一種對(duì)火箭貯箱的攪拌摩擦焊縫進(jìn)行檢測(cè)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及無(wú)損檢測(cè)渦流檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言是一種對(duì)火箭貯箱的攪拌摩擦焊縫進(jìn)行檢測(cè)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]航天產(chǎn)品運(yùn)載火箭貯箱焊縫采用攪拌摩擦焊焊接工藝，現(xiàn)采用著色滲透檢測(cè)工藝檢測(cè)焊縫表面缺陷，著色滲透檢測(cè)工藝對(duì)焊縫表面缺陷檢測(cè)需經(jīng)過(guò)清洗、滲透、清洗和顯像多道檢測(cè)工序，檢測(cè)工藝復(fù)雜、速度慢、檢測(cè)人員勞動(dòng)輕度高，滲透檢測(cè)還存在只能檢測(cè)表面開口性缺陷的缺點(diǎn)，在檢測(cè)過(guò)程中滲透、清洗、顯像工藝過(guò)程控制不到位會(huì)造成缺陷漏檢，而且著色滲透檢測(cè)工藝使用的清洗劑、滲透劑、顯像劑均為化學(xué)試劑，可能對(duì)貯箱材料造成腐蝕，且滲透劑由于滲透性很強(qiáng)，檢測(cè)后會(huì)在焊縫內(nèi)部少量殘留，必需考慮殘留滲透劑與火箭燃料相容性問(wèn)題，尤其針對(duì)航天產(chǎn)品液氧推進(jìn)劑的低溫貯箱，對(duì)滲透劑與液氧相容性要求更苛刻，需考慮殘留滲透劑是否會(huì)與貯箱燃料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而影響飛行試驗(yàn)成功。同時(shí)目前著色滲透劑采用噴灌噴灑，噴灌內(nèi)含氟利昂對(duì)環(huán)境保護(hù)不利，因此，該工藝已列入“航天限、禁用工藝目錄”中，滲透檢測(cè)工藝屬于限制使用檢測(cè)工藝，需要用一種有效檢測(cè)方法替代。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述存在的技術(shù)問(wèn)題，基于航天產(chǎn)品攪拌摩擦焊縫表面形貌規(guī)則、焊縫沒(méi)有余高，本發(fā)明的目的在于為攪拌摩擦焊縫表面、近表面缺陷檢測(cè)提供一種渦流陣列檢測(cè)工藝方法，該方法對(duì)攪拌摩擦焊縫表面、近表面缺陷檢測(cè)采用渦流陣列檢測(cè)探頭在焊縫表面進(jìn)行掃查實(shí)現(xiàn)焊縫表面、近表面缺陷檢測(cè)，該檢測(cè)工藝替代原有著色滲透檢測(cè)工藝，具有簡(jiǎn)單、尚效等特點(diǎn)。
[0004]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種對(duì)火箭貯箱的攪拌摩擦焊縫進(jìn)行檢測(cè)的方法，其包括如下步驟:
[0006]組裝渦流陣列檢測(cè)裝置；
[0007]用所述渦流陣列檢測(cè)裝置對(duì)一具有人工模擬缺陷的標(biāo)準(zhǔn)試塊進(jìn)行掃查，通過(guò)調(diào)節(jié)檢測(cè)參數(shù)使所述人工模擬缺陷顯示清晰，記錄下使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)；
[0008]用渦流陣列檢測(cè)裝置、以使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)對(duì)貯箱樣品的攪拌摩擦焊縫沿直線進(jìn)行掃查，通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)；
[0009]其中，所述渦流陣列檢測(cè)裝置由渦流陣列探頭、編碼器和渦流陣列檢測(cè)儀組成，所述編碼器安裝在渦流陣列探頭的一端，所述渦流陣列探頭的另一端與渦流陣列檢測(cè)儀電連接；
[0010]所述標(biāo)準(zhǔn)試塊為人造的攪拌摩擦焊縫，其與所要檢測(cè)的焊縫使用了相同的焊接工藝和焊接材料，焊縫形成后，在焊縫表面沿不同方向刻出槽和孔。
[0011]作為優(yōu)選方案，所述檢測(cè)參數(shù)包括平衡、提離和幅度。
[0012]作為優(yōu)選方案，所述掃查的速度不大于30mm/s。
[0013]作為優(yōu)選方案，所述通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)的方法為:從C掃圖像確定缺陷趨向、形狀；
[0014]作為優(yōu)選方案，所述缺陷的參數(shù)包括缺陷的尺寸、位置和深度。
