專利名稱：帶電路的懸掛基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板，更詳細(xì)而言，涉及采用光輔助法的帶 電路的懸掛基板。
背景技術(shù)：
近年來，作為對于硬盤等的磁記錄方式，已知有光輔助法(光輔助磁記 錄方式)。例如提出了包括懸浮支架、和設(shè)置于其上的與激光二極管連接的光波導(dǎo)(第二光波導(dǎo))的熱輔助磁記錄頭。(例如參照日本專利特開2006—185548 號公報(bào)(圖9))。發(fā)明內(nèi)容通常，如圖19所示，在設(shè)置有光波導(dǎo)60的帶電路的懸掛基板50上，在 金屬支承基板52上層疊有包括信號布線55和端子部56的導(dǎo)體圖案53。此外，該帶電路的懸掛基板中，在設(shè)置于長邊方向一端部的萬向支架 部57上形成有裝載部58、端子部56和開口部54，該裝載部58用于裝載磁頭 滑塊(未圖示)，該端子部56配置于裝載部58的長邊方向一側(cè)，該開口部54 配置于裝載部58的長邊方向一側(cè)，用于使激光通過。然而，該帶電路的懸掛基板中，需要使另一端與發(fā)光元件61連接的光 波導(dǎo)60的一端面向開口部54。因此，為了使光波導(dǎo)60的長邊方向途中不與 裝載部58重疊，要使光波導(dǎo)60迂回，繞過裝載部58，通過裝載部58的寬度 方向外側(cè)。然而，如果如上述那樣使光波導(dǎo)60迂回，則存在因彎曲等而導(dǎo) 致光信號的損耗增大的問題。本發(fā)明的目的是提供可簡化光波導(dǎo)、減少光信號的損耗的帶電路的懸 掛基板。本發(fā)明的帶電路的懸掛基板包括電路基板；以及形成于所述電路基 板上的光波導(dǎo)，所述電路基板上，設(shè)置有用于支承滑塊的底座，所述底座 允許配置所述光波導(dǎo)，使所述光波導(dǎo)與所述滑塊在所述電路基板的厚度方 向上重疊。該帶電路的懸掛基板中，支承滑塊的底座允許配置光波導(dǎo)，使光波導(dǎo) 與滑塊在電路基板的厚度方向上重疊。因此，即使不使光波導(dǎo)迂回以繞過滑塊，也可將光波導(dǎo)配置成與滑塊 重疊，力圖簡化光波導(dǎo)的配置。結(jié)果，可減少光波導(dǎo)中的光信號的損耗。此外，本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中，所述底座最好兼用于將所述光 波導(dǎo)進(jìn)行定位的定位部。該帶電路的懸掛基板中，通過底座的定位，可簡便地將光波導(dǎo)進(jìn)行定 位。而且，如果預(yù)先以高精度形成底座，則能以高精度配置光波導(dǎo)。


圖l是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖。圖2是表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的萬向支架的放大俯視圖。圖3是表示圖2的A — A線剖視圖。圖4是表示圖2的B —B線剖視圖。圖5是表示圖2的C一C線剖視圖。圖6是用于說明帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，表示與圖4對應(yīng)的剖視圖。(a) 表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序；(b) 表示形成基底絕緣層、底座基底絕緣層和卡定基底絕緣層的工序；(c) 表示形成導(dǎo)體圖案和底座導(dǎo)體層的工序；(d) 表示形成覆蓋絕緣層的工序；(e) 表示將光波導(dǎo)配置于電路基板上的工序。圖7是用于說明帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，表示與圖5對應(yīng) 的剖視圖。(a) 表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序；(b) 表示形成基底絕緣層、底座基底絕緣層和卡定基底絕緣層的工序； (C)表示形成導(dǎo)體圖案和底座導(dǎo)體層的工序；(d) 表示形成覆蓋絕緣層的工序；(e) 表示形成狹縫和出射開口部的工序；(f) 表示將光波導(dǎo)配置于電路基板上的工序。圖8是配置光波導(dǎo)的方法的說明圖，表示與圖2對應(yīng)的俯視圖。 圖9是配置光波導(dǎo)的方法的說明圖，表示與圖3對應(yīng)的俯視圖。(a) 表示分別準(zhǔn)備電路基板和光波導(dǎo)的工序；(b) 表示使被卡定部之間的光波導(dǎo)松弛的工序；(c) 表示將光波導(dǎo)配置于電路基板上的工序。圖10是圖1所示的帶電路的懸掛基板的萬向支架處于彎折狀態(tài)的說明 圖，表示與圖3對應(yīng)的剖視圖。圖ll是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(被卡定部形 成為鼓出部、卡定部形成為凹部的形態(tài))的萬向支架的放大俯視圖。圖12是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(在被卡定部設(shè)置 有增強(qiáng)板的形態(tài))中、配置光波導(dǎo)的方法的說明圖，表示與圖9對應(yīng)的俯視圖。圖13是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(在被卡定部 設(shè)置有增強(qiáng)板的形態(tài))中、與圖5對應(yīng)的剖視圖。圖14是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(被卡定部形成為圓孔的形態(tài)及卡定部形成為貫通孔的形態(tài))的萬向支架的放大俯視圖。圖15是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(被卡定部形 成為圓孔的形態(tài))中、與圖5對應(yīng)的剖視圖。圖16是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(卡定部形成 為貫通孔的形態(tài))的萬向支架的放大俯視圖。圖17是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(底座和光波 導(dǎo)隔開間隔配置的形態(tài))的萬向支架的放大俯視圖。圖18是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的其它實(shí)施方式(光波導(dǎo)的前5端面到達(dá)滑塊的長邊方向途中的形態(tài))的萬向支架的放大俯視圖。圖19是帶電路的懸掛基板(光波導(dǎo)迂回繞過狹縫部的形態(tài))的俯視圖。
