本揭露實施例涉及一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法。

背景技術：

1、對于電阻式內(nèi)存而言，可藉由比較來自于所選數(shù)據(jù)胞元的電流與一或多個參考胞元所提供的參考電流來實施讀取操作。比較結果指示出所選定數(shù)據(jù)胞元是被寫入高電阻態(tài)(可代表邏輯數(shù)據(jù)0)或低電阻態(tài)(可代表邏輯數(shù)據(jù)1)。難以避免地，數(shù)據(jù)胞元與參考胞元中可能會出現(xiàn)缺陷者。再者，不同列以及不同行的數(shù)據(jù)胞元的讀取裕度(read?margin)可能有所不同。因此，需要可靠的測試與修復方法，以確保讀取操作的精確性。

技術實現(xiàn)思路

1、本揭露的一態(tài)樣提供一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法，其中所述內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，所述內(nèi)存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元，所述數(shù)據(jù)胞元經(jīng)配置以儲存數(shù)據(jù)，所述參考胞元經(jīng)配置以產(chǎn)生用于讀取儲存于所述數(shù)據(jù)胞元中的數(shù)據(jù)的參考電流，且所述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的所述參考胞元，且以包括額外數(shù)據(jù)胞元與額外參考胞元的備用胞元行來置換所述胞元行中含有至少一缺陷參考胞元的一胞元行；以及進行局部參考電流調(diào)整，以調(diào)整所述胞元行中的至少一者的寫入有低電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量對于寫入有高電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量的比值。

2、本揭露的另一態(tài)樣提供一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法，其中所述內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，所述內(nèi)存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元，所述內(nèi)存陣列的子陣列分別連接至一感測放大器，且所述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的所述參考胞元，且以包括額外數(shù)據(jù)胞元與額外參考胞元的備用列來置換所述胞元行中含有括至少一缺陷參考胞元的一胞元行；進行感測放大器調(diào)整，以調(diào)整所述子陣列中的至少一者所對應的所述感測放大器，而調(diào)整所述子陣列中的所述至少一者內(nèi)的所述數(shù)據(jù)胞元的每一者的讀取裕度；以及進行局部參考電流調(diào)整，以調(diào)整所述胞元行的至少一者中的寫入有低電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量對于寫入有高電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量的比值。

3、本揭露的又一態(tài)樣提供一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法，其中所述內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，所述內(nèi)存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元，所述內(nèi)存陣列的子陣列分別包括多行的所述數(shù)據(jù)胞元以及兩行的所述參考胞元，且所述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的所述參考胞元，且以包括額外數(shù)據(jù)胞元與額外參考胞元的備用胞元行來置換所述胞元行中含有至少一缺陷參考胞元的一胞元行；進行局部參考電流調(diào)整，以調(diào)整所述胞元行中的至少一者的寫入有低電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量對于寫入有高電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量的比值；以及操作列修復，以測試各子陣列中的所述數(shù)據(jù)胞元，且以備用子陣列中的額外數(shù)據(jù)胞元置換所述子陣列中含有至少一缺陷數(shù)據(jù)胞元的一子陣列。

技術特征：

1.一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法，其中所述內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，所述內(nèi)存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元，所述數(shù)據(jù)胞元經(jīng)配置以儲存數(shù)據(jù)，所述參考胞元經(jīng)配置以產(chǎn)生用于讀取儲存于所述數(shù)據(jù)胞元中的數(shù)據(jù)的參考電流，且所述方法包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中感測放大器經(jīng)配置以讀取儲存于所述數(shù)據(jù)胞元中的數(shù)據(jù)，所述內(nèi)存陣列的子陣列分別連接至所述感測放大器的一者，在各子陣列中的第一組數(shù)據(jù)胞元與第一組參考胞元經(jīng)由第一源極線而連接至所述感測放大器中的對應一者，且在各子陣列中的第二組數(shù)據(jù)胞元與第二組參考胞元經(jīng)由第二源極線而連接至所述感測放大器中的所述對應一者。

3.根據(jù)權利要求2所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中各感測放大器具有參考輸入端，各感測放大器的所述參考輸入端經(jīng)配置以接收來自于所述子陣列中的多者且并聯(lián)連接于所述參考輸入端與一共端點之間的一組參考胞元所產(chǎn)生的參考電流，所述一組參考胞元中的一部分被寫入為所述低電阻態(tài)，且所述一組參考胞元中的另一部分被寫入為所述高電阻態(tài)。

4.根據(jù)權利要求3所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中所述感測放大器的所述參考輸入端彼此相連。

5.根據(jù)權利要求2所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中在所述行修復期間測試所述參考胞元的位于所述子陣列的一者中的一者包括：

6.根據(jù)權利要求1所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中以所述備用胞元行來置換含有所述至少一缺陷參考胞元的所述胞元行包括：

7.根據(jù)權利要求1所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中所述行修復在所述局部參考電流調(diào)整之前進行。

8.根據(jù)權利要求1所述的用于測試與修復所述內(nèi)存組件的所述方法，其中調(diào)整所述胞元行中的所述至少一者的所述比值包括：

9.一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法，其中所述內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，所述內(nèi)存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元，所述內(nèi)存陣列的子陣列分別連接至一感測放大器，且所述方法包括：

10.一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法，其中所述內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，所述內(nèi)存陣列包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元，所述內(nèi)存陣列的子陣列分別包括多行的所述數(shù)據(jù)胞元以及兩行的所述參考胞元，且所述方法包括：

技術總結
本揭露提供一種用于測試與修復內(nèi)存組件的方法。內(nèi)存組件包括內(nèi)存陣列，其包括沿著胞元行與胞元列排列的數(shù)據(jù)胞元以及參考胞元。數(shù)據(jù)胞元經(jīng)配置以儲存數(shù)據(jù)，而參考胞元經(jīng)配置以產(chǎn)生用于讀取儲存于數(shù)據(jù)胞元中的數(shù)據(jù)的參考電流。上述方法包括：進行行修復，以測試各胞元行中的參考胞元，且以包括額外數(shù)據(jù)胞元與額外參考胞元的備用胞元行來置換胞元行中含有至少一缺陷參考胞元的一胞元行；以及進行局部參考電流調(diào)整，以調(diào)整胞元行中的至少一者的寫入有低電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量對于寫入有高電阻態(tài)的參考胞元數(shù)量的比值。

技術研發(fā)人員：李伯浩,李嘉富,池育德
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/14