本發(fā)明涉及利用陽極氧化膜的微加熱器、微傳感器以及微傳感器制造方法。
背景技術(shù):
由于近年來對(duì)環(huán)境的關(guān)注逐漸增長,存在開發(fā)能夠在短期時(shí)段內(nèi)準(zhǔn)確地獲得不同種類信息的小尺寸傳感器的需求。特別地,出于營造宜人的住宅空間、應(yīng)對(duì)有害工業(yè)環(huán)境以及管理飲料和食品的生產(chǎn)過程的目的,已經(jīng)做出了諸多努力以實(shí)現(xiàn)微傳感器尺寸減小、準(zhǔn)確度增強(qiáng)和價(jià)格降低,微傳感器例如用于測(cè)量氣體濃度的氣體傳感器等等。
當(dāng)前可用的氣體傳感器逐漸從陶瓷燒結(jié)的氣體傳感器或厚膜型氣體傳感器發(fā)展為微氣體傳感器,由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的應(yīng)用,所述微氣體傳感器具有微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的形式。
從測(cè)量方法的角度來看,在氣體被吸附到感測(cè)材料時(shí)測(cè)量傳感器的感測(cè)材料的電氣特性的變化的方法最常用在當(dāng)前可用的氣體傳感器中。通常,諸如SnO2或類似物的金屬氧化物被用作感測(cè)材料,以根據(jù)測(cè)量目標(biāo)氣體的濃度來測(cè)量電導(dǎo)率的變化。這種測(cè)量方法的優(yōu)勢(shì)在于相對(duì)易于使用該方法。當(dāng)金屬氧化物感測(cè)材料被加熱到高溫度并且在高溫度下操作時(shí),測(cè)量值的變化變得明顯。因此,為了快速且準(zhǔn)確地測(cè)量氣體濃度,準(zhǔn)確的溫度控制是極其重要的。此外,在通過利用高溫加熱而強(qiáng)行地移除已經(jīng)吸附到感測(cè)材料上的氣體種類(specie)或水分而將感測(cè)材料重置或恢復(fù)到初始狀態(tài)之后,測(cè)量氣體濃度。因此,氣體傳感器的溫度特性直接影響主要測(cè)量因素,例如傳感器測(cè)量靈敏度、恢復(fù)時(shí)間、反應(yīng)時(shí)間等等。
因此,配置成局部地且均勻地僅加熱感測(cè)材料的區(qū)域的微加熱器對(duì)于高效的加熱是有效的。然而,如果在由微氣體傳感器執(zhí)行測(cè)量時(shí)在控制溫度方面消耗了大量的電力,則盡管傳感器和測(cè)量電路的體積仍然較小,但需要使用大電池或大供電電源。這有可能決定測(cè)量系統(tǒng)的整體尺寸。因此,為了實(shí)現(xiàn)微氣體傳感器,需要優(yōu)選考慮具有小功耗的結(jié)構(gòu)。
到目前為止,具有極大熱導(dǎo)率的硅基底已經(jīng)被主要地用于制造大部分微氣體傳感器。因此,為了減小熱損失,蝕刻的坑或槽通過體宏加工(bulk macro-machining)而形成在傳感器結(jié)構(gòu)中,由此形成與基底分離的懸浮結(jié)構(gòu)。隨后,微加熱器、絕緣膜和感測(cè)材料順序地形成在懸浮結(jié)構(gòu)上。這使得能夠部分地降低傳熱損失。然而,該方法是主要關(guān)注濕蝕刻的制造方法,濕蝕刻利用了基底的晶體方向性。因此,該方法在降低傳感器元件的尺寸方面具有局限性。此外,還存在如下問題:該方法中使用的蝕刻劑(例如KOH(氫氧化鉀)或類似物)的物理性質(zhì)缺乏與標(biāo)準(zhǔn)CMOS半導(dǎo)體工藝的相容性。
圖1是濕度傳感器的透視圖,該濕度傳感器是現(xiàn)有技術(shù)中微傳感器的一種。濕度傳感器10包括基底11、形成在基底11上的多孔陽極氧化鋁(AAO)層13、以及形成在多孔陽極氧化鋁層13上的電極15。
基底11由鋁制成,并且以大體上矩形板的形狀形成。通過使基底11氧化而形成多孔陽極氧化鋁層13。如果鋁被氧化,則能夠形成多孔陽極氧化鋁層13,其具有形成其表面上的多個(gè)孔洞13a。阻擋層形成在多孔陽極氧化鋁層13和基底11之間。
在這種情況下,孔洞13a形成為具有60nm或更小的直徑。通過使孔洞13a形成為具有60nm或更小的直徑,能夠防止孔洞13a被蝕刻溶液損壞。電極15由諸如鉑、鋁、銅或類似物的金屬制成。電極15可以通過不同方法來形成,例如蒸汽沉積方法或類似方法。
電極15包括第一電極16和設(shè)置在第一電極16附近的第二電極17。第一電極16具有朝著第二電極17突出的多個(gè)電極突起16a。第二電極17具有朝著第一電極16突出的多個(gè)電極突起17a。
然而,現(xiàn)有技術(shù)中的電極布置具有如下問題:難以確保足以將感測(cè)材料加熱至高溫度的發(fā)熱量。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
專利文獻(xiàn)1:韓國專利申請(qǐng)公開No.2009-0064693
專利文獻(xiàn)2:韓國專利No.1019576
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
鑒于上述問題,本發(fā)明的目的是提供一種微加熱器、微傳感器以及微傳感器制造方法,它們能夠輕易地確保發(fā)熱量并且能夠快速且準(zhǔn)確地感測(cè)測(cè)量目標(biāo)氣體。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種微加熱器,包括:由陽極氧化膜形成的基底;及加熱器電極,該加熱器電極形成在基底上并且提供有發(fā)熱配線線路,其中,發(fā)熱配線線路以層壓狀態(tài)形成。
在微加熱器中,發(fā)熱配線線路至少包括上下重疊層壓的第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
在微加熱器中,發(fā)熱配線線路包括形成在基底上的第一發(fā)熱配線線路、層壓在第一發(fā)熱配線線路上的第二發(fā)熱配線線路、以及連接配線線路,該連接配線線路配置為互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