具體實(shí)施方式
圖l是表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖，圖2是 表示圖l所示的帶電路的懸掛基板的萬向支架(后述)的放大俯視圖，圖3是 表示圖2的A — A線剖視圖，圖4是表示圖2的B — B線剖視圖，圖5是表示圖2的 C一C線剖視圖。圖6及圖7是用于說明帶電路的懸掛基板的制造方法的工序 圖，圖6是與圖4對應(yīng)的剖視圖，圖7是與圖5對應(yīng)的剖視圖，圖8及圖9是配 置光波導(dǎo)的方法的說明圖，圖8是與圖2對應(yīng)的剖視圖，圖9是與圖3對應(yīng)的 剖視圖，圖10是圖1所示的帶電路的懸掛基板的萬向支架處于彎折狀態(tài)的說 明圖，表示與圖3對應(yīng)的剖視圖。另外，圖l、圖2及圖8中，為了明確表示 導(dǎo)體圖案13的相對配置，省略了基底絕緣層12及覆蓋絕緣層14(后述)。圖1中，該帶電路的懸掛基板1包括電路基板10、和形成于電路基板IO 上的光輔助部17。在電路基板10上安裝硬盤驅(qū)動器的磁頭25(圖3及圖10的虛線)，電路基 板10克服磁頭25與未圖示的硬盤相對運(yùn)動時(shí)的氣流，使該磁頭25與硬盤之 間保持微小的間隔，同時(shí)支承該磁頭25。電路基板10與帶電路的懸掛基板1的外形形狀對應(yīng)地形成，具體而言， 形成為沿長邊方向延伸的扁平帶狀。另外，電路基板10包括形成一體的配 置于長邊方向另一側(cè)(以下稱作后側(cè))的布線部2、以及配置于布線部2的長 邊方向一側(cè)(以下稱作前側(cè))的萬向支架3。布線部2形成為沿長邊方向延伸的俯視近似矩形的形狀。萬向支架3如圖1及圖2所示，從布線部2的前端起連續(xù)而形成，形成為 相對于布線部2向?qū)挾确较騼赏鈧?cè)鼓出的俯視近似矩形的形狀。此外，在萬 向支架3上形成在俯視下朝前側(cè)開口的近似U字形的作為開口部的狹縫4。狹 縫4的2個(gè)前端部在寬度方向上相對配置，連結(jié)它們的直線(虛線)是后述的 萬向支架3的彎折中的彎折部40。此外，萬向支架3包括形成一體的在寬度方向被狹縫4夾住的舌部5、以及配置于狹縫4的寬度方向兩外側(cè)的外伸支架部7。舌部5由狹縫4劃分而成，由此形成為俯視近似矩形的形狀。此外，舌 部5包括裝載部8和端子形成部9。裝載部8是用于裝載供安裝磁頭25的滑塊24(參照圖3及圖5)的區(qū)域，配 置于舌部5的后側(cè)部，形成為俯視近似矩形的形狀。此外，裝載部8與舌部5 的后端緣隔開間隔配置，以確保供形成后述的卡定部27的區(qū)域。端子形成部9是形成后述的磁頭側(cè)連接端子部16B的區(qū)域，配置于裝載 部8的前側(cè)部。此外，在端子形成部9形成俯視近似矩形形狀的出射開口部6。出射開口部6在電路基板10的厚度方向(以下僅稱作厚度方向)貫通電 路基板10而形成為俯視近似矩形的形狀。此外，出射開口部6形成于端子形 成部9的寬度方向中央。另外，在舌部5設(shè)置有底座30。底座30設(shè)置于裝載部8內(nèi)，用于支承滑塊24，包括第一底座31和第二底 座32。第一底座31和第二底座32如圖2及圖5所示，配置于裝載部8的長邊方向中 央，在寬度方向上相互隔開間隔L3相對配置。具體而言，第一底座31配置于 裝載部8的寬度方向一側(cè)，第二底座32在裝載部8的寬度方向另一側(cè)，與第 一底座31在寬度方向另一側(cè)隔開間隔L3相對配置。此外，第一底座31和第二底座32之間的間隔L3是允許配置后述的光波 導(dǎo)20的間隔。E卩，第一底座31和第二底座32隔開與光波導(dǎo)20的寬度(寬度方 向長度)相同長度的間隔L3，在寬度方向上相鄰配置。此外，第一底座31和第二底座32是沿長邊方向延伸的俯視近似矩形的 形狀，在俯視下彼此形成為同一形狀。更具體而言，底座30的寬度方向內(nèi)側(cè)端面、即第一底座31的寬度方向 另一側(cè)端面及第二底座31的寬度方向一側(cè)端面沿光波導(dǎo)20的寬度方向兩外 側(cè)端面延伸，具體而言，它們在寬度方向上的間隔形成為與光波導(dǎo)20的寬 度相等。底座30形成于電路基板10(后述的金屬支承基板11)上。底座30包括底 座基底絕緣層33、和形成于底座基底絕緣層33上的底座導(dǎo)體層34。底座基底絕緣層33在裝載部8處的金屬支承基板11的表面、對應(yīng)于底座 30的外形形狀而形成。g卩，底座基底絕緣層33形成為俯視近似矩形的形狀， 以在第一底座31和第二底座32之間確保允許配置光波導(dǎo)20的間隔L3。艮P， 第一底座31和第二底座32的底座基底絕緣層33的寬度方向內(nèi)側(cè)端面與光波 導(dǎo)20的寬度方向外側(cè)端面接觸。底座導(dǎo)體層34在底座基底絕緣層33的表面形成為俯視稍小于底座基底 絕緣層33的相似形狀。此外，在底座導(dǎo)體層34的上表面支承滑塊24。底座基底絕緣層33的尺寸為其長邊方向長度例如為150 1500nm， 較好為300 1000um，其寬度(寬度方向長度)例如為20 400um，較好為 100 300p m。第一底座31和第二底座32之間的寬度方向間隔L3、即第一底座31的底 座基底絕緣層33和第二底座32的底座基底絕緣層33之間的寬度方向長度L3 例如為5 250um，較好為10 150ix m。底座導(dǎo)體層34的尺寸為其長邊方向長度例如為100 1400um，較好 為200 900y m，其寬度(寬度方向長度)例如為10 350 u m，較好為80 250此外，底座30的厚度T1設(shè)定在光波導(dǎo)20的厚度以上。因此，底座30允許配置光波導(dǎo)20，使光波導(dǎo)20和滑塊24在厚度方向上 重疊。B卩，在滑塊24的寬度方向中央的下側(cè)形成底座30，以在由第一底座 31和第二底座32在寬度方向上夾住的空間內(nèi)配置光波導(dǎo)20。此外，在萬向支架3如圖2、圖4及圖8所示，設(shè)置有卡定部27?？ǘú?7是為了卡定光波導(dǎo)20而設(shè)置的，在長邊方向上夾住狹縫4(沿 寬度方向延伸的開口部分)，形成于狹縫4的長邊方向兩側(cè)。