉬鋁鉬金屬膜。
[0052]實施例4
[0053]提供玻璃基底并對玻璃基底進行過UV、AP離子源清洗預處理。
[0054]通入氖氣和氮氣，控制氖氣的流量為llOsccm，氮氣的流量為lOOsccm，以鉬靶為靶材在磁控反應濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應濺射在預處理過的基底上沉積厚度為50nm的氮化鉬層。
[0055]在真空度為1Pa的條件下，分別以鋁靶和鉬靶為靶材在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在氮化鉬層上依次沉積厚度為230nm的厚度鋁層和厚度為40nm的鉬層，在玻璃基底上形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層的疊層結構，得到所需的鉬鋁鉬金屬膜。
[0056]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供基底并對所述基底進行預處理； 在通入工作氣體和反應氣體的條件下，在磁控反應濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應濺射在預處理過的所述基底上沉積氮化鉬層，其中，所述磁控反應濺射的靶材為鉬靶，所述工作氣體為惰性氣體，所述反應氣體為氮氣；以及 在真空度為0.1Pa?1Pa的條件下，在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在所述氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層，形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層。
2.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述基底為玻璃基底。
3.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述對所述基底進行預處理的操作為:對所述基底進行過UV, AP離子源清洗。
4.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述在預處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述工作氣體與所述反應氣體的體積比為150?220:50 ?100。
5.根據(jù)權利要求1或5所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述在預處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述工作氣體的流量為150sccm?220sccm，所述反應氣體的流量為50sccm?lOOsccm。
6.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述在預處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述氮化鉬層的材料為MoNx，2/3 ( x<3o
7.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述在預處理過的所述基底上沉積氮化鉬層的操作中，所述氮化鉬層的厚度為40nm?60nm。
8.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述在所述氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層的操作中，所述鋁層的厚度為230nm?270nm。
9.根據(jù)權利要求1所述的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，其特征在于，所述在所述氮化鉬層上依次沉積銷層和鉬層的操作中，所述鉬層的厚度為40nm?60nm。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，包括如下步驟：對基底進行預處理；在通入工作氣體和反應氣體的條件下，在磁控反應濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控反應濺射在預處理過的所述基底上沉積氮化鉬層，其中，反應氣體為氮氣；以及在真空度為0.1Pa～10Pa的條件下，在磁控濺射鍍膜腔室內(nèi)利用磁控濺射在所述氮化鉬層上依次沉積鋁層和鉬層，形成依次層疊的氮化鉬層、鋁層和鉬層。相對于傳統(tǒng)的鉬鋁鉬金屬膜的制備方法，這種鉬鋁鉬金屬膜的制備方法通過氮化鉬層取代鉬層降低了金屬性，從而降低了整體的消光系數(shù)、減少反射光能，調(diào)節(jié)進入氮化鉬層的吸收光能和透射光能，使鋁層的反射光和氮化鉬層的反射光在基底表面形成干涉相消從而降低反射率。
【IPC分類】C23C14-06, C23C14-18, C23C14-35
【公開號】CN104818466
【申請?zhí)枴緾N201510224572
【發(fā)明人】池京容, 鄭建萬, 任伏軍, 石國強, 王余剛
【申請人】深圳南玻偉光導電膜有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年5月5日