在微加熱器中,發(fā)熱配線線路包括形成在基底上的第一發(fā)熱配線線路、至少部分地形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路的空間的上側(cè)處的第二發(fā)熱配線線路、以及連接配線線路,該連接配線線路配置為互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
在微加熱器中,孔洞形成在鈍化層中,并且連接配線線路延伸穿過孔洞以互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路。
在微加熱器中,加熱器電極還包括分別連接到第一發(fā)熱配線線路的一端和第二發(fā)熱配線線路的一端的加熱器電極墊。
在微加熱器中,加熱器電極形成為從加熱器電極墊中的一個(gè)連續(xù)地延伸至加熱器電極墊中的另一個(gè)。
微加熱器還包括:形成在發(fā)熱配線線路周圍的空氣間隙。
微加熱器還包括:形成在鈍化層周圍的空氣間隙。
在微加熱器中,空氣間隙是從基底的上表面延伸到基底的下表面的空間。
在微加熱器中,空氣間隙以復(fù)數(shù)個(gè)的數(shù)量不連續(xù)地形成。
在微加熱器中,發(fā)熱配線線路包括以直線形狀形成的多個(gè)間隔開的直線部分以及配置成互連直線部分的多個(gè)連接部分。
在微加熱器中,發(fā)熱配線線路包括形成在其至少一部分中的曲線部分。
在微加熱器中,第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路中的每一個(gè)均包括以直線形狀形成的多個(gè)間隔開的直線部分以及配置為互連直線部分的多個(gè)連接部分,并且第二發(fā)熱配線線路的直線部分層壓在第一發(fā)熱配線線路的直線部分之上。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,提供了一種微傳感器,其包括:由陽極氧化膜形成的基底;形成在基底上的傳感器電極;以及加熱器電極,該加熱器電極形成在基底上并且提供有發(fā)熱配線線路,其中,發(fā)熱配線線路以層壓狀態(tài)形成。
在微傳感器中,發(fā)熱配線線路至少包括上下重疊層壓的第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
在微傳感器中,發(fā)熱配線線路包括形成在基底上的第一發(fā)熱配線線路、層壓在第一發(fā)熱配線線路上的第二發(fā)熱配線線路、以及連接配線線路,該連接配線線路配置為互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
在微傳感器中,發(fā)熱配線線路包括形成在基底上的第一發(fā)熱配線線路、至少部分地形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路的空間的上側(cè)處的第二發(fā)熱配線線路、以及連接配線線路,該連接配線線路配置為互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
在微傳感器中,孔洞形成在鈍化層中,并且連接配線線路延伸穿過孔洞以互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路。
在微傳感器中,加熱器電極還包括分別連接到第一發(fā)熱配線線路的一端和第二發(fā)熱配線線路的一端的加熱器電極墊。
在微傳感器中,加熱器電極形成為從加熱器電極墊中的一個(gè)連續(xù)地延伸至加熱器電極墊中的另一個(gè)。
微傳感器還包括:形成在發(fā)熱配線線路周圍的空氣間隙。
微傳感器還包括:形成在鈍化層周圍的空氣間隙。
在微傳感器中,空氣間隙是從基底的上表面延伸到基底的下表面的空間。
在微傳感器中,空氣間隙以復(fù)數(shù)個(gè)的數(shù)量不連續(xù)地形成。
在微傳感器中,發(fā)熱配線線路包括以直線形狀形成的多個(gè)間隔開的直線部分以及配置成互連直線部分的多個(gè)連接部分。
在微傳感器中,發(fā)熱配線線路包括形成在其至少一部分中的曲線部分。
在微傳感器中,第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路中的每一個(gè)均包括以直線形狀形成的多個(gè)間隔開的直線部分以及配置為互連直線部分的多個(gè)連接部分,并且第二發(fā)熱配線線路的直線部分層壓在第一發(fā)熱配線線路的直線部分之上。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了一種微傳感器,包括:由陽極氧化膜形成的基底;形成在基底上的第一傳感器電極,該第一傳感器電極包括第一傳感器配線線路和連接至第一傳感器配線線路的第一傳感器電極墊;與第一傳感器電極間隔開的第二傳感器電極,該第二傳感器電極包括形成在基底上的第二傳感器配線線路和連接至第二傳感器配線線路的第二傳感器電極墊;加熱器電極,其包括形成為至少部分地圍繞第一傳感器配線線路和第二傳感器配線線路的發(fā)熱配線線路,以及連接至發(fā)熱配線線路的相對(duì)端并且彼此間隔開的第一和第二加熱器電極墊;以及不連續(xù)地形成在發(fā)熱配線線路周圍的多個(gè)空氣間隙,其中,發(fā)熱配線線路包括形成在基底上的第一發(fā)熱配線線路、層壓在第一發(fā)熱配線線路上并且配置為至少部分地圍繞第一傳感器配線線路和第二傳感器配線線路的第二發(fā)熱配線線路、以及連接配線線路,該連接配線線路配置為互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
根據(jù)本發(fā)明的又再一方面,提供了一種微傳感器,包括:由陽極氧化膜形成的基底;形成在基底上的第一傳感器電極,該第一傳感器電極包括第一傳感器配線線路和連接至第一傳感器配線線路的第一傳感器電極墊;與第一傳感器電極間隔開的第二傳感器電極,該第二傳感器電極包括形成在基底上的第二傳感器配線線路和連接至第二傳感器配線線路的第二傳感器電極墊;加熱器電極,其包括形成為至少部分地圍繞第一傳感器配線線路和第二傳感器配線線路的發(fā)熱配線線路,以及連接至發(fā)熱配線線路的相對(duì)端并且彼此間隔開的第一和第二加熱器電極墊;以及不連續(xù)地形成在發(fā)熱配線線路周圍的多個(gè)空氣間隙,其中,發(fā)熱配線線路包括形成在基底上的第一發(fā)熱配線線路、第二發(fā)熱配線線路、以及連接配線線路,所述第二發(fā)熱配線線路至少部分地形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路的空間的上側(cè)處并且被配置為至少部分地圍繞第一傳感器配線線路和第二傳感器配線線路,所述連接配線線路配置為互連第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路,并且鈍化層形成在第一發(fā)熱配線線路和第二發(fā)熱配線線路之間。
