4、126、128和頂部部分130、132。在一些示例中，耦接部分124、126、128和頂部部分130、132間隔分開且基本上彼此平行并且經(jīng)由各自的錐形部分116、118、120、122進(jìn)行耦接。如本文中使用的，短語“基本上平行”意指在約10度偏斜內(nèi)的平行。在其他示例中，耦接部分124、126、128與頂部部分130、132間隔分開，但是耦接部分124、126、128不與頂部部分130、132平行。
[0019]如圖1的示例中圖示的，第一腔室106由錐形部分116、118和頂部部分130限定。第二腔室107由部分120、122和頂部部分132限定。在該示例中，耦接部分126耦接到襯底102。耦接部分122與襯底102結(jié)合以形成密封的密封物來分離第一和第二腔室106、107以使得第一物質(zhì)可以添加到第一腔室106并且第二物質(zhì)可以添加到第二腔室107而不混合。
[0020]為了圍起所圖示的示例的第一和第二腔室106、107，密封物136、138可移除地耦接到頂部部分126、128。所圖示的示例的密封物136、138是密封的密封物。所圖示的示例的密封的密封物136、138可以由聚合物帶、塑料、透明材料、塑料片、箔材料、箔片、膜、蠟和
/或聚二甲硅氧烷制成。
[0021]圖2描繪了具有將要在一般地由箭頭201所指示的方向上移除的密封物136的示例測試和/或檢測設(shè)備200。圖2中所示的示例的示例測試設(shè)備200類似于圖1的測試設(shè)備100的第一半。作為結(jié)果，對(duì)圖1的相同或相似部件的詳細(xì)描述將在此不再重復(fù)。替代地，感興趣的讀者可參考前面對(duì)相似部件的描述以促進(jìn)過程。相同的參考數(shù)字用來在圖1和2中指代相同的部件。
[0022]在從測試設(shè)備200的孔板和/或外殼201移除密封物136之后，在示例測試設(shè)備200所位于其中的測試環(huán)境(例如，房間)內(nèi)的空氣和/或其他氣體流經(jīng)孔134并進(jìn)入腔室106，在腔室106中空氣和/或其他氣體暴露于納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114。測試環(huán)境內(nèi)的空氣和/或其他氣體可以或可以不包括納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114意圖檢測的分析物。
[0023]圖3描繪了在已經(jīng)從孔板201移除密封物136之后的示例測試和/或檢測設(shè)備200。在圖3的示例中，要分析的溶液或化學(xué)品302從儲(chǔ)液器304通過由襯底308限定的孔和/或槽306被添加到腔室106。雖然圖3描繪了在密封物136被移除的情況下具有被添加到腔室106的溶液或化學(xué)品302的測試設(shè)備200，但是在其他示例中，密封物136可以在溶液或化學(xué)品302被添加到腔室106時(shí)保持附接到孔板201。取決于測試環(huán)境，溶液和/或化學(xué)品302可以或可以不包括納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114意圖檢測的分析物。在一些示例中，在納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114已經(jīng)暴露于溶液或化學(xué)品302之后，腔室106被密封物136和/或另一個(gè)密封物再覆蓋以確保納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114在測試發(fā)生之后在暴露于非測試環(huán)境的情況下不被污染。在一些示例中，在納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114已經(jīng)暴露于溶液或化學(xué)品302之后，傳感器108測量溶液或化學(xué)品302的特性和/或值。在一些示例中，加熱器110加熱溶液以使溶液或化學(xué)品302更快地蒸發(fā)并且在納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114上留下一個(gè)或多個(gè)顆粒。(多個(gè))顆?？梢园跍y試的分析物。在一些示例中，溶液或化學(xué)品302的蒸發(fā)拖拉或促使納米結(jié)構(gòu)108更緊密地位于一起。
