，控制膜厚在10nm。在鍍制完五氧化二銀后進(jìn)入娃革巴革巴位，優(yōu)選Ar氣量在200sccm, O2氣量控制采用PID控制，控制電壓在420V，優(yōu)選濺射氣壓在3 X 10 3，所用靶材為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射在五氧化二鈮膜層021上鍍制二氧化硅膜層022，控制膜厚在25nm。
[0027]在本實(shí)施例中，采用2%摻雜的AZO且在300?400 °C高溫和4 X 10 3?7 X 10 3高濺射氣壓下鍍制AZO膜層，可以獲得低電阻率的第一 AZO導(dǎo)電層03和第二 AZO導(dǎo)電層04，可使其電阻率控制在5X10 4 Ω/cm左右。
[0028]具體地，在上述步驟S103中，鍍好消影層02的玻璃基片01繼續(xù)經(jīng)過(guò)加熱段，在溫度達(dá)到350°C左右進(jìn)入AZO靶位，AZO靶為2%以上摻雜，優(yōu)選Ar氣量在300sccm，優(yōu)選濺射氣壓在5 X 10 3，為高溫高壓濺射工藝，采用直流磁控濺射在二氧化硅膜層022上鍍制第一 AZO導(dǎo)電層03，控制膜厚在220nm。
[0029]在上述步驟S104中，在玻璃基片01的空氣面上鍍制第二 AZO導(dǎo)電層04，具體工藝為玻璃基片01溫度達(dá)到350°C，優(yōu)選Ar氣量在300sCCm，優(yōu)選濺射氣壓在5X10 3，采用直流磁控濺射鍍制第二 AZO導(dǎo)電層04，控制膜厚在lOOnm。
[0030]在其他實(shí)施例中，以1.0_厚的鈉鈣硅玻璃為玻璃基片01，運(yùn)用磁控濺射鍍膜機(jī)，在選定的玻璃基片01的錫面采用中頻交流磁控濺射鍍制消影層02 (折射率匹配層)，Ar氣量在180sccm，O2氣量在60sccm，保證濺射氣壓在2.5 X 10 3，所用鈮靶為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射在玻璃基片01上鍍制五氧化二鈮膜層021，此工藝鍍出的膜厚大概在9.5nm。隨后在五氧化二鈮膜層021上鍍制25.0nm 二氧化硅膜層022，優(yōu)選Ar氣量在200sccm，O2氣量控制采用PID控制，控制電壓在420V，優(yōu)選濺射氣壓在2.5 X 10 3，所用靶材為孿生靶，采用中頻交流磁控濺射法。鍍好的折射率匹配層的玻璃基片01繼續(xù)經(jīng)過(guò)加熱段，在溫度達(dá)到350 °C左右進(jìn)入AZO靶位，AZO靶為2%摻雜，優(yōu)選Ar氣量在300sccm，優(yōu)選濺射氣壓在5.5X10 3，采用直流磁控濺射在二氧化硅膜層022上鍍制300nm第一 AZO導(dǎo)電層03。
[0031]通過(guò)上述方法制作的AZO導(dǎo)電玻璃，通過(guò)消影層02消除了第一 AZO導(dǎo)電層03的刻蝕紋，提高了后續(xù)顯示產(chǎn)品的顯示效果。在玻璃基底的空氣面上加鍍一層第二 AZO導(dǎo)電層04，在起到觸膜功能的同時(shí)，增加了觸摸屏器件的抗電磁干擾能力，使其抗電磁干擾能力達(dá)到20DB，適用于大尺寸觸摸器件。該制作制備方法操作簡(jiǎn)單，成本低廉，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。
[0032]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、鍍制于所述玻璃基片一表面的消影層以及鍍制在所述消影層表面的第一 AZO導(dǎo)電層，還包括鍍制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二 AZO導(dǎo)電層。2.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第一AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的厚度各為50?300nm，對(duì)550nm的折射率為1.80?1.95，電阻率為5X10 4Q/cm03.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第一AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的材料為2%摻雜的氧化鋅鋁。4.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述消影層包括自所述玻璃基片表面依次層疊的五氧化二鈮膜層和二氧化硅膜層，所述五氧化二鈮膜層的厚度為5?50nm，所述二氧化娃膜層的厚度為10?60nm ;所述五氧化二銀膜層對(duì)550nm的折射率為2.20?2.40，所述二氧化硅膜層對(duì)550nm的折射率為1.40?1.50。5.一種觸控裝置，包括觸控模塊和顯示模塊，其特征在于，所述觸控模塊包括權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的AZO導(dǎo)電玻璃，所述第一 AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層蝕刻成觸控電極，所述第二 AZO導(dǎo)電層還用于屏蔽所述顯示模塊對(duì)所述觸控模塊的電磁干擾。6.一種AZO導(dǎo)電玻璃的制造方法，其特征在于，包括下述步驟: 選取玻璃原片并對(duì)其進(jìn)行鍍膜前處理，獲得玻璃基片； 通過(guò)中頻交流磁控濺射法在所述玻璃基片的一表面鍍制消影層； 通過(guò)直流磁控濺射法在所述消影層的表面鍍制第一 AZO導(dǎo)電層； 通過(guò)直流磁控濺射法在所述玻璃基片的另一表面鍍制第二 AZO導(dǎo)電層，獲得AZO導(dǎo)電玻璃。7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述玻璃基片采用厚度為0.5?2.0mm的鈉鈣硅玻璃、硼硅玻璃或鋁硅玻璃。8.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一AZO導(dǎo)電層和第二 AZO導(dǎo)電層的厚度各為50?300nm，對(duì)550nm的折射率為1.80?1.95，電阻率為5X10 4Q/cm09.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，通過(guò)中頻交流磁控濺射法在所述玻璃基片的一表面鍍制消影層的步驟具體為: 在所述玻璃基片的表面鍍制五氧化二鈮膜層，所述五氧化二鈮膜層對(duì)550nm的折射率為2.20?2.40，膜厚為5?50nm ； 在所述五氧化二鈮膜層的表面鍍制二氧化硅膜層，所述二氧化硅膜層對(duì)550nm的折射率為1.40?1.50，膜厚為10?60nm。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明適用于觸控技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種AZO導(dǎo)電玻璃，包括玻璃基片、鍍制于所述玻璃基片一表面的消影層以及鍍制在所述消影層表面的第一AZO導(dǎo)電層，還包括鍍制于所述玻璃基片的另一表面并用于屏蔽電磁干擾的第二AZO導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的AZO導(dǎo)電玻璃在其兩側(cè)各設(shè)置一層AZO導(dǎo)電層，在觸控裝置的應(yīng)用中，由于其顯示驅(qū)動(dòng)電極的存在，通常對(duì)上方的觸控結(jié)構(gòu)產(chǎn)生電磁干擾，該第二AZO導(dǎo)電層可作為液晶顯示結(jié)構(gòu)與觸控結(jié)構(gòu)之間的屏蔽層，防止觸控結(jié)構(gòu)受到電磁干擾，提高下游顯示產(chǎn)品的顯示效果。并且通過(guò)對(duì)AZO材料的應(yīng)用，使在電子顯示領(lǐng)域替代ITO應(yīng)用成為可能，可以解決ITO儲(chǔ)量有限，價(jià)格昂貴等問(wèn)題。
【IPC分類(lèi)】C03C17/34, G06F3/041
【公開(kāi)號(hào)】CN105084777
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510243815
【發(fā)明人】董清世, 邵世強(qiáng), 李曉東, 王潤(rùn), 陳曦
【申請(qǐng)人】信義光伏產(chǎn)業(yè)(安徽)控股有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年5月13日