根據(jù)本發(fā)明的又再一方面,提供了一種微傳感器制造方法,包括:在基底上形成第一發(fā)熱配線線路和第一加熱器電極墊;形成鈍化層以覆蓋第一發(fā)熱配線線路;在鈍化層上形成第二發(fā)熱配線線路和第二加熱器電極墊,以使第二發(fā)熱配線線路連接至第一發(fā)熱配線線路;在基底上形成傳感器電極;以及在鈍化層周圍形成空氣間隙。
本發(fā)明具有如下效果。
由于發(fā)熱配線線路的長度變得較長,并且發(fā)熱區(qū)域增加,因此易于確保用于加熱感測(cè)材料的發(fā)熱量。因此,能夠快速和準(zhǔn)確地感測(cè)測(cè)量目標(biāo)氣體。
此外,由于彼此上下堆疊發(fā)熱配線線路,則能夠增加發(fā)熱配線線路的長度,而不增加基底的由發(fā)熱配線線路占據(jù)的區(qū)域。
另外,由于基底由多孔層形成,因此基底的熱容量較小。
附圖說明
圖1是透視圖,其示出了現(xiàn)有技術(shù)的濕度傳感器。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方式的提供有微加熱器的微傳感器的平面圖(其中,省略了感測(cè)材料和保護(hù)層)。
圖3是第一支撐部分和空氣間隙部分的放大平面圖(其中,省略了感測(cè)材料和保護(hù)層)。
圖4是圖3中示出的第一支撐部分和空氣間隙部分的平面圖,從中移除了鈍化層、第二發(fā)熱配線線路和傳感器配線線路。
圖5是沿圖2中的線A-A截取的截面視圖。
圖6至10是示出了微傳感器制造方法的工序圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方式的提供有微加熱器的微傳感器的平面圖(其中,省略了感測(cè)材料和保護(hù)層)。
圖12是第一支撐部分和空氣間隙部分的放大平面圖(其中,省略了感測(cè)材料和保護(hù)層)。
圖13是圖12中示出的第一支撐部分和空氣間隙部分的平面圖,從中移除了鈍化層、第二發(fā)熱配線線路和傳感器配線線路。
圖14是沿圖11中的線A-A截取的截面視圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方式的提供有微加熱器的微傳感器的平面圖(其中,省略了感測(cè)材料和保護(hù)層)。
圖16是第一支撐部分和空氣間隙部分的放大平面圖(其中,省略了感測(cè)材料和保護(hù)層)。
圖17是圖16中示出的第一支撐部分和空氣間隙部分的平面圖,從中移除了鈍化層、第二發(fā)熱配線線路和傳感器配線線路。
圖18是沿圖15中的線A-A截取的截面視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。根據(jù)結(jié)合附圖給出的優(yōu)選實(shí)施方式的下述說明,用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)、特征和方法將變得顯而易見。然而,本發(fā)明不限于本文描述的實(shí)施方式,而是可以以許多不同的形式體現(xiàn)。而且,提供本文公開的實(shí)施方式是為了確保本公開文本變得詳盡和完善,并且為了確保本發(fā)明的構(gòu)思被充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域內(nèi)具有普通知識(shí)的人員。本發(fā)明僅由權(quán)利要求書限定。在本說明書全文中,相同的參考標(biāo)記表示類似的部件。
本文使用的術(shù)語的引入是為了描述實(shí)施方式,而不是為了限制本發(fā)明。在本說明書中,除非特別另有說明,單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式。本文所使用的術(shù)語“包括”是指本文涉及的部件、步驟、操作或元件不排除一個(gè)或多個(gè)其他部件、步驟、操作或元件的存在或添加。此外,以描述的順序引入的參考標(biāo)記并不一定被限制為指定的順序。
將參考截面視圖和/或平面圖來描述本文公開的實(shí)施方式,這些視圖是示出本發(fā)明的理想示例性視圖。在附圖中,膜和區(qū)域的厚度被夸大以有利地描述技術(shù)內(nèi)容。因此,取決于制造技術(shù)和/或容差,可以改變示例性視圖的形式。出于該原因,本發(fā)明的實(shí)施方式不限于附圖中示出的特定形式,而是可以包括根據(jù)制造工藝而產(chǎn)生的形式上的變化。因此,附圖中示出的區(qū)域具有常規(guī)屬性。附圖中示出的區(qū)域的形狀僅僅示出了元件區(qū)域的特定形式,并且不限制本發(fā)明的范圍。
下文中,將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
在描述不同實(shí)施方式時(shí),為簡便起見,即使在不同實(shí)施方式中,用于執(zhí)行相同功能的部件將被賦于類似的名稱和類似的參考標(biāo)號(hào)。此外,為簡便起見,在一個(gè)具體實(shí)施方式中已經(jīng)描述過的配置和操作將不會(huì)在其他實(shí)施方式中進(jìn)行描述。
出于參考的目的,在稍后描述本發(fā)明的配置中,與現(xiàn)有技術(shù)相同的配置將不會(huì)進(jìn)行詳細(xì)描述?,F(xiàn)在參考上文中描述的現(xiàn)有技術(shù)。
如圖2-5中所示,根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施方式的提供有微加熱器的微傳感器包括:由陽極氧化膜形成的基底100;形成在基底100上的傳感器電極300;以及形成在基底100上并且提供有發(fā)熱配線線路210的加熱器電極200,其中,發(fā)熱配線線路210以層壓狀態(tài)形成。
