本申請(qǐng)要求于2015年12月11日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0177362號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的權(quán)益，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方案涉及稠環(huán)化合物以及包含所述稠環(huán)化合物的有機(jī)發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

與常規(guī)的裝置相比，有機(jī)發(fā)光裝置是具有廣視角、高對(duì)比度、短響應(yīng)時(shí)間以及優(yōu)異的亮度、驅(qū)動(dòng)電壓和響應(yīng)速度特性的自發(fā)射裝置，并且產(chǎn)生全色圖像。

有機(jī)發(fā)光裝置可以包括布置在襯底上的第一電極，以及依次布置在所述第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)和第二電極。由第一電極提供的空穴可以通過(guò)空穴傳輸區(qū)向發(fā)射層移動(dòng)，并且由第二電極提供的電子可以通過(guò)電子傳輸區(qū)向發(fā)射層移動(dòng)。載流子，例如空穴和電子，在發(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。這些激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變至基態(tài)，從而產(chǎn)生光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方案包括稠環(huán)化合物和包含所述稠環(huán)化合物的有機(jī)發(fā)光裝置。

另外的方面將在隨后的描述中部分地闡述，并且將部分地從該描述而顯而易見(jiàn)，或可以通過(guò)所呈現(xiàn)的實(shí)施方案的實(shí)踐而獲悉。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方案，稠環(huán)化合物由式1表示：

<式1>

<式2>

其中，在式1和式2中，

Ar₁至Ar₄各自獨(dú)立地為由式2表示的基團(tuán)，

R₁至R₄、R₁₁和R₂₁各自獨(dú)立地選自

氫、氘、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基和苯基；以及

各自被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基和苯基，

a1至a4、b1至b4、b11和b21各自獨(dú)立地為0至4的整數(shù)，

c1和c2各自獨(dú)立地為1至5的整數(shù)，以及

a1、a2、a3和a4的總和為1或大于1。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方案，有機(jī)發(fā)光裝置包括：第一電極；面向所述第一電極的第二電極；以及在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)射層，其中所述有機(jī)層包含一種或多種本文所提供的稠環(huán)化合物。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，這些方面和/或其他方面將從以下示例性實(shí)施方案的描述而變得顯而易見(jiàn)并且更容易地理解，其中：

圖1是根據(jù)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置的示意圖；

圖2是根據(jù)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置的示意圖；

圖3是根據(jù)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置的示意圖；以及

圖4是根據(jù)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將詳細(xì)地參考示例性實(shí)施方案，所述示例性實(shí)施方案的實(shí)例在附圖中例示出，其中相同的參考數(shù)字通篇指代相同的要素。對(duì)此，本示例性實(shí)施方案可以具有不同的形式并且不應(yīng)解釋為局限于本文闡述的描述。因此，通過(guò)參考附圖，下文僅描述示例性實(shí)施方案以解釋本描述的方面。如本文所用，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。諸如“中的至少一個(gè)(種)”的表述，當(dāng)在一列要素之前時(shí)，修飾整列要素而不修飾該列的個(gè)別要素。

一個(gè)實(shí)施方案中的稠環(huán)化合物可以由式1表示：

<式1>

式1中的Ar₁至Ar₄可以各自獨(dú)立地為由式2表示的基團(tuán)：

<式2>

式1和式2中的R₁至R₄、R₁₁和R₂₁可以各自獨(dú)立地選自：

氫、氘、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基和苯基；以及

各自被至少一個(gè)氘取代的C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基和苯基。

例如，式1和式2中的R₁至R₄、R₁₁和R₂₁可以各自獨(dú)立地選自：

氫、氘和苯基；以及

被至少一個(gè)氘取代的苯基，但不限于此。

在一個(gè)實(shí)施方案中，在式1和式2中，R₁至R₄、R₁₁和R₂₁可以各自獨(dú)立地選自：

氫、-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H和-CD₂CDH₂；

正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和苯基；以及

各自被至少一個(gè)氘取代的正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基和苯基。

在一些實(shí)施方案中，在式1和式2中，R₁至R₄、R₁₁和R₂₁可以各自獨(dú)立地選自氫、氘和苯基。

式1和式2中的a1至a4、b1至b4、b11和b21可以各自獨(dú)立地為選自0至4的整數(shù)。

式1中的a1至a4可以分別表示Ar₁至Ar₄的數(shù)目。當(dāng)a1為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的Ar₁可以彼此相同或彼此不同，當(dāng)a2為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的Ar₂可以彼此相同或彼此不同，當(dāng)a3為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的Ar₃可以彼此相同或彼此不同，以及當(dāng)a4為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的Ar₄可以彼此相同或彼此不同。

在式1和式2中，b1至b4、b11和b21可以分別表示R₁至R₄、R₁₁和R₂₁的數(shù)目。當(dāng)b1為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的R₁可以彼此相同或彼此不同，當(dāng)b2為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的R₂可以彼此相同或彼此不同，當(dāng)b3為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的R₃可以彼此相同或彼此不同，當(dāng)b4為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的R₄可以彼此相同或彼此不同，當(dāng)b11為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的R₁₁可以彼此相同或彼此不同，以及當(dāng)b21為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的R₂₁可以彼此相同或彼此不同。

在式2中，c1和c2可以各自獨(dú)立地為選自1至5的整數(shù)。由于c1和c2的最小值可以分別為1，因此式2可以包含至少兩個(gè)取代或未取代的苯環(huán)。

例如，式2中的c1和c2可以各自獨(dú)立地為1、2或3。

在式1中，a1、a2、a3和a4的總和可以為1或大于1。因此，式1可以實(shí)質(zhì)上包含至少一個(gè)由式2表示的基團(tuán)。

在一個(gè)實(shí)施方案中，在式1中，a1、a2、a3和a4的總和可以為1、2或3。

在一些實(shí)施方案中，在式1中，a1、a2、a3和a4的總和可以為1。

在一些實(shí)施方案中，在式1中，

a1可以等于1，并且a2、a3和a4可以同時(shí)等于0；

a1和a2兩者均可以等于1，并且a3和a4兩者均可以等于0；

a1和a3兩者均可以等于1，并且a2和a4兩者均可以等于0；

a1、a2和a3可以同時(shí)等于1，并且a4可以等于0；

或者

a1、a2、a3和a4可以同時(shí)等于1，但可以不限于此。

在一個(gè)實(shí)施方案中，式1中的Ar₁至Ar₄可以各自獨(dú)立地選自由式2-1至式2-40表示的基團(tuán)：

在式2-1至式2-40中，

R₁₁和R₂₁可以與以上所述相同，

R₁₂可以與以上關(guān)于R₁₁所述的相同，

R₂₂和R₂₃可以與以上關(guān)于R₂₁所述的相同，

b11、b12和b21至b23可以各自獨(dú)立地為0、1或2，以及

*可以表示與相鄰原子的連接位點(diǎn)。

例如，式2-1至式2-40中的R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃可以各自獨(dú)立地為氫、氘或苯基。

