本發(fā)明涉及顯示器件檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法。

背景技術(shù)：

專利CN201510408380.7公開了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法和系統(tǒng)，提供了一種通過拍攝圖像來判斷多晶硅薄膜質(zhì)量的方案，其流程圖如圖1所示，其存在的問題時(shí)，僅公開了檢測的方法和系統(tǒng)，未公開當(dāng)檢測到不合格產(chǎn)品時(shí)，如何選擇最佳能量密度值來保證在進(jìn)行再加工的退火處理時(shí)，將不合格品加工使其成為合格品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的多晶硅薄膜質(zhì)量檢測方法中若不良品超過一定比例則產(chǎn)品直接報(bào)廢而造成生產(chǎn)成本浪費(fèi)的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法。

根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法，其包括如下步驟：

向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并對所述多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝，以獲得薄膜圖像；

根據(jù)所述薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度；

按照設(shè)定的尺寸將所述薄膜圖像分割成多個(gè)圖像單元；

獲取所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數(shù)，并將所述顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行對比，以獲取對比結(jié)果；

根據(jù)各所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數(shù)與所述預(yù)設(shè)參數(shù)的對比結(jié)果獲取合格的所述圖像單元的數(shù)量；

根據(jù)所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量以及所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格。

優(yōu)選地，所述根據(jù)所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量以及所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格的步驟還包括：

若不合格，對所述多晶硅薄膜進(jìn)行激光退火處理；

若合格，則結(jié)束檢測。

優(yōu)選地，所述根據(jù)所述薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度的方法為：

預(yù)先建立薄膜圖像亮度與最佳能量密度的對應(yīng)關(guān)系，通過所述對應(yīng)關(guān)系以及所述薄膜圖像亮度確定最佳能量密度。

優(yōu)選地，將所述顯示參數(shù)與所述預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行對比以獲取對比結(jié)果的步驟包括：

若所述線條寬長度分布大于或等于閾值，并且所述亮度大于或等于所述亮度值，則對比結(jié)果為合格；否則為不合格。

優(yōu)選地，所述顯示參數(shù)至少包括亮度和線條寬長度分布，所述根據(jù)各所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數(shù)與所述預(yù)設(shè)參數(shù)的所述對比結(jié)果獲取合格的所述圖像單元的數(shù)量的步驟包括：

根據(jù)所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數(shù)與所述預(yù)設(shè)參數(shù)的對比結(jié)果確定所述圖像單元是否合格；

統(tǒng)計(jì)合格的所述圖像的數(shù)量。

優(yōu)選地，所述根據(jù)薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量和所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格的步驟包括：

將合格的所述圖像單元的數(shù)量與預(yù)設(shè)數(shù)量進(jìn)行比較，所述預(yù)設(shè)數(shù)量為根據(jù)所述圖像單元的總數(shù)量設(shè)定的數(shù)量；

當(dāng)合格的所述圖像單元的數(shù)量小于預(yù)設(shè)數(shù)量時(shí)，或所述薄膜圖像的亮度不是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定所述多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格；

當(dāng)合格的所述圖像單元的數(shù)量大于或等于預(yù)設(shè)數(shù)量時(shí)，且所述薄膜圖像的亮度為最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定所述多晶硅薄膜的質(zhì)量為合格。

優(yōu)選地，所述根據(jù)所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量和所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格的步驟包括：

根據(jù)合格的所述圖像單元的數(shù)量和所述圖像單元的總數(shù)量計(jì)算圖像單元的合格率；

將所述合格率與預(yù)設(shè)的合格率進(jìn)行比較；

當(dāng)所述合格率小于預(yù)設(shè)合格率，或所述薄膜圖像的亮度不是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定所述多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格；

當(dāng)所述合格率大于或等于預(yù)設(shè)的合格率，且所述薄膜圖像的亮度是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定所述多晶硅薄膜的質(zhì)量為合格。

若多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格時(shí)，對所述多晶硅薄膜進(jìn)行激光退火處理。在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述不合格時(shí)，激光退火處理的方式包括：若合格率小于預(yù)設(shè)的合格率但大于預(yù)設(shè)值(如50％)時(shí)，僅對不合格處(不合格的圖像單元在多晶硅薄膜上對應(yīng)的區(qū)域)進(jìn)行激光退火處理；若合格率為所述預(yù)設(shè)值(如50％)以下時(shí)，對所述多晶硅薄膜的全部進(jìn)行激光退火處理。