如果金屬基礎(chǔ)材料被陽極氧化,則形成陽極氧化膜。陽極氧化膜包括多孔層和阻擋層,所述多孔層具有形成在其表面上的多個(gè)孔,而阻擋層位于多孔層之下。金屬基礎(chǔ)材料可以是鋁(Al)、鈦(Ti)、鎢(W)、鋅(Zn)或類似物。優(yōu)選地,金屬基礎(chǔ)材料由鋁或鋁合金構(gòu)成,鋁或鋁合金重量輕、易于加工、熱導(dǎo)率優(yōu)異并且免于重金屬的污染。
例如,鋁的表面被陽極氧化以由此形成氧化鋁膜,其包括氧化鋁多孔層和位于氧化鋁多孔層之下的阻擋層,所述氧化鋁多孔層具有形成在其表面上的多個(gè)孔102。舉例來說,本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的基底100可以僅由移除了鋁的氧化鋁膜構(gòu)成。電極可以形成在氧化鋁膜的氧化鋁多孔層上??蛇x地,電極可以形成在阻擋層上。此外,可以通過移除氧化鋁膜的阻擋層來獲得具有垂直地穿透多孔層的孔102的氧化鋁多孔層。
下文中,將描述移除了鋁和阻擋層的基底100。
如果從陽極氧化的鋁膜移除鋁和阻擋層,則基底100的孔102以垂直方向穿透基底100。由于基底100由氧化鋁多孔層形成,因此微加熱器的熱容量降低。
基底100包括以圓柱形的形狀形成在基底100的中心的第一支撐部分110、以與第一支撐部分110間隔開的關(guān)系形成在第一支撐部分110的外側(cè)的第二支撐部分120、以及多個(gè)橋部分130,所述橋部分配置成互連第一支撐部分110和第二支撐部分120。
第一支撐部分110定位在基底100的中心部分。第一支撐部分110整體具有圓柱形的形狀。橋部分130連接到第一支撐部分110的外部周邊。
此外,多個(gè)空氣間隙101形成在第一支撐部分110的外部周邊??諝忾g隙101可以不連續(xù)地形成??諝忾g隙101和橋部分130交替地布置在第一支撐部分110的周圍。橋部分130通過如下方式形成:經(jīng)由蝕刻工藝在第一支撐部分110周圍不連續(xù)形成空氣間隙101。橋部分130在一端連接到第一支撐部分110,并且在另一端連接到第二支撐部分120。
下文中,將描述根據(jù)第一實(shí)施方式的形成在基底100的上表面上的傳感器電極300和加熱器電極200。
傳感器電極300形成在基底100上。傳感器電極300配置成在氣體吸附到感測(cè)材料400上時(shí)感測(cè)電氣特性的變化。
傳感器電極300包括第一傳感器電極300a和以與第一傳感器電極300a間隔開的關(guān)系設(shè)置的第二傳感器電極300b。第一傳感器電極300a和第二傳感器電極300b在左右方向上間隔開,并且相對(duì)于在平面上垂直延伸的中心線而對(duì)稱地形成。
第一傳感器電極300a和第二傳感器電極300b中的每一個(gè)均包括形成在鈍化層150和一個(gè)橋部分130的上表面上的傳感器配線線路310a或310b、以及傳感器電極墊320,傳感器電極墊320連接到傳感器配線線路310a或310b并且形成在第二支撐部分120的上表面上。
第一傳感器電極300a包括形成在鈍化層150和一個(gè)橋部分130上的第一傳感器配線線路310a、連接到第一傳感器配線線路310a的第一傳感器電極墊。第二傳感器電極300b包括形成在鈍化層150和一個(gè)橋部分130上的第二傳感器配線線路310b、以及連接到第二傳感器配線線路310b的第二傳感器電極墊。傳感器配線線路310a和310b包括第一傳感器配線線路310a以及第二傳感器配線線路310b。傳感器電極墊320包括第一傳感器電極墊和第二傳感器電極墊。傳感器配線線路310a和310b設(shè)置在鈍化層150和一個(gè)橋部分130的上表面上。傳感器配線線路310a和310b形成為具有均勻的寬度。傳感器電極墊320位于第二支撐部分120中,形成為具有比第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b的寬度更大的寬度。第一傳感器電極300a和第二傳感器電極300b的傳感器電極墊320分別設(shè)置在具有矩形的形狀的基底100的兩個(gè)相鄰的角部中,并且形成為具有朝著外端變大的寬度,基底100具有矩形的形狀。換言之,傳感器電極墊320形成為具有朝著第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b變小的寬度。
傳感器電極300由Pt、W、Co、Ni、Au和Cu中的一種制成,或者由包含Pt、W、Co、Ni、Au和Cu中的至少一種的混合物制成。
加熱器電極200形成在基底100上。
在電極形成在氧化鋁膜的氧化鋁多孔層上的情況下,位于加熱器電極200和傳感器電極300之下的孔102在其上側(cè)被加熱器電極200和傳感器電極300封閉???02還在其下側(cè)被封閉??蛇x地,在電極形成在氧化鋁膜的阻擋層上的情況下,位于加熱器電極200和傳感器電極300之下的孔102在其上側(cè)被封閉,但在其下側(cè)是開放的。在氧化鋁膜的阻擋層被移除的情況下,位于加熱器電極200和傳感器電極300之下的孔102在其上側(cè)被加熱器電極200和傳感器電極300封閉。孔102在其下側(cè)是開放的。由于加熱器電極200形成在氧化鋁多孔層上,所以能夠提供具有小熱容量的微傳感器。
加熱器電極200包括發(fā)熱配線線路210和加熱器電極墊290,發(fā)熱配線線路210形成在第一支撐部分110和鈍化層150上,并且定位成比傳感器電極墊320更加靠近第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b,加熱器電極墊290連接到發(fā)熱配線線路210并且形成在第二支撐部分120和橋部分130上。
如圖2-5中所示,發(fā)熱配線線路210包括第一發(fā)熱配線線路220、層壓在第一發(fā)熱配線線路220之上的第二發(fā)熱配線線路240以及連接配線線路255,第一發(fā)熱配線線路220形成為與基底100(即,第一支撐部分110的上表面)接觸,連接配線線路255配置成互連第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí),發(fā)熱配線線路210的第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240中的每一個(gè)均包括以直線形狀形成的多個(gè)間隔開的直線部分以及配置成互連直線部分的多個(gè)連接部分。