在一些實(shí)施方案中，在式1中，Ar₁至Ar₄可以各自獨(dú)立地選自由式2(1)至式2(54)表示的基團(tuán)：

在式2(1)至式2(54)中，*可以表示與相鄰原子的連接位點(diǎn)。

在一些實(shí)施方案中，稠環(huán)化合物可以由式1-1至式1-11之一表示：

式1-1至式1-11中的Ar₁至Ar₃、R₁至R₄、和b1至b4與以上所述相同。

例如，式1-1至式1-11中的Ar₁至Ar₃可以各自獨(dú)立地選自由式2-1至式2-40表示的基團(tuán)。

在一些實(shí)施方案中，式1-1至式1-11中的Ar₁至Ar₃可以各自獨(dú)立地選自由式2(1)至式2(40)表示的基團(tuán)。

稠環(huán)化合物可以具有450至1000的分子量。因此，可以有效地進(jìn)行稠環(huán)化合物的升華/精制，并且通過(guò)使用稠環(huán)化合物而形成的薄膜可以具有優(yōu)異的形貌。

稠環(huán)化合物可以具有2.7eV至3.0eV的三重態(tài)(T₁)能級(jí)，例如，稠環(huán)化合物可以具有2.7eV至2.95eV(諸如2.75eV至2.82eV)的三重態(tài)(T₁)能級(jí)。稠環(huán)化合物可以具有小于-2.4eV的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級(jí)(實(shí)測(cè)值)，例如，可以具有小于-2.4eV且大于或等于-3.0eV的LUMO能級(jí)(實(shí)測(cè)值)。因此，稠環(huán)化合物可以具有適于用作用于電子裝置的材料的電學(xué)特性，所述用于電子裝置的材料例如用于形成有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)射層的材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，具有那些三重態(tài)(T₁)能級(jí)范圍的稠環(huán)化合物可以有效地將能量轉(zhuǎn)移至發(fā)射深藍(lán)色光的藍(lán)色磷光摻雜劑。

稠環(huán)化合物可以是選自化合物1至化合物14中的一個(gè)。

稠環(huán)化合物可以具有由式1表示的基于螺-二芴的核。因此，即使當(dāng)稠環(huán)化合物接觸諸如空穴和電子的電荷和/或激子時(shí)，稠環(huán)化合物也可以具有高的耐分解性。因此，采用稠環(huán)化合物的電子裝置，例如，采用稠環(huán)化合物的有機(jī)發(fā)光裝置，可以具有高效率和長(zhǎng)使用壽命。

此外，式1中的Ar₁至Ar₄可以是由式2表示的基團(tuán)。由于分別表示Ar₁至Ar₄的數(shù)目的a1至a4的總和為1或大于1，因此稠環(huán)化合物可以實(shí)質(zhì)上包含至少一個(gè)由式2表示的基團(tuán)。此處，由于由式2表示的基團(tuán)中的c1和c2的最小值可以各自為2或大于2，因此由式2表示的基團(tuán)可以具有兩個(gè)或多于兩個(gè)的取代或未取代的苯環(huán)。因此，由式1表示的稠環(huán)化合物可以具有三重態(tài)能級(jí)。因此，不受特定理論的限制，在包括包含稠環(huán)化合物和藍(lán)色磷光摻雜劑的薄膜的電子裝置(例如，有機(jī)發(fā)光裝置)中，稠環(huán)化合物與藍(lán)色磷光摻雜劑之間的三重態(tài)能級(jí)差可以是相對(duì)小的(例如，小于0.2eV)，并且因此所述電子裝置可以具有高效率和長(zhǎng)使用壽命。

可以通過(guò)使用已知的有機(jī)合成方法來(lái)合成由式1表示的稠環(huán)化合物。鑒于以下實(shí)施方案，稠環(huán)化合物的合成方法對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言可以是可認(rèn)識(shí)的。

可以在有機(jī)發(fā)光裝置的一對(duì)電極之間使用式1的稠環(huán)化合物中的至少一種。例如，可以將稠環(huán)化合物包含于發(fā)射層中。在一些實(shí)施方案中，可以將式1的稠環(huán)化合物用作用于位于有機(jī)發(fā)光裝置的一對(duì)電極外部的覆蓋層的材料。

因此，提供了有機(jī)發(fā)光裝置，其包括：第一電極；面向所述第一電極的第二電極；以及在所述第一電極與所述第二電極之間的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)射層，其中所述有機(jī)層包含至少一種由式1表示的稠環(huán)化合物。

本文中使用的表述“(有機(jī)層)包含稠環(huán)化合物中的至少一種”包括其中“(有機(jī)層)包含相同的由式1表示的稠環(huán)化合物”的情況和其中“(有機(jī)層)包含兩種或多于兩種的不同的由式1表示的稠環(huán)化合物”的情況。

例如，有機(jī)層可以?xún)H包含化合物1作為稠環(huán)化合物。對(duì)此，化合物1可以存在于有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)射層中。在一些實(shí)施方案中，有機(jī)層可以包含化合物1和化合物2作為稠環(huán)化合物。對(duì)此，化合物1和化合物2可以存在于相同層中(例如，化合物1和化合物2可以均存在于發(fā)射層中)，或不同層中(例如，化合物1可以存在于空穴傳輸層中并且化合物2可以存在于發(fā)射層中)。

有機(jī)層可以包括在第一電極(陽(yáng)極)與發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)和在發(fā)射層與第二電極(陰極)之間的電子傳輸區(qū)。所述空穴傳輸區(qū)可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射輔助層、電子阻擋層、或其任何組合，并且所述電子傳輸區(qū)可以包括空穴阻擋層、緩沖層、電子傳輸層、電子控制層、電子注入層、或其任何組合。

在一些實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)射層可以包含稠環(huán)化合物。所述發(fā)射層可以還包含摻雜劑。摻雜劑可以是磷光摻雜劑或熒光摻雜劑。例如，摻雜劑可以是藍(lán)色磷光摻雜劑。藍(lán)色磷光摻雜劑可以是通過(guò)磷光發(fā)射機(jī)理(例如，德克斯特能量轉(zhuǎn)移機(jī)理)而發(fā)射藍(lán)光(例如，深藍(lán)色光)的化合物，其中藍(lán)光的x-坐標(biāo)和y-坐標(biāo)可以各自獨(dú)立地為約0.03至約0.3。

在一些實(shí)施方案中，發(fā)射層可以包含主體和摻雜劑，主體可以包括由式1表示的稠環(huán)化合物，并且摻雜劑可以包括如上所述的藍(lán)色磷光摻雜劑。

包含在發(fā)射層中的稠環(huán)化合物的三重態(tài)能級(jí)可以高于藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)，并且稠環(huán)化合物的三重態(tài)能級(jí)與藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)之間的差可以小于0.2eV(例如，大于或等于0.01eV且小于或等于0.15eV)。在一些實(shí)施方案中，包含在發(fā)射層中的稠環(huán)化合物的三重態(tài)能級(jí)可以高于藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)，并且稠環(huán)化合物的三重態(tài)能級(jí)與藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)之間的差可以大于或等于0.05eV且小于或等于0.12eV。

因此，可以有效地完成從稠環(huán)化合物(主體)向藍(lán)色磷光摻雜劑的能量轉(zhuǎn)移，而沒(méi)有稠環(huán)化合物和藍(lán)色磷光摻雜劑的分解/解離，包含稠環(huán)化合物和藍(lán)色磷光摻雜劑的有機(jī)發(fā)光裝置可以具有高效率和長(zhǎng)使用壽命。

作為參考，已經(jīng)通過(guò)使用高斯程序的DFT法(以B3LYP和6-31G(d,p)水平結(jié)構(gòu)優(yōu)化)評(píng)價(jià)了化合物A至C的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(jí)、LUMO能級(jí)和三重態(tài)(T₁)能級(jí)，并且因此結(jié)果例示于表1中。