[0024]圖4圖示了在暴露于可以或可以不包含(多個(gè))分析物的環(huán)境之后和/或在溶液或化學(xué)品302已經(jīng)被添加到腔室106之后的圖2的示例測試設(shè)備200。圖4還圖示了根據(jù)本公開的教導(dǎo)構(gòu)建的示例讀出設(shè)備400。在該示例中，讀出設(shè)備400包括發(fā)射光子404到腔室106中的光源402。在所圖示的示例中，光子被納米結(jié)構(gòu)112和/或納米顆粒114散射。在一些示例中，散射光子406中的一些由讀出設(shè)備400的光譜儀和/或光電檢測器408檢測和/或監(jiān)視。是否已經(jīng)檢測到所述的物質(zhì)取決于散射光子606的一個(gè)或多個(gè)特性(例如，頻率偏移、波長改變，等等)。在一些示例中，讀出設(shè)備400使用檢測到和/或監(jiān)視到的光子406以及適當(dāng)?shù)膶?dǎo)向和/或過濾組件來生成顯示于監(jiān)視器410上的結(jié)果(例如，與存在或不存在要檢測的分析物有關(guān)的信息)。附加地或可替換地，在一些示例中，讀出設(shè)備400從傳感器110接收(多個(gè))測量值并且將(多個(gè))測量值與參考值相比較以確定物質(zhì)或化學(xué)品的特性?？梢燥@示于監(jiān)視器410上的特性可以是包含于物質(zhì)或化學(xué)品內(nèi)的分析物的名稱。
[0025]圖5-12描繪了制造可以用來實(shí)現(xiàn)圖1和/或2的(多個(gè))示例孔板104和/或201的示例孔板1200的一部分的示例過程。在所圖示的示例中且如圖5-7中所示，孔板1200使用心軸500制造。光刻膠602 (圖6)被涂敷于心軸500并且被圖案化以形成(多個(gè))光刻膠結(jié)構(gòu)702 (圖7)。(多個(gè))光刻膠結(jié)構(gòu)702在隨后的刻蝕工藝期間充當(dāng)(多個(gè))掩模。心軸502可以由玻璃、鈉鈣硅玻璃等制成。
[0026]圖8示出了在經(jīng)受使用氟化氫的濕法刻蝕之后的心軸500。光刻膠結(jié)構(gòu)702在濕法刻蝕期間用作掩模，并且因此直接在掩模下方的(多個(gè))區(qū)域未被刻蝕。在(多個(gè))光刻膠結(jié)構(gòu)702被移除之后，(多個(gè))拉長、梯形和/或圓錐形結(jié)構(gòu)802留在之前在光刻膠掩模下面的位置處。
[0027]圖9描繪了在經(jīng)受物理氣相沉積工藝以添加(例如，濺射在上面)在心軸500上形成心軸掩模的不銹鋼和/或鉻的層902之后的示例心軸500。
[0028]圖10描繪了在經(jīng)受等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和光刻工藝之后的心軸500。PECVD工藝在層902上沉積碳化硅并且光刻工藝使沉積的碳化硅圖案化以形成用來限定孔板1200的(多個(gè))對(duì)應(yīng)的孔1202的(多個(gè))碳化硅結(jié)構(gòu)1002。
[0029]為了形成孔板1200，在一些示例中且如圖11中所示，心軸500浸入鍍鎳液中，該鍍鎳液電鍍心軸500的表面1102各處除了非導(dǎo)電碳化硅1002所在之處。來自該液的鎳因此限定孔板1200的(多個(gè))圖案、(多個(gè))形狀和/或(多個(gè))特征。在將心軸500和孔板1200從電鍍液中移除之后，可以將孔板1200從心軸500移除和/或剝離，如圖12中圖示的。在圖12的示例中，(多個(gè))孔位于與圖10和11的(多個(gè))碳化硅結(jié)構(gòu)1002對(duì)應(yīng)的(多個(gè))位置處。
[0030]圖13圖示了生產(chǎn)圖1-12的示例測試設(shè)備的示例方法1300。盡管參考圖13的流程圖描述圖1-12的示例方法1300，但是可以采用實(shí)現(xiàn)方法1300的其他方法。例如，可以改變塊的執(zhí)行次序，和/或可以改變、消除、細(xì)分和/或組合所描述的塊中的一些。
[0031]圖13的示例方法1300通過在心軸500上通過光刻涂敷光刻膠且使光刻膠圖案化(塊1302)而開始。在一些示例中，使用氟化氫刻蝕(例如，濕法刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕(RIE))心軸500，在這之后移除光刻膠結(jié)構(gòu)702并且清洗心軸500以顯現(xiàn)之前在光刻膠掩模下面的(多個(gè))拉長、梯形和/或圓錐形結(jié)構(gòu)802 (塊1304、1306)。為了在心軸500上形成心軸掩模，心軸500可以經(jīng)受物理氣相沉積工藝以添加(例如，濺射在上面)導(dǎo)電材料、不銹鋼和/或鉻的層902 (塊1308)。為了涂敷非導(dǎo)電層和/或碳化硅以限定孔板1200的(多個(gè))對(duì)應(yīng)的孔1202，心軸500可以經(jīng)受等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和光刻工藝(塊1310)?？梢栽谛妮S500上通過光刻涂敷光刻膠并且使光刻膠圖案化(塊1312)。在一些示例中，使用氟化氫刻蝕(例如，濕法刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕(RIE))非導(dǎo)電層，在這之后移除光刻膠結(jié)構(gòu)702并且清洗心軸500 (塊1314、1316)。
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