一種oled蒸鍍用掩模板組件制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示面板制作行業(yè)，具體涉及一種應(yīng)用于OLED顯示面板制作過程中的蒸鍍用掩模板組件制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。
[0003]OLED生產(chǎn)過程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求蒸鍍到基板上，形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED發(fā)光材料是一種固體材料，其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作，主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法，其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā))，使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基板上。在這一過程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的精密掩模板組件作為媒介。
[0004]圖1所示為OLED發(fā)光材料的蒸鍍示意圖，蒸鍍用掩模板組件2固定在承載臺(tái)3上，掩模板2的上方設(shè)置有待沉積的基板1，加熱真空腔中的有機(jī)材料蒸鍍源4，受熱的有機(jī)材料通過掩模板組件2上的通孔沉積在基板I上的特定位置。圖2所示為現(xiàn)有蒸鍍模板的結(jié)構(gòu)示意圖，掩模板由掩?？蚣?2和設(shè)置在掩?？蚣?2上若干掩模單元21共同構(gòu)成，掩模單元21 —般為因瓦片材通過一定工藝制得。圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍用掩模板的制作示意圖，將通過外部機(jī)構(gòu)(圖中未示出)繃緊的掩模單元21按一定順序焊接到掩?？蚣?2上。圖4所示為現(xiàn)有技術(shù)中掩模單元21的機(jī)構(gòu)示意圖，掩模單元21包含蒸鍍區(qū)211和非蒸鍍區(qū)212，具體如圖5所示(圖5所示為圖4中a區(qū)域放大示意圖)，蒸鍍區(qū)211由通孔陣列構(gòu)成，非蒸鍍區(qū)212無通孔結(jié)構(gòu);在掩模單元21的長度方向(即相對圖4所示X方向)上，掩模單元21的兩端延伸的設(shè)置有外部夾持端210，外部夾持端210可通過半刻的凹槽與掩模單元的非蒸鍍區(qū)212連接。圖6所示為掩模板外部夾持端與掩模單元非蒸鍍區(qū)連接處的截面放大示意圖，外部夾持端210與掩模板非蒸鍍區(qū)212通過半刻的凹槽200連接，在實(shí)際應(yīng)用過程中，外部夾持端210、凹槽200、掩模板非蒸鍍區(qū)212是一體成型，凹槽200可通過蝕刻工藝、激光切割工藝等方式形成，凹槽的深度可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0005]以上所述掩模板組件在組裝時(shí)，按一定規(guī)則通過外部夾持機(jī)構(gòu)(圖中未示出)夾持掩模單元的兩端外部夾持端210并對掩模單元21進(jìn)行繃?yán)?，使得掩模單?1繃平且構(gòu)成蒸鍍區(qū)211的通孔處于特定的位置，然后將掩模單元21通過焊接固定在掩模框架22上，最后通過外力撕除各掩模單元21兩端的外部夾持端210(在一些現(xiàn)有技術(shù)中，掩模單元兩端的外部夾持端與掩模單元的非蒸鍍區(qū)直接連接，不存在半刻的凹陷區(qū)域，如此，則通過激光切割或機(jī)械切割的方式去除掩模單元兩端的外部夾持端)。
[0006]然而，以上現(xiàn)有技術(shù)還存在一個(gè)無法避免的技術(shù)問題，由于掩模單元21上的蒸鍍區(qū)域211和非蒸鍍區(qū)212具有完全不同的結(jié)構(gòu)(如圖5所示，蒸鍍區(qū)域211為通孔陣列結(jié)構(gòu)，非蒸鍍區(qū)212為非通孔陣列結(jié)構(gòu))，掩模單元21在外部機(jī)構(gòu)的繃?yán)?繃?yán)瓡?huì)使板面產(chǎn)生一定的變形)下，其表面上各區(qū)域的物理受力不均勻，故各區(qū)域的形變具有一定的差異，從而使得掩模單元上蒸鍍區(qū)211上各用于沉積有機(jī)材料的通孔位置精度難以控制。而實(shí)際在OLED顯示器的制作過程中，有機(jī)材料的蒸鍍精度決定了最終產(chǎn)品的質(zhì)量，鑒于此，業(yè)界一致致力于設(shè)計(jì)一種具有較為優(yōu)異位置精度的掩模板組件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種OLED蒸鍍用掩模板組件制作方法，通過本發(fā)明制作的掩模板組件能夠有效克服以上問題，有效的提高掩模板上蒸鍍區(qū)通孔的位置精度，其具體技術(shù)方案如下。
