本實(shí)用新型涉及一種孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置，特別是涉及一種可用于自動(dòng)檢測(cè)及回饋孔洞參數(shù)及膜厚信息的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

在三維集成電路(3-Dimentional IC)中，通常是藉由穿設(shè)于半導(dǎo)體層內(nèi)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive via)來相互電性連接，以使多個(gè)垂直堆棧的芯片之間進(jìn)行信號(hào)傳遞，進(jìn)而縮小尺寸。

硅穿孔技術(shù)為一種利用通孔結(jié)構(gòu)達(dá)成連接該等垂直堆棧芯片的技術(shù)，并可取代引線焊接(wire bonding)的技術(shù)而節(jié)省引線焊接技術(shù)所需的繞線及額外的中介層。

在硅穿孔制程中，孔洞參數(shù)會(huì)影響最后產(chǎn)品的成品率。然而，過去要有效地統(tǒng)計(jì)上述參數(shù)，必須在完成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所有的制程后，才能作電性測(cè)試，接著再做「破壞性」的切片并觀察穿孔影像，相當(dāng)耗時(shí)。

隨著組件密集度增加，孔洞的數(shù)量以及深寬比也隨著增加。大部分現(xiàn)有的硅穿孔檢測(cè)裝置每次只能分析一個(gè)孔洞，以得到和孔洞相關(guān)的參數(shù)。為了避免耗時(shí)過長(zhǎng)，通常僅會(huì)在不同的區(qū)域范圍內(nèi)隨機(jī)檢測(cè)其中的幾個(gè)孔洞，而不會(huì)全面檢測(cè)。如此，所量取的孔洞參數(shù)的準(zhǔn)確度不一定能夠全面反映實(shí)際的情況，也無法提供于形成硅穿孔的制程段，以進(jìn)行參數(shù)調(diào)整。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置，可用以檢測(cè)孔洞的參數(shù)，并將量測(cè)結(jié)果回饋到制程端，以優(yōu)化制程參數(shù)。

本實(shí)用新型所采用的一技術(shù)方案是，提供一種孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置，可被應(yīng)用于一元件生產(chǎn)線，以檢測(cè)一表面具有多個(gè)孔洞的基材?？锥醇澳ず褡詣?dòng)化檢測(cè)裝置并可以和穿孔裝置配合，以優(yōu)化制程參數(shù)?？锥醇澳ず褡詣?dòng)化檢測(cè)裝置包括光學(xué)量測(cè)單元、處理單元以及電性連接于處理單元的回饋單元。光學(xué)量測(cè)單元從基材表面的一待測(cè)區(qū)中同時(shí)擷取一待測(cè)區(qū)影像以及獲得一反射光譜信息，其中，待測(cè)區(qū)影像包括具有至少一孔洞的一孔洞影像，其中，待測(cè)區(qū)影像包括具有至少一所述孔洞的孔洞影像。處理單元電性連接于光學(xué)量測(cè)單元，其中，處理單元根據(jù)接收的待測(cè)區(qū)影像及反射光譜信息，以計(jì)算對(duì)應(yīng)的至少一孔洞的孔洞參數(shù)。處理單元通過回饋單元將孔洞參數(shù)回饋到一制程端。

更進(jìn)一步地，孔洞為貫孔或者盲孔，且孔洞參數(shù)包括每一個(gè)孔洞的孔徑、深度以及底部形貌。

優(yōu)選地，光學(xué)量測(cè)單元包括光產(chǎn)生器、光學(xué)組件、影像感測(cè)單元以及光譜儀。光產(chǎn)生器用以產(chǎn)生一投射至待測(cè)區(qū)的檢測(cè)光，其中檢測(cè)光通過待測(cè)區(qū)的反射而形成一反射光。光學(xué)組件設(shè)置于反射光的光路上，其中反射光通過光學(xué)組件的分光而分成一第一光束以及一第二光束。影像感測(cè)單元設(shè)置于第一光束的光路上，其中，影像感測(cè)單元通過接收第一光束，以得到待測(cè)區(qū)影像。光譜儀設(shè)置于第二光束的光路上，其中，光譜儀通過接收第二光束，以獲得反射光譜信息。

更進(jìn)一步地，在待測(cè)區(qū)的涵蓋范圍內(nèi)的孔洞數(shù)量介于2至10之間。更進(jìn)一步地，基材包括一底材以及一覆蓋底材上的膜層，處理單元根據(jù)反射光譜信息以計(jì)算膜層的厚度，以得到一膜厚信息，且膜厚信息通過回饋單元回饋到制程端。

更進(jìn)一步地，孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置包括一和處理單元電性連接的可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)，可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)通過處理單元的控制而相對(duì)于光學(xué)量測(cè)單元進(jìn)行移動(dòng)或者轉(zhuǎn)動(dòng)，且光學(xué)量測(cè)單元通過可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)的移動(dòng)或者轉(zhuǎn)動(dòng)，以沿著一螺旋狀檢測(cè)路徑檢測(cè)基材上的多個(gè)孔洞。

更進(jìn)一步地，制程端為一穿孔裝置，且穿孔裝置包括一控制器以及與控制器電性連接的一蝕刻單元，蝕刻單元通過控制器的控制以依據(jù)一制程參數(shù)在基材上形成多個(gè)孔洞，回饋單元電性連接控制器，以使控制器根據(jù)孔洞參數(shù)調(diào)整制程參數(shù)。

綜上所述，本實(shí)用新型的有益效果在于，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置可應(yīng)用于半導(dǎo)體組件的生產(chǎn)線，并可通過電性連接于穿孔裝置與處理單元之間的回饋單元，將已測(cè)得的孔洞參數(shù)回饋到制程端，以優(yōu)化制程參數(shù)。

為使能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，然而所提供的附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本實(shí)用新型加以限制。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置應(yīng)用于元件生產(chǎn)線的功能方塊圖。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的光學(xué)量測(cè)單元對(duì)基材進(jìn)行檢測(cè)的剖面示意圖。

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的可旋轉(zhuǎn)移動(dòng)平臺(tái)的俯視示意圖。

圖4本實(shí)用新型實(shí)施例的基材的俯視示意圖。

圖5為檢測(cè)光投射到基材表面的局部俯視放大圖。

圖6為檢測(cè)光投射到基材表面的局部剖面示意圖。

圖7為檢測(cè)光投射到另一實(shí)施例的基材表面的局部剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參考圖1，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置應(yīng)用在元件生產(chǎn)線的功能方塊圖?？锥醇澳ず褡詣?dòng)化檢測(cè)裝置2可應(yīng)用在元件生產(chǎn)線Z1中，來檢測(cè)具有多個(gè)孔洞的基材。當(dāng)基材包括底材及形成于底材上的膜層時(shí)，本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2除了可用于檢測(cè)孔洞之外，還可檢測(cè)膜層的厚度，以分別得到孔洞參數(shù)及膜厚信息。

孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2并可將檢測(cè)到的孔洞參數(shù)或者膜厚信息回饋到制程端，以優(yōu)化制程參數(shù)。

在本實(shí)施例中，制程端例如包括穿孔裝置1a及成膜裝置1b。在本實(shí)施例中，是以制程端為穿孔裝置1a為例，來說明孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2配合制程端，來優(yōu)化制程參數(shù)。

前述的穿孔裝置1a用以在一基材內(nèi)形成多個(gè)孔洞。請(qǐng)先參照?qǐng)D6，在一實(shí)施例中，基材3例如是半導(dǎo)體基材、絕緣基材、金屬基材或者是復(fù)合基材等等，孔洞300可以是通孔或者是盲孔。在另一實(shí)施例中，請(qǐng)先參照?qǐng)D7，基材3’是包括底材30以及膜層31，其中膜層31是通過成膜裝置1b被沉積于底材30上。構(gòu)成膜層31的材料可以是氧化物層或氮化物層，根據(jù)實(shí)際需求而決定。成膜裝置1b例如是用以執(zhí)行物理氣相沉積制程、化學(xué)氣相沉積制程或者是熱氧化制程，以形成膜層31的裝置。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1，穿孔裝置1a包括一控制器10以及和控制器10電性連接的蝕刻單元11?？刂破?0可根據(jù)預(yù)設(shè)孔洞參數(shù)及制程參數(shù)，控制蝕刻單元11對(duì)基材3進(jìn)行蝕刻。前述的蝕刻單元11例如是雷射，而制程參數(shù)例如是雷射的輸出功率，默認(rèn)孔洞參數(shù)可包括預(yù)定形成的孔洞深度、數(shù)量及孔徑等參數(shù)。在一些實(shí)施例中，孔洞具有高深寬比，大約是介于5至15之間。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，在利用穿孔裝置1a在基材上形成多個(gè)孔洞之后，即可通過本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2來檢測(cè)孔洞，以得到實(shí)際的孔洞參數(shù)，包括孔徑、深度以及每?jī)蓚€(gè)相鄰的孔洞之間的間距(Pitch)?？锥醇澳ず褡詣?dòng)化檢測(cè)裝置2包括可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20、光學(xué)量測(cè)單元21、處理單元22以及回饋單元23，其中可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20、光學(xué)量測(cè)單元21以及回饋單元23都和處理單元22電性連接。

請(qǐng)參照?qǐng)D2，顯示本實(shí)用新型實(shí)施例的光學(xué)量測(cè)單元對(duì)基材進(jìn)行檢測(cè)的剖面示意圖?；?設(shè)置在可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20上，使光學(xué)量測(cè)單元21對(duì)基材3進(jìn)行檢測(cè)。

在一實(shí)施例中，基材3在被裝載至可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20上之前，會(huì)先被加載一裝載埠(未圖式)，之后再通過一機(jī)械手臂(未圖示)將基材裝載至可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20上。

可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20電性連接處理單元22，并通過處理單元22的控制而相對(duì)于光學(xué)量測(cè)單元21進(jìn)行移動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)。

請(qǐng)配合參照?qǐng)D3，圖3顯示本實(shí)用新型實(shí)施例的可旋轉(zhuǎn)移動(dòng)平臺(tái)的俯視示意圖。進(jìn)一步而言，基材3可被固持在可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20的一承載部200?；?可以通過已知的技術(shù)手段，例如：真空吸附或者是夾具，而被固定在可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20上。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20包括一X軸驅(qū)動(dòng)單元201、一Y軸驅(qū)動(dòng)單元202以及一可升降旋轉(zhuǎn)軸203，其中，X軸驅(qū)動(dòng)單元201、Y軸驅(qū)動(dòng)單元202以及可升降旋轉(zhuǎn)軸203都電性連接于處理單元22(圖3未示出)。

換言之，處理單元22可根據(jù)通過X軸驅(qū)動(dòng)單元201以及Y軸驅(qū)動(dòng)單元202調(diào)整基材3在一水平面上的位置，且處理單元22并可通過可升降旋轉(zhuǎn)軸203帶動(dòng)基材3在Z軸上移動(dòng)或者自轉(zhuǎn)一預(yù)定角度。整體而言，基材3可以通過可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20進(jìn)行X軸、Y軸、Z軸的位移以及θ軸的旋轉(zhuǎn)。

請(qǐng)配合參照?qǐng)D4。圖4顯示本實(shí)用新型實(shí)施例的基材的俯視示意圖。通過上述可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20的移動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)，光學(xué)量測(cè)單元21可沿著一檢測(cè)路徑5檢測(cè)基材3上的多個(gè)孔洞。

如圖4所示，基材3上已經(jīng)默認(rèn)多個(gè)檢測(cè)位置P1～P17，通過可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20的移動(dòng)或轉(zhuǎn)動(dòng)，可使光學(xué)量測(cè)單元21沿著檢測(cè)路徑5依序?qū)z測(cè)位置P1～P17進(jìn)行檢測(cè)。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，檢測(cè)路徑5為螺旋狀檢測(cè)路徑。也就是說，光學(xué)量測(cè)單元21對(duì)檢測(cè)位置P1進(jìn)行檢測(cè)之后，通過可旋轉(zhuǎn)位移平臺(tái)20移動(dòng)基材3，可使光學(xué)量測(cè)單元21繼續(xù)對(duì)基材3的下一個(gè)檢測(cè)位置P2進(jìn)行檢測(cè)，以此類推。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，光學(xué)量測(cè)單元21包括光產(chǎn)生器210、光學(xué)組件211、影像感測(cè)單元212以及光譜儀213。

光產(chǎn)生器210用以產(chǎn)生一投射至基材3表面3a的檢測(cè)光L1。前述的檢測(cè)光L1可以是可見光(visible light)或不可見光(invisible light)，而此不可見光例如是紅外線。在一實(shí)施例中，檢測(cè)光L1的波長(zhǎng)是介于450nm至800nm之間。

本實(shí)施例的光產(chǎn)生器210包括一發(fā)光源210a以及光整形組件210b，其中光整形組件210b用以將來自于發(fā)光源210a的初始光調(diào)整成點(diǎn)形光或線形光。在一實(shí)施例中，光整形組件210b可以是空間濾波組件，例如：狹縫結(jié)構(gòu)或者是針孔結(jié)構(gòu)，但本實(shí)用新型并不以此為限。在本實(shí)施例中，光整形組件210b為針孔。

另外，光學(xué)量測(cè)單元21還包括一反射鏡面214、一光形調(diào)整組件215以及一透鏡216，依序設(shè)置于檢測(cè)光L1的光路上。檢測(cè)光L1通過反射鏡面214的反射改變路徑，并通過光形調(diào)整組件215以及透鏡216而聚焦在基材3的表面3a。

請(qǐng)配合參照?qǐng)D5，顯示檢測(cè)光投射到基材表面的局部俯視放大圖。檢測(cè)光L1投射到基材3表面3a的一待測(cè)區(qū)TA，而待測(cè)區(qū)TA的涵蓋范圍內(nèi)的孔洞數(shù)量是介于2至10之間。

在圖5的實(shí)施例中，待測(cè)區(qū)TA的涵蓋范圍內(nèi)的孔洞數(shù)量為9，可根據(jù)檢測(cè)光L1投射到基材3表面的光斑尺寸決定。也就是說，利用本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2對(duì)基材3表面的多個(gè)孔洞300進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，每次可以對(duì)一個(gè)以上的孔洞進(jìn)行檢測(cè)，可增加取樣的數(shù)量，從而可得到較能反映實(shí)際情況的孔洞參數(shù)。

另外，請(qǐng)參照?qǐng)D2與圖6，顯示檢測(cè)光投射到基材表面的局部剖面示意圖。如圖2所示，檢測(cè)光L1通過待測(cè)區(qū)TA的反射而形成一反射光L。

進(jìn)一步而言，請(qǐng)參照?qǐng)D6，在本實(shí)施例中，孔洞300為盲孔，檢測(cè)光L1照射到基材3后，會(huì)分別入射到孔洞300內(nèi)以及照射到基材3表面，其中入射到孔洞300內(nèi)的檢測(cè)光L1反射之后形成第一反射光線R1，而入射到基材3表面的檢測(cè)光L1反射之后形成第二反射光線R2，而同時(shí)被光學(xué)量測(cè)單元21接收。也就是說，反射光L會(huì)同時(shí)包含第一反射光線R1與第二反射光線R2。

另外，請(qǐng)參照?qǐng)D7，顯示檢測(cè)光投射到另一實(shí)施例的基材表面的局部剖面示意圖。在圖7的實(shí)施例中，孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2也可用來檢測(cè)同時(shí)具有膜層31及孔洞300’的基材3’。

詳細(xì)而言，基材3’包括一底材30及形成于底材30上的膜層31。在這個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)光L1照射到基材3之后，除了被孔洞300’底部及底材30表面反射而形成第一反射光線R1與第二反射光線R2之外，檢測(cè)光L1照射到膜層31表面被反射后形成第三反射光線R3。也就是說，反射光L會(huì)包含第一反射光線R1、第二反射光線R2以及第三反射光線R3。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，光學(xué)組件211設(shè)置于反射光L的光路上，其中反射光L通過光學(xué)組件211的分光而分成一第一光束L11以及一第二光束L12并將反射光L分成一第一光束L11一第二光束L12。光學(xué)組件211例如是分光鏡。

影像感測(cè)單元212設(shè)置于第一光束L11的光路上，用以接收第一光束L11，而得到待測(cè)區(qū)影像，且待測(cè)區(qū)影像包括一具有至少一個(gè)孔洞的孔洞影像。影像感測(cè)單元212可為互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體感測(cè)元件(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Sensor，CMOS Sensor)或電荷耦合元件(Charge-Coupled Device，CCD)。影像感測(cè)單元212將所擷取到的待測(cè)區(qū)影像傳送至處理單元22進(jìn)行圖像處理。

另外，光譜儀213設(shè)置在第二光束L12的光路上，用以接收第二光束L12，而獲得反射光譜信息。進(jìn)一步而言，光譜儀213在接收第二光束L12后，將第二光束L12分散成多個(gè)具有不同波長(zhǎng)的色光，再分別將這些色光的光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的電信信號(hào)(即反射光譜信息)，再傳送至處理單元22。

處理單元22接收由影像感測(cè)單元212與光譜儀213所傳送的待測(cè)區(qū)影像以及反射光譜信息，對(duì)待測(cè)區(qū)影像以及反射光譜信息進(jìn)行分析與運(yùn)算。進(jìn)一步而言，處理單元22可對(duì)待測(cè)區(qū)影像進(jìn)行圖像處理分析，以辨識(shí)出位于待測(cè)區(qū)影像中的多個(gè)孔洞300、300’的邊緣，從而決定孔洞300、300’的中心點(diǎn)、孔徑以及每?jī)蓚€(gè)相鄰的孔洞300、300’之間的間距(Pitch)。

須說明的是，在量測(cè)圖6所示的基材3時(shí)，由于第二光束L12中包含第一反射光線R1與第二反射光線R2的信號(hào)，因此處理單元22可以從反射光譜信息模擬推算出孔洞300的深度以及孔洞300的底部形貌。

在量測(cè)圖7所示的基材3’時(shí)，第二光束L12中包含第一反射光線R1、第二反射光線R2以及第三反射光線R3的信號(hào)，因此處理單元22除了推算出孔洞300’的深度以及孔洞300’的底部形貌之外，還可以模擬計(jì)算膜層31的厚度，而得到膜厚信息。

基于上述，處理單元22可以根據(jù)待測(cè)區(qū)影像以及反射光譜信息獲得孔徑、間距、深度以及底部形貌等孔洞參數(shù)。在基材3’具有膜層31的情況下，除了獲得上述孔洞參數(shù)外，還可以進(jìn)一步獲得膜厚信息。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1，回饋單元23電性連接于處理單元22和穿孔裝置1a的控制器10之間。處理單元22可通過回饋單元23將量測(cè)的孔洞參數(shù)回饋到控制器10，使控制器10可根據(jù)孔洞參數(shù)調(diào)整制程參數(shù)，以達(dá)到優(yōu)化制程參數(shù)的效果。

舉例而言，本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2可量測(cè)孔洞的底部形貌，并通過回饋單元23回饋到制程端，如：穿孔裝置1a。因此，對(duì)于一些需要在基材中形成通孔的制程而言，當(dāng)孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2量測(cè)到孔洞300的底部形貌時(shí)，代表在利用蝕刻單元11在基材3上形成孔洞時(shí)，蝕刻單元的輸出功率過小，因此無法在基材3內(nèi)形成通孔。

另外，對(duì)于一些在基材中形成盲孔的制程而言，孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2可回饋孔洞深度，控制器10在接收到回饋單元23所傳送的孔洞參數(shù)后，可比對(duì)回饋的孔洞深度以及預(yù)設(shè)的孔洞參數(shù)。一旦兩者的落差過大，控制器10可及時(shí)調(diào)整制程參數(shù)，以免影響后續(xù)制程及產(chǎn)品成品率。

另外，回饋單元23也可電性連接于成膜裝置1b與處理單元22之間，且處理單元22可通過回饋單元23將膜厚信息回饋到成膜裝置1b，以優(yōu)化沉積膜層31時(shí)的制程參數(shù)。由于本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2會(huì)針對(duì)基材3’的多個(gè)不同待測(cè)區(qū)TA，來進(jìn)行測(cè)量。因此，處理單元22可將在不同待測(cè)區(qū)TA的膜厚信息都通過回饋單元23回饋到成膜裝置1b。成膜裝置1b可根據(jù)膜厚信息進(jìn)一步分析膜層31的厚度均勻性，以改良沉積制程的參數(shù)。

綜上所述，本實(shí)用新型的有益效果在于，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2可應(yīng)用于元件生產(chǎn)線，以檢測(cè)表面具有多個(gè)孔洞300的基材3’或是同時(shí)具有膜層31及孔洞300’的基材3’。并且，通過電性連接于穿孔裝置1a(或成膜裝置1b)與處理單元22之間的回饋單元23，將已測(cè)得的孔洞參數(shù)或膜厚信息回饋到制程端，以優(yōu)化制程參數(shù)。

另外，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，每次孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2對(duì)不同的待測(cè)區(qū)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，可以一次偵測(cè)多個(gè)孔洞之后再計(jì)算平均值。相較于現(xiàn)有單孔量測(cè)裝置而言，本實(shí)用新型實(shí)施例的孔洞及膜厚自動(dòng)化檢測(cè)裝置2可大幅節(jié)省量測(cè)的時(shí)間，又可提升量測(cè)的準(zhǔn)確度。

以上所公開的內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例，并非因此局限本實(shí)用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍，故凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本實(shí)用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。