非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法
【專利摘要】一種非接觸芯片測試系統(tǒng)和方法，該方法先測得最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K，然后根據(jù)不同的測試指令和本底噪聲選用不同的閾值電壓對非接觸芯片進(jìn)行測試。該非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法根據(jù)測試指令和本底噪聲環(huán)境的不同選用不同的閾值電壓，從而減小多通道測試時的干擾，提高對非接觸芯片進(jìn)行多通道測試的準(zhǔn)確性。
【專利說明】非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片測試領(lǐng)域，特別是涉及一種非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法。

【背景技術(shù)】
[0002]為了提高非接觸芯片的測試效率，一般采用多通道并行測試方法對非接觸芯片進(jìn)行測試。此處的非接觸芯片例如可以是射頻識別(RFID, Rad1 FrequencyIdentificat1n)芯片。
[0003]在進(jìn)行多通道并行測試時，非接觸芯片的襯底工藝使得在多芯片測試時信號間出現(xiàn)較大的相互干擾。其中一個通道的測試信號會通過襯底耦合串?dāng)_到另一個通道的測試端。通道越多，測試時各通道相互間的干擾就越大。當(dāng)測試系統(tǒng)發(fā)射的測試指令不同時，各通道間的干擾會使得所發(fā)送的調(diào)制信號的幅度受到很大的影響。從而造成調(diào)制波形歧變，芯片不能正確響應(yīng)。而這種干擾不能簡單的通過濾波解決。
[0004]另外，硅片的工藝不同，測試環(huán)境的硬件參數(shù)漂移，芯片改版設(shè)計造成芯片面積和天線管腳位置的變化，并行測試芯片數(shù)量的不同等使得這種干擾的影響程度無法定量標(biāo)定。從而導(dǎo)致非接觸芯片測試結(jié)果的不準(zhǔn)確。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法，其能夠較準(zhǔn)確的同時對多個非接觸芯片進(jìn)行測試。
[0006]一種非接觸芯片測試系統(tǒng)，包括處理模塊、與處理模塊相連的現(xiàn)場可編程門陣列、與現(xiàn)場可編程門陣列相連的調(diào)制信號產(chǎn)生模塊、與調(diào)制信號產(chǎn)生模塊相連的多個測試通道以及與測試通道相連的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述多個測試通道和模數(shù)轉(zhuǎn)換器均與現(xiàn)場可編程門陣列相連，每一個測試通道均包括非接觸芯片測試接口、與非接觸芯片測試接口相連的差分放大器、與差分放大器相連的解調(diào)單元及與解調(diào)單元相連的比較器，每一個測試通道的比較器均與模數(shù)轉(zhuǎn)換器相連，處理模塊產(chǎn)生控制信號控制現(xiàn)場可編程門陣列的工作，現(xiàn)場可編程門陣列根據(jù)處理模塊傳來的控制信號控制調(diào)制信號產(chǎn)生模塊產(chǎn)生測試信號和傳遞控制信號到模數(shù)轉(zhuǎn)換器，非接觸芯片測試接口將調(diào)制信號產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的測試信號傳給與非接觸芯片測試接口相連接的多個待測非接觸芯片，差分放大器采集非接觸芯片測試接口傳來的非接觸芯片返回的信號并對非接觸芯片返回的信號進(jìn)行放大處理，解調(diào)單元將經(jīng)過差分放大器放大處理的信號進(jìn)行解調(diào)處理后傳遞給比較器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器將現(xiàn)場可編程門陣列傳來的控制信號轉(zhuǎn)化為模擬信號輸出給比較器作為比較器的閾值電壓，比較器比較解調(diào)單元輸出的解調(diào)信號和閾值電壓并將比較結(jié)果輸出給現(xiàn)場可編程門陣列，現(xiàn)場可編程門陣列對比較器傳來的信號進(jìn)行處理后傳給處理模塊，所述處理模塊判斷現(xiàn)場可編程門陣列傳來的信號與設(shè)定值是否一致。。
[0007]在其中一個實(shí)施例中，所述解調(diào)單元為型號為AD734的乘法器。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述非接觸芯片測試接口包括射頻放大器、第一電阻、第一電容、第二電阻、第二電容以及雙刀雙擲開關(guān)，所述射頻放大器、第一電阻和第一電容依次串聯(lián)，所述射頻放大器、第二電阻和第二電容依次串聯(lián)，雙刀雙擲開關(guān)的兩個固定端均與待測非接觸芯片相連，雙刀雙擲開關(guān)的四個可選擇端中的兩個可選擇端分別與第一電容和第二電容相連。
[0009]在其中一個實(shí)施例中，所述差分放大器的兩個輸入端口中的其中一個輸入端口連接于第一電阻和第一電容的連接處，另一個輸入端口連接于第二電阻和第二電容的連接處。
[0010]在其中一個實(shí)施例中，所述非接觸芯片測試系統(tǒng)包括8、16或32個測試通道。