如圖5所示,作為絕緣層的鈍化層150形成在第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240之間。
在當(dāng)前實(shí)施方式中,描述了發(fā)熱配線線路210層壓為兩層的實(shí)例。然而,發(fā)熱配線線路210可以層壓為兩層或更多層。
如圖2和3所示,發(fā)熱配線線路210的第二發(fā)熱配線線路240形成為至少部分地圍繞第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b。加熱器電極墊290包括連接到發(fā)熱配線線路210的相對(duì)端(即,第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240的端部)并且彼此間隔開的第一加熱器電極墊290a和第二加熱器電極墊290b。
如圖4和5所示,第一發(fā)熱配線線路220形成為與第一支撐部分110的上表面接觸。第一加熱器電極墊290a連接到第一發(fā)熱配線線路220的一個(gè)端部。
第一發(fā)熱配線線路220的直線部分包括第一至第五直線部分221至225。第一發(fā)熱配線線路220的連接部分包括第一至第四連接部分226至229。
如圖4所示,第一至第五直線部分221至225以直線形狀形成并且彼此間隔開。第一直線部分221的一個(gè)端部連接到第一加熱器電極墊290a。此外,第一直線部分221的另一個(gè)端部通過第一連接部分226連接到第二直線部分222的一個(gè)端部。因此,第一直線部分221、第一連接部分226和第二直線部分222整體形成大體上倒置的U形形狀。此外,第二直線部分222的另一個(gè)端部通過第二連接部分227連接到第三直線部分223的一個(gè)端部。因此,第二直線部分222、第二連接部分227和第三直線部分223整體形成大體上U形的形狀。此外,第三直線部分223的另一個(gè)端部通過第三連接部分228連接到第四直線部分224的一個(gè)端部。因此,第三直線部分223、第三連接部分228和第四直線部分224整體形成大體上倒置的U形形狀。此外,第四直線部分224的另一個(gè)端部通過第四連接部分229連接到第五直線部分225的一個(gè)端部。因此,第四直線部分224、第四連接部分229和第五直線部分225整體形成大體上倒置的U形形狀。
第一直線部分222和第三直線部分223之間的間隔距離以及加熱器電極200第四直線部分224和第五直線部分225之間的間隔距離大于第一直線部分222和第二直線部分222之間的間隔距離和第三直線部分223和第四直線部分224之間的間隔距離。
第一發(fā)熱配線線路220形成為從第一直線部分221經(jīng)由第一至第四連接部分226至229連續(xù)地延伸到第五直線部分225。
同時(shí),如圖5所示,鈍化層150形成為覆蓋第一支撐部分110的上表面以及第一發(fā)熱配線線路220的上表面和側(cè)表面。鈍化層150具有電絕緣性質(zhì)。鈍化層150防止第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240彼此接觸。
鈍化層150的垂直高度大于第一發(fā)熱配線線路220的垂直高度。
如圖5和圖7所示,孔洞152形成在鈍化層150中。更具體地,孔洞152形成在第五直線部分225的另一端部之上。第五直線部分225的另一端部未被鈍化層150覆蓋。
連接配線線路255的一個(gè)端部連接到第五直線部分225的另一端部。連接配線線路255向上延伸穿過形成在鈍化層150中的孔洞152。連接配線線路255的另一個(gè)端部連接到第二發(fā)熱配線線路240的第六直線部分241的一個(gè)端部。連接配線線路255以與第一支撐部分110的上表面垂直的關(guān)系形成,并且配置成互連第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240。連接配線線路255可以發(fā)熱,就像第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240一樣。
如圖3和5所示,第二發(fā)熱配線線路240形成為與鈍化層150的上表面接觸。第二發(fā)熱配線線路240以與第一發(fā)熱配線線路220間隔開的關(guān)系形成在第一發(fā)熱配線線路220的之上。
第二發(fā)熱配線線路240的直線部分包括第六至第十直線部分241至245。第二發(fā)熱配線線路240的連接部分包括第五連接部分246、第七連接部分248、第八連接部分249和第十連接部分251。第二發(fā)熱配線線路240包括第一曲線部分253,其配置成互連第十直線部分251和第二加熱器電極墊290b。
如圖3所示,當(dāng)在平面圖中觀察時(shí),第六至第十直線部分241至245以直線形狀形成并且彼此間隔開。第六直線部分241的一個(gè)端部連接到連接配線線路255的上端部。第六直線部分241的另一個(gè)端部通過第五連接部分246連接到第七直線部分242的一個(gè)端部。因此,第六直線部分241、第五連接部分246和第七直線部分242整體形成大體上U形的形狀。
第七直線部分242的另一個(gè)端部通過第七連接部分248連接到第八直線部分243的一個(gè)端部。因此,第七直線部分242、第七連接部分248和第八直線部分243整體形成大體上倒置的U形形狀。
此外,第八直線部分243的另一個(gè)端部通過第八連接部分249連接到第九直線部分244的一個(gè)端部。因此,第八直線部分243、第八連接部分249和第九直線部分244整體形成大體上U形的形狀。此外,第九直線部分244的另一個(gè)端部通過第十連接部分251連接到第十直線部分245的一個(gè)端部。因此,第九直線部分244、第十連接部分251和第十直線部分245整體形成大體上倒置的U形形狀。