[0008]—種OLED蒸鍍用掩模板組件制作方法，其包括以下步驟:
S1:掩模支撐層制作步驟，制作表面具有陣列孔圖形區(qū)的掩模支撐層，所述陣列孔圖形區(qū)由連續(xù)小開口陣列構(gòu)成；
S2:掩模層制作步驟，在制作完成的掩模支撐層一表面涂布或壓貼一層有機(jī)感光材料，并通過曝光、顯影工藝形成掩模層，所述掩模層上設(shè)置有若干掩模開口區(qū)，所述掩模開口區(qū)由通孔陣列形成，所述掩模層與所述掩模支撐層共同構(gòu)成掩模單元；
S3:掩模組件組裝步驟，將掩模單元繃緊拉平后按一定的規(guī)則固定在掩?？蚣苌?，形成掩模板組件；
采用本發(fā)明所制作的掩模板組件包含至少一組掩模單元，所述掩模層貼合的設(shè)置在掩模支撐層上表面，所述掩模單元通過掩模支撐層固定在所述掩模框架上;所述掩模支撐層上設(shè)置有連續(xù)小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)；所述掩模支撐層上陣列孔圖形區(qū)的覆蓋范圍能夠完全覆蓋所述掩模層上的掩模開口區(qū)，所述掩模層上的掩模開口區(qū)與所述掩模支撐層上陣列孔圖形區(qū)重合部分構(gòu)成掩模板蒸鍍區(qū)；在所述掩模板蒸鍍區(qū)內(nèi)部，構(gòu)成所述掩模層掩模開口區(qū)的通孔與構(gòu)成所述掩模支撐層陣列孔圖形區(qū)的小開口共同形成蒸鍍通道。
[0009]進(jìn)一步，所述掩模層掩模開口區(qū)內(nèi)通孔的尺寸不大于所述掩模支撐層陣列孔圖形區(qū)上小開口的尺寸。
[0010]進(jìn)一步，所述掩模層掩模開口區(qū)內(nèi)通孔的尺寸小于所述掩模支撐層陣列孔圖形區(qū)上小開口的尺寸，且每個(gè)掩模開口區(qū)的通孔處于相應(yīng)陣列孔圖形區(qū)的小開口內(nèi)部。
[0011]進(jìn)一步，所述掩模組件組裝步驟S3中，先固定掩模板組件中間掩模單元，再依次交替固定兩側(cè)相鄰的掩模單元。
[0012]構(gòu)成本發(fā)明的掩模單元由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，掩模層及掩模支撐層:其中，掩模層上的若干掩模開口區(qū)限定掩模板組件的有機(jī)材料蒸鍍沉積區(qū)域，掩模支撐層作為掩模層的載體，掩模層掩模開口區(qū)內(nèi)部的通孔與掩模支撐層陣列孔圖形區(qū)上的小開口共同形成有機(jī)材料的蒸鍍通道。蒸鍍通道的位置精度由掩模支撐層上的小開口和掩膜層上的通孔共同決定。
[0013]在本發(fā)明中，掩膜層是直接貼附在掩模支撐層上，掩模支撐層通過外力繃?yán)绞娇嚲o的固定在掩?？蚣苌?即掩模單元固定在掩?？蚣苌蠒r(shí)需要通過外力將掩模支撐層兩端進(jìn)行繃?yán)?，在此外力繃?yán)^程中，掩膜層的形變保持與掩模支撐層一致，故繃?yán)笱谀Ｖ螌由闲￠_口的位置精度與掩膜層上通孔的位置精度均由掩模支撐層的形變決定。換而言之，掩模板組件蒸鍍通道的位置精度主要取決于掩模支撐層上小開口的位置精度。
[0014]本發(fā)明掩模支撐層設(shè)置有連續(xù)的小開口構(gòu)成的陣列孔圖形區(qū)，由于掩模支撐層上的小開口為連續(xù)的陣列結(jié)構(gòu)(即掩模支撐層板面上較大范圍的設(shè)置為小開口結(jié)構(gòu))，在對掩模支撐層進(jìn)行繃?yán)瓡r(shí)，板面上各小開口的物理受力環(huán)境較為接近，從而使得掩模支撐層板面的各區(qū)域形變具有相對一致性?；诖?，工程人員在設(shè)計(jì)掩模板支撐層結(jié)構(gòu)時(shí)能夠較為容易的實(shí)現(xiàn)開口位置補(bǔ)償，從而制作出能夠保證較高位置精度較高的掩模支撐層。
[0015]進(jìn)一步，在所述掩模支撐層的長度方向上，所述掩模支撐層上陣列孔圖形區(qū)的區(qū)域形狀為矩形、兩端為燕尾型或兩端部為收縮型。
[0016]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模層為高分子復(fù)合材料，所述掩模支撐層為金屬材料。
[0017]進(jìn)一步，構(gòu)成所述掩模板組件掩模單元的掩模層由高分子感光材料制成，所述掩模支撐層為因瓦材料。
[0018]發(fā)明中，采用高分子復(fù)合材料制作掩模層具有以下優(yōu)勢:高分子復(fù)合材料具有質(zhì)量輕的特點(diǎn)，其不會(huì)對掩模支撐層帶來較大的負(fù)荷，減少掩模單元的整體下垂量，從而減少使