專利名稱：碳青霉烯側(cè)鏈中間體的改良制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及碳青霉烯(carbapenem)側(cè)鏈的制造方法。具體而言，涉及含有吡咯烷基的碳青霉烯側(cè)鏈的中間體的制造方法。
背景技術(shù)：
下述式(1)代表的化合物(本說明書中有時將其稱為“化合物(1)”，其他化合物也相同)，在構(gòu)筑具有優(yōu)異的抗菌活性的碳青霉烯化合物的2位側(cè)鏈部分時使用，[化學(xué)式1]
權(quán)利要求
1.下述式(1)代表的吡咯烷衍生物的制造方法，其特征在于 一邊控制每單位體積所需攪拌動力為0. 2kW/m3以上且下述式(I)的值為0. 003 0. 2， 一邊向下述式( 代表的化合物中添加金屬硫化物水溶液，
2.權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，上述式( 代表的化合物，是在三烷基胺存在且吡啶不存在的條件下，使下述式C3)代表的化合物和磺酸的鹵化物發(fā)生反應(yīng)而制得的，
3.權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，上述式C3)代表的化合物，是在水難溶性有機(jī)溶劑中，在三烷基胺存在的條件下，使下述式(4)代表的化合物和下述式( 代表的氯碳酸酯反應(yīng)而制得的，
4.權(quán)利要求2或3所述的制造方法，其中，三烷基胺是三乙胺和/或三甲胺。
5.權(quán)利要求2 4中任一項所述的制造方法，其中，磺酸的鹵化物是甲磺酰氯和/或任選被取代的苯磺酰氯。
6.權(quán)利要求3 5中任一項所述的制造方法，其中，上述式(4)代表的化合物是氨基被保護(hù)的光學(xué)活性的反式-4-羥基-L-脯氨酸。
7.權(quán)利要求1 6中任一項所述的制造方法，其中，金屬硫化物為硫化鈉。
8.權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，硫化鈉水溶液的濃度為10 50重量％。
9.權(quán)利要求1 6中任一項所述的制造方法，其中，金屬硫化物為氫硫化鈉。
10.權(quán)利要求9所述的制造方法，其中，氫硫化鈉水溶液的濃度為10 50重量％。
11.下述式(7)代表的4-巰基吡咯烷衍生物的制造方法，其特征在于使由權(quán)利要求1 10中任一項所述方法制造的化合物⑴和下述式(6)代表的胺化合物或它們的無機(jī)酸鹽發(fā)生反應(yīng)， NHR3R4 (6)
12.下述式(8)代表的4-巰基吡咯烷衍生物或其鹽的制造方法，其特征在于使由權(quán)利要求11中所述方法制造的化合物(7)與脫保護(hù)劑發(fā)生反應(yīng)，從而將4-巰基吡咯烷衍生物的保護(hù)基P進(jìn)行脫保護(hù)，
13.權(quán)利要求1 12中任一項所述的制造方法，其中，P為4-硝基芐氧基羰基、叔丁氧基羰基、芐氧基羰基、4-甲氧基芐氧基羰基和烯丙基氧基羰基中的任意一種。
14.權(quán)利要求13所述的制造方法，其中，P為叔丁氧基羰基。
15.權(quán)利要求12 14中任一項所述的制造方法，其中，脫保護(hù)劑為質(zhì)子酸。
16.權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，質(zhì)子酸為鹽酸。
17.權(quán)利要求11 16中任一項所述的制造方法，其中，R3和R4各自獨立地表示氫原子、任選被取代的碳原子數(shù)為1 6的烷基、或任選被取代的碳原子數(shù)為6 12的芳基中的任意基團(tuán)。
18.權(quán)利要求17所述的制造方法，其中，R3和R4為甲基，或R3為氫原子、R4為3-羧基苯基。
全文摘要
本發(fā)明的課題是提供一種制造被用作碳青霉烯側(cè)鏈中間體的吡咯烷衍生物的方法，其使用容易獲得且較為廉價的試劑，不對中間體硫代羧酸進(jìn)行分離，通過簡便的操作、且高收率地制得吡咯烷衍生物。上述目的可以通過進(jìn)行如下反應(yīng)來實現(xiàn)一邊控制每單位體積所需攪拌動力為0.2kW/m3以上且(每1秒鐘金屬硫化物水溶液的添加量)÷(金屬硫化物水溶液的總添加量)＝0.003～0.2，一邊向下述式(2)代表的化合物中添加金屬硫化物水溶液從而進(jìn)行反應(yīng)。
文檔編號C07D495/08GK102264744SQ20098015257
公開日2011年11月30日 申請日期2009年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者岡島基范, 古賀照義, 揚野貴文 申請人:株式會社鐘化