[0011]一種非接觸芯片測試方法，包括以下步驟:按照同一種指令下待測非接觸芯片的返回結(jié)果對指令進(jìn)行分類，返回結(jié)果相同的指令定義為A類指令，返回結(jié)果不同的指令定義為B類指令；選擇多個工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試；對選擇出來的工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試得到最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K ;將多個待測非接觸芯片同時進(jìn)行測試；發(fā)送A類指令至待測非接觸芯片，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與最強(qiáng)耦合干擾電平X進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常；發(fā)送B類指令至待測非接觸芯片，若X>K>Y>Z，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與(X+Y)/2進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常，若Χ>Κ>Ζ>Υ，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與(Χ+Ζ)/2進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常。
[0012]在其中一個實(shí)施例中，所述對選擇出來的工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試得到最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K的步驟包括:將多個工作正常的非接觸芯片的輸出分別與比較器的其中一個輸入端相連；向所述多個工作正常的非接觸芯片同時發(fā)送A類指令，將比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從有響應(yīng)變?yōu)闊o響應(yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為最強(qiáng)耦合干擾電平X ;初始化工作正常的非接觸芯片，使其中一個工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形與其它工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形相反，向所述多個工作正常的非接觸芯片同時發(fā)送A類指令，將與天線管腳輸出的調(diào)制波形相反的工作正常的非接觸芯片相連的比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，使比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)，以比較器從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為最弱耦合干擾電平Y(jié) ;停止向所述多個工作正常的非接觸芯片發(fā)送測試指令，將比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為本底噪聲電平Z ;僅向其中一個工作正常的非接觸芯片發(fā)送A類指令，將與其中一個工作正常的非接觸芯片連接的比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為無耦合干擾解調(diào)靈敏度K。
[0013]在其中一個實(shí)施例中，所述多個工作正常的非接觸芯片的輸出經(jīng)過放大解調(diào)后分別與比較器的其中一個輸入端相連。
[0014]在其中一個實(shí)施例中，所述多個工作正常的非接觸芯片的數(shù)量為8個、16個或32個，所述多個待測非接觸芯片的數(shù)量為8個、16個或32個。
[0015]在其中一個實(shí)施例中，所述A類指令包括訊卡指令和測試模式指令，所述B類指令包括抗沖突指令和認(rèn)證后的指令。
[0016]上述非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法根據(jù)測試指令和本底噪聲環(huán)境的不同選用不同的閾值電壓，從而減小多通道測試時的干擾，提高對非接觸芯片進(jìn)行多通道測試的準(zhǔn)確性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為一個實(shí)施例的非接觸芯片測試系統(tǒng)示意圖；
[0018]圖2為一個實(shí)施例的非接觸芯片測試方法流程圖；
[0019]圖3為最強(qiáng)稱合干擾電平X、最弱稱合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無稱合干擾解調(diào)靈敏度K的獲得流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]請參考圖1，本發(fā)明的一個實(shí)施方式提供一種非接觸芯片測試系統(tǒng)。該非接觸芯片測試系統(tǒng)包括處理模塊110、與處理模塊110相連的現(xiàn)場可編程門陣列120、與現(xiàn)場可編程門陣列120相連的調(diào)制信號產(chǎn)生模塊130、與調(diào)制信號產(chǎn)生模塊130相連的多個測試通道以及與測試通道相連的模數(shù)轉(zhuǎn)換器140。