優(yōu)選地，所述對所述多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝的步驟包括：在與所述基板呈5度至45度角的方向上對所述多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝。

優(yōu)選地，所述向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光的步驟包括：在與表面上形成有多晶硅薄膜的基本呈5度到45度角的方向上向所述基板照射光。

根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測系統(tǒng)，其包括：拍攝裝置和處理器；所述拍攝裝置包括：電荷耦合組件、光學(xué)鏡頭以及光源；

所述光源位于所述表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光；

所述光學(xué)鏡頭位于所述基板上方，用于收集視場內(nèi)的光線，并將所述光線引入到所述電荷耦合組件，所述多晶硅薄膜包含在所述視場中；

所述電荷耦合組件，用于感應(yīng)所述光線生成對應(yīng)的圖像，并將所述圖像傳輸給所述處理器；

所述處理器，用于：

根據(jù)所述薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度；

按照設(shè)定的尺寸將所述薄膜圖像分割成多個(gè)圖像單元；

獲取所述圖像單元中所述多晶硅薄膜的顯示參數(shù)，并將所述顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行對比，以獲取對比結(jié)果；

根據(jù)所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量和所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，控制所述加工設(shè)備對所述多晶硅薄膜進(jìn)行激光退火處理，若合格，則結(jié)束檢測。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本發(fā)明優(yōu)化了影像掃描條件，通過確定最佳能量密度來在再加工的激光退火過程中準(zhǔn)確地將不合格產(chǎn)品加工為合格產(chǎn)品，大大提高合格的產(chǎn)品率，降低生產(chǎn)成本。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)中的多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法的流程圖；

圖2顯示了本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法的流程圖；

圖3顯示了本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測系統(tǒng)的基板與光學(xué)鏡頭的拍攝角度關(guān)系的示意圖；

圖4顯示了本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅薄膜的最佳能量密度示意圖；

圖5顯示了經(jīng)過拍攝得到的不合格的多晶硅薄膜的圖片；

圖6顯示了經(jīng)過拍攝得到的合格的多晶硅薄膜的圖片；

圖7顯示了本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測系統(tǒng)的原理圖；

圖8顯示了本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖9顯示了本發(fā)明的多晶硅薄膜質(zhì)量檢測方法的一個(gè)具體實(shí)施例的流程圖；

圖10顯示了本發(fā)明的多晶硅薄膜質(zhì)量檢測方法的另一個(gè)具體實(shí)施例的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的多晶硅薄膜質(zhì)量檢測方法中若不良品超過一定比例則產(chǎn)品直接報(bào)廢而造成生產(chǎn)成本浪費(fèi)的技術(shù)問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法。

如圖2所示，提供了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測方法，包括步驟100-步驟600。

在步驟S100中，向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并對所述多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝，以獲得薄膜圖像。

本實(shí)施例中多晶硅薄膜可以為經(jīng)過準(zhǔn)分子激光退火后的薄膜。

本實(shí)施例中光源向基板照射光可以使用拍攝設(shè)備，例如照相機(jī)，對多晶硅進(jìn)行拍攝，本實(shí)施例中也可以采用集成有光源和拍攝設(shè)備的裝置來執(zhí)行步驟S100。

步驟S100對多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝具體可以為：在與基板呈5度與45度角的方向上對多晶硅進(jìn)行拍攝，例如采用拍攝設(shè)備拍攝時(shí)，將拍攝設(shè)備調(diào)整至與基板成5度到45度角，即可實(shí)現(xiàn)在與基板呈5度到45度角的方向上對多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝，拍攝角度的示意圖如圖3所示。

本實(shí)施例的檢測方法可以在同一個(gè)方向上照射光和拍攝圖像，例如將光源正對基板，從與基板垂直的方向照射基板，而拍攝照片時(shí)可以在與基板呈45度角的方向拍攝；當(dāng)然本實(shí)施例的檢測方法也可以在不同的方向上分別照射光和拍攝圖像，例如從與基板5度到45度角的方向上照射光和拍攝圖像。從不同的方向上分別進(jìn)行照射光和拍攝圖像，可以方便檢測設(shè)備的防止，方便質(zhì)量檢測，從相同的方向上進(jìn)行照射光和拍攝圖像可以拍攝到清晰的薄膜圖像，提升檢測的準(zhǔn)確性。

