技術(shù)特征：

1.一種校準(zhǔn)火爐的方法，所述火爐使半導(dǎo)體材料樣品能夠接受形成熱施主的第一次退火，所述第一次退火依次包括所述火爐的溫度上升(P1)，設(shè)定溫度(T_C)下的第一穩(wěn)定期(P2)，以及所述火爐的溫度下降(P3)，所述方法包括以下步驟：

提供由所述半導(dǎo)體材料組成的校準(zhǔn)塊(40，80)(S1)；

確定所述校準(zhǔn)塊的間隙氧濃度(S2)；

在所述火爐中對所述校準(zhǔn)塊進行形成熱施主的第二次退火，所述第二次退火包括和所述第一次退火相同的火爐溫度上升和溫度下降，以及所述設(shè)定溫度(T_C)下保持設(shè)定時間(t_c’)的第二穩(wěn)定期(S3)；

確定所述第二次退火過程中在所述校準(zhǔn)塊中形成的熱施主的濃度(S4)；

根據(jù)所述間隙氧濃度，所述校準(zhǔn)塊的所述熱施主濃度以及所述設(shè)定時間(t_c’)確定所述設(shè)定溫度(TC)下的等效退火時間(t_eq)，所述等效退火時間(t_eq)至少對應(yīng)于所述火爐的所述溫度上升和所述溫度下降(S5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校準(zhǔn)塊(40，80)具有和所述樣品相同的幾何結(jié)構(gòu)和尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述設(shè)定時間(t_c’)為30秒到2小時之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，對具有不同設(shè)定時間(t_c’)值的多個校準(zhǔn)塊執(zhí)行步驟a)至e)，產(chǎn)生多個等效時間(t_eq)值，所述方法還包括確定設(shè)定時間值的步驟，超過該設(shè)定時間值所述等效時間(t_eq)獨立于所述設(shè)定時間(t_c’)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法，其中所述校準(zhǔn)塊(40，80)切割自根據(jù)丘克拉斯基法結(jié)晶的半導(dǎo)體材料鑄錠。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過測量源自所述鑄錠的切割的至少一個碎片(41)上的間隙氧濃度而確定所述校準(zhǔn)塊(40)的間隙氧濃度，所述碎片(41)鄰近所述鑄錠中的所述校準(zhǔn)塊(40)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其中，通過對電阻率或自由載荷子濃度的第一測量，以及對電阻率或自由載荷子濃度的第二測量確定所述熱施主濃度，所述第一測量在所述第二次退火(S3)之前在與所述鑄錠中的所述校準(zhǔn)塊(80)相鄰的第一晶片(81，81’)上進行，所述第二測量在所述第二次退后(S3)之后在取自所述校準(zhǔn)塊(80)的第二晶片(820)上進行。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任意一項所述的方法，其中所述半導(dǎo)體材料鑄錠從本征半導(dǎo)體材料的熔體中獲得。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述校準(zhǔn)塊(40，80)切割自所述鑄錠的最后結(jié)晶的部分。