[0015]作為優(yōu)選方案，指針I(yè)確定缺陷起始位置，將指針1、指針2放到缺陷兩端測(cè)量缺陷長(zhǎng)度;移動(dòng)指針3測(cè)量缺陷寬度;從利薩圖形狀、相位判斷圖像顯示是否為缺陷顯示或非缺陷顯示及深度;從帶狀圖缺陷幅度判斷缺陷當(dāng)量。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果:
[0017]1、采用新的無(wú)損檢測(cè)渦流陣列檢測(cè)方法替代著色滲透檢測(cè)工藝方法解決了著色滲透劑對(duì)運(yùn)載火箭貯箱焊縫腐蝕及相容性問(wèn)題，特別適用于運(yùn)載火箭貯箱攪拌摩擦焊縫表面、近表面缺陷檢測(cè)；
[0018]2、該檢測(cè)工藝只需使用渦流陣列探頭在所檢焊縫表面進(jìn)行大面積掃查檢測(cè)，可檢測(cè)表面、近表面缺陷，檢測(cè)速度快，較著色滲透檢測(cè)方法檢測(cè)靈敏度得到提高，而且免除了著色滲透劑消耗，大大降低了檢測(cè)成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)環(huán)保綠色檢測(cè)。
【附圖說(shuō)明】
[0019]通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0020]圖1為本發(fā)明中渦流陣列檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明中渦流陣列檢測(cè)裝置在掃查火箭貯箱時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖中:11、渦流陣列檢測(cè)儀;12、渦流陣列探頭；13、編碼器;2、貯箱;21、攪拌摩擦焊縫。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0024]—種對(duì)火箭貯箱的攪拌摩擦焊縫進(jìn)行檢測(cè)的方法，其包括如下步驟:
[0025]組裝渦流陣列檢測(cè)裝置；
[0026]用所述渦流陣列檢測(cè)裝置對(duì)一具有人工模擬缺陷的標(biāo)準(zhǔn)試塊進(jìn)行掃查，通過(guò)調(diào)節(jié)檢測(cè)參數(shù)使所述人工模擬缺陷顯示清晰，記錄下使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)；
[0027]用渦流陣列檢測(cè)裝置、以使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)對(duì)貯箱樣品的攪拌摩擦焊縫沿直線進(jìn)行掃查，通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)；
[0028]其中，所述渦流陣列檢測(cè)裝置由渦流陣列探頭、編碼器和渦流陣列檢測(cè)儀組成，所述編碼器安裝在渦流陣列探頭的一端，所述渦流陣列探頭的另一端與渦流陣列檢測(cè)儀電連接；
[0029]所述標(biāo)準(zhǔn)試塊為人造的攪拌摩擦焊縫，其與所要檢測(cè)的焊縫使用了相同的焊接工藝和焊接材料，焊縫形成后，在焊縫表面沿不同方向刻出槽和孔。
[0030]作為優(yōu)選方案，所述檢測(cè)參數(shù)包括平衡、提離和幅度。
[0031]作為優(yōu)選方案，所述掃查的速度不大于30mm/s。
[0032]作為優(yōu)選方案，所述通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)的方法為:從C掃圖像確定缺陷趨向、形狀；
[0033]作為優(yōu)選方案，所述缺陷的參數(shù)包括缺陷的尺寸、位置和深度。
[0034]作為優(yōu)選方案，指針I(yè)確定缺陷起始位置，將指針1、指針2放到缺陷兩端測(cè)量缺陷長(zhǎng)度;移動(dòng)指針3測(cè)量缺陷寬度;從利薩圖形狀、相位判斷圖像顯示是否為缺陷顯示或非缺陷顯示及深度;從帶狀圖缺陷幅度判斷缺陷當(dāng)量。
[0035]實(shí)施例
[0036]按照?qǐng)D1所示組裝渦流陣列檢測(cè)裝置，將渦流陣列檢測(cè)儀11與渦流陣列探頭12的一端通過(guò)導(dǎo)線電連接，將編碼器13安裝在渦流陣列探頭的另一端。
[0037]以XX-5貯箱筒段縱縫檢測(cè)為例
[0038]根據(jù)XX-5貯箱筒段同材料同規(guī)格設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)試塊并預(yù)置缺陷；