[0021]此處的多個測試通道的數(shù)量為8個，圖中完整的測試通道的數(shù)量為兩個。當(dāng)然測試通道的數(shù)量也可以根據(jù)需要擴(kuò)展為16個或32個。這8個測試通道和模數(shù)轉(zhuǎn)換器140均與現(xiàn)場可編程門陣列120相連。其中，每一個測試通道均包括非接觸芯片測試接口、與非接觸芯片測試接口相連的差分放大器153、與差分放大器153相連的解調(diào)單元152及與解調(diào)單元152相連的比較器151，每一個測試通道的比較器151均與模數(shù)轉(zhuǎn)換器140相連。
[0022]每個測試通道的非接觸芯片測試接口包括射頻放大器154、第一電阻R1、第一電容Cl、第二電阻R2、第二電容C2以及雙刀雙擲開關(guān)159。射頻放大器154、第一電阻Rl和第一電容Cl依次串聯(lián)。射頻放大器154、第二電阻R2和第二電容C2依次串聯(lián)。也就是說，射頻放大器154與第一電容Cl、第二電阻R2串聯(lián)的同時還與第二電阻R2和第二電容C2串聯(lián)。雙刀雙擲開關(guān)159的兩個固定端均與待測非接觸芯片相連，雙刀雙擲開關(guān)的四個可選擇端中的兩個可選擇端分別與第一電容Cl和第二電容C2相連，另外兩個可選擇端可以與其它測試端口相連，以實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展測試。此處，雙刀雙擲開關(guān)159的固定端是指始終與雙刀雙擲開關(guān)159的雙刀相連的兩個點(diǎn)，可選擇端是指雙刀可以進(jìn)行選擇性連接以實(shí)現(xiàn)不同電路功能的四個點(diǎn)。
[0023]每個測試通道的差分放大器153的兩個輸入端口中的其中一個輸入端口連接于第一電阻Rl和第一電容Cl的連接處，另一個輸入端口連接于第二電阻R2和第二電容C2的連接處。
[0024]在該實(shí)施例中，每個測試通道的解調(diào)單元為型號為AD734的乘法器。型號為AD734的乘法器具有高精度和輸入信號范圍寬的特點(diǎn)，適合非接觸芯片的測試。待測非接觸芯片200返回的信號經(jīng)過差分放大器153的放大作用后由解調(diào)單元152進(jìn)行解調(diào)。差分放大器153可以采用高阻抗差分放大器，以對共模噪聲進(jìn)行抑制。解調(diào)單元152解調(diào)出來的信號會輸入到比較器151，比較器151將解調(diào)單元152傳來的信號與自身的閾值電壓進(jìn)行比較后輸出給現(xiàn)場可編程門陣列120。在該實(shí)施例中，比較器151的閾值電壓是由模數(shù)轉(zhuǎn)換器140進(jìn)行調(diào)節(jié)的。
[0025]該非接觸芯片測試系統(tǒng)工作時，處理模塊110產(chǎn)生控制信號控制現(xiàn)場可編程門陣列120的工作?，F(xiàn)場可編程門陣列120根據(jù)處理模塊110傳來的控制信號控制調(diào)制信號產(chǎn)生模塊130產(chǎn)生測試信號和傳遞控制信號到模數(shù)轉(zhuǎn)換器140。非接觸芯片測試接口將調(diào)制信號產(chǎn)生模塊130產(chǎn)生的測試信號傳給與非接觸芯片測試接口相連接的多個待測非接觸芯片200。差分放大器153采集非接觸芯片測試接口傳來的非接觸芯片200返回的信號并對非接觸芯片200返回的信號進(jìn)行放大處理。解調(diào)單元152將經(jīng)過差分放大器153放大處理的信號進(jìn)行解調(diào)處理后傳遞給比較器151。模數(shù)轉(zhuǎn)換器140將現(xiàn)場可編程門陣列120傳來的控制信號轉(zhuǎn)化為模擬信號輸出給比較器151作為比較器151的閾值電壓。比較器151比較解調(diào)單元152輸出的解調(diào)信號和閾值電壓并將比較結(jié)果輸出給現(xiàn)場可編程門陣列120?，F(xiàn)場可編程門陣列120對比較器151傳來的信號進(jìn)行處理后傳給處理模塊110做進(jìn)一步的處理。處理模塊110判斷現(xiàn)場可編程門陣列傳來的信號與設(shè)定值是否一致。這樣就可以確定待測非接觸芯片200是否正常，也就是是否符合要求。
[0026]請參考圖2，采用該非接觸芯片測試系統(tǒng)對非接觸芯片進(jìn)行測試時，對應(yīng)的非接觸芯片測試方法主要包括如下步驟。
[0027]步驟S110，按照同一種指令下待測非接觸芯片的返回結(jié)果對指令進(jìn)行分類，返回結(jié)果相同的指令定義為A類指令，返回結(jié)果不同的指令定義為B類指令。此處將測試指令進(jìn)行分類可以方便對不同的指令進(jìn)行不同的測試以得到較準(zhǔn)確的測試結(jié)果。其中，A類指令包括訊卡指令和測試模式指令，B類指令包括抗沖突指令和認(rèn)證后的指令。
[0028]步驟S120，選擇多個工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試。將這些工作正常的非接觸芯片均連接于非接觸芯片測試系統(tǒng)的非接觸芯片測試接口。