第六至第十直線部分241至245分別以與其間隔的關(guān)系設(shè)置在第五直線部分225、第四直線部分224、第三直線部分223、第二直線部分222和第一直線部分221的上方。此外,第五連接部分246、第七連接部分248、第八連接部分249和第十連接部分251分別設(shè)置在第四連接部分229、第三連接部分228、第二連接部分227和第一連接部分226的上方。因此,第六直線部分241和第七直線部分242之間的間隔距離以及第八直線部分243和第九直線部分244之間的間隔距離等于第四直線部分224和第五直線部分225之間的間隔距離和第二直線部分222和第三直線部分223之間的間隔距離。
第二發(fā)熱配線線路240形成為從第六直線部分241經(jīng)由第五連接部分246、第七連接部分248、第八連接部分249和第十連接部分251而連續(xù)地延伸到第十直線部分245。
如上所述,發(fā)熱配線線路210形成為上下重疊設(shè)置的多個(gè)層,并且以第一發(fā)熱配線線路220、連接配線線路255和第二發(fā)熱配線線路240的順序連續(xù)地形成。
第十直線部分251的另一個(gè)端部通過第一曲線部分253連接到第二加熱器電極墊290b。第一曲線部分253形成為在其中心部分具有拐點(diǎn)。
加熱器電極200形成為從第一加熱器電極墊290a(其連接至第一直線部分221的端部)連續(xù)地延伸至第二加熱器電極墊290b(其連接到第一曲線部分253的端部)。
此外,第二傳感器配線線路310b和第一傳感器配線線路310a分別設(shè)置在第六直線部分241和第七直線部分242之間的第一間隔空間部分281中以及第八直線部分243和第九直線部分244之間的第二間隔空間部分283中。發(fā)熱配線線路210的第二發(fā)熱配線線路240形成為在其外側(cè)至少部分地圍繞第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b。
通過以上述的上下方向?qū)訅喊l(fā)熱配線線路210,能夠增加發(fā)熱配線線路210的長度,而不增加基底100的由發(fā)熱配線線路210占據(jù)的區(qū)域。
加熱器電極200由Pt、W、Co、Ni、Au和Cu中的一種制成,或者由包含Pt、W、Co、Ni、Au和Cu中的至少一種的混合物制成。
加熱器電極墊290包括分別連接到發(fā)熱配線線路210的相對(duì)端的第一加熱器電極墊290a和第二加熱器電極墊290b。以這種方式,形成了兩個(gè)或更多個(gè)加熱器電極墊290。加熱器電極墊290設(shè)置在基底100的兩個(gè)相鄰角部中并且形成為使得其寬度向外變大。換言之,加熱器電極墊290形成為使得其寬度朝著發(fā)熱配線線路210變小。加熱器電極墊290形成為具有比發(fā)熱配線線路210的寬度更大的寬度。
防脫色保護(hù)層(未示出)形成在加熱器電極200和傳感器電極300的整個(gè)上表面上。防脫色保護(hù)層可以由基于氧化物的材料制成。而且,防脫色保護(hù)層可以由氧化鉭(TaOx)、氧化鈦(TiO2)、氧化硅(SiO2)和氧化鋁(Al2O3)中的至少一種制成。
此外,焊接金屬形成在加熱器電極墊290和傳感器電極墊320的端部中。焊接金屬形成在防脫色保護(hù)層上。焊接金屬可以是金、銀和錫中的至少一種。
空氣間隙101形成在第一支撐部分110的周圍。換言之,空氣間隙101形成在基底100上,從而圍繞發(fā)熱配線線路210??諝忾g隙101形成在鈍化層150和發(fā)熱配線線路210的周圍。
空氣間隙101的最大寬度(橫向?qū)挾?被設(shè)置為大于孔120的最大寬度??諝忾g隙101以拱形的形狀形成??諝忾g隙101的數(shù)量可以是三個(gè)??諝忾g隙101在周向方向上間隔開。也就是說,空氣間隙101以復(fù)數(shù)個(gè)的數(shù)量不連續(xù)地形成。
特別地,空氣間隙101設(shè)置在第一傳感器配線線路310a和第一加熱器電極墊290a之間,第一加熱器電極墊290a和第二加熱器電極墊290b之間,以及第二加熱器電極墊290b和第二傳感器配線線路310b之間??諝忾g隙101形成在不是支撐加熱器電極200和傳感器電極300的部分的區(qū)域中。
空氣間隙101形成為垂直地穿透基底100。也就是說,空氣間隙101形成為從基底100的上表面延伸至其下表面。
由于空氣間隙101的存在,用于支撐發(fā)熱配線線路210以及傳感器配線線路310a和310b的第一支撐部分110,用于支撐加熱器電極墊290和傳感器電極墊320的第二支撐部分120,以及橋部分130形成在基底100中。也就是說,空氣間隙101形成在第一支撐部分110和第二支撐部分120之間。因此,空氣間隙101和橋部分130交替地布置在第一支撐部分110的周圍。
當(dāng)在如圖4所示的平面圖中觀察時(shí),第一支撐部分110以環(huán)形的形狀形成,并且由空氣間隙101圍繞。
第一支撐部分110和第二支撐部分120通過橋部分130而彼此連接。
第一支撐部分110和第二支撐部分120通過不是橋部分130的區(qū)域中的空氣間隙101而彼此間隔開。因此,第一支撐部分110和第二支撐部分120通過橋部分130在三個(gè)點(diǎn)處彼此連接。
配置為覆蓋傳感器配線線路310a和310b的第七直線部分242和第八直線部分243以及第二發(fā)熱配線線路240的感測(cè)材料400形成在鈍化層150上。通過印制而形成感測(cè)材料400。如果以這種方式通過印制形成感測(cè)材料400,則在形成感測(cè)材料400之后,會(huì)在感測(cè)材料400的表面上留下網(wǎng)狀記號(hào)。
通過如上所述地垂直地層壓發(fā)熱配線線路210,發(fā)熱配線線路210的長度增加,并且發(fā)熱區(qū)域增加。這使得易于確保加熱感測(cè)材料400所需的發(fā)熱量。因此,能夠快速和準(zhǔn)確地感測(cè)測(cè)量目標(biāo)氣體。
具體地,根據(jù)第一實(shí)施方式的微傳感器的發(fā)熱配線線路210在第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b的附近垂直地層壓。因此,能夠有效地增加定位在第一傳感器配線線路310a和第二傳感器配線線路310b周圍的感測(cè)材料400的溫度。