在步驟S200中，根據(jù)薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度。其中，根據(jù)所述薄膜圖像的亮度確定最佳能量密度的方法為：預(yù)先建立薄膜圖像亮度與最佳能量密度的對應(yīng)關(guān)系，通過所述對應(yīng)關(guān)系以及所述薄膜圖像亮度確定最佳能量密度。

最佳能量密度的示意圖如圖4所示，從圖中可以看出，亮度與能量密度之間存在對應(yīng)關(guān)系。檢測過程可以通過目測觀察或者儀器測量看出多晶硅薄膜中亮度最大的部分，該部分對應(yīng)的能量為390mJ，通過查表得知這個(gè)亮度最大值對應(yīng)的能量密度為0.4J/cm²，即為最佳能量密度。這個(gè)預(yù)先設(shè)定的對應(yīng)關(guān)系可以借助CCD(即電耦合元件)以及激光退火機(jī)確定，CCD可以通過獲取的圖像確定能量密度，而能量密度可以便于退火設(shè)備設(shè)置調(diào)整激光能量。

在步驟S300中，按照設(shè)定的尺寸將薄膜圖像分割成多個(gè)圖像單元。

具體地，可以按照設(shè)定的尺寸將薄膜圖像分割成多個(gè)尺寸相等的圖像單元，例如將薄膜圖像分割成多個(gè)5寸、6寸或者10寸的圖像單元。其中設(shè)定的尺寸可以根據(jù)檢測要求具體確定，圖像單元的尺寸越小分割的圖像單元數(shù)量越多，檢測的準(zhǔn)確性越高。

在步驟S400中，獲取圖像單元中多晶硅薄膜的顯示參數(shù)，并將顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行對比，以獲取對比結(jié)果。

本實(shí)施例中顯示參數(shù)可以用來判斷多晶硅薄膜質(zhì)量是否合格。具體地，參數(shù)包括亮度灰階和線條寬長度分布。其中不合格產(chǎn)品的照片如圖5所示，合格產(chǎn)品的照片如圖6所示，從圖5和圖6中可以看出，合格產(chǎn)品的亮度相對比于不合格產(chǎn)品一般較高，并且不合格產(chǎn)品具有明顯的線條。

本實(shí)施例的檢測方法，對于每個(gè)圖像單元均執(zhí)行：獲取圖像中多晶硅薄膜的顯示參數(shù)，然后將顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)對比，以獲取對比結(jié)果，然后根據(jù)各個(gè)對比結(jié)果來獲取合格的圖像單元數(shù)量。

在步驟S500中，根據(jù)圖像單元中的多晶硅薄膜的顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)的對比結(jié)果獲取合格的圖像單元的數(shù)量。具體可以為：根據(jù)圖像單元中多晶硅薄膜的顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)的對比結(jié)果確定圖像單元是否合格；然后統(tǒng)計(jì)合格的圖像的數(shù)量。

在步驟S600中，根據(jù)薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量和所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，則對所述多晶硅薄膜進(jìn)行激光退火處理；若合格，則結(jié)束檢測。所述不合格時(shí)，激光退火處理的方式包括：若合格率小于預(yù)設(shè)的合格率但大于預(yù)設(shè)值(如50％)時(shí)，僅對不合格處(不合格的圖像單元在多晶硅薄膜上對應(yīng)的區(qū)域)進(jìn)行激光退火處理；若合格率為所述預(yù)設(shè)值(如50％)以下時(shí)，對所述多晶硅薄膜的全部進(jìn)行激光退火處理。

這樣做的好處是，細(xì)化了再加工的邏輯，可以僅針對不合格處進(jìn)行再加工，避免了現(xiàn)有技術(shù)中的全部再加工浪費(fèi)加工資源的情況，本發(fā)明可以節(jié)省加工資源。并且可以對于不合格之處精確再加工，降低了報(bào)廢率，提高了整體合格率。

在獲取合格的圖像單元的數(shù)量之后，本實(shí)施例可以采用如下方式確定多晶硅薄膜是否合格：

1)直接將合格的圖像單元的數(shù)量與預(yù)設(shè)的數(shù)量進(jìn)行對比，具體為：將合格的圖像單元的數(shù)量與預(yù)設(shè)的數(shù)量比較，預(yù)設(shè)數(shù)量為根據(jù)圖像單元的總數(shù)量設(shè)定的數(shù)量；當(dāng)合格的圖像單元數(shù)量小于預(yù)設(shè)數(shù)量，或所述薄膜圖像的亮度不是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定多晶硅薄膜數(shù)量為不合格；當(dāng)合格的圖像單元的數(shù)量大于或等于預(yù)設(shè)數(shù)量，且所述薄膜圖像的亮度是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為合格。

例如，當(dāng)薄膜圖像分割成50個(gè)圖像單元，設(shè)定薄膜質(zhì)量合格時(shí)合格的圖像單元數(shù)量為大于35；若檢測到有40個(gè)合格的圖像單元，并且薄膜圖像的亮度是最佳能量密度對應(yīng)的亮度，由于40大于35，且滿足亮度條件，則確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為合格；若檢測到20個(gè)合格的圖像單元，由于20小于35，則無論亮度如何，都確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格；若檢測到薄膜圖像的亮度不是最佳能量密度對應(yīng)的亮度，則無論合格的單元數(shù)量如何，都確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格。

2)計(jì)算圖像單元的合格率或者良率的方式，具體為：

根據(jù)合格的圖像單元的數(shù)量和圖像單元的總數(shù)量計(jì)算圖像單元的合格率；將合格率與預(yù)設(shè)的合格率進(jìn)行比較；當(dāng)合格率小于預(yù)設(shè)的合格率，或所述薄膜圖像的亮度不是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格；當(dāng)合格率大于或等于預(yù)設(shè)合格率，且所述薄膜圖像的亮度是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度時(shí)，確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為合格。

本實(shí)施例中，計(jì)算合格率的方式為：將合格圖像單元的個(gè)數(shù)除以圖像單元的總數(shù)量。例如，將薄膜圖像分割成100個(gè)圖像單元，設(shè)定薄膜質(zhì)量為合格時(shí)的圖像單元最少為60％，若檢測到有70個(gè)合格的圖像單元，通過計(jì)算圖像單元的合格率為70％，并且檢測到薄膜圖像的亮度為最佳能量密度對應(yīng)的亮度時(shí)，則確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為合格；若檢測到有40個(gè)合格的圖像單元，通過計(jì)算圖像單元的合格率為40％，則無論亮度如何，確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格；若檢測到亮度不是最佳能量密度對應(yīng)的亮度，則無論圖像單元的合格率如何，都確定多晶硅薄膜的質(zhì)量為不合格。

應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然上述介紹的是采用合格圖像單元的數(shù)量來確定薄膜的質(zhì)量，然而，本實(shí)施例的檢測方法還可以采用不合格的圖像單元的個(gè)數(shù)來確定薄膜質(zhì)量，例如在不合格的圖像單元小于預(yù)設(shè)數(shù)量時(shí)，則確定薄膜質(zhì)量為合格，若大于或等于，則確定薄膜的質(zhì)量為不合格。

下面在具體的實(shí)施例中說明本發(fā)明的質(zhì)量檢測方法的具體過程：

首先通過拍攝設(shè)備對多晶硅薄膜進(jìn)行拍照，得到圖像。此處的多晶硅薄膜是經(jīng)過激光退火處理后的，目的是檢測其經(jīng)過退火后的質(zhì)量是否合格。拍攝的過程中我們應(yīng)當(dāng)保證拍攝設(shè)備的鏡頭所在直線與多晶硅薄膜所成角度在5°與45°之間，以保證能夠獲取我們需要的圖像信息。

然后通過與拍攝設(shè)備連接的處理器(例如含有處理器的計(jì)算機(jī))來識別圖像的亮度，可以預(yù)先通過實(shí)驗(yàn)建立了亮度和能量密度之間的聯(lián)系，如圖4所示，可以通過控制能量密度的值，每隔5mJ測一組能量密度與亮度的聯(lián)系，亮度信息可以通過拍攝得到的圖像識別，處理器通過識別亮度信息就能夠識別出其對應(yīng)的能量密度值。而從圖4中又能看出，最亮的圖像對應(yīng)的能量為390mJ，即能量密度為0.4J/cm²。在本實(shí)施例中即為最佳能量密度，通過識別圖像的亮度即可得知其亮度是否為最佳能量密度所對應(yīng)的亮度值。