[0029]步驟S130，對選擇出來的工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試得到最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K。其中，最強(qiáng)耦合干擾電平X是指所有測試通道同時進(jìn)行測試時所測試通道產(chǎn)生的最強(qiáng)耦合干擾電平。最弱耦合干擾電平Y(jié)是指所有測試通道同時進(jìn)行測試時測試通道所產(chǎn)生的最強(qiáng)耦合干擾電平。本底噪聲Z是指不進(jìn)行測試時測試通道本身具有的噪聲。無耦合干擾解調(diào)靈敏度K是指僅一個測試通道進(jìn)行測試時測試通道輸出的電平。
[0030]請參考圖3，該步驟S130中的最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K可通過如下步驟獲得。
[0031]步驟S131，將多個工作正常的非接觸芯片的輸出分別與比較器的其中一個輸入端相連。也就是將測試通道上接入工作正常的非接觸芯片。此處，這些工作正常的非接觸芯片的輸出是經(jīng)過放大解調(diào)后分別與比較器的其中一個輸入端相連的。測試通道的數(shù)量可以為8個、16個或32個。對應(yīng)的，同時進(jìn)行測量的工作正常的非接觸芯片的數(shù)量也為8個、16個或32個，同時進(jìn)行測量的待測非接觸芯片的數(shù)量也為8個、16個或32個。
[0032]步驟S132，向多個工作正常的非接觸芯片同時發(fā)送A類指令，將比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從有響應(yīng)變?yōu)闊o響應(yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為最強(qiáng)耦合干擾電平X。其中A類指令是由處理模塊110通過現(xiàn)場可編程門陣列控制調(diào)制信號產(chǎn)生模塊130發(fā)出的。A類指令到達(dá)工作正常的非接觸芯片后，工作正常的非接觸芯片將產(chǎn)生測試結(jié)果，測試結(jié)果經(jīng)過放大與解調(diào)后到達(dá)比較器151。處理模塊110將通過現(xiàn)場可編程門陣列120和模數(shù)轉(zhuǎn)換器130調(diào)整比較器151的閾值電壓。比較器151的閾值電壓在不斷調(diào)高的過程中，比較器151的輸出會出現(xiàn)從有響應(yīng)變?yōu)闊o響應(yīng)的情況，如出現(xiàn)此種情況，就以此時所對應(yīng)的閾值電壓作為最強(qiáng)耦合干擾電平X。
[0033]步驟S133，初始化工作正常的非接觸芯片，使其中一個工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形與其它工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形相反，向多個工作正常的非接觸芯片同時發(fā)送A類指令，將與天線管腳輸出的調(diào)制波形相反的工作正常的非接觸芯片相連的比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，使比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)，以比較器從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為最弱耦合干擾電平Y(jié)。該步驟S133與步驟S132相類似，不同之處在于，此處的工作正常的非接觸芯片中有一個工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形與其它工作正常的非接觸芯片相反。此處可以通過改變工作正常的非接觸芯片的存儲器中的內(nèi)容來改變天線管腳輸出的調(diào)制波形。測試時，測試這個天線管腳輸出的調(diào)制波形與其它相反的工作正常的非接觸芯片。調(diào)節(jié)與這個工作正常的非接觸芯片相連的比較器151的輸出，使比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)，以此處對應(yīng)的比較器151的閥值電壓作為最弱耦合干擾電平Y(jié)。非接觸芯片的天線管腳是指非接觸芯片上與外部天線相連的管腳。
[0034]步驟S134，停止向所述多個工作正常的非接觸芯片發(fā)送測試指令，將比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為本底噪聲電平Z。該步驟S134與步驟S132類似，不同之處在于，該步驟S134不向任何一個工作正常的非接觸芯片發(fā)送任何測試指令。
[0035]步驟S135，僅向其中一個工作正常的非接觸芯片發(fā)送A類指令，將與其中一個工作正常的非接觸芯片連接的比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為無耦合干擾解調(diào)靈敏度K。該步驟S135與步驟S132類似，不同之處在于，該步驟S135只向所有工作正常的非接觸芯片中的其中一個發(fā)送A類指令，不向其它工作正常的非接觸芯片發(fā)送任何測試指令，并測試與這個發(fā)送A類指令相連的比較器的輸出。調(diào)節(jié)該比較器的閾值電壓，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為無耦合干擾解調(diào)靈敏度K。
[0036]另外，在其它實(shí)施例中，可以調(diào)換步驟S132、步驟S133、步驟S134和步驟S135之間的執(zhí)行順序，此處不限定它們的執(zhí)行順序。
[0037]步驟S140，將多個待測非接觸芯片同時進(jìn)行測試。將非接觸芯片測試接口上連接的工作正常的非接觸芯片換成待測非接觸芯片。待測非接觸芯片的工作是否正常需要經(jīng)過測試才能知道。
[0038]步驟S150，發(fā)送A類指令至待測非接觸芯片，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與最強(qiáng)耦合干擾電平X進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常。也就是說此時比較器的閾值電平的值設(shè)為最強(qiáng)耦合干擾電平X，然后比較待測非接觸芯片傳來的信號。將比較器的輸出經(jīng)現(xiàn)場可編程門陣列傳輸給處理單元，由處理單元判斷待測非接觸芯片返回的結(jié)果是否正常，也就是是否與設(shè)定值相一致。這樣可以去除耦合干擾造成的影響，防止出現(xiàn)誤判，也就是防止將工作正常的非接觸芯片判斷為不正常，從而提高測試的準(zhǔn)確性。
[0039]步驟S160，發(fā)送B類指令至待測非接觸芯片，若X>K>Y>Z，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與(Χ+Υ)/2進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常；若Χ>Κ>Ζ>Υ，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與(Χ+Ζ)/2進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常。這樣可以有效的去除本底噪聲造成的影響，提高測試的準(zhǔn)確性。
[0040]該非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法根據(jù)測試指令和本底噪聲環(huán)境的不同選用不同的閾值電壓，從而減小多通道測試時的干擾，提高對非接觸芯片進(jìn)行多通道測試的準(zhǔn)確性。該非接觸芯片測試系統(tǒng)與方法具有提高測試效率的同時提高測試準(zhǔn)確性的優(yōu)點(diǎn)。
[0041]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種非接觸芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，包括處理模塊、與處理模塊相連的現(xiàn)場可編程門陣列、與現(xiàn)場可編程門陣列相連的調(diào)制信號產(chǎn)生模塊、與調(diào)制信號產(chǎn)生模塊相連的多個測試通道以及與測試通道相連的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述多個測試通道和模數(shù)轉(zhuǎn)換器均與現(xiàn)場可編程門陣列相連，每一個測試通道均包括非接觸芯片測試接口、與非接觸芯片測試接口相連的差分放大器、與差分放大器相連的解調(diào)單元及與解調(diào)單元相連的比較器，每一個測試通道的比較器均與模數(shù)轉(zhuǎn)換器相連， 處理模塊產(chǎn)生控制信號控制現(xiàn)場可編程門陣列的工作，現(xiàn)場可編程門陣列根據(jù)處理模塊傳來的控制信號控制調(diào)制信號產(chǎn)生模塊產(chǎn)生測試信號和傳遞控制信號到模數(shù)轉(zhuǎn)換器，非接觸芯片測試接口將調(diào)制信號產(chǎn)生模塊產(chǎn)生的測試信號傳給與非接觸芯片測試接口相連接的多個待測非接觸芯片，差分放大器采集非接觸芯片測試接口傳來的非接觸芯片返回的信號并對非接觸芯片返回的信號進(jìn)行放大處理，解調(diào)單元將經(jīng)過差分放大器放大處理的信號進(jìn)行解調(diào)處理后傳遞給比較器，模數(shù)轉(zhuǎn)換器將現(xiàn)場可編程門陣列傳來的控制信號轉(zhuǎn)化為模擬信號輸出給比較器作為比較器的閾值電壓，比較器比較解調(diào)單元輸出的解調(diào)信號和閾值電壓并將比較結(jié)果輸出給現(xiàn)場可編程門陣列，現(xiàn)場可編程門陣列對比較器傳來的信號進(jìn)行處理后傳給處理模塊，所述處理模塊判斷現(xiàn)場可編程門陣列傳來的信號與設(shè)定值是否一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述解調(diào)單元為型號為AD734的乘法器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述非接觸芯片測試接口包括射頻放大器、第一電阻、第一電容、第二電阻、第二電容以及雙刀雙擲開關(guān)，所述射頻放大器、第一電阻和第一電容依次串聯(lián)，所述射頻放大器、第二電阻和第二電容依次串聯(lián)，雙刀雙擲開關(guān)的兩個固定端均與待測非接觸芯片相連，雙刀雙擲開關(guān)的四個可選擇端中的兩個可選擇端分別與第一電容和第二電容相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非接觸芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述差分放大器的兩個輸入端口中的其中一個輸入端口連接于第一電阻和第一電容的連接處,另一個輸入端口連接于第二電阻和第二電容的連接處。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的非接觸芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述非接觸芯片測試系統(tǒng)包括8、16或32個測試通道。
6.一種非接觸芯片測試方法，其特征在于，包括以下步驟: 按照同一種指令下待測非接觸芯片的返回結(jié)果對指令進(jìn)行分類，返回結(jié)果相同的指令定義為A類指令，返回結(jié)果不同的指令定義為B類指令； 選擇多個工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試； 對選擇出來的工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試得到最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K ； 將多個待測非接觸芯片同時進(jìn)行測試； 發(fā)送A類指令至待測非接觸芯片，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與最強(qiáng)耦合干擾電平X進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常； 發(fā)送B類指令至待測非接觸芯片，若X>K>Y>Z，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與(Χ+Υ)/2進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常，若Χ>Κ>Ζ>Υ，將待測非接觸芯片返回的結(jié)果與(X+Z)/2進(jìn)行比較以判斷待測非接觸芯片是否正常。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非接觸芯片測試方法，其特征在于，所述對選擇出來的工作正常的非接觸芯片進(jìn)行測試得到最強(qiáng)耦合干擾電平X、最弱耦合干擾電平Y(jié)、本底噪聲Z和無耦合干擾解調(diào)靈敏度K的步驟包括: 將多個工作正常的非接觸芯片的輸出分別與比較器的其中一個輸入端相連； 向所述多個工作正常的非接觸芯片同時發(fā)送A類指令，將比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從有響應(yīng)變?yōu)闊o響應(yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為最強(qiáng)耦合干擾電平X ； 初始化工作正常的非接觸芯片，使其中一個工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形與其它工作正常的非接觸芯片的天線管腳輸出的調(diào)制波形相反，向所述多個工作正常的非接觸芯片同時發(fā)送A類指令，將與天線管腳輸出的調(diào)制波形相反的工作正常的非接觸芯片相連的比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，使比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)，以比較器從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為最弱耦合干擾電平Y(jié) ； 停止向所述多個工作正常的非接觸芯片發(fā)送測試指令，將比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為本底噪聲電平Z ； 僅向其中一個工作正常的非接觸芯片發(fā)送A類指令，將與其中一個工作正常的非接觸芯片連接的比較器的閾值電壓不斷調(diào)高，以比較器的輸出從無響應(yīng)變?yōu)橛许憫?yīng)時對應(yīng)的閥值電壓作為無耦合干擾解調(diào)靈敏度K。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非接觸芯片測試方法，其特征在于，所述多個工作正常的非接觸芯片的輸出經(jīng)過放大解調(diào)后分別與比較器的其中一個輸入端相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非接觸芯片測試方法，其特征在于，所述多個工作正常的非接觸芯片的數(shù)量為8個、16個或32個，所述多個待測非接觸芯片的數(shù)量為8個、16個或32個。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一權(quán)利要求所述的非接觸芯片測試方法，所述A類指令包括訊卡指令和測試模式指令，所述B類指令包括抗沖突指令和認(rèn)證后的指令。
【文檔編號】G01R31/28GK104133169SQ201310161906
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月3日
【發(fā)明者】程景全, 秦龍, 段人杰, 曾為民, 盧裕階, 劉晶晶, 陶輝 申請人:無錫華潤微電子有限公司