此外,配置為覆蓋傳感器配線線路310a和310b、第二發(fā)熱配線線路240和感測(cè)材料400的保護(hù)層420形成在鈍化層150上。
將參考圖6至10描述根據(jù)本發(fā)明的微傳感器制造方法。
第一步驟是在基底100上形成第一發(fā)熱配線線路220和第一加熱器電極墊290a的步驟,如圖6所示。
第二步驟是形成鈍化層150以覆蓋第一發(fā)熱配線線路220的步驟,如圖7所示。第一發(fā)熱配線線路220的第五直線部分225的另一端部未被鈍化層150覆蓋,但是向上開放的。換言之,孔洞152形成在第五直線部分225的另一端部之上。
第三步驟是如下步驟:在鈍化層150上形成第二發(fā)熱配線線路240和第二加熱器電極墊290b,如圖8所示,從而使得第二發(fā)熱配線線路240和第二加熱器電極墊290b連接到第一發(fā)熱配線線路220。第一發(fā)熱配線線路220和第二發(fā)熱配線線路240經(jīng)由插入到孔洞152中的連接配線線路255而彼此連接。
第四步驟是在基底100上形成傳感器電極300的步驟,如圖9所示。傳感器電極300的第一傳感器配線線路310a(參見圖3)和第二傳感器配線線路310b(參見圖3)部分地形成在鈍化層150上。
第五步驟是在鈍化層150周圍形成空氣間隙101的步驟,如圖10所示??梢酝ㄟ^上述步驟制造微傳感器。
下文中,將參考圖11至14描述根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施方式的微傳感器。將省略與第一實(shí)施方式相同的部件的描述。將僅僅描述與第一實(shí)施方式不同的發(fā)熱配線線路510。
根據(jù)第二實(shí)施方式的發(fā)熱配線線路510包括形成在基底100上的第一發(fā)熱配線線路520、至少部分地形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路520的空間505的上側(cè)處的第二發(fā)熱配線線路540、以及連接配線線路560,該連接配線線路560配置為互連第一發(fā)熱配線線路520和第二發(fā)熱配線線路540。鈍化層570形成在第一發(fā)熱配線線路520和第二發(fā)熱配線線路540之間。
如圖12和13中所示,以互相不同的圖案形成第一發(fā)熱配線線路520和第二發(fā)熱配線線路540。第二發(fā)熱配線線路540形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路520的空間505的上側(cè)處的第一支撐部分110中。
如圖13中所示,第一發(fā)熱配線線路520包括以直線形狀形成并且彼此間隔開的多個(gè)直線部分521以及多個(gè)曲線部分530,曲線部分530由具有拐點(diǎn)的曲線形成并且配置成互連間隔開的直線部分521的端部。通過交替地且重復(fù)地互連直線部分521和曲線部分530而連續(xù)地形成第一發(fā)熱配線線路520。曲線部分530是配置為互連直線部分521的端部的連接部分。
第一加熱器電極墊590a連接到第十一直線部分522的一個(gè)端部,第十一直線部分522是第一發(fā)熱配線線路520的直線部分521中的一個(gè)。
如圖14所示,連接配線線路560垂直地連接到與第十一直線部分522相鄰的第十二直線部分523的一個(gè)端部。連接配線線路560的上端部連接到第二發(fā)熱配線線路540的第十一曲線部分545的一個(gè)端部。
第二發(fā)熱配線線路540形成在鈍化層570上。第二發(fā)熱配線線路540包括多個(gè)直線部分546以及多個(gè)曲線部分541,曲線部分541由具有拐點(diǎn)的曲線形成并且配置成互連間隔開的直線部分546的端部。通過交替地且重復(fù)地互連直線部分546和曲線部分541而連續(xù)地形成第二發(fā)熱配線線路540。
第二發(fā)熱配線線路540至少部分地位于未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路520的空間505(參見圖13)的上側(cè)處。因此,如圖12所示,當(dāng)以平面圖觀察時(shí),第一發(fā)熱配線線路520的直線部分521以及第二發(fā)熱配線線路540的直線部分546可以交替地設(shè)置,從而在左右方向上錯(cuò)開。
第一傳感器配線線路610a和第二傳感器配線線路610b形成在第二發(fā)熱配線線路540的間隔開的直線部分546之間。第二加熱器電極墊590b連接到第二發(fā)熱配線線路540的直線部分546中的第十三直線部分547的一個(gè)端部。
發(fā)熱配線線路510以第一加熱器電極墊590a、第一發(fā)熱配線線路520、連接配線線路560、第二發(fā)熱配線線路540和第二加熱器電極墊590b的順序連續(xù)地形成。
此外,感測(cè)材料402形成在鈍化層570上以覆蓋傳感器配線線路610a和610b。
如上所述,第一發(fā)熱配線線路520和第二發(fā)熱配線線路540以互相不同的圖案彼此重疊層壓。因此,能夠均勻地加熱整個(gè)第一支撐部分110,由此確保溫度均勻性。這使得能夠均勻地加熱存在于第一支撐部分110上的感測(cè)材料402。
下文中,將參考圖15至18描述根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施方式的微傳感器。將省略與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式相同的部件的描述。將僅僅描述與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式不同的發(fā)熱配線線路710。
