32]為了形成孔板1200，在一些示例中，心軸500位于和/或浸入電鍍液中以形成金屬外殼和/或孔板104、201和/或用例如金、鈀和/或銠進(jìn)行電鍍(塊1320)。在一些示例中，外殼104、201的導(dǎo)電性使得外殼104、201能夠充當(dāng)用于采樣的電子端子。電鍍液可以包括諸如鎳、金和/或鉑之類的金屬。在一些示例中，電鍍液的金屬不針對碳化娃進(jìn)行電鍍，因為碳化硅不導(dǎo)電。因此，外殼104、201的孔130被限定在碳化硅所在之處，并且碳化硅因此可以用來控制孔130的尺寸。
[0033]在特定量的時間之后，在一些示例中，從電鍍液中移除心軸500和外殼104、201、1302并且從心軸500移除和/或剝離外殼104,201 (塊1322)。傳感器108和加熱器110位于鄰近襯底102的表面115處(塊1323)。所圖示的示例的外殼104、201然后被耦接到襯底102以使得傳感器108、加熱器110和納米顆粒114位于由外殼104、201所限定的腔室106內(nèi)(±夬1324)。為了圍起腔室106和/或覆蓋由外殼104、201所限定的孔130，將密封物132耦接到外殼104,201,1302 (塊1326)。方法1300然后終止或者返回塊1302。
[0034]圖14描繪了根據(jù)本公開的教導(dǎo)可以用于分析電路中的示例襯底、墨和/或化學(xué)模型1400。該模型1400包括第一電阻器1402、第二電阻器1404、第三電阻器1406、電極1408、1410和電容器1412。在一些示例中，電容器1412的電容對應(yīng)于腔室106中的物質(zhì)和/或化學(xué)品的電雙層電容器的電容。在一些示例中，第一電阻器1402對應(yīng)于腔室106中的物質(zhì)和/或化學(xué)品的塊體的電阻。在一些示例中，第一電阻器1402的電阻由離子濃度和/或量值確定并且與化學(xué)路徑長度和/或橫截面面積成比例。在一些示例中，第二電阻器1404的電阻對應(yīng)于腔室106中的物質(zhì)和/或化學(xué)品的塊體和/或具有直接導(dǎo)電路徑的路徑的泄露路徑電阻。在一些示例中，第三電阻器1410對應(yīng)于傳感器電路中的寄生電阻，其可以與金屬層導(dǎo)電路徑、觸點(diǎn)等等相關(guān)聯(lián)。
[0035]基于模型1400，在一些示例中，針對增益(Vout/Vin)提出傳遞函數(shù)。在一些示例中，腔室106中的物質(zhì)和/或化學(xué)品的不同電阻和/或性質(zhì)提供頻率響應(yīng)和/或信號。在一些示例中，可以分析該頻率響應(yīng)以標(biāo)識腔室106中的物質(zhì)和/或化學(xué)品的參數(shù)和/或特性。
[0036]如本文中闡述的，檢測物質(zhì)的示例設(shè)備包括限定第一腔室的外殼。襯底被耦接到外殼。襯底包括位于第一腔室內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)。納米結(jié)構(gòu)用于在暴露于物質(zhì)時對該物質(zhì)作出反應(yīng)。設(shè)備包括位于第一腔室內(nèi)的第一加熱器。該加熱器用于加熱物質(zhì)的至少一部分以使設(shè)備準(zhǔn)備好用于分析。在一些示例中，第一加熱器包括電阻器。在一些示例中，設(shè)備包括位于第一腔室內(nèi)的傳感器。該傳感器用于測量物質(zhì)的參數(shù)值。傳感器不同于納米結(jié)構(gòu)。在一些示例中，傳感器包括電容器。在一些示例中，參數(shù)值包括阻抗或電容中的至少一個。
[0037]在一些示例中，設(shè)備包括圍起第一腔室的至少一部分以保護(hù)納米結(jié)構(gòu)免于過早暴露的密封物。在一些示例中，該密封物包括透明材料、柔性材料、可移除材料或聚合物材料中的至少一個。在一些示例中，外殼包括鎳、金、鈾、鈀或銘。在一些示例中，外殼包括孔板。在一些示例中，外殼用金、鈀或銠中的至少一個進(jìn)行電鍍。在一些示例中，襯底包括表面增強(qiáng)拉曼光譜法襯底、自激表面增強(qiáng)拉曼光譜法襯底、增強(qiáng)熒光光譜法襯底或增強(qiáng)發(fā)光光譜法襯底中的至少一個。在一些示例中，外殼限定外部可訪問的第二腔室。納米結(jié)構(gòu)附加地位于第二腔室內(nèi)。在一些示例中，設(shè)備包括位于第二腔室內(nèi)的第二加熱器。第二加熱器用于加熱物質(zhì)的至少一部分以縮短直到第二腔室準(zhǔn)備好用于分析的時間。
[0038]檢測物質(zhì)的示例設(shè)備包括限定腔室的外殼。襯底被耦接到外殼。襯底包括位于腔室內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)。納米結(jié)構(gòu)用于在暴露于物質(zhì)時對該物質(zhì)作出反應(yīng)。設(shè)備包括位于腔室內(nèi)的傳感器。傳感器用于測量物質(zhì)的參數(shù)值。傳感器不同于納米結(jié)構(gòu)。
[0039]制造檢測物質(zhì)的設(shè)備的示例方法包括將心軸浸入電鍍液中以形成外殼。心軸包括與外殼的期望的孔或結(jié)構(gòu)對應(yīng)的圖案或結(jié)構(gòu)。該方法包括將外殼從心軸移除并且將外殼耦接到襯底。外殼用于限定加熱器和襯底的納米結(jié)構(gòu)所位于其中的腔室。納米結(jié)構(gòu)用于在暴露于物質(zhì)的情況下證明對物質(zhì)的暴露。
