本發(fā)明涉及一種磁盤及磁盤用基板。詳細(xì)而言，涉及一種薄壁且tir的徑向變化量小、平坦且物理錯(cuò)誤的發(fā)生得到減少的磁盤，尤其是涉及一種搭載在數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)等中的硬盤等磁盤、以及例如鋁合金基板及玻璃基板等磁盤用基板。

背景技術(shù)：

1、作為數(shù)據(jù)中心或計(jì)算機(jī)等的存儲(chǔ)裝置，多使用硬盤驅(qū)動(dòng)器(以下，有時(shí)記載為“hdd(hard?disk?drive)”)裝置。近年來，由于智能手機(jī)和智能家電的普及、物聯(lián)網(wǎng)(internetof?things,iot)的推進(jìn)、云計(jì)算的快速普及，要記錄的數(shù)據(jù)量急劇增加。這些龐大的數(shù)據(jù)經(jīng)由因特網(wǎng)而被讀寫至數(shù)據(jù)中心內(nèi)的hdd裝置。為了記錄龐大的數(shù)據(jù)量，需要hdd裝置大容量化。

2、對(duì)于hdd裝置，使用用于記錄數(shù)據(jù)的磁盤。作為用于實(shí)現(xiàn)hdd裝置的大容量化的技術(shù)，其一探討了減薄磁盤的厚度，增加在hdd裝置中搭載的張數(shù)。作為其他的技術(shù)動(dòng)向，還探討了以下技術(shù)：加大磁盤的直徑，使盤表面的數(shù)據(jù)區(qū)域盡可能接近外徑端部，由此擴(kuò)大每張磁盤的數(shù)據(jù)區(qū)域。

3、如果單純地減薄磁盤的板厚，則剛性會(huì)下降，因此，有在施加有磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)的振動(dòng)(顫振)和沖擊時(shí)，磁盤的變形變大的傾向。因此，例如在搭載了多張使用鋁合金基板和玻璃基板的薄壁的磁盤的hdd裝置中，磁盤間乃至磁盤與磁頭等部件的間隔變窄，容易發(fā)生磁盤彼此或磁盤與磁頭的接觸。結(jié)果，讀寫時(shí)容易發(fā)生錯(cuò)誤。為了減少這種hdd裝置中的物理錯(cuò)誤，進(jìn)行了幾個(gè)與磁盤的平坦化有關(guān)的探討。

4、例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開了一種為了抑制hdd磁頭碰撞(head?crash)，而對(duì)磁盤用基板的外周端部處的高度的偏差量和tir進(jìn)行規(guī)定的技術(shù)。此處，tir是表示表面的平坦程度的指標(biāo)。所謂外周端部處的tir，是指以最小二乘法求出最適地適合于基板的外周端部的主表面的平面，并沿周向測定基板的外周端部的高度時(shí)的高度比前述平面位于上方的最高點(diǎn)(p)與位于下方的最低點(diǎn)(v)之差(pv值)。在專利文獻(xiàn)2中公開了一種技術(shù)，以規(guī)定的兩點(diǎn)的半徑處的tir成為規(guī)定值以下的方式，對(duì)特定組成的玻璃基板進(jìn)行精密研磨。

5、[先前技術(shù)文獻(xiàn)]

6、(專利文獻(xiàn))

7、專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-16214號(hào)公報(bào)

8、專利文獻(xiàn)2：日本特開2011-225436號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、[發(fā)明所要解決的問題]