[表1]

不受特定理論的限制，由于在化合物A中，僅一個(gè)苯基與螺-二芴核結(jié)合，因此化合物A可以具有相對(duì)高的LUMO能級(jí)。采用化合物A的有機(jī)發(fā)光裝置在驅(qū)動(dòng)過(guò)程中不可以有效地實(shí)現(xiàn)電荷移動(dòng)平衡，從而由此導(dǎo)致更低的效率。由于化合物B可以具有相對(duì)小的T₁能級(jí)，因此化合物B的T₁能級(jí)可以小于常規(guī)磷光摻雜劑的T₁能級(jí)。采用化合物B的有機(jī)發(fā)光裝置在發(fā)射層中可以具有降低的能量轉(zhuǎn)移效率，從而由此導(dǎo)致更低的效率。此外，化合物C可以包含諸如二苯基氨基的空穴傳輸基團(tuán)，從而由此具有相對(duì)低的T₁能級(jí)和差的電荷移動(dòng)特性。由于包含化合物C，因此形成的有機(jī)發(fā)光裝置可以具有更低的效率和更短的使用壽命。

在一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光裝置中的藍(lán)色磷光摻雜劑的三重態(tài)能級(jí)可以為2.7eV以上且2.9eV以下，但不限于此。當(dāng)藍(lán)色磷光摻雜劑具有以上所述的三重態(tài)能級(jí)范圍，并且與由式1表示的稠環(huán)化合物一起使用時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)具有高效率和長(zhǎng)使用壽命的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光裝置。

在一些實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光裝置的空穴傳輸區(qū)可以包括發(fā)射輔助層，其中可以將稠環(huán)化合物包含于發(fā)射輔助層中。發(fā)射輔助層可以直接接觸發(fā)射層，并且可以不包含包含在發(fā)射層中的摻雜劑。

在一些實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光裝置的空穴傳輸區(qū)可以包括發(fā)射輔助層，其中可以將稠環(huán)化合物包含于發(fā)射層和發(fā)射輔助層中。包含在發(fā)射層中的稠環(huán)化合物可以與包含在發(fā)射輔助層中的稠環(huán)化合物相同，并且發(fā)射層可以還包含藍(lán)色磷光摻雜劑。

發(fā)射輔助層可以防止電荷(例如，電子)和/或激子從發(fā)射層移動(dòng)至空穴傳輸區(qū)，并且可以促進(jìn)空穴從空穴傳輸區(qū)轉(zhuǎn)移至發(fā)射層。因此，包括發(fā)射輔助層的有機(jī)發(fā)光裝置可以具有高效率和長(zhǎng)使用壽命。

如本文所用，術(shù)語(yǔ)“有機(jī)層”是指在有機(jī)發(fā)光裝置的第一電極與第二電極之間的單層和/或多個(gè)層。“有機(jī)層”中包含的材料不限于有機(jī)材料。

[圖1的描述]

圖1是在一個(gè)實(shí)施方案中的有機(jī)發(fā)光裝置10的示意圖。有機(jī)發(fā)光裝置10包括第一電極110、有機(jī)層150和第二電極190。

在下文中，將結(jié)合圖1描述在一個(gè)實(shí)施方案中的有機(jī)發(fā)光裝置10的結(jié)構(gòu)和制造有機(jī)發(fā)光裝置10的方法。

[第一電極110]

在圖1中，可以在第一電極110下方或第二電極190上方另外布置襯底。襯底可以是各自具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明性、表面光滑度、易操作性和耐水性的玻璃襯底或塑料襯底。

可以通過(guò)在襯底上沉積或?yàn)R射用于形成第一電極110的材料而形成第一電極110。當(dāng)?shù)谝浑姌O110是陽(yáng)極時(shí)，用于形成第一電極110的材料可以選自具有高功函的材料以促進(jìn)空穴注入。

第一電極110可以是反射電極、半透射電極或透射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O110是透射電極時(shí)，用于形成第一電極的材料可以選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO₂)、氧化鋅(ZnO)及其任何組合，但不限于此。當(dāng)?shù)谝浑姌O110是半透射電極或反射電極時(shí)，作為用于形成第一電極110的材料，可以使用鎂(Mg)、銀(Ag)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)或其任何組合。然而，用于形成第一電極110的材料不限于此。

第一電極110可以具有單層結(jié)構(gòu)，或包括兩層或多于兩層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可以具有ITO/Ag/ITO的三層結(jié)構(gòu)，但第一電極110的結(jié)構(gòu)不限于此。

[有機(jī)層150]

有機(jī)層150布置在第一電極110上。有機(jī)層150可以包括發(fā)射層。

有機(jī)層150可以進(jìn)一步包括在第一電極110與發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)，以及在發(fā)射層與第二電極190之間的電子傳輸區(qū)。

[有機(jī)層150中的空穴傳輸區(qū)]

空穴傳輸區(qū)可以具有i)包括含單一材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括含多種不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，或iii)具有含多種不同材料的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

空穴傳輸區(qū)可以包括選自空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射輔助層和電子阻擋層(EBL)中的至少一層。

例如，空穴傳輸區(qū)可以具有包括含多種不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，或具有空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射輔助層、空穴注入層/發(fā)射輔助層、空穴傳輸層/發(fā)射輔助層、或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)，其中對(duì)于每一種結(jié)構(gòu)，以這種規(guī)定的順序從第一電極110依次堆疊組成層，但空穴傳輸區(qū)的結(jié)構(gòu)不限于此。

在一些實(shí)施方案中，空穴傳輸區(qū)可以包含選自m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一種：

和

<式201>

<式202>

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自獨(dú)立地選自取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)，

L₂₀₅可以選自*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、取代或未取代的C₁-C₂₀亞烷基、取代或未取代的C₂-C₂₀亞烯基、取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)，

xa1至xa4可以各自獨(dú)立地為選自0至3的整數(shù)，

xa5可以為選自1至10的整數(shù)，以及

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自獨(dú)立地選自取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)。

例如，在式202中，R₂₀₁和R₂₀₂可以任選地通過(guò)單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基彼此連接，并且R₂₀₃和R₂₀₄可以任選地通過(guò)單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基彼此連接。

在一個(gè)實(shí)施方案中，

式201和式202中的L₂₀₁至L₂₀₅可以各自獨(dú)立地選自：

亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞甘菊環(huán)基、亞庚搭烯基、亞引達(dá)省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞五苯基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蒄基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基和亞吡啶基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞甘菊環(huán)基、亞庚搭烯基、亞引達(dá)省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞五苯基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蒄基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基和亞吡啶基，以及

Q₃₁至Q₃₃可以各自獨(dú)立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一些實(shí)施方案中，xa1至xa4可以各自獨(dú)立地為0、1或2。

在一些實(shí)施方案中，xa5可以為1、2、3或4。

在一些實(shí)施方案中，R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自獨(dú)立地選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)和-N(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；

Q₃₁至Q₃₃可以與以上所述相同。

在一些實(shí)施方案中，選自式201中的R₂₀₁至R₂₀₃中的至少一個(gè)可以各自獨(dú)立地選自

芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一個(gè)取代的芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，但不限于此。