[0039]利用組合好的渦流陣列檢測(cè)裝置對(duì)標(biāo)準(zhǔn)試塊進(jìn)行掃查，分別調(diào)節(jié)平衡、提離、幅度等檢測(cè)參數(shù)使人工模擬缺陷顯示清晰；
[0040]調(diào)節(jié)好靈敏度后，將探頭置于筒段焊縫上進(jìn)行掃查，如圖2所示，掃查速度不得大于30mm/s；
[0041]掃查后凍結(jié)檢測(cè)圖像，最終通過(guò)帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖像判斷分析缺陷以及對(duì)缺陷尺寸、位置等參數(shù)測(cè)量，從C掃圖像確定缺陷趨向、形狀;指針I(yè)確定缺陷起始位置，將指針1、指針2放到缺陷兩端測(cè)量缺陷長(zhǎng)度;移動(dòng)指針3測(cè)量缺陷寬度;從利薩圖形狀、相位判斷圖像顯示是否為缺陷顯示或非缺陷顯示及深度;從帶狀圖缺陷幅度判斷缺陷當(dāng)量。
[0042]以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種對(duì)火箭貯箱的攪拌摩擦焊縫進(jìn)行檢測(cè)的方法，其特征在于，包括如下步驟: 組裝渦流陣列檢測(cè)裝置； 用所述渦流陣列檢測(cè)裝置對(duì)一具有人工模擬缺陷的標(biāo)準(zhǔn)試塊進(jìn)行掃查，通過(guò)調(diào)節(jié)檢測(cè)參數(shù)使所述人工模擬缺陷顯示清晰，記錄下使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)； 用渦流陣列檢測(cè)裝置、以使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)對(duì)貯箱樣品的攪拌摩擦焊縫沿直線進(jìn)行掃查，通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)； 其中，所述渦流陣列檢測(cè)裝置由渦流陣列探頭、編碼器和渦流陣列檢測(cè)儀組成，所述編碼器安裝在渦流陣列探頭的一端，所述渦流陣列探頭的另一端與渦流陣列檢測(cè)儀電連接； 所述標(biāo)準(zhǔn)試塊為人造的攪拌摩擦焊縫，其與所要檢測(cè)的焊縫使用了相同的焊接工藝和焊接材料，焊縫形成后，在焊縫表面沿不同方向刻出槽和孔。2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)參數(shù)包括平衡、提離和幅度。3.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述掃查的速度不大于30mm/s。4.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)的方法為:從C掃圖像確定缺陷趨向、形狀。5.如權(quán)利要求1或4所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述缺陷的參數(shù)包括缺陷的尺寸、位置和深度。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種對(duì)火箭貯箱的攪拌摩擦焊縫進(jìn)行檢測(cè)的方法，其包括如下步驟：組裝渦流陣列檢測(cè)裝置；用所述渦流陣列檢測(cè)裝置對(duì)一具有人工模擬缺陷的標(biāo)準(zhǔn)試塊進(jìn)行掃查，通過(guò)調(diào)節(jié)檢測(cè)參數(shù)使所述人工模擬缺陷顯示清晰，記錄下使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)；用渦流陣列檢測(cè)裝置、以使人工模擬缺陷顯示清晰的檢測(cè)參數(shù)對(duì)貯箱樣品的攪拌摩擦焊縫沿直線進(jìn)行掃查，通過(guò)渦流陣列檢測(cè)裝置顯示的帶狀圖、利薩圖、C掃描檢測(cè)圖判斷分析缺陷以及缺陷的參數(shù)。本發(fā)明具有如下有益效果：1、特別適用于運(yùn)載火箭貯箱攪拌摩擦焊縫表面、近表面缺陷檢測(cè)；2、大大降低了檢測(cè)成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)環(huán)保綠色檢測(cè)。
【IPC分類】G01N27/90
【公開號(hào)】CN105606700
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510638675
【發(fā)明人】周建平
【申請(qǐng)人】上海航天精密機(jī)械研究所
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年9月29日