根據(jù)第三實(shí)施方式的發(fā)熱配線線路710包括形成在基底100上的第一發(fā)熱配線線路720、至少部分地形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路720的空間705的上側(cè)處的第二發(fā)熱配線線路740、以及連接配線線路760,該連接配線線路760配置為互連第一發(fā)熱配線線路720和第二發(fā)熱配線線路740。鈍化層770形成在第一發(fā)熱配線線路720和第二發(fā)熱配線線路740之間。第一發(fā)熱配線線路720和第二發(fā)熱配線線路740中的每一個(gè)均包括以直線形狀形成并且彼此間隔開的多個(gè)直線部分721或741、以及配置為互連直線部分721或741的多個(gè)曲線部分730或750。第二發(fā)熱配線線路740的直線部分741層壓在第一發(fā)熱配線線路720的直線部分721之上。曲線部分730或750是配置為互連直線部分721或741的端部的連接部分。
如圖16和17中所示,以互相不同的圖案形成第一發(fā)熱配線線路720和第二發(fā)熱配線線路740。第二發(fā)熱配線線路740的曲線部分750形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路720的空間705的上側(cè)處的第一支撐部分110中。
如圖17所示,第一發(fā)熱配線線路720以類似于第二實(shí)施方式的第一發(fā)熱配線線路520的圖案的圖案形成。第一發(fā)熱配線線路720包括以直線形狀形成并且彼此間隔開的多個(gè)直線部分721以及多個(gè)曲線部分730,曲線部分730由具有拐點(diǎn)的曲線形成并且配置成互連間隔開的直線部分721的端部。通過交替地且重復(fù)地互連直線部分721和曲線部分730而連續(xù)地形成第一發(fā)熱配線線路720。曲線部分730是配置為互連直線部分721的端部的連接部分。
第一加熱器電極墊790a連接到第十四直線部分722的一個(gè)端部,第十四直線部分722是直線部分721中的一個(gè)。
如圖18所示,連接配線線路760垂直地連接到與第十四直線部分722相鄰的第十五直線部分723的一個(gè)端部。連接配線線路760的上端部連接到第二發(fā)熱配線線路740的第十六直線部分743的一個(gè)端部。
第二發(fā)熱配線線路740包括形成在鈍化層770上并且彼此間隔開的多個(gè)直線部分741以及多個(gè)曲線部分750,曲線部分750由具有拐點(diǎn)的曲線形成并且配置成互連間隔開的直線部分741的端部。通過交替地且重復(fù)地互連直線部分741和曲線部分750而連續(xù)地形成第二發(fā)熱配線線路740。
當(dāng)在平面圖中觀察時(shí),直線部分741以預(yù)定間隔間隔開并且設(shè)置成以第十六至第二十直線部分743至747的順序彼此平行。第十六直線部分743在長度上比第十七至第二十直線部分744至747短。
第十二曲線部分751配置為互連第十六直線部分743的另一個(gè)端部以及第十七直線部分744的一個(gè)端部。第十三曲線部分752配置為互連第十七直線部分744的另一個(gè)端部以及第十八直線部分745的一個(gè)端部。第十四曲線部分753配置為互連第十八直線部分745的另一個(gè)端部以及第十九直線部分746的一個(gè)端部。第十五曲線部分754配置為互連第十九直線部分746的另一個(gè)端部以及第二十直線部分747的一個(gè)端部。
因此,第十二至十五曲線部分751-755形成在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路720的空間705的上側(cè)處的第一支撐部分110中。
第二發(fā)熱配線線路740的第十二曲線部分750設(shè)置在未設(shè)置第一發(fā)熱配線線路720的空間705(參見圖17)的上側(cè)處。在第二發(fā)熱配線線路740的直線部分741中,除第十六直線部分743之外的直線部分744、745、746和747全部層壓在第一發(fā)熱配線線路720的直線部分721的上側(cè)處。換句話說,第二發(fā)熱配線線路740的第十七至第二十直線部分744至747層壓在第一發(fā)熱配線線路720的直線部分721的上側(cè)處。
此外,第一傳感器配線線路810a和第二傳感器配線線路810b形成在鈍化層770上。當(dāng)在平面圖中觀察時(shí),第一傳感器配線線路810a形成在彼此間隔開的第十五直線部分723和第十七直線部分744之間。第二傳感器配線線路810b形成在第十八直線部分745和第十九直線部分746之間。
第二加熱器電極墊790b連接到第二發(fā)熱配線線路740的直線部分741中的第十二直線部分747的另一個(gè)端部。
第一加熱器電極墊790a、第一發(fā)熱配線線路720、連接配線線路760、第二發(fā)熱配線線路740和第二加熱器電極墊590b按順序連接并且連續(xù)地形成。
感測(cè)材料404形成在鈍化層770上以覆蓋傳感器配線線路810a和810b。
下文中,將描述如上配置的微傳感器的操作。
為了測(cè)量氣體濃度,預(yù)定電功率被施加到加熱器電極200的兩個(gè)加熱器電極墊290上,從而將微傳感器的中央部分的感測(cè)材料400、402或404加熱至預(yù)定溫度。
在該狀態(tài)下,當(dāng)存在于微傳感器周圍的氣體被吸附到感測(cè)材料400、402或404,或者從感測(cè)材料400、402或404解吸時(shí),以如下方式測(cè)量感測(cè)材料400、402或404的以對(duì)應(yīng)關(guān)系產(chǎn)生的特性變化:測(cè)量通過使用外部電路電連接至感測(cè)材料400、402或404的傳感器電極墊320之間的電勢(shì)差,并且量化感測(cè)材料400、402或404的電導(dǎo)率。
為了準(zhǔn)確測(cè)量,已經(jīng)吸附到感測(cè)材料400、402或404的其他氣體種類和水分通過加熱器電極200被加熱至高溫,并且被強(qiáng)制地移除,由此將感測(cè)材料400、402或404恢復(fù)至初始狀態(tài)。然后,測(cè)量有關(guān)氣體的濃度。
已經(jīng)上文已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,但相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠多方位地改變或改進(jìn)本發(fā)明,而不脫離權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍。