1.一種紅外光譜襯底的制備方法，包括如下步驟：
1)選取支撐基底：支撐基底的幾何尺寸為500μm-5cm；橫向切面形狀為圓形、橢圓形、三角形、正方形、矩形、五角形結(jié)構(gòu)、正六邊形、八角形；支撐基底的厚度為1μm-5cm；
2)利用機(jī)械加工、干法或者濕法刻蝕的方法，在支撐基底上制備通孔結(jié)構(gòu)；通孔的橫向切面為圓形、橢圓形、三角形、正方形、矩形、五角形結(jié)構(gòu)、正六邊形、八角形，通孔以陣列形式排布，通孔陣列的中心與基底的幾何中心基本保持一致，通孔之間的間距為1μm-4cm；
3)轉(zhuǎn)移襯底材料和其保護(hù)層至通孔表面：利用標(biāo)準(zhǔn)的濕法轉(zhuǎn)移工藝，將厚度為0.3nm-1000nm的襯底材料和其保護(hù)層轉(zhuǎn)移至樣品表面，將樣品晾干并且加熱使得轉(zhuǎn)移的薄膜與基底貼合緊密；
4)對(duì)通孔的背面進(jìn)行密封：利用另一塊基底材料貼合至背面通孔處，使用玻璃膠將背面的通孔密封；
5)去除樣品表面的保護(hù)層：將樣品放置于丙酮或者去保護(hù)層溶劑里，去除表面的保護(hù)層；
6)拆除樣品背面的密封結(jié)構(gòu)：將樣品清洗干凈并且晾干以后拆除背面的密封基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述支撐基底選用金屬或無(wú)機(jī)晶體或有機(jī)塑料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述支撐基底選用鋁、銅、金、鋼。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述支撐基底選自硅，石英、氟化鈣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述支撐基底選用厚度為500μm的硅片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述通孔的橫向切面為圓形、橢圓形、三角形、正方形、矩形、五角形結(jié)構(gòu)、正六邊形、八角形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述通孔的孔徑為25μm-5cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述襯底材料選自1層至1000層厚度的石墨烯，二硫化鉬，氮化硼，MX2，黑磷。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述MX2中M選自Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Re，X選自S,Se,Te。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外光譜襯底的制備方法，其中所述保護(hù)層選自材料PMMA、PVA或PDMS。