[0040]盡管本文中已經(jīng)描述了某些示例方法、裝置和制品，但是本專利的覆蓋范圍不限于此。相反，本專利覆蓋清晰地落入本專利的權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有方法、裝置和制品。
【主權(quán)項】
1.一種檢測物質(zhì)的設(shè)備，包括: 外殼，限定第一腔室； 襯底，親接到所述外殼，所述襯底包括位于所述第一腔室內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)，所述納米結(jié)構(gòu)用于當(dāng)暴露于物質(zhì)時對所述物質(zhì)作出反應(yīng)；以及 第一加熱器，位于所述第一腔室內(nèi)，所述加熱器用于加熱所述物質(zhì)的至少一部分以使所述設(shè)備準(zhǔn)備好用于分析。2.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一加熱器包括電阻器。3.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括位于所述第一腔室內(nèi)的傳感器，所述傳感器用于測量所述物質(zhì)的參數(shù)值，所述傳感器不同于所述納米結(jié)構(gòu)。4.權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述傳感器包括電容器。5.權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述參數(shù)值包括阻抗或電容中的至少一個。6.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括圍起所述第一腔室的至少一部分以保護(hù)所述納米結(jié)構(gòu)免于過早暴露的密封物。7.權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述密封物包括透明材料、柔性材料、可移除材料或聚合物材料中的至少一個。8.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述外殼包括鎳、金、鉑、鈀或銠。9.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述外殼包括孔板。10.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述外殼用金、鈀或銠中的至少一個進(jìn)行電鍍。11.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述襯底包括表面增強(qiáng)拉曼光譜法襯底、自激表面增強(qiáng)拉曼光譜法襯底、增強(qiáng)熒光光譜法襯底或增強(qiáng)發(fā)光光譜法襯底中的至少一個。12.權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述外殼限定第二腔室，所述納米結(jié)構(gòu)附加地位于所述第二腔室內(nèi)。13.權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括位于所述第二腔室內(nèi)的第二加熱器，所述第二加熱器用于加熱所述物質(zhì)的至少一部分以縮短直到所述第二腔室準(zhǔn)備好用于分析的時間。14.一種檢測物質(zhì)的設(shè)備，包括: 外殼，限定腔室； 襯底，親接到外殼，所述襯底包括位于所述腔室內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)，所述納米結(jié)構(gòu)用于在暴露于物質(zhì)時對所述物質(zhì)作出反應(yīng)；以及 傳感器，位于所述腔室內(nèi)，所述傳感器用于測量所述物質(zhì)的參數(shù)值，所述傳感器不同于所述納米結(jié)構(gòu)。15.一種制造檢測物質(zhì)的設(shè)備的方法，包括: 將心軸浸入電鍍液中以形成外殼，所述心軸包括與所述外殼的期望的孔或結(jié)構(gòu)對應(yīng)的圖案或結(jié)構(gòu)； 將所述外殼從所述心軸移除；以及 將所述外殼耦接到所述襯底，所述外殼用于限定加熱器和襯底的納米結(jié)構(gòu)所位于其中的腔室，所述納米結(jié)構(gòu)用于在暴露于所述物質(zhì)的情況下證明對所述物質(zhì)的暴露。
【專利摘要】公開了檢測物質(zhì)的設(shè)備和制造這樣的設(shè)備的方法。檢測物質(zhì)的示例設(shè)備包括限定第一腔室的外殼和耦接到外殼的襯底。襯底包括位于第一腔室內(nèi)的納米結(jié)構(gòu)。該納米結(jié)構(gòu)用于在暴露于物質(zhì)時對該物質(zhì)作出反應(yīng)。設(shè)備包括位于第一腔室內(nèi)的第一加熱器。該加熱器用于加熱物質(zhì)的至少一部分以使設(shè)備準(zhǔn)備好用于分析。
【IPC分類】B82B1/00, G01N21/65, G01N27/00
【公開號】CN105143859
【申請?zhí)枴緾N201380076209
【發(fā)明人】李智勇, 葛寧, S.J.巴塞羅, 郭惠沛
【申請人】惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2013年3月14日
【公告號】WO2014142913A1