性收縮，然而這種收縮與 其他成型方法相比可能是最小的?？傮w上講，線性收縮的量是不大于約5%。其他實施方案 可以具有更小的收縮，如不大于約3%，或甚至不大于約1%。
[0025] 再次參見圖1，在步驟103中形成該生坯物品之后，該方法在步驟105繼續(xù)，這是通 過將生坯物品加熱至一個升華溫度以形成一個再結(jié)晶的碳化硅（ReSiC)本體。如在此使用 的，術(shù)語"加熱"（特別是在升華溫度的情況下）是指一個加熱溫度，在該溫度下這些細(xì)碳化 硅顆粒升華至氣態(tài)并且在此之后，在這些粗碳化硅顆粒上再結(jié)晶以形成一個ReSiC本體。 總體上講，該升華溫度典型地是大于約1700°C。根據(jù)一個實施方案，該升華溫度是大于約 1800°C，如大于約1900°C，或甚至大于約2000°C。典型地，該升華溫度是不大于約2500°C。
[0026] 在加熱該生坯物品的過程中，該方法可以在有助于升華的一個減壓氣氛中進(jìn)行。 這樣，該氣氛總體上具有不大于約25托的壓力。根據(jù)另一個實施方案，加熱是在不大于約 20托的壓力下進(jìn)行，如不大于約15托，或甚至不大于約10托。這樣，該壓力典型地是在約 4托與約15托之間的范圍內(nèi)，并且更特別地是在約4托與約12托之間的范圍內(nèi)。
[0027] 進(jìn)一步關(guān)于該氣氛，典型地，在加熱過程中該氣氛包含一種氣體或氣體的混合物， 它與正常的大氣的氣體是不同的。這就是說，在加熱過程之前可以將正常的大氣清除并且 用適合的氣體代替。特別適合的氣體包括惰性氣體或多種惰性氣體的組合，或更特別的 是多種稀有氣體。根據(jù)一個具體實施方案，在加熱過程中的氣氛包括氬氣，這樣不小于約 90vol%的氣氛是氬氣。
[0028] 此外，除了提供包括適當(dāng)氣體（如惰性氣體）的一種氣氛之外，加熱過程中可以使 這些氣體流動經(jīng)過腔室。根據(jù)一個具體實施方案，該惰性氣體可以按不小于約2標(biāo)準(zhǔn)立升 /每分鐘（SLPM)的速率流動經(jīng)過腔室，其中該加熱爐具有不小于約Im3的體積，并且在一個 更具體的實施方案中是I. 25m3(直徑52英寸并且深度36英寸）。在另一個實施方案中，流 速是更大的，如不小于約4SLPM，或不小于約6SLPM，或甚至不小于約8SLPM?？傮w上講，惰 性氣體的更高的流速改進(jìn)了加工條件。然而，根據(jù)一個具體實施方案，對于具有大致I. 25m3的體積的一個加熱爐該流速是不大于約20SLPM。
[0029] 具體地講，在加熱過程中，該氣氛包含減小的氮含量。根據(jù)一個實施方案，在該腔 室之中的氮含量被減小，這樣氮氣的濃度是不大于約15ppm。其他實施方案可以使用更小濃 度的氮氣，如不大于約12ppm，或不大于約lOppm，或甚至不大于約8ppm?？傮w上講，該氣氛 中的更低濃度的氮氣增強了加工條件以及一種適當(dāng)物品的形成。然而，在一個具體實施方 案中，該氮氣濃度是不小于約lppm。
[0030] 典型地，該加熱過程在升華溫度下進(jìn)行了不小于約30分鐘的持續(xù)時間。根據(jù)一個 實施方案，升華溫度下的加熱進(jìn)行了不小于約1小時的持續(xù)時間，如不小于約4小時，或甚 至不小于約8小時。在此的多個實施方案使用的在升華溫度下加熱的持續(xù)時間典型地在約 1小時與8小時之間的范圍內(nèi)、并且典型地不大于約12小時。
[0031] 在加熱以形成一個再結(jié)晶的SiC本體的過程中，該本體經(jīng)受了小量的線性收縮。 該小程度的線性收縮有助于形成近似網(wǎng)狀的物品并且減少了后期加工成型和機加工操作。 總體上講，該線性收縮是不大于約3%。事實上，在加熱過程中的該ReSiC本體線性收縮可 以是更小的，如不大于約2%，不大于約1%或甚至不大于約0. 5%。典型地，在加熱過程中 的該ReSiC本體的線性收縮是在約0. 1 %與約3%之間的范圍內(nèi)。
[0032] 通過圖1中描繪的方法形成的再結(jié)晶的碳化硅本體是一種高電阻率的再結(jié)晶的 碳化硅本體。這就是說，該ReSiC本體在300K具有不小于約1E5 Ω cm的電阻率。在一個具體 實施方案中，該ReSiC本體的電阻率是不小于約1Ε6Ω cm，如不小于約1Ε7Ω cm，或甚至不小 于約1E8 Ω cm (在300K)?？傮w上講，該ReSiC本體的電阻率是在約1E5 Ω cm與約1E12 Ω cm之間的范圍內(nèi)（在300K)。并且更具體地講是在約lE7Qcm與約IEllQcm之間的范圍內(nèi) (在300K)。應(yīng)當(dāng)理解，在此提供的所有這些電阻率值是基于ASTM4496獲得的。
[0033] 進(jìn)一步關(guān)于根據(jù)圖1中提供的方法所形成的ReSiC本體，典型地，該ReSiC本體在 本體之中具有不大于200ppm的氮含量。如在此使用的，術(shù)語"氮含量"是指結(jié)合（例如，共 價地結(jié)合）在該ReSiC本體之中的氮原子的含量。如以上提供的，該ReSiC本體的氮含量 總體上是不大于約200ppm，并且甚至不大于約150ppm。根據(jù)一個具體實施方案，該ReSiC 本體具有更小的氮含量，如不大于約lOOppm，或不大于約75ppm，或甚至不大于約50ppm。該 氮含量典型地是在約Ippm與約150ppm之間的范圍內(nèi)。
[0034] 該ReSiC本體總體上具有一種多晶結(jié)構(gòu)，包括多種晶粒?？傮w上講，在該ReSiC本 體之中的這些碳化硅晶粒的平均晶粒尺寸是不小于約0. 5微米。進(jìn)而，其他實施方案使用 具有更大晶粒的一種多晶體，這樣該平均晶粒尺寸是不小于約50微米，或不小于約75微 米，或甚至不小于約100微米。典型地，該平均晶粒尺寸是在約20微米與約200微米之間 的范圍內(nèi)。
[0035] 該ReSiC本體總體上具有包括開放的和閉合的孔隙的孔隙含量。這樣，該ReSiC 本體典型地具有不小于該本體的整個體積約5vol%的孔隙率。在一個實施方案中，該孔隙 率是不小于約8vol %，如不小于約IOvol %或甚至不小于約12vol %。典型地，該ReSiC本 體的孔隙率是在約5vol%與約25vol%之間的范圍內(nèi)，并且典型地，該孔隙率是不大于約 50vol% 〇
[0036] 此外，該ReSiC本體可以具有特殊的密度，如不大于約2. 9g/cc。在另一個實施方 案中，該密度是更小的，如不大于約2. 8g/cc，或甚至不大于約2. 7g/cc。
[0037] 進(jìn)一步關(guān)于所形成的再結(jié)晶物品，該ReSiC本體典型地具有不大于約30瓦特/mK 的熱傳導(dǎo)率。根據(jù)一個實施方案，該ReSiC本體具有不大于約28瓦特/m K的熱傳導(dǎo)率，如 不大于約26瓦特/m K。典型地，該ReSiC本體具有的熱傳導(dǎo)率在約20瓦特/mK與約26瓦 特/mK之間的范圍內(nèi)。
[0038] 關(guān)于該ReSiC本體的機械特性，適當(dāng)?shù)臋C械特性有助于該ReSiC本體在某些應(yīng) 用中的使用。總體上講，該ReSiC本體的斷裂模量（MOR)是不大于約300MPa。具體地講， 該ReSiC本體總體上具有不大于約250MPa的M0R，如不大于約225MPa，或甚至不大于約 150MPa。根據(jù)一個實施方案，該ReSiC本體具有的MOR在IOOMPa與約200MPa之間的范圍 內(nèi)，并且更特別地在IOOMPa與150MPa之間的范圍內(nèi)。
[0039] 另外，該ReSiC本體可以具有不大于約350GPa的彈性模量（MOE)。根據(jù)一個實施方 案，該ReSiC本體的MOE是不大于約325GPa，如不大于約300GPa，或甚至不大于約250GPa。 在一個實施方案中，該ReSiC本體的MOE是在約200GPa與約250GPa之間的范圍內(nèi)。
[0040] 該ReSiC本體的熱膨脹系數(shù)（CTE)典型地是不小于約4. 2X10 6/°C。根據(jù)其他 實施方案，該ReSiC本體的CTE可以是更大的，如不小于約4. 5X10 6/ °C或甚至不小于 約4. 7X10 6/ °C。總體上講，該ReSiC本體的CTE是小于5X10 6/ °C，并且更具體是在約 4. 5X10 6/°C與約4. 9X10 6/°C之間的范圍內(nèi)。
[0041] 進(jìn)一步關(guān)于根據(jù)圖1中提供的方法形成的ReSiC本體，該本體總體上包括一種低 含量的特定金屬種類。根據(jù)一個具體實施方案，結(jié)合在該ReSiC本體之中的鋁原子的鋁 含量是不大于約200ppm。具體地說，該錯含量可以是更小的，如不大于lOOppm，不大于約 50ppm，或甚至不大于約25ppm。典型地，在該ReSiC本體之中的錯含量是在約5ppm與約 200ppm之間的范圍內(nèi)。
[0042] 根據(jù)圖1的方法，在該ReSiC本體之中的硼含量總體上是低的，如不大于約50ppm。 其他ReSiC本體可以具有更少的硼，如不大于約40ppm，不大于約30ppm，或甚至不小于約 20ppm。根據(jù)圖1的方法形成的ReSiC本體的硼含量典型地是在Ippm與約50ppm之間的范 圍內(nèi)。
[0043] 該ReSiC本體可以具有適合于特定應(yīng)用的尺寸，如用在一個單晶片加工裝置中的 晶片支撐物品。這樣，該ReSiC本體具有長度、寬度、以及厚度的尺寸。具體地講，這些尺寸 之間的關(guān)系如下：長度多寬度多厚度，并且更特別地寬度時常大于厚度。對于根據(jù)圖1中提 供的方法形成的物品，總體上此類ReSiC本體的厚度是不大于約30mm。更特別地，這種再結(jié) 晶的碳化娃本體的厚度總體上是不大于約20mm。如不大于約15mm，或甚至不大于約10mm。
[0044] 除了圖1中提供的這些方法外，用于形成一個ReSiC本體的方法可以進(jìn)一步包括 形成覆蓋該ReSiC本體的一部分的一個頂部部分。該頂部部分可以