)膜、五氧化二鉭（Ta2O5) 膜、氟化鋪（Cerium fluoride)膜、硫化鋅（Zinc sulfide)膜、氟化錯（AlF3)膜、二氧化鉿 (Hafnium oxide)膜或氧化錯（Zirconium oxide)膜等。例如，反射部146可以由HfO2膜 /SiOJ莫、Ta 205膜/SiO J莫等層積結(jié)構(gòu)重復(fù)層積數(shù)次至數(shù)十次形成，HfO J莫/SiO J莫的情況 下可以將其制作成能夠承受5J/cm2~8J/cm 2能量密度的激光束，Ta 205膜/SiO J莫的情況 下可以將其制作成能夠承受lOJ/cm2能量密度的激光束。
[0091] 第一反射膜148及第二反射膜152可分別通過氣相沉積（evaporative deposition)、離子輔助沉積（ion beam assisted deposition)、化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition，CVD)、離子沉積（ion beam deposition)、分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE)、派射沉積（sputter deposition)等方法形成。
[0092] 掩膜140的透過部145的形狀及大小與準(zhǔn)備在非晶質(zhì)ITO層160上形成的ITO圖 案相同。因此透過透過部145的直線束形態(tài)的激光束照射非晶質(zhì)ITO層160,通過退火將非 晶質(zhì)ITO轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Е│?。直線束退火形成的多晶ITO在隨后的工序中不被蝕刻液蝕刻而 得到保留，形成ITO圖案。
[0093] 掩膜140的反射部146對應(yīng)于準(zhǔn)備在非晶質(zhì)ITO層160上形成的ITO圖案以外的 部分。故，激光束被反射部146反射，因此激光束不會到達對應(yīng)于反射部146的非晶質(zhì)ITO 層160部分。未被激光束退火的非晶質(zhì)ITO層160的一部分在隨后的工序中被蝕刻液蝕刻。
[0094] 投影透鏡150使通過掩膜140的直線束以與掩膜140相同的大小及形狀入射到非 晶質(zhì)ITO層160。
[0095] 被激光退火部100退火的非晶質(zhì)ITO層160部分形成有多晶IT0162。并且，未被 激光退火部100退火的非晶質(zhì)IT0160部分的非晶質(zhì)IT0164原封保留。
[0096] 蝕刻部220利用蝕刻液去除上述被部分退火的非晶質(zhì)ITO層160的非晶質(zhì) IT0164。蝕刻液可以是乙二酸（oxalic acid)或草酸等，不蝕刻經(jīng)過退火的多晶IT0162,只 蝕刻未經(jīng)過退火的非晶質(zhì)IT0164。故，通過未被蝕刻液蝕刻的多晶IT0162形成準(zhǔn)備形成的 ITO圖案。
[0097] 通過化學(xué)蝕刻去除未被退火的非晶質(zhì)IT0164后，可通過清洗（cleaning)工序去 除殘留的蝕刻液等。
[0098] 上述利用電介質(zhì)掩膜140的激光退火的情況下，當(dāng)照射一次（one shot)進行退 火，例如利用150mJ/cm2的能量結(jié)晶化時，ITO層會部分結(jié)晶化，但ITO層由于高能量而被 部分去除（ablation)，或者即使結(jié)晶化也會發(fā)生微裂紋（micro crack)。因此，可能會出現(xiàn) 電阻上升或斷線的問題。因此，根據(jù)本實施例的ITO圖案化方法利用相對弱的能量（例如， 60mJ/cm 2)對ITO層進行結(jié)晶化兩次以上。
[0099] 例如，可以以能量密度為SOmJ/cm2的激光束重復(fù)退火六次以上。尤其，由于構(gòu)成 有直線束光學(xué)系統(tǒng)，因此可通過控制工作臺170的移動速度調(diào)整對每個表面的激光照射次 數(shù)。直線束厚度為1mm且激光脈沖的頻率（frequency)為IOOHz的情況下，若移動速度為 100mm/s則退火一次，而如果是20mm/s則重復(fù)退火五次。
[0100] 掩膜140不僅可以是電介質(zhì)掩膜，還可以是高反射金屬薄膜掩膜（high refractive metal thin film mask)、擴音夂掩膜（diffusing mask)、光掩膜（photo mask)、 陶瓷掩膜（ceramic mask)或金屬掩膜（metal mask)中的任意一種。
[0101] 采用金屬掩膜的話利用殷鋼（invar)等熱變形小的材料，通過濕法蝕刻（wet etching)等方法蝕刻的情況下，由于各向同性問題而難以形成微型圖案。另外，大面積化 的情況下為防止殷鋼自然下垂現(xiàn)象，需要增大殷鋼的厚度，但是厚度越大，越難形成微型圖 案。
[0102] 對于采用擴散掩膜，可以在石英板上形成包括犧牲膜的光刻圖案后進行干法刻蝕 (dry etching)或掩蔽（masking)，然后通過噴砂處理形成擴散（diffusing)圖案。但是， 一般的噴砂處理無法形成微型圖案，因此需要進行微噴砂處理，這也是能夠在20 μ m形成 圖案的情況。干法刻蝕也，利用大面積干法刻蝕設(shè)備，因此能夠刻蝕300mmX300mm。