在一些實(shí)施方案中，在式202中，i)R₂₀₁和R₂₀₂可以通過(guò)單鍵彼此連接，和/或ii)R₂₀₃和R₂₀₄可以通過(guò)單鍵彼此連接。

在一些實(shí)施方案中，式202中的R₂₀₁至R₂₀₄中的至少一個(gè)可以選自：

咔唑基；以及

被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一個(gè)取代的咔唑基，但不限于此。

由式201表示的化合物可以由式201A表示：

<式201A>

例如，由式201表示的化合物可以由式201A(1)表示，但不限于此：

<式201A(1)>

在一些實(shí)施方案中，由式201表示的化合物可以由式201A-1表示，但不限于此：

<式201A-1>

由式202表示的化合物可以由式202A表示：

<式202A>

在一些實(shí)施方案中，由式202表示的化合物可以由式202A-1表示：

<式202A-1>

在式201A、式201A(1)、式201A-1、式202A和式202A-1中，

L₂₀₁至L₂₀₃、xa1至xa3、xa5和R₂₀₂至R₂₀₄可以與以上所述相同，

R₂₁₁和R₂₁₂可以與以上關(guān)于R₂₀₃所述相同，

R₂₁₃至R₂₁₇可以各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被C₁-C₁₀烷基取代的苯基、被-F取代的苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達(dá)省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。

空穴傳輸區(qū)可以包含選自化合物HT1至HT39中的至少一種化合物，但不限于此：

空穴傳輸區(qū)的厚度可以為約至約例如，約至約當(dāng)空穴傳輸區(qū)包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)時(shí)，空穴注入層的厚度可以為約至約并且例如，約至約以及空穴傳輸層的厚度可以為約至約并且例如，約至約當(dāng)空穴傳輸區(qū)、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，可以獲得令人滿意的空穴傳輸特性，而沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

電子阻擋層防止來(lái)自電子傳輸區(qū)的電子注入。發(fā)射輔助層和電子阻擋層可以包含以上所述的那些材料。發(fā)射輔助層可以包含由式1表示的稠環(huán)化合物。

[p-摻雜劑]

除了這些材料，空穴傳輸區(qū)可以還包含用于改善傳導(dǎo)性能的電荷產(chǎn)生材料。電荷產(chǎn)生材料可以均勻地或非均勻地分散于空穴傳輸區(qū)中。

電荷產(chǎn)生材料可以是，例如，p-摻雜劑。

在一個(gè)實(shí)施方案中，p-摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)可以是-3.5eV或小于-3.5eV。

p-摻雜劑可以包括選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的至少一種，但實(shí)施方案不限于此。

例如，p-摻雜劑可以包括選自以下的至少一種：

醌衍生物，例如四氰基二甲基苯醌(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基二甲基苯醌(F4-TCNQ)；

金屬氧化物，例如氧化鎢和氧化鉬；

1,4,5,8,9,11-六氮雜苯并菲-六甲腈(hexacarbonitrile)(HAT-CN)；以及

由式221表示的化合物，但不限于此：

<式221>

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自獨(dú)立地選自取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)，前提條件是選自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一個(gè)具有至少一個(gè)選自以下的取代基：氰基、-F、-Cl、-Br、-I、被-F取代的C₁-C₂₀烷基、被-Cl取代的C₁-C₂₀烷基、被-Br取代的C₁-C₂₀烷基和被-I取代的C₁-C₂₀烷基。

[有機(jī)層150中的發(fā)射層]

當(dāng)有機(jī)發(fā)光裝置10是全色有機(jī)發(fā)光裝置時(shí)，根據(jù)子像素，可以將發(fā)射層構(gòu)圖為紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層或藍(lán)色發(fā)射層。在一些實(shí)施方案中，發(fā)射層可以具有選自紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍(lán)色發(fā)射層中的兩個(gè)或多于兩個(gè)的層的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述兩個(gè)或多于兩個(gè)的層彼此接觸或彼此分開(kāi)。在一些實(shí)施方案中，發(fā)射層可以包含選自紅光發(fā)射材料、綠光發(fā)射材料和藍(lán)光發(fā)射材料中的兩種或多于兩種的材料，其中將所述兩種或多于兩種的材料在單層中彼此混合以發(fā)射白光。

發(fā)射層可以包含主體和摻雜劑。摻雜劑可以是選自磷光摻雜劑和熒光摻雜劑中的至少一種。

基于100重量份的主體，發(fā)射層中的摻雜劑的量可以通常為約0.01重量份至約15重量份，但不限于此。

發(fā)射層的厚度可以為約至約例如，約至約當(dāng)發(fā)射層的厚度在該范圍內(nèi)時(shí)，可以獲得優(yōu)異的發(fā)光特性，而沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

[發(fā)射層中的主體]

主體可以包括由式1表示的稠環(huán)化合物。

在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)射層包含主體和摻雜劑，主體可以包括由式1表示的稠環(huán)化合物，并且摻雜劑可以包括藍(lán)色磷光摻雜劑。

[包含于有機(jī)層150中的發(fā)射層中的磷光摻雜劑]

磷光摻雜劑可以包括由以下式401表示的有機(jī)金屬絡(luò)合物：

<式401>

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

<式402>

在式401和式402中，

M可以選自銥(Ir)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋨(Os)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、銪(Eu)、鋱(Tb)、銠(Rh)和銩(Tm)，

L₄₀₁可以是由式402表示的配體，并且xc1可以為1、2或3，其中當(dāng)xc1為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以為有機(jī)配體，并且xc2可以為選自0至4的整數(shù)，其中當(dāng)xc2為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁至X₄₀₄可以各自獨(dú)立地為氮或碳，

X₄₀₁和X₄₀₃可以通過(guò)單鍵或雙鍵而彼此連接，并且X₄₀₂和X₄₀₄可以通過(guò)單鍵或雙鍵而彼此連接，

A₄₀₁和A₄₀₂可以各自獨(dú)立地為C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)或C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)，

X₄₀₅可以是單鍵、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-N(Q₄₁₁)-*’、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*’、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*’、*-C(Q₄₁₁)＝*’或*＝C(Q₄₁₁)＝*’，以及Q₄₁₁和Q₄₁₂可以為氫、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基，

X₄₀₆可以是單鍵、O或S，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₁-C₂₀烷氧基、取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，并且Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自獨(dú)立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、C₆-C₂₀芳基和C₁-C₂₀雜芳基，

xc11和xc12可以各自獨(dú)立地為選自0至10的整數(shù)，

在式402中，*和*’可以為針對(duì)式401中M的連接位點(diǎn)。

在一個(gè)實(shí)施方案中，式402中的A₄₀₁和A₄₀₂可以各自獨(dú)立地選自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一些實(shí)施方案中，在式402中，i)X₄₀₁可以為氮，X₄₀₂可以為碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂兩者均可以為氮。

在一些實(shí)施方案中，在式402中，R₄₀₁和R₄₀₂可以各自獨(dú)立地選自：

氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中的至少一個(gè)取代的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基；

環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一個(gè)取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)和-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

其中Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自獨(dú)立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基和萘基，但不限于此。