具體而言，如圖9(a)所示，卡定部27形成于狹縫4的長邊方向兩側(cè)的電 路基板10(金屬支承基板11)上，由形成于狹縫4的前側(cè)的第一卡定部28和第 三卡定部41、以及形成于狹縫4的后側(cè)的第二卡定部29構(gòu)成。第一卡定部28、第三卡定部41和第二卡定部29如圖2所示，在前后方向 上相互隔開間隔、而形成于萬向支架3的寬度方向近似中央。第一卡定部28形成于電路基板10上的狹縫4的前側(cè)端緣、舌部5的后端8部。S卩，第一卡定部28形成于裝載部8的后側(cè)部，具體而言，形成于底座30 的后側(cè)、狹縫4的前端緣處的電路基板10的表面。第一卡定部28在寬度方向 上隔開間隔相對配置，由俯視近似圓形形狀的l個(gè)突部形成。第一卡定部28 的2個(gè)突部以其中心沿著后述的光波導(dǎo)20的寬度方向兩外側(cè)端緣的形態(tài)形 成。第三卡定部41形成于舌部5的前端部，以和第一卡定部28將底座30夾住 的形態(tài)相對配置于前側(cè)。B卩，第三卡定部41在底座30的前側(cè)、更具體而言 是在裝載部8的前端部，與出射開口部6在前后方向上相對配置。此外，第 三卡定部41形成于裝載部8的電路基板10的表面。第三卡定部41在寬度方向 上隔開間隔相對配置，由俯視近似圓形形狀的2個(gè)突部形成。第三卡定部41 的2個(gè)突部以其中心沿著光波導(dǎo)20的寬度方向兩外側(cè)端緣的形態(tài)形成。第二卡定部29以和第一卡定部28夾住狹縫4的形態(tài)相對配置于后側(cè)。 即，第二卡定部29形成于電路基板10上的狹縫4的后側(cè)端緣、更具體而言為 狹縫4的后端緣的電路基板10的表面。第二卡定部29在寬度方向上隔開間隔 相對配置，由俯視近似圓形形狀的2個(gè)突部形成。第二卡定部29的2個(gè)突部 以其中心沿著光波導(dǎo)20的寬度方向兩外側(cè)端緣的形態(tài)形成。此外，第一卡定部28、第三卡定部41和第二卡定部29如圖4所示，由卡 定導(dǎo)體層26形成。形成于狹縫4的前后方向兩側(cè)端緣的2個(gè)卡定部27之間的長度L2(參照 圖8)、即第一卡定部28和第二卡定部29之間的長邊方向長度(間隔)L2例如 為100 2000um，較好為200 1000u m，更好為300 800 u m。此外，形成于底座30的前后方向兩側(cè)的第一卡定部28和第三卡定部41 之間的長邊方向長度(間隔)L5例如為200 2000um，較好為350 1200 n m。第一卡定部28、第三卡定部41和第二卡定部29的尺寸為其直徑例如 為30 200pm，較好為50 100iim。此外，第一卡定部28的2個(gè)突部之間的 寬度方向上的間隔W1、與第三卡定部41的2個(gè)突部之間的寬度方向上的間隔 以及第二卡定部29的2個(gè)突部之間的寬度方向上的間隔相同，例如為3um以 上，較好為5um以上，更好為80um以上，通常為180nm以下。然后，如圖4及圖5所示，電路基板10包括金屬支承基板ll;形成于9金屬支承基板11上的基底絕緣層12;形成于基底絕緣層12上的導(dǎo)體圖案13;以及以覆蓋導(dǎo)體圖案13的形態(tài)形成于基底絕緣層12上的覆蓋絕緣層14。金屬支承基板ll如圖l所示，與電路基板io的外形形狀對應(yīng)地形成。基底絕緣層12形成為使金屬支承基板11的周端邊緣露出、而與布線部2 和萬向支架3處的導(dǎo)體圖案13形成的位置對應(yīng)。導(dǎo)體圖案13如圖1所示，連續(xù)地包括形成一體的外部側(cè)連接端子部16A、 磁頭側(cè)連接端子部16B、以及用于連接這些外部側(cè)連接端子部16A及磁頭側(cè) 連接端子部16B的信號布線15。各信號布線15沿帶電路的懸掛基板1的長邊方向設(shè)置多根(4根)，在寬 度方向上相互隔開間隔并排配置。多根信號布線15由第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布 線15d形成，這些第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布線15d自寬度方向的一側(cè)起向?qū)挾确较虻牧硪粋?cè)依次配置。更具體地說，第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c和第四布線15d 在布線部2處相互并排延伸地形成。在萬向支架3處，第一布線15a及第二布 線15b(第一對布線15e)沿著寬度方向一側(cè)的外伸支架部7配置，第三布線 15c及第四布線15d(第二對布線15f)沿著寬度方向另一側(cè)的外伸支架部7配 置。第一布線15a、第二布線15b、第三布線15c及第四布線15d(第一對布線 15e及第二對布線15f)到達(dá)外伸支架部7的前端部后，向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)延伸， 進(jìn)一步向后側(cè)折回，到達(dá)端子形成部9而配置。外部側(cè)連接端子部16A配置于布線部2的后側(cè)部，設(shè)置多個(gè)(4個(gè))，以分 別連接各信號布線15的后端部。此外，該外部側(cè)連接端子部16A在寬度方向 上隔開間隔配置。在該外部側(cè)連接端子部16A上連接有未圖示的外部電路基板(例如讀寫基板等)的未圖示的端子部。磁頭側(cè)連接端子部16B配置于萬向支架3，更具體而言，配置于舌部5 的端子形成部9。磁頭側(cè)連接端子部16B設(shè)置多個(gè)(4個(gè))，以分別連接各信號 布線15的前端部。此外，該磁頭側(cè)連接端子部16B在寬度方向上隔開間隔配 置。該磁頭側(cè)連接端子部16B上連接有磁頭25的未圖示的端子部。覆蓋絕緣層14遍及布線部2及萬向支架3而配置，如圖4及圖5所示，與形成信號布線15的位置對應(yīng)地配置于基底絕緣層12上。此外，覆蓋絕緣層 14形成為使外部側(cè)連接端子部16A及磁頭側(cè)連接端子部16B露出，并覆蓋信 號布線15。
光輔助部17如圖1所示，是為了將帶電路的懸掛基板l用于光輔助法而 設(shè)置的，包括光波導(dǎo)20和發(fā)光元件18。
光波導(dǎo)20遍及布線部2及萬向支架3、與信號布線15隔開間隔配置。具 體而言，光波導(dǎo)20配置成沿長邊方向的俯視近似直線的形狀，以與第一對 布線15e和第二對布線15f并行地延伸的形態(tài)配置于它們之間、即第二布線 15b和第三布線15c之間(中間)。
此外，光波導(dǎo)20配置成從布線部2的前端部垂直地橫跨狹縫4，然后， 在通過第一底座31和第二底座32之間后，光波導(dǎo)20的前端面19面對出射開 口部6。由此，光波導(dǎo)20配置成在其長邊方向途中通過滑塊24(圖5)的下側(cè)。
此外，在光波導(dǎo)20的長邊方向途中，如圖2、圖8及圖9所示，分別設(shè)置 由卡定部27卡定的被卡定部35。
被卡定部35與第一卡定部28、第三卡定部41和第二卡定部29對應(yīng)地由 第一被卡定部36、第三被卡定部42和第二被卡定部37形成。
第一被卡定部36、第三被卡定部42和第二被卡定部37分別形成為由第 一卡定部28的2個(gè)突部、第三卡定部41的2個(gè)突部和第二卡定部29的2個(gè)突部 卡定。
艮口，第一被卡定部36與第一卡定部28的2個(gè)突部對應(yīng)地形成為由光波導(dǎo) 20的寬度方向兩外側(cè)端面向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)凹陷成俯視近似半圓形狀而成的 2個(gè)凹部。第一被卡定部36的2個(gè)凹部在寬度方向上相對配置。
此外，第三被卡定部42與第三卡定部41的2個(gè)突部對應(yīng)地形成為由光波 導(dǎo)20的寬度方向兩外側(cè)端面向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)凹陷成俯視近似半圓形狀而成 的2個(gè)凹部。第三被卡定部42的2個(gè)凹部在寬度方向上相對配置。
此外，第二被卡定部37與第二卡定部29的2個(gè)突部對應(yīng)地形成為由光波 導(dǎo)20的寬度方向兩外側(cè)端面向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)凹陷成俯視近似半圓形狀而成 的2個(gè)凹部。第二被卡定部37的2個(gè)凹部在寬度方向上相對配置。
此外，在被卡定部35處，與電路基板10上的狹縫4的前后方向兩側(cè)端緣
11的2個(gè)卡定部27(第一卡定部28和第二卡定部29)對應(yīng)的2個(gè)被卡定部35之間 的直線長度L1設(shè)定為比2個(gè)卡定部27(第一卡定部28和第二卡定部29)之間 的直線長度L2要長。具體而言，第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的 長邊方向長度L1設(shè)定為比第一卡定部28和第二卡定部29之間的長邊方向長 度L2要長。
將第一卡定部28和第二卡定部29之間的長度(沿前后方向直線配置時(shí) 的長度)L2設(shè)為100X時(shí)，第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的長邊方 向長度(沿前后方向直線配置時(shí)的長度)L1例如為101X以上，較好為105% 以上，更好為110%以上，通常為200%以下。具體而言，第一被卡定部36 和第二被卡定部37之間的長邊方向長度L1例如為1 u m以上，較好為5 u m以 上，更好為10um以上，通常為3000ym以下。
另外，如果第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的長度L1不到上述 范圍，則后述的光波導(dǎo)20的松弛程度過小，可能無法因基于萬向支架3的彎 折產(chǎn)生的張力的作用而充分地伸長，可能無法防止光波導(dǎo)20的損傷和斷線。 此外，如果第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的長度L1超過上述范圍， 則光波導(dǎo)20的第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的部分可能會過度地
彎曲成銳角，可能無法減少光信號的損耗。
此外，第一被卡定部36和第三被卡定部42之間的長邊方向長度L4、和 與它們對應(yīng)的第一卡定部28和第三卡定部41之間的長邊方向長度L5相同。
然后，由于第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的長度L1、比第一 卡定部28和第二卡定部29之間的長度L2要長，因此光波導(dǎo)20如圖3及圖9(c) 所示，在狹縫4處松弛。
具體而言，對于第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的光波導(dǎo)20， 如果由長邊方向上的長度比其短的第一卡定部28和第二卡定部29將第一被 卡定部36和第二被卡定部37卡定，則對于第一被卡定部36和第二被卡定部 37，由于第一卡定部28和第二卡定部29的卡定，第一被卡定部36和第二被 卡定部37的前后方向兩側(cè)的伸長被限制。
詳細(xì)地說，對于第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的光波導(dǎo)20， 如果第一被卡定部36和第二被卡定部37被第一卡定部28和第二卡定部29卡定，則由第一卡定部28來限制第一被卡定部36向其前側(cè)的伸長，由第二卡 定部29來限制第二被卡定部37向其后側(cè)的伸長。
因此，在光波導(dǎo)20中的第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的部分 形成松弛。
此外，第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的光波導(dǎo)20向厚度方向 上側(cè)松弛，在不形成拐角的情況下彎成彎曲狀。
另外，由于第一被卡定部36和第三被卡定部42之間的長度L4、與第一 卡定部28和第三卡定部41之間的長度L5相同，因此被它們卡定的第一被卡 定部36和第三被卡定部42之間的光波導(dǎo)20不松弛，形成直線狀。
此外，光波導(dǎo)20如圖1所示，與發(fā)光元件18光學(xué)連接。即，光波導(dǎo)20 形成為其后端與發(fā)光元件18連接，并且其前端面對出射開口部6。
發(fā)光元件18是用于使光入射到光波導(dǎo)20的光源，例如是將電能轉(zhuǎn)換為 光能、并發(fā)射出高能光的光源。該發(fā)光元件18配置于電路基板10的后端側(cè)， 更具體而言，配置于布線部2的后端側(cè)，在第二布線15b和第三布線15c之間 與它們隔開間隔配置。
此外，如圖3所示，光波導(dǎo)20形成為使其前端面(前端部的端面)19例如 與前后方向以規(guī)定的角度(傾斜角)a交叉。由此，因?yàn)楣獠▽?dǎo)20形成為使 其前端面19成為具有傾斜角a的反射面，所以入射到光波導(dǎo)20的光通過前 端面19以規(guī)定的角度改變光路，之后向未圖示的硬盤的所要的位置散射照 射。該傾斜角a無特別限定，例如為35 55，較好為40 50，更具體的是 45。 °
在該光輔助部17中，在發(fā)光元件18處，從未圖示的外部電路基板提供的電 能被轉(zhuǎn)換為光能，該光出射至光波導(dǎo)20。出射的光通過光波導(dǎo)20，在前端面 19被反射，照射至未圖示的硬盤。
此外，光波導(dǎo)20如圖4及圖5所示，包括下包層21;形成于下包層21 上的芯層22;以及以覆蓋芯層22的形態(tài)形成于下包層21上的上包層23。
上包層23形成為其寬度方向兩外側(cè)端緣、與下包層21的寬度方向兩外 側(cè)端緣在俯視下為同一位置。
此外，在光波導(dǎo)20中，如圖2及圖8所示，由下包層21和上包層23形成被卡定部35。即，芯層22在寬度方向上與被卡定部35的寬度方向兩外側(cè)端
面隔開間隔配置。
接著，參照圖6 圖9，對帶電路的懸掛基板l的制造方法進(jìn)行說明。 首先，在本方法中，如圖6(a) 圖6(e)及圖7(a) 圖7(d)所示，準(zhǔn)備
電路基板IO。
為了準(zhǔn)備電路基板IO，首先，如圖6(a)及圖7(a)所示，準(zhǔn)備金屬支承基板 11。作為形成金屬支承基板ll的金屬材料，例如可使用不銹鋼、42合金等， 優(yōu)選使用不銹鋼。金屬支承基板ll的厚度例如為10 30"m，較好的是15 25 y m。
接著，如圖6(b)及圖7(b)所示，同時(shí)形成基底絕緣層12和底座基底絕 緣層33。
作為形成基底絕緣層12和底座基底絕緣層33的絕緣材料，例如可以使用 聚酰亞胺、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氯 乙烯等合成樹脂。其中，優(yōu)選使用感光性的合成樹脂，更優(yōu)選使用感光性聚 酰亞胺。
為了形成基底絕緣層12和底座基底絕緣層33，在金屬支承基板ll的表面， 例如涂布感光性的合成樹脂，干燥后，以形成基底絕緣層12和底座基底絕緣層 33的圖案進(jìn)行曝光及顯影，根據(jù)需要使其固化。
此外，關(guān)于基底絕緣層12和底座基底絕緣層33的形成，也可以是在金 屬支承基板ll的表面均勻涂布上述合成樹脂的溶液，然后干燥，接著根據(jù) 需要通過加熱使其固化，然后利用蝕刻等形成上述圖案。
關(guān)于基底絕緣層12和底座基底絕緣層33的形成，還可以是例如將合成 樹脂預(yù)先形成為上述圖案的薄膜，將該薄膜通過公知的粘接劑層粘貼于金 屬支承基板ll的表面。
由此形成的基底絕緣層12和底座基底絕緣層33的厚度例如為l 20u m， 較好為8 15um。
接著，如圖6(c)及圖7(c)所示，同時(shí)形成導(dǎo)體圖案13、底座導(dǎo)體層34 和卡定導(dǎo)體層26。
作為形成導(dǎo)體圖案13、底座導(dǎo)體層34和卡定導(dǎo)體層26的導(dǎo)體材料，例如可以使用銅、鎳、金、錫、焊錫、或它們的合金等導(dǎo)體材料，優(yōu)選使用銅。
為了形成導(dǎo)體圖案13、底座導(dǎo)體層34和卡定導(dǎo)體層26，例如可以使用加成 法、減成法等公知的圖案形成法，優(yōu)選使用加成法。
在加成法中，具體而言，首先，在包含基底絕緣層12和底座基底絕緣層33 的金屬支承基板ll的表面通過濺射法等形成導(dǎo)體種膜。接著，在該導(dǎo)體種膜 的表面，將抗鍍層形成為導(dǎo)體圖案13、底座導(dǎo)體部34和卡定導(dǎo)體層26的相 反圖案。然后，通過電鍍在從抗鍍層露出的基底絕緣層12的導(dǎo)體種膜的表 面和底座基底絕緣層33的導(dǎo)體種膜的表面分別形成導(dǎo)體圖案13、底座導(dǎo)體 層34和卡定導(dǎo)體層26。然后，去除抗鍍層及層疊有該抗鍍層的部分的導(dǎo)體 種膜。
由此形成的導(dǎo)體圖案13、底座導(dǎo)體層34和卡定導(dǎo)體層26的厚度例如為3 50um，較好為5 25nm。
由此，底座30的厚度T1被設(shè)定為與光波導(dǎo)20的厚度相同或在其之上， 以允許將光波導(dǎo)20配置成使光波導(dǎo)20和滑塊24在厚度方向上重疊。具體而 言，底座基底絕緣層33的厚度和底座導(dǎo)體層34的厚度的總厚度Tl例如為4n m以上，較好為13um以上，更好為18um以上，通常為60um以下。如果底 座30的厚度T1不到上述范圍，則可能會無法允許配置光波導(dǎo)20。
由此，如圖6(c)所示，可形成由卡定導(dǎo)體層26形成的卡定部27。
接著，如圖6(d)和圖7(d)所示，在基底絕緣層12上以上述圖案形成覆 蓋絕緣層14。形成覆蓋絕緣層14的絕緣材料可以舉出有與基底絕緣層12的
絕緣材料相同的材料。
為了形成覆蓋絕緣層14，在包含導(dǎo)體層13的基底絕緣層12的表面，例如涂
布感光性的合成樹脂，干燥后，以上述圖案進(jìn)行曝光及顯影，根據(jù)需要使其固 化。
此外，關(guān)于基底絕緣層14的形成，也可以是在包含導(dǎo)體圖案13的基底 絕緣層12的表面均勻地涂布上述合成樹脂的溶液，然后干燥，接著根據(jù)需 要通過加熱使其固化，然后通過蝕刻等形成上述圖案。
關(guān)于基底絕緣層14的形成，還可以是例如將合成樹脂預(yù)先形成為上述 圖案的薄膜，將該薄膜通過公知的粘接劑層粘貼在包含導(dǎo)體圖案13的基底
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絕緣層12的表面。
由此形成的覆蓋絕緣層14的厚度例如為2 25 u m，較好為3 10 w m。 然后，如圖7(d)的虛線所示，根據(jù)需要在磁頭側(cè)連接端子部16B及外部
側(cè)連接端子部16A和底座導(dǎo)體層34的表面形成金屬鍍層38。金屬鍍層38例如
由金或鎳通過電鍍或化學(xué)鍍形成。金屬鍍層38的厚度例如為0.5 5ixm，較
好為O. 5 3u m。
接著，在本方法中，如圖2、圖3及圖7(e)所示，在金屬支承基板ll上 形成狹縫4和出射開口部6，并且對金屬支承基板ll進(jìn)行外形加工，由此得 到電路基板IO。由此，同時(shí)形成布線部2、和具有舌部5(包括裝載部8和端 子形成部9的舌部5)及外伸支架部7的萬向支架3。
作為狹縫4及出射開口部6的形成，例如可以使用放電、激光、機(jī)械沖裁、 蝕刻等。優(yōu)選使用蝕刻(濕法蝕刻)。此外，在濕法蝕刻中，例如使用氯化 鐵水溶液等酸性水溶液作為蝕刻液。
由此，可準(zhǔn)備形成有狹縫4、包括布線部2、和具有舌部5及外部支架部 7的萬向支架3的電路基板10。
此外，在本方法中，如圖6(e)及圖7(f)的虛線所示，準(zhǔn)備光波導(dǎo)20。
為了準(zhǔn)備光波導(dǎo)20，在未圖示的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)片材等脫模 片材上依次層疊下包層21、芯層22及上包層23。然后，將光波導(dǎo)20從脫模 片材剝下。
為了依次層疊下包層21、芯層22及上包層23，首先在脫模片材上形成 下包層21。
作為形成下包層21的材料，可使用例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、 有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂(脂環(huán)式環(huán)氧樹脂等)、丙烯酸樹脂、或芴衍生物樹 脂、以及芴衍生物樹脂與脂環(huán)式環(huán)氧樹脂的混合樹脂、這些樹脂與脂環(huán)式 醚化合物(例如氧雜環(huán)丁垸化合物等)的混合樹脂。這些樹脂較好的是與感 光劑混合，作為感光性樹脂使用。優(yōu)選使用感光性芴衍生物樹脂(以感光性 芴類環(huán)氧樹脂為原料)和脂環(huán)式環(huán)氧樹脂的混合樹脂。另外，作為感光劑， 使用例如公知的鏃鹽等，更具體的是使用4，4-雙[二(e羥基乙氧基)苯基硫 鈸]苯硫醚一雙一六氟銻酸鹽等。
16為了以形成有被卡定部35的圖案形成下包層21，例如使用公知的稀釋劑 調(diào)制上述樹脂的清漆(樹脂溶液)，將該清漆涂布在脫模片材的表面后，進(jìn)行干 燥，根據(jù)需要使其固化。此外，使用感光性樹脂的情況下，在涂布清漆及進(jìn) 行干燥后，通過光掩膜進(jìn)行曝光，利用公知的有機(jī)溶劑等使未曝光的部分 溶解，從而顯影，然后根據(jù)需要使其固化。
由此形成的下包層21的折射率例如為1.45 1.55。另外，下包層21的 厚度例如為l 50u m,較好為5 10ix m，寬度例如為5 200 u m，較好為10 100 ii m。
接著，在下包層21上形成芯層22。
作為形成芯層22的材料，使用折射率高于下包層21的樹脂材料的樹脂 材料。作為這種樹脂材料，使用例如與上述相同的樹脂，優(yōu)選使用感光性 芴衍生物樹脂(以感光性芴類環(huán)氧樹脂為原料)和氧雜環(huán)丁垸化合物的混合 樹脂。
為了以上述圖案形成芯層22，例如，使用公知的稀釋劑調(diào)制上述的樹脂 的清漆(樹脂溶液)，將該清漆涂布在包含下包層21的脫模片材的表面后，進(jìn)行 干燥，根據(jù)需要使其固化。此外，使用感光性樹脂的情況下，在涂布清漆及 進(jìn)行干燥后，通過光掩膜進(jìn)行曝光，利用公知的有機(jī)溶劑等使未曝光的部 分溶解，從而顯影，然后根據(jù)需要使其固化。
通過這樣形成的芯層22的折射率設(shè)定為高于下包層21的折射率，例如是 1.55 1.65。另外，芯層22的厚度例如是l 30pm，較為理想的是2 10 u m， 寬度例如是l 30um，較為理想的是2 20um。
接下來，在下包層21上形成上包層23，以覆蓋芯層22。 作為形成上包層23的材料，使用與上述下包層21相同的樹脂材料。 為了以形成有被卡定部35的圖案形成上包層23，例如使用公知的稀釋劑 調(diào)制上述樹脂的清漆(樹脂溶液)，將該清漆涂布在包含芯層22和下包層21的脫 模片材的表面后，進(jìn)行干燥，根據(jù)需要使其固化。此外，使用感光性樹脂的 情況下，在涂布清漆及進(jìn)行干燥后，通過光掩膜進(jìn)行曝光，利用公知的有 機(jī)溶劑等使未曝光的部分溶解，從而顯影，然后根據(jù)需要使其固化。
通過這樣形成的上包層23的折射率設(shè)定為低于芯層22的折射率，例如，設(shè)定為與下包層21的折射率相同。此外，上包層23的從芯層22的表面起的厚度 例如為l 50um，較好為5 10um，寬度例如為5 200 u m,較好為10 100 U m。
由此，通過在脫模片材上依次層疊下包層21、芯層22及上包層23，可 準(zhǔn)備包括這些層的光波導(dǎo)20。
另外，光波導(dǎo)20的厚度例如為3 50um，較好為12 18um。
此外，也可以將下包層21和上包層23形成為未形成有被卡定部35的俯 視近似矩形的形狀，然后例如通過激光、機(jī)械沖裁等形成被卡定部35。
另外，光波導(dǎo)20如圖8及圖9(a)所示，形成為使第一卡定部28和第二卡 定部29之間的直線長度L2、比第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的光 波導(dǎo)20的直線長度L1要短。
接著，在本方法中，如圖9(b)及圖9(c)所示，將光波導(dǎo)20以橫跨狹縫4 的形態(tài)配置于電路基板10上。
為了配置光波導(dǎo)20， 一邊使第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的 光波導(dǎo)20松弛， 一邊使被卡定部35卡定于卡定部27。
具體而言，如圖9(a)的箭頭所示，使光波導(dǎo)20的第一被卡定部36和第 二被卡定部37在前后方向上相互接近。具體而言，使第一被卡定部36向后 側(cè)移動，并同時(shí)使第二被卡定部37向前側(cè)移動。
接著，如圖9(b)所示，隨著該光波導(dǎo)20的第一被卡定部36和第二被卡 定部37的移動，可使第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的光波導(dǎo)20松 弛。
然后，如圖9(c)所示，將光波導(dǎo)20配置于電路基板10的上表面。具 體而言，使光波導(dǎo)20的被卡定部35卡定于與之對應(yīng)的卡定部27。即，在光 波導(dǎo)20中，將第一被卡定部36卡定于第一卡定部28，且將第三被卡定部42 卡定于第三卡定部41，并同時(shí)將第二被卡定部37卡定于第二卡定部29。
此外，在光波導(dǎo)20卡定于卡定部27的同時(shí)，將光波導(dǎo)20嵌入底座30間， 即，將光波導(dǎo)20嵌入第一底座31和第二底座32之間。
接著，通過將光波導(dǎo)20卡定于卡定部27及嵌入底座30，可將光波導(dǎo)20 進(jìn)行定位。即，將光波導(dǎo)20的前端相對于出射開口部6進(jìn)行定位。g卩，被卡定部35和底座30兼用于將光波導(dǎo)20進(jìn)行定位的定位部。
另外，在配置光波導(dǎo)20時(shí)，根據(jù)需要通過粘接劑層將其配置于電路基板10的上表面。另外，粘接劑層層疊于光波導(dǎo)20中除第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的部分以外的部分，即層疊于從第一被卡定部36到前側(cè)的光波導(dǎo)20(包含第三被卡定部42)的下表面、以及從第二被卡定部37到后側(cè)的光波導(dǎo)20的下表面，將該粘接劑層層疊于電路基板10的上表面。
接著，如圖1所示，在布線部2的后側(cè)部的電路基板10上設(shè)置發(fā)光元件18，使其與光波導(dǎo)20的后端光學(xué)連接。
由此得到帶電路的懸掛基板l。
接著，對在由此得到的帶電路的懸掛基板1上裝載安裝有磁頭25的滑塊24、直到裝載至硬盤驅(qū)動器為止的概要進(jìn)行說明。
首先，如圖10所示，將所得到的帶電路的懸掛基板1的萬向支架3彎折。具體而言，沿圖2的虛線所示的彎折部40將萬向支架3進(jìn)行彎折。S卩，在彎折萬向支架3時(shí)，將萬向支架3進(jìn)行彎折，使彎折部40處的金屬支承基板11側(cè)成為突出狀。
另外，在進(jìn)行上述彎折后、或在進(jìn)行上述彎折前，將安裝有磁頭25的滑塊24裝載于裝載部8。另外，通過滑塊24的安裝，磁頭25的未圖示的端子部與磁頭側(cè)連接端子部16B電連接。
在裝載滑塊24時(shí)，將磁頭側(cè)連接端子部16B與磁頭25的端子部電連接。此外，在連接磁頭側(cè)連接端子部16B的同時(shí)，將外部側(cè)連接端子部16A(參照圖l)與讀寫基板的端子部(未圖示)電連接。
接著，將該帶電路的懸掛基板l裝載于硬盤驅(qū)動器。在裝載至硬盤驅(qū)動器時(shí)，磁頭25和與其相對旋轉(zhuǎn)的未圖示的硬盤隔開微小間隔相對配置。由此，磁頭25相對于未圖示的硬盤維持規(guī)定的角度。
由此，對于裝載有磁頭25、滑塊24、帶電路的懸掛基板l及未圖示的外部電路基板的硬盤驅(qū)動器，采用光輔助法。
而且，該帶電路的懸掛基板l中，在裝載部8裝載有供安裝磁頭25的滑塊24，通過裝載部8的彎折，磁頭25相對于未圖示的磁盤維持規(guī)定的角度。
而且此時(shí)，通過裝載部8的彎折，由于將滑塊24夾住的長邊方向兩側(cè)端緣的電路基板10在厚度方向上相互隔開間隔，所以狹縫4處的光波導(dǎo)20受到厚度方向的張力。
但是，因?yàn)楠M縫部4處的光波導(dǎo)20松弛，所以可以因該張力的施加而沿厚度方向伸長。
結(jié)果，可防止狹縫4處的光波導(dǎo)20的損傷和斷線，獲得優(yōu)良的連接可靠性，同時(shí)也可將裝載部8光滑地彎折，順利地實(shí)施光輔助法。
此外，因?yàn)楣獠▽?dǎo)20以橫跨狹縫部4的形態(tài)配置，所以無需使光波導(dǎo)20迂回，可將光波導(dǎo)20的配置簡化成近似直線形狀，可減少光信號的損耗。因此，可降低制造成本，并減少光信號的損耗。
此外，如果將第一卡定部28和第二卡定部29之間的長度L2設(shè)為比光波導(dǎo)20的第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的長度L1要短，并將第一被卡定部36和第二被卡定部37卡定于第一卡定部28和第二卡定部29，則可簡便地使光波導(dǎo)20的第一被卡定部36和第二被卡定部37之間的部分松弛。因此可簡便且確實(shí)地使光波導(dǎo)20松弛。
另外，該帶電路的懸掛基板l中，支承滑塊24的底座30允許將光波導(dǎo)20配置成與滑塊24在厚度方向上重疊。
具體而言，光波導(dǎo)20配置成沿前后方向通過第一底座31和第二底座32之間，藉此，在厚度方向上投影時(shí)，光波導(dǎo)20沿前后方向通過滑塊24。
因此，即使不使光波導(dǎo)20迂回以繞過滑塊24，也可將光波導(dǎo)20配置成與滑塊24重疊，將光波導(dǎo)20的配置簡化成近似直線形狀。
結(jié)果，可減少光波導(dǎo)20中的光信號的損耗。
此外，該帶電路的懸掛基板l中，通過底座30的定位，可簡便地將光波導(dǎo)20進(jìn)行定位。
而且，如果預(yù)先以高精度形成底座30，則能以高精度配置光波導(dǎo)20。另外，上述帶電路的懸掛基板l的制造方法的說明中，是在形成狹縫4和出射開口部6后配置光波導(dǎo)20，但例如也可以在形成狹縫4和出射開口部6前配置光波導(dǎo)20。此時(shí)，在形成狹縫4和出射開口部6的濕法蝕刻中，從保護(hù)光波導(dǎo)20的角度來看，使用弱酸性水溶液作為蝕刻液。
較好的是在形成狹縫4和出射開口部6后配置光波導(dǎo)20。如果是該工序順序，則可確實(shí)地保護(hù)光波導(dǎo)20不受蝕刻液的侵蝕。
此外，在上述說明中，是僅由卡定導(dǎo)體層26形成卡定部27，但是雖未圖示，例如也可以由選自卡定基底絕緣層、卡定導(dǎo)體層26和卡定覆蓋絕緣層的至少1層形成卡定部27(由卡定導(dǎo)體層26構(gòu)成1層的情況除外)。
此外，在上述說明中，是分別由2個(gè)突部(點(diǎn))形成第一卡定部28、第二卡定部29和第三卡定部41，并且將第一被卡定部36、第二被卡定部37和第三被卡定部42分別形成為凹部。但是，卡定部27和被卡定部35的形狀不限定于上述形狀，例如也可以如圖ll所示，將第一被卡定部36、第二被卡定部37和第三被卡定部42分別形成為由光波導(dǎo)20的寬度方向兩外側(cè)端向?qū)挾确较騼赏鈧?cè)鼓出成俯視近似半圓形狀而成的2個(gè)鼓出部。同時(shí)，也可將第一卡定部28、第二卡定部29和第三卡定部41在寬度方向上彼此相對配置，形成寬度方向內(nèi)側(cè)端面向?qū)挾确较蛲鈧?cè)凹陷而成的凹部。
此外，在上述說明中，是將卡定部27的形狀形成為俯視近似圓形的形狀，但其形狀無特別限定，例如也可以形成為俯視近似多邊形的形狀等合適的形狀。此外，被卡定部35的形狀也可以與上述卡定部27的形狀相對應(yīng)地形成。
此外，在上述說明中，是將第二卡定部29形成于狹縫4的后側(cè)端緣，但是雖未圖示，例如也可以與狹縫4的后端緣隔開間隔地形成于后側(cè)。S卩，也可以將第二卡定部29形成于布線部2(的前后方向途中)。
此外，在上述說明中，是在狹縫4的前側(cè)形成2個(gè)卡定部、即第一卡定部28和第三卡定部41，但例如也可以形成l個(gè)卡定部、即第一卡定部28和第三卡定部41中的任一個(gè)。
較好的是至少形成第一卡定部28，更好的是同時(shí)形成第一卡定部28和第三卡定部41。
如果至少形成第一卡定部28，則可以確實(shí)地使光波導(dǎo)20在狹縫4處形成松弛。此外，如果同時(shí)形成第一卡定部28和第三卡定部41，則與僅形成第一卡定部28或第二卡定部41的情況相比，可確實(shí)地將光波導(dǎo)20卡定，能以更高的精度進(jìn)行配置。
此外，在上述說明中，是在狹縫4的前側(cè)形成第一卡定部28和第三卡定部41，由此將光波導(dǎo)20卡定，但是雖未圖示，例如也可以用底座30代替第一卡定部28和第三卡定部41來卡定光波導(dǎo)20。此時(shí)，雖未圖示，但在光波導(dǎo)20的下包層21和上包層23以與底座30的俯視形狀相對應(yīng)的凹部的形態(tài)形成第四被卡定部。
或者，也可以除第一卡定部28和第三卡定部41外，還在下包層21和上包層23形成第四卡定部。由此，在狹縫4的前側(cè)，利用底座30將光波導(dǎo)20中的第四被卡定部卡定，利用第一卡定部28和第三卡定部41將光波導(dǎo)20中的第一被卡定部36和第二被卡定部37卡定。因此，能以更高的精度配置光波導(dǎo)20。
此外，在上述說明中，是在未對光波導(dǎo)20的被卡定部35進(jìn)行增強(qiáng)情況下將其卡定于卡定部27，但例如也可以如圖12和圖13所示，在被卡定部35的表面(上包層23的上表面)設(shè)置由金屬構(gòu)成的增強(qiáng)板39，增強(qiáng)被卡定部35，同時(shí)將其卡定于卡定部27。
作為形成增強(qiáng)板39的金屬，使用與金屬支承基板ll的金屬材料相同的材料。此外，在俯視下，增強(qiáng)板39分別包含第一被卡定部36、第三被卡定部42和第二被卡定部37，形成為沿寬度方向延伸的近似矩形形狀。另外，增強(qiáng)板39的形狀不限定于上述形狀，也可以形成為合適的形狀。
此外，如圖13所示，光波導(dǎo)20的厚度與底座30(底座基底絕緣層33)的厚度相同。
如果設(shè)置增強(qiáng)版39，則可更確實(shí)地使被卡定部35卡定于卡定部27，更確實(shí)地形成松弛。
此外，在上述圖2及圖4的說明中，是將被卡定部35形成為光波導(dǎo)20的凹部，但例如也可以如圖14及圖15所示，以將下包層21和上包層23的厚度方向貫通的圓孔的形態(tài)形成于下包層21和上包層23中的它們的寬度方向兩外側(cè)端面和芯層22的寬度方向兩外側(cè)端面之間(寬度方向途中)。
另外，此時(shí)也可根據(jù)需要在光波導(dǎo)20的表面(下包層21的下表面及/或上包層23的上表面)設(shè)置與光波導(dǎo)20同寬的增強(qiáng)板，在該增強(qiáng)板上的在俯視下與下包層21和上包層23的圓孔相同的位置形成將增強(qiáng)板的厚度方向貫通的增強(qiáng)圓孔。此外，還可以如圖14(以虛線表示的引出線)及圖16所示，將被卡定部35形成為從下包層21的下表面向下側(cè)突出的突起部，并同時(shí)將卡定部27與被卡定部35的突起部嵌合，形成為將金屬支承基板ll的厚度方向貫通的嵌合孔(貫通孔)。
此外，在上述說明中，是由底座基底絕緣層33和底座導(dǎo)體層34形成底座30，但是雖未圖示，例如也可以由選自底座基底絕緣層33、底座導(dǎo)體層34和底座覆蓋絕緣層的至少1層形成(由底座基底絕緣層33和底座導(dǎo)體層34構(gòu)成的2層的情況除外)。
此外，在上述說明中，是將底座30配置成與光波導(dǎo)20接觸，但例如也可以如圖17所示，將第一底座31和第二底座32配置成與光波導(dǎo)20在寬度方向上隔開間隔。
此外，在上述說明中，是將第一底座31和第二底座32形成為俯視近似矩形的形狀，但是雖未圖示，例如也可以分別形成為俯視圓形的形狀等合適的形狀。
此外，在上述說明中，是將底座30配置成在俯視下使光波導(dǎo)20通過滑塊24的下側(cè)(裝載部8)，但例如也可以如圖18所示，配置成在俯視下使光波導(dǎo)20的前端面到達(dá)滑塊24的長邊方向途中。
圖18中，底座30形成為在俯視下向后側(cè)開口的近似U字形。
此外，卡定部27僅由第一卡定部28和第二卡定部29形成，被卡定部35僅由第一被卡定部36和第二被卡定部37形成。
此外，出射開口部6形成于裝載部8的前后方向中央。此外，出射開口部6配置于在寬度方向上相對配置的底座30的寬度方向內(nèi)側(cè)，與該底座30在寬度方向上隔開間隔。
另外，上述說明提供了作為本發(fā)明舉例表示的實(shí)施方式，但這只是單純的舉例表示，并非限定性的解釋。對該技術(shù)領(lǐng)域的從業(yè)人員來說顯而易見的本發(fā)明的變形例被包含在后述的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種帶電路的懸掛基板，其特征在于，包括電路基板；以及形成于所述電路基板上的光波導(dǎo)，所述電路基板上設(shè)置有用于支承滑塊的底座，所述底座允許配置所述光波導(dǎo)，使所述光波導(dǎo)與所述滑塊在所述電路基板的厚度方向上重疊。
2. 如權(quán)利要求l所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，所述底座兼 用于將所述光波導(dǎo)進(jìn)行定位的定位部。
全文摘要
一種帶電路的懸掛基板，包括電路基板、以及形成于電路基板上的光波導(dǎo)。電路基板上設(shè)置有用于支承滑塊的底座。底座允許配置光波導(dǎo)，使光波導(dǎo)與滑塊在電路基板的厚度方向上重疊。
文檔編號G11B5/48GK101604531SQ20091014616
公開日2009年12月16日 申請日期2009年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月11日
發(fā)明者內(nèi)藤俊樹, 石井淳, 金川仁紀(jì) 申請人:日東電工株式會社