[0103] 一般的光掩膜的情況下通過形成鉻與氧化鉻層形成圖案，但在248nm基準(zhǔn)的激態(tài) 原子激光工序范圍內(nèi)絡(luò)層發(fā)生消蝕（ablation)。因此，可以沉積錯（Al)等高反射（high refractive)層，制作在比工序范圍略高的能量下也能夠使用的掩膜。
[0104] 以上參照【附圖說明】了本發(fā)明的一個實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù) 方案的范圍內(nèi)可做多種修正及變形實施。
【主權(quán)項】
1. 一種氧化銦錫圖案化方法，其特征在于，包括： 在薄膜或玻璃上形成非晶質(zhì)氧化銦錫層的步驟； 利用直線束形態(tài)的激光束及形成有準(zhǔn)備形成的氧化銦錫圖案的掩膜對所述非晶質(zhì)氧 化銦錫層進行部分退火，使準(zhǔn)備形成所述氧化銦錫圖案的部分成為多晶氧化銦錫的步驟； 以及 通過化學(xué)蝕刻去除所述非晶質(zhì)氧化銦錫層中未被退火的非晶質(zhì)氧化銦錫并保留所述 多晶氧化銦錫，以形成所述氧化銦錫圖案的步驟， 其中，所述激光束的波長范圍為大于O且小于等于250nm，能量密度范圍為大于等于 60mJ/cm2 且小于等于 100mJ/cm2。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銦錫圖案化方法，其特征在于， 對所述非晶質(zhì)氧化銦錫層重復(fù)退火兩次以上。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銦錫圖案化方法，其特征在于， 所述非晶質(zhì)氧化銦錫通過沉積形成，所述沉積在水（H2O)含量大于OSCCM且小于6SCCM 的條件下進行。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化銦錫圖案化方法，其特征在于， 所述沉積在氧氣（O2)含量大于1.0 SCCM且小于等于3. OSCCM的條件下進行。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銦錫圖案化方法，其特征在于， 所述掩膜上形成有與所述氧化銦錫圖案的大小之比為1:1的圖案。6. -種氧化銦錫圖案化裝置，其特征在于，包括： 氧化銦錫層形成部，在薄膜或玻璃上形成非晶質(zhì)氧化銦錫層； 激光退火部，利用掩膜向所述非晶質(zhì)氧化銦錫層照射直線束形態(tài)的激光束，從而對準(zhǔn) 備形成氧化銦錫圖案的部分進行退火以形成多晶氧化銦錫；以及 蝕刻部，去除非晶質(zhì)氧化銦錫并保留所述多晶氧化銦錫以形成所述氧化銦錫圖案， 其中，所述激光束的波長范圍為大于〇且小于等于250nm，能量密度范圍為大于等于 60mJ/cm2 且小于等于 100mJ/cm2。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化銦錫圖案化裝置，其特征在于， 所述氧化銦錫層形成部通過沉積形成所述非晶質(zhì)氧化銦錫層， 所述沉積在水（H2O)含量大于OSCCM且小于6SCCM的條件下進行。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧化銦錫圖案化裝置，其特征在于， 所述沉積在氧氣（O2)含量大于1.0 SCCM且小于等于3. OSCCM的條件下進行。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化銦錫圖案化裝置，其特征在于， 所述掩膜上形成有與準(zhǔn)備形成的氧化銦錫圖案的大小之比為1:1的圖案。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種ITO圖案化裝置及圖案化方法。根據(jù)本發(fā)明一個方面的ITO圖案化方法包括：在薄膜或玻璃上形成非晶質(zhì)氧化銦錫層的步驟；利用直線束形態(tài)的激光束及形成有準(zhǔn)備形成的氧化銦錫圖案的掩膜對非晶質(zhì)氧化銦錫層進行部分退火，使準(zhǔn)備形成氧化銦錫圖案的部分成為多晶氧化銦錫的步驟；以及通過化學(xué)蝕刻去除非晶質(zhì)氧化銦錫層中未被退火的非晶質(zhì)氧化銦錫并保留多晶氧化銦錫，以形成氧化銦錫圖案的步驟，其中，激光束的波長范圍為大于0且小于等于250nm，能量密度范圍為大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2。本發(fā)明能夠降低工序時間及費用，防止激光束的重疊造成下部層破壞。
【IPC分類】G06F3/041
【公開號】CN105103093
【申請?zhí)枴緾N201480003182
【發(fā)明人】李贊九, 金秀燦, 裴賢燮, 金永元, 樸炳圭
【申請人】Wi-A株式會社
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2014年6月3日
【公告號】WO2014196802A1