再將圖像分割成多個(gè)圖像單元，分割成的個(gè)數(shù)由具體情況決定。對每個(gè)圖像單元通過處理器識別其亮度和線條寬長度，具體通過圖像識別算法實(shí)現(xiàn)，屬于模式識別領(lǐng)域的常用技術(shù)，此處不做詳述。再將獲取的亮度和線條寬長度與預(yù)設(shè)值進(jìn)行對比得到對比結(jié)果。預(yù)設(shè)值是人為設(shè)定的閾值，與該閾值比較即可得到可以反映圖像單元是否合格的對比結(jié)果。

使用前述的方式，通過合格的圖像單元數(shù)量與總圖像單元數(shù)量的對比作為判斷多晶硅薄膜是否合格的第一個(gè)條件。通過前述的多晶硅薄膜圖像的亮度是否是最佳能量密度所對應(yīng)的亮度作為判斷多晶硅薄膜是否合格的第二個(gè)條件。當(dāng)兩個(gè)條件都符合時(shí)，認(rèn)為多晶硅薄膜合格，當(dāng)至少一個(gè)不合格時(shí)，認(rèn)為多晶硅薄膜不合格。

如圖7所示，本實(shí)施例提供了一種多晶硅薄膜的質(zhì)量檢測系統(tǒng)，其包括：拍攝裝置601和處理器602，拍攝裝置601包括：電荷耦合組建6011、光學(xué)鏡頭6012以及光源6013。

光源6013位于所述表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光。

光學(xué)鏡頭6012位于所述基板上方，用于收集視場內(nèi)的光線，并將光線引入到電荷耦合組件，多晶硅薄膜包含在所述視場中。

電荷耦合組件6011，用于感應(yīng)光線生成對應(yīng)的圖像，并將圖像傳輸給所述處理器。

所述處理器602，用于：按照設(shè)定的尺寸將薄膜圖像分割成多個(gè)圖像單元；獲取圖像單元中多晶硅薄膜的顯示參數(shù)，并將顯示參數(shù)與預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行對比，以獲取對比結(jié)果，根據(jù)所述對比結(jié)果計(jì)算最佳能量密度；根據(jù)所述薄膜圖像的亮度、合格的所述圖像單元的數(shù)量和所述圖像單元的總數(shù)量判斷所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，控制所述加工設(shè)備對所述多晶硅薄膜進(jìn)行激光退火處理，若合格，則結(jié)束檢測。

優(yōu)選地，為了能夠拍攝到更好的薄膜圖像以進(jìn)一步提高質(zhì)量檢測的精確性，可以使本實(shí)施例中拍攝裝置的鏡頭與薄膜基板呈5度至45度角，進(jìn)而使得拍攝裝置可以在與基板呈5度至45度角的方向上對多晶硅薄膜進(jìn)行拍攝，以獲取薄膜圖像。同樣也可以使得光源與薄膜的基板呈5度至45度角，進(jìn)而使得光源可以在與基板呈5度至45度角的方向上對薄膜照射光。

本實(shí)施例中拍攝裝置可以為Mura影像檢測系統(tǒng)，處理器可以為計(jì)算機(jī)，二者通過有線或者無線的方式連接。其示意圖如圖8所示。

圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明的多晶硅薄膜質(zhì)量檢測方法的一個(gè)具體實(shí)施例的流程圖。

如圖9所示，多晶硅薄膜先進(jìn)行激光退火工藝處理，處理后通過Mura影像掃描獲取薄膜圖像，然后分割圖像并進(jìn)行圖像處理，在依據(jù)面板的尺寸判別是否正常，判別是否正常可以使用合格的圖像單元尺寸與薄膜總尺寸的比率，如果比率滿足一定條件則認(rèn)為合格，流至下一站點(diǎn)，如果不合格，則針對不合格之處進(jìn)行激光退火處理，直至合格。

圖10顯示了本發(fā)明的多晶硅薄膜質(zhì)量檢測方法的另一個(gè)具體實(shí)施例的流程圖。圖10與圖9的不同之處在于，細(xì)化了圖像處理的過程，圖像處理包括散射光及反射光分析處理和水平及垂直線條分析處理。并且圖10的實(shí)施例還考慮到了最佳結(jié)晶條件(即前述的最佳能量密度)，當(dāng)滿足最佳能量密度時(shí)，流至下一工序(即分割圖像并進(jìn)行圖像掃描)，當(dāng)不滿足時(shí)，確認(rèn)激光退火異常原因因素(如激光退火設(shè)備或激光退火條件等)。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。