在一些實(shí)施方案中，在式401中，當(dāng)xc1為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的L₄₀₁的兩個(gè)A₄₀₁可以任選地通過(guò)為連接基團(tuán)的X₄₀₇而彼此連接，或者兩個(gè)A₄₀₂可以任選地通過(guò)為連接基團(tuán)的X₄₀₈而彼此連接(參見(jiàn)化合物PD1至PD4和PD7)。X₄₀₇和X₄₀₈可以各自獨(dú)立地為單鍵、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-N(Q₄₁₃)-*’、*-C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)-*’或*-C(Q₄₁₃)＝C(Q₄₁₄)-*’(其中，Q₄₁₃和Q₄₁₄可以各自獨(dú)立地為氫、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基)，但不限于此。

式401中的L₄₀₂可以是單價(jià)、二價(jià)或三價(jià)有機(jī)配體。例如，L₄₀₂可以選自鹵素、二酮(例如，乙酰丙酮酸酯(鹽))、羧酸(例如，吡啶甲酸酯(鹽))、-C(＝O)、異腈、-CN和磷(例如，膦)和亞磷酸酯(鹽)，但不限于此。

在一些實(shí)施方案中，磷光摻雜劑可以選自，例如，化合物PD1至化合物PD25和Fipic，但不限于此：

和

<Firpic>

[發(fā)射層中的熒光摻雜劑]

熒光摻雜劑可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。

熒光摻雜劑可以包括由以下式501表示的化合物。

<式501>

在式501中，

Ar₅₀₁可以是取代或未取代的C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)或者取代或未取代的C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)，

L₅₀₁至L₅₀₃可以各自獨(dú)立地選自取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)，

xd1至xd3可以各自獨(dú)立地為0至3的整數(shù)，

R₅₀₁和R₅₀₂可以各自獨(dú)立地選自取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)，以及

xd4可以為1至6的整數(shù)。

在一個(gè)實(shí)施方案中，式501中的Ar₅₀₁可以選自：

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、茚并蒽基和茚并菲基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基中的至少一個(gè)取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、茚并蒽基和茚并菲基。

在一些實(shí)施方案中，式501中的L₅₀₁至L₅₀₃可以各自獨(dú)立地選自：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞五苯基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞苯并噻咯基、亞吡啶基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞五苯基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基、亞吡啶基。

在一些實(shí)施方案中，式501中的R₅₀₁和R₅₀₂可以各自獨(dú)立地選自：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)中的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，

其中Q₃₁至Q₃₃可以選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一些實(shí)施方案中，式501中的xd4可以為2，但不限于此。

例如，熒光摻雜劑可以選自化合物FD1至化合物FD22：

在一些實(shí)施方案中，熒光摻雜劑可以選自以下化合物，但不限于此：

[有機(jī)層150中的電子傳輸區(qū)]

電子傳輸區(qū)可以具有i)包括具有單一材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括具有多種不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，或iii)包括具有多種不同材料的多個(gè)層的多層。

電子傳輸區(qū)可以包括選自緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層中的至少一層，但不限于此。例如，電子傳輸區(qū)可以具有從發(fā)射層層壓的電子傳輸層/電子注入層、空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層、電子控制層/電子傳輸層/電子注入層、或緩沖層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，但不限于此。

電子傳輸區(qū)(例如，電子傳輸區(qū)中的緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層或電子傳輸層)可以包含不含金屬的化合物，所述不含金屬的化合物包含至少一個(gè)π電子耗盡的含氮的環(huán)。

所述“π電子耗盡的含氮的環(huán)”可以是成環(huán)的部分，并且意指具有至少一個(gè)*-N＝*’部分的C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)。

例如，“π電子耗盡的含氮的環(huán)”可以是i)選自各自具有至少一個(gè)*-N＝*’部分的5元至7元雜單環(huán)基團(tuán)中的一個(gè)，ii)其中選自各自具有至少一個(gè)*-N＝*’部分的5元至7元雜單環(huán)基團(tuán)中的兩個(gè)或更多個(gè)彼此稠合的雜多環(huán)基團(tuán)，或iii)其中選自各自具有至少一個(gè)*-N＝*’部分的5元至7元雜單環(huán)基團(tuán)中的至少一個(gè)與至少一個(gè)C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)稠合的雜多環(huán)基團(tuán)。

π電子耗盡的含氮的環(huán)的實(shí)例包括咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、異苯并噻唑、苯并噁唑、異苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶、氮雜咔唑，但不限于此。

例如，電子傳輸區(qū)可以包含由式601表示的化合物。

<式601>

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21。

在式601中，

Ar₆₀₁可以是取代或未取代的C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)或者取代或未取代的C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)，

xe11可以為1、2或3，

L₆₀₁可以選自取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代或未取代的二價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)，

xe1可以為0至5的整數(shù)，

R₆₀₁可以選自取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代或未取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

其中Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自獨(dú)立地為C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基，以及

xe21可以為1至5的整數(shù)。

在一個(gè)實(shí)施方案中，xe11個(gè)Ar₆₀₁和xe21個(gè)R₆₀₁中的至少一個(gè)可以包含以上所述的π電子耗盡的含氮的環(huán)。

在一個(gè)實(shí)施方案中，式601中的環(huán)Ar₆₀₁可以選自：

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)中的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、五苯基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自獨(dú)立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

當(dāng)式601中的xe11為2或大于2時(shí)，兩個(gè)或多于兩個(gè)的Ar₆₀₁可以通過(guò)單鍵而彼此連接。

在一些實(shí)施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是蒽基。

在一些實(shí)施方案中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：

<式601-1>

在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一個(gè)可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自獨(dú)立地與關(guān)于L₆₀₁所述的相同，

xe611至xe613可以各自獨(dú)立地與關(guān)于xe1所述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自獨(dú)立地與關(guān)于R₆₀₁所述的相同，

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個(gè)實(shí)施方案中，式601和式601-1中的L₆₀₁和L₆₁₁至L₆₁₃可以各自獨(dú)立地選自：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞五苯基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基；以及

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基中的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞五苯基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并噻咯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基，但不限于此。

在一些實(shí)施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自獨(dú)立地為0、1或2。

在一些實(shí)施方案中，式601和式601-1中的R₆₀₁和R₆₁₁至R₆₁₃可以各自獨(dú)立地選自：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基中的至少一個(gè)取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、五苯基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

-S(＝O)₂(Q₆₀₁)和-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

其中Q₆₀₁和Q₆₀₂可以與以上所述的相同。

電子傳輸區(qū)可以包含至少一種選自化合物ET1至化合物ET36的化合物，但不限于此：

在一些實(shí)施方案中，電子傳輸區(qū)可以包含至少一種選自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和NTAZ的化合物。

緩沖層、空穴阻擋層或電子控制層的厚度可以各自獨(dú)立地為約至約例如，約至約當(dāng)緩沖層、空穴阻擋層或電子控制層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，可以獲得優(yōu)異的空穴阻擋特性或電子控制特性，而沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

電子傳輸層的厚度可以為約至約例如，約至約當(dāng)電子傳輸層的厚度在以上所述的范圍內(nèi)時(shí)，電子傳輸層可以具有令人滿意的電子傳輸特性，而沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

除了以上所述的材料，電子傳輸區(qū)(例如，電子傳輸區(qū)中的電子傳輸層)還可以包含含金屬的材料。

含金屬的材料可以包括選自堿金屬絡(luò)合物和堿土金屬絡(luò)合物中的至少一種。堿金屬絡(luò)合物可以包含選自Li離子、Na離子、K離子、Rb離子和Cs離子的金屬離子，并且堿土金屬絡(luò)合物可以包含選自Be離子、Mg離子、Ca離子、Sr離子和Ba離子的金屬離子。與堿金屬絡(luò)合物或堿土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配體可以各自獨(dú)立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯，但不限于此。

例如，含金屬的材料可以包括Li絡(luò)合物。Li絡(luò)合物可以包括，例如，化合物ET-D1(8-羥基喹啉鋰，LiQ)或ET-D2。

電子傳輸區(qū)可以包括促進(jìn)來(lái)自第二電極190的電子注入的電子注入層。電子注入層可以直接地接觸第二電極190。

電子注入層可以具有i)包括含單一材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，ii)包括含多種不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)，或iii)具有含多種不同材料的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

電子注入層可以包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任何組合。

堿金屬可以選自Li、Na、K、Rb和Cs。在一個(gè)實(shí)施方案中，堿金屬可以是Li、Na或Cs。在一些實(shí)施方案中，堿金屬可以是Li或Cs，但不限于此。

堿土金屬可以選自Mg、Ca、Sr和Ba。

稀土金屬可以選自Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd和Tb。

堿金屬化合物、堿土金屬化合物和稀土金屬化合物可以選自堿金屬、堿土金屬和稀土金屬的氧化物和鹵化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。

堿金屬化合物可以選自堿金屬氧化物，例如Li₂O、Cs₂O或K₂O，以及堿金屬鹵化物，例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI。在一個(gè)實(shí)施方案中，堿金屬化合物可以選自LiF、Li₂O、NaF、LiI、NaI、CsI和KI，但不限于此。

堿土金屬化合物可以選自堿土金屬氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(0<x<1)或Ba_xCa_1-xO(0<x<1)。在一個(gè)實(shí)施方案中，堿土金屬化合物可以選自BaO、SrO和CaO，但不限于此。

稀土金屬化合物可以選自YbF₃、ScF₃、ScO₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃和TbF₃。在一個(gè)實(shí)施方案中，稀土金屬化合物可以選自YbF₃、ScF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃和TbI₃，但不限于此。

堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物可以包含以上所述的堿金屬、堿土金屬和稀土金屬的離子，并且與堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配體可以各自獨(dú)立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶，以及菲咯啉和環(huán)戊二烯，但不限于此。

如上所述，電子注入層可以?xún)H包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任何組合。在一些實(shí)施方案中，電子注入層還可以包含有機(jī)材料。當(dāng)電子注入層還包含有機(jī)材料時(shí)，可以將堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任何組合均勻地或非均勻地分散于包含有機(jī)材料的基體中。

電子注入層的厚度可以為約至約例如，約至約當(dāng)電子注入層的厚度在以上所述的范圍內(nèi)時(shí)，電子注入層可以具有令人滿意的電子注入特性，而沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

[第二電極190]

可以將第二電極190布置在具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)層150上。第二電極190可以是為電子注入電極的陰極，并且對(duì)此，用于形成第二電極190的材料可以是具有低功函的材料，并且這樣的材料可以是金屬、合金、導(dǎo)電化合物或其混合物。

第二電極190可以包含選自鋰(Li)、銀(Si)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)、ITO和IZO中的至少一種，但不限于此。第二電極190可以是透射電極、半透射電極或反射電極。

第二電極190可以具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩層或多于兩層的多層結(jié)構(gòu)。

[圖2至圖4的描述]

圖2的有機(jī)發(fā)光裝置20包括第一覆蓋層210、第一電極110、有機(jī)層150和第二電極190，其以這種規(guī)定的順序依次堆疊，圖3的有機(jī)發(fā)光裝置30包括第一電極110、有機(jī)層150、第二電極190和第二覆蓋層220，其以這種規(guī)定的順序依次堆疊，以及圖4的有機(jī)發(fā)光裝置40包括第一覆蓋層210、第一電極110、有機(jī)層150、第二電極190和第二覆蓋層220。

參考圖2至圖4，可以通過(guò)參考結(jié)合圖1所呈現(xiàn)的描述來(lái)理解第一電極110、有機(jī)層150和第二電極190。

在有機(jī)發(fā)光裝置20和40中的每一個(gè)的有機(jī)層150中，在發(fā)射層中產(chǎn)生的光可以朝向外部穿過(guò)為半透射電極或透射電極的第一電極110以及第一覆蓋層210，并且在有機(jī)發(fā)光裝置30和40中的每一個(gè)的有機(jī)層150中，在發(fā)射層中產(chǎn)生的光可以朝向外部穿過(guò)為半透射電極或透射電極的第二電極190和第二覆蓋層220。

根據(jù)相長(zhǎng)干涉的原理，第一覆蓋層210和第二覆蓋層220可以增加外部發(fā)光效率。

第一覆蓋層210和第二覆蓋層220可以各自獨(dú)立地為包含有機(jī)材料的有機(jī)覆蓋層、包含無(wú)機(jī)材料的無(wú)機(jī)覆蓋層、或包含有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的復(fù)合覆蓋層。

選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可以各自獨(dú)立地包含選自碳環(huán)化合物、雜環(huán)化合物、基于胺的化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、堿金屬絡(luò)合物和基于堿土金屬的絡(luò)合物中的至少一種材料。所述碳環(huán)化合物、雜環(huán)化合物和基于胺的化合物可以任選地被包含選自O(shè)、N、S、Se、Si、F、Cl、Br和I中的至少一種元素的取代基取代。在一個(gè)實(shí)施方案中，選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可以各自獨(dú)立地包含基于胺的化合物。

在一個(gè)實(shí)施方案中，選自圖4中例示出的第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可以包含由式1表示的稠環(huán)化合物。

在一個(gè)實(shí)施方案中，選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可以各自獨(dú)立地包含由式201表示的化合物或由式202表示的化合物。

在一些實(shí)施方案中，選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個(gè)可以各自獨(dú)立地包含選自化合物HT28至HT33和化合物CP1至CP5的化合物，但不限于此。

在上文中，已經(jīng)結(jié)合圖1至圖4描述了根據(jù)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置。然而，實(shí)施方案不限于此。

通過(guò)使用選自真空沉積、旋涂、澆鑄、朗格繆爾-布吉特(Langmuir-Blodgett,LB)沉積、噴墨印刷、激光印刷和激光感應(yīng)熱成像中一種或多種適當(dāng)?shù)姆椒?，可以在某一區(qū)域中形成組成空穴傳輸區(qū)的層、發(fā)射層、以及組成電子傳輸區(qū)的層。

當(dāng)通過(guò)沉積形成空穴傳輸區(qū)的各個(gè)層、發(fā)射層、以及電子傳輸區(qū)的各個(gè)層時(shí)，考慮到用于形成待沉積的層的化合物和待形成的層的結(jié)構(gòu)，可以在約100℃至約500℃的沉積溫度下、在約10^-8托至約10^-3托的真空度下以及在約至約的沉積速率下進(jìn)行沉積。

當(dāng)通過(guò)旋涂形成組成空穴傳輸區(qū)的層、發(fā)射層、以及組成電子傳輸區(qū)的層時(shí)，考慮到待包含于待形成的層中的化合物和待形成的層的結(jié)構(gòu)，可以在約2,000rpm至約5,000rpm的涂布速度下以及約80℃至200℃的熱處理溫度下進(jìn)行旋涂。

[取代基的一般定義]

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₆₀烷基”是指具有1至60個(gè)碳原子的直鏈或支鏈的脂肪族飽和烴單價(jià)基團(tuán)，并且其非限制性實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₆₀亞烷基”是指具有與C₁-C₆₀烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₂-C₆₀烯基”是指通過(guò)將至少一個(gè)碳-碳雙鍵置換入C₂-C₆₀烷基的中部或末端而形成的烴基，并且其非限制性實(shí)例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₂-C₆₀亞烯基”是指具有與C₂-C₆₀烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₂-C₆₀炔基”是指通過(guò)將至少一個(gè)碳-碳叁鍵置換入C₂-C₆₀烷基的中部或末端而形成的烴基，并且其非限制性實(shí)例包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₂-C₆₀亞炔基”是指具有與C₂-C₆₀炔基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₆₀烷氧基”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基)表示的單價(jià)基團(tuán)，并且其非限制性實(shí)例包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₃-C₁₀環(huán)烷基”是指具有3至10個(gè)碳原子的單價(jià)烴飽和單環(huán)基團(tuán)，并且其非限制性實(shí)例包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₃-C₁₀亞環(huán)烷基”是指具有與C₃-C₁₀環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₁₀雜環(huán)烷基”是指具有至少一個(gè)作為成環(huán)原子的選自N、O、Si、P和S的雜原子和1至10個(gè)碳原子的單價(jià)飽和單環(huán)基團(tuán)，并且其非限制性實(shí)例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氫呋喃基和四氫噻吩基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基”是指具有與C₁-C₁₀雜環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₃-C₁₀環(huán)烯基”是指于其環(huán)中具有3至10個(gè)碳原子和至少一個(gè)碳-碳雙鍵且不具有芳香性的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)，并且其非限制性實(shí)例包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₃-C₁₀亞環(huán)烯基”是指具有與C₃-C₁₀環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₁₀雜環(huán)烯基”是指于其環(huán)中具有至少一個(gè)作為成環(huán)原子的選自N、O、Si、P和S的雜原子、1至10個(gè)碳原子和至少一個(gè)雙鍵的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。C₁-C₁₀雜環(huán)烯基的非限制性實(shí)例為4,5-二氫-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基”是指具有與C₁-C₁₀雜環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₆-C₆₀芳基”是指具有含6至60個(gè)碳原子的碳環(huán)芳香體系的單價(jià)基團(tuán)，并且如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₆-C₆₀亞芳基”是指具有含6至60個(gè)碳原子的碳環(huán)芳香體系的二價(jià)基團(tuán)。C₆-C₆₀芳基的非限制性實(shí)例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和基。當(dāng)C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亞芳基各自包含兩個(gè)或多于兩個(gè)的環(huán)時(shí)，所述環(huán)可以彼此稠合。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₆₀雜芳基”是指具有含至少一個(gè)作為成環(huán)原子的選自N、O、Si、P和S的雜原子和1至60個(gè)碳原子的雜環(huán)芳香體系的單價(jià)基團(tuán)。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₆₀亞雜芳基”是指具有含至少一個(gè)作為成環(huán)原子的選自N、O、Si、P和S的雜原子和1至60個(gè)碳原子的雜環(huán)芳香體系的二價(jià)基團(tuán)。C₁-C₆₀雜芳基的非限制性實(shí)例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當(dāng)C₁-C₆₀雜芳基和C₁-C₆₀亞雜芳基各自包含兩個(gè)或多于兩個(gè)的環(huán)時(shí)，所述環(huán)可以彼此稠合。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₆-C₆₀芳氧基”是指-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基)，并且本文所使用的C₆-C₆₀芳硫基指代-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)”是指具有彼此稠合的兩個(gè)或多于兩個(gè)的環(huán)、僅碳原子作為成環(huán)原子、并且在整個(gè)分子結(jié)構(gòu)中具有非芳香性的單價(jià)基團(tuán)(例如，具有8至60個(gè)碳原子)。單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)的詳細(xì)實(shí)例是芴基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“二價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)”是指具有與單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)”是指具有彼此稠合的兩個(gè)或多于兩個(gè)的環(huán)、具有至少一個(gè)作為成環(huán)原子的不同于碳原子的選自N、O、Si、P和S的雜原子、并且在整個(gè)分子結(jié)構(gòu)中具有非芳香性的單價(jià)基團(tuán)(例如，具有1至60個(gè)碳原子)。單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)的實(shí)例是咔唑基。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“二價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)”是指具有與單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)”是指其中成環(huán)原子僅為碳原子的具有5至60個(gè)碳原子的單環(huán)或多環(huán)基團(tuán)。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)”是指芳香族碳環(huán)基團(tuán)或非芳香族碳環(huán)基團(tuán)。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)”是指諸如苯基團(tuán)的環(huán)、諸如苯基的單價(jià)基團(tuán)、或諸如亞苯基的二價(jià)基團(tuán)。在一些實(shí)施方案中，根據(jù)與C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)連接的取代基的數(shù)目，C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)可以是三價(jià)基團(tuán)或四價(jià)基團(tuán)。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)”是指具有與C₁-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)，但是作為成環(huán)原子，使用除碳之外的至少一個(gè)選自N、O、Si、P和S的雜原子(碳原子的數(shù)目可以為1至60)的基團(tuán)。

取代的C₅-C₆₀碳環(huán)基團(tuán)、取代的C₁-C₆₀雜環(huán)基團(tuán)、取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烷基、取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烷基、取代的C₃-C₁₀亞環(huán)烯基、取代的C₁-C₁₀亞雜環(huán)烯基、取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的二價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)、取代的二價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)、取代的C₁-C₆₀烷基、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、取代的C₃-C₁₀環(huán)烯基、取代的C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和取代的單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)的至少一個(gè)取代基可以選自氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基；

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)和-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)中的至少一個(gè)取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基；

C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)；

各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)和-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)中的至少一個(gè)取代的C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)和單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)；以及

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)和-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自獨(dú)立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環(huán)烷基、C₁-C₁₀雜環(huán)烷基、C₃-C₁₀環(huán)烯基、C₁-C₁₀雜環(huán)烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀雜芳基、單價(jià)非芳香族稠多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳香族稠雜多環(huán)基團(tuán)、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基。

如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“Ph”可以是指苯基；如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“Me”可以是指甲基；如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“Et”可以是指乙基；如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“ter-Bu”或“But”可以是指叔丁基；以及如本文所使用，術(shù)語(yǔ)“OMe”是指甲氧基。

其中使用的“聯(lián)苯基”是指“被苯基取代的苯基”。“聯(lián)苯基”屬于具有“C₆-C₆₀芳基”作為取代基的“取代的苯基”。

本文使用的“三聯(lián)苯基”是指“被聯(lián)苯基取代的苯基”。“三聯(lián)苯基”屬于具有“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”的“取代的苯基”。

本文使用的符號(hào)*和*’，除非另外定義，是指在相應(yīng)的式中與相鄰原子的連接位點(diǎn)。

在下文中，將參考合成例和實(shí)施例詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施方案的化合物和根據(jù)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光裝置。在描述合成例時(shí)使用的措辭“使用B代替A”意指A的摩爾當(dāng)量與B的摩爾當(dāng)量相同。

[實(shí)施例]

合成例1：化合物1的合成

中間物(1)的合成

向100ml的3-頸燒瓶添加3g(0.009mol)的(5’-苯基-[1,1’:3’,1”-三聯(lián)苯]-4-基)硼酸和2.42g(0.009mol)的1-溴代-2-碘代苯，并且向其添加3ml的2N Na₂CO₃以及包含甲苯和EtOH的混合溶液。在攪拌的同時(shí)將氧氣從混合物中去除。隨后，在混合物上方進(jìn)行氮?dú)庵脫Q，并且向其添加0.5g催化劑Pd(pph₃)₄并在110℃的溫度下回流8小時(shí)。通過(guò)使用水使反應(yīng)停止，并且通過(guò)使用二氯甲烷(MC)進(jìn)行三次萃取過(guò)程，并且隨后，從其去除溶劑。通過(guò)使用包含比率為1:5的乙酸乙酯(EA):己烷(Hex)的溶劑，使所得物經(jīng)歷柱色譜以完成2.1g(51％)中間物(1)的制備。

H-NMR(CDCl₃):8.01(3H,s),7.85-7.80(3H,d),7.59-7.35(9H,m),7.21-7.05(6H,m)

化合物1的合成

向3-頸燒瓶添加0.12g(0.005mol)的Mg，并且向3-頸燒瓶緩慢滴加通過(guò)將2.1g(0.005mol)中間物(1)溶解于THF中而制備的溶液，并且將所得到的溶液在80℃的溫度下回流4小時(shí)。其后，在3-頸燒瓶中，將所得物溶解于0.8g(0.005mol)的9H-芴-9-酮中，并且向其緩慢添加已完成的格氏試劑，并且使反應(yīng)過(guò)夜進(jìn)行。隨后，使用2N HCl以停止反應(yīng)，并且將反應(yīng)溶液的pH值調(diào)節(jié)至7，并且隨后，通過(guò)使用MC對(duì)其進(jìn)行三次萃取過(guò)程。隨后，從其去除溶劑，并且通過(guò)使用包含比率為1:5的EA和Hex的溶劑對(duì)其進(jìn)行柱色譜以獲得1.8g(66％)化合物1。

H-NMR(CDCl₃):7.99(5H,s),7.89(2H,d),7.66-7.61(9H,m),7.59-7.35(6H,m),7.21-7.05(6H,m)

合成例2：化合物2的合成

中間物(2)的合成

向100ml的3-頸燒瓶添加3g(0.011mol)的[1,1’:4’,1”-三聯(lián)苯]-4-基硼酸和3.1g(0.011mol)的1-溴代-2-碘代苯，并且向其添加3ml的2N Na₂CO₃以及包含甲苯和EtOH的混合溶液。在攪拌的同時(shí)將氧氣從混合物中去除。在其上進(jìn)行氮?dú)庵脫Q，并且向其添加0.5g催化劑Pd(pph₃)₄，并且將所得物在110℃的溫度下回流8小時(shí)。隨后，通過(guò)使用水使反應(yīng)停止，并且隨后，通過(guò)使用MC對(duì)其進(jìn)行三次萃取過(guò)程，并且將溶劑從所得物中去除。通過(guò)使用包含比率為1:5的EA和Hex的溶劑，使所得物經(jīng)歷柱色譜以獲得2.5g(59％)的中間物(2)。

H-NMR(CDCl₃):7.85(1H,d),7.64(4H,m),7.49-7.38(6H,m),7.20-7.05(6H,m)

化合物2的合成

向3-頸燒瓶添加0.3g(0.012mol)的Mg，并且向3-頸燒瓶緩慢滴加通過(guò)將2.5g(0.006mol)的中間物(2)溶解于THF中而制備的溶液，并且將所得到的溶液在80℃的溫度下回流4小時(shí)。在3頸燒瓶中，將混合物溶解于1.08g(0.012mol)的9H-芴-9-酮中，并且隨后，向其緩慢添加已完成的格氏試劑，并且使反應(yīng)過(guò)夜進(jìn)行。通過(guò)使用2N HCl使反應(yīng)停止，并且將所得物的pH值調(diào)節(jié)至7，并且隨后，通過(guò)使用MC對(duì)其進(jìn)行三次萃取過(guò)程。將溶劑從所得到的產(chǎn)物中去除，并且隨后通過(guò)使用包含比率為1:5的EA和Hex的溶劑對(duì)其進(jìn)行柱色譜以完成1.5g(53％)的化合物2的制備。

H-NMR(CDCl₃):7.81(2H,d),7.66-7.61(12H,m),7.59-7.35(4H,m),7.21-7.05(6H,m)

評(píng)價(jià)例1：對(duì)HOMO、LUMO和T₁能級(jí)的評(píng)價(jià)

通過(guò)使用表2中所示的方法評(píng)價(jià)化合物1和化合物2、mCP、Firpic和化合物A的HOMO、LUMO和三重態(tài)(T₁)能級(jí)，并且其結(jié)果示于表3中。

[表2]

[表3]

實(shí)施例1

作為襯底和陽(yáng)極，將康寧(Corning)15Ω/cm²ITO玻璃襯底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，并且隨后，將其用異丙醇和純凈水各自超聲處理5分鐘，并且隨后通過(guò)紫外線輻照30分鐘和臭氧進(jìn)行清洗，并且將所得到的玻璃襯底提供至真空沉積設(shè)備。

將2-TNATA真空沉積于ITO陽(yáng)極上以形成具有的厚度的空穴注入層，并且將4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)真空沉積于空穴注入層上以形成具有的厚度的空穴傳輸層。

將化合物1(主體)和Firpic(摻雜劑)以90:10的重量比共沉積于空穴傳輸層上以形成具有20nm的厚度的發(fā)射層。

將化合物ET1沉積于發(fā)射層上以形成具有的厚度的電子傳輸層，并且將LiF沉積于電子傳輸層上以形成具有的厚度的電子注入層，并且將Al真空沉積于電子注入層上以形成具有的厚度的陰極，從而完成有機(jī)發(fā)光裝置的制造。

實(shí)施例2至4及比較例1

以與實(shí)施例1相同的方式制造有機(jī)發(fā)光裝置，但是在形成發(fā)射層時(shí)，為了用作主體，使用表4中示出的相應(yīng)的化合物代替化合物1并且使用表4中示出的用于主體與摻雜劑的共沉積的重量比。

評(píng)價(jià)例2

通過(guò)使用吉時(shí)利(Keithley)SMU 236和亮度光度計(jì)PR650測(cè)得根據(jù)實(shí)施例1至4以及比較例1和2制造的有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、亮度和效率，并且其結(jié)果示于表4中。表4中的使用壽命(T₉₀)數(shù)據(jù)表示當(dāng)100％的初始亮度降至90％時(shí)所流逝的時(shí)間的量(hr)。

[表4]

從表4可以看出，與比較例1和2的有機(jī)發(fā)光裝置相比，實(shí)施例1至4的有機(jī)發(fā)光裝置具有更低的驅(qū)動(dòng)電壓、更高的效率和更長(zhǎng)的使用壽命。

包含稠環(huán)化合物的有機(jī)發(fā)光裝置可以具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高效率和長(zhǎng)使用壽命。

應(yīng)理解，本文描述的示例性實(shí)施方案應(yīng)僅以描述性含義來(lái)考慮，并且不用于限定的目的。各個(gè)示例性實(shí)施方案內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其他示例性實(shí)施方案中的其他相似的特征或方面。

盡管已經(jīng)參考附圖描述了一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方案，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以在示例性實(shí)施方案中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)方面的多種改變。