2、以往，是以基板整個(gè)面的平坦度、起伏、任意位置的圓周上的tir值等，對(duì)磁盤的平坦性進(jìn)行規(guī)定。例如，在專利文獻(xiàn)1及2中，也是借由沿周向測定時(shí)的tir對(duì)平坦度進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是，隨著近年來磁盤的薄壁化及大型化，顯現(xiàn)出前所未有的新問題。在單純地減薄板厚，例如制成0.60mm以下的情況下，在施加有磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)的振動(dòng)(顫振)或沖擊時(shí)，磁盤的變形會(huì)變大，由此，磁盤的物理錯(cuò)誤的發(fā)生頻率變高。另外，在評(píng)價(jià)磁盤時(shí)，有時(shí)無法明確地判定讀寫錯(cuò)誤是否在容許范圍內(nèi)。專利文獻(xiàn)1及2中作為探討對(duì)象的基板的尺寸為：外徑相對(duì)小為例如2.5英寸(約65mm)以下，厚度也超過0.635mm。因此，僅對(duì)外周端部的tir等進(jìn)行規(guī)定便能夠避免物理錯(cuò)誤，但在薄壁的大型磁盤中，作為避免錯(cuò)誤的對(duì)策，僅此是不夠的。

3、另外，在近年的hdd裝置中，hdd動(dòng)作時(shí)的磁盤與磁頭間的距離不斷變短。例如，厚度為約0.60mm以下的薄的磁盤的情況下，有時(shí)，在主表面上浮現(xiàn)/移動(dòng)著進(jìn)行讀寫的磁頭會(huì)由于主表面的形狀的變動(dòng)而變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致讀寫錯(cuò)誤等動(dòng)作錯(cuò)誤。因此，在基板與磁頭間距離短的hdd用基板中，還必須考慮到主表面的形狀，而不僅僅是外周端部。尤其，如果從主表面上的半徑徑向中心附近到最外周部的區(qū)域不平坦，在hdd動(dòng)作時(shí)容易發(fā)生錯(cuò)誤。

4、本發(fā)明的目的在于，提供一種磁盤及磁盤用基板，為薄壁且平坦，不易發(fā)生物理錯(cuò)誤，能夠應(yīng)對(duì)硬盤的高容量化。

5、[解決問題的技術(shù)手段]

6、本發(fā)明人進(jìn)行了積極探討，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，借由在磁盤的特定區(qū)域內(nèi)的多個(gè)同心圓上測定各自的tir，并將這些tir的徑向變化量設(shè)為規(guī)定的值以下，即使是厚度尺寸為0.60mm以下的薄的磁盤，也不易發(fā)生物理錯(cuò)誤，能夠應(yīng)對(duì)硬盤的高容量化；從而完成了本發(fā)明。

7、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的要點(diǎn)構(gòu)成如下所述。

8、(1)一種磁盤，在中心部具有孔，并且，

9、厚度尺寸為0.60mm以下，

10、將前述磁盤的半徑設(shè)為r(mm)，

11、將從前述磁盤的中心起測定的前述磁盤的半徑方向距離設(shè)為r(mm)，

12、將在r/r為0.70以上且0.99以下的前述磁盤的外周側(cè)區(qū)域，

13、在前述磁盤的不同的半徑方向距離r1(mm)及r2(mm)的圓周上分別測定時(shí)的tir設(shè)為tir1(μm)及tir2(μm)時(shí)，

14、前述tir1與前述tir2之差(tir1－tir2)相對(duì)于前述磁盤的半徑方向距離r1與前述磁盤的半徑方向距離r2之差(r1－r2)的比的絕對(duì)值|(tir1－tir2)/(r1－r2)|所表示的tir的徑向變化量δtir為0.50μm/mm以下。

15、(2)根據(jù)上述(1)所述的磁盤，其中，平坦度pv為20.0μm以下。

16、(3)根據(jù)上述(1)或(2)所述的磁盤，其中，外徑尺寸為95mm以上。

17、(4)一種基板，用于上述(1)至(3)中任一項(xiàng)所述的磁盤。

18、(5)一種磁盤的制造方法，其是上述(1)至(3)中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，

19、前述磁盤由鋁合金基板制造，

20、前述磁盤的制造方法具有對(duì)前述鋁合金基板進(jìn)行研削的研削加工工序，

21、前述研削加工工序在加壓壓力為50g/cm2以上且120g/cm2以下、平臺(tái)轉(zhuǎn)速為10rpm以上且35rpm以下、冷卻液流量為1l/分鐘以上且10l/分鐘以下的條件下進(jìn)行。

22、(6)一種磁盤的制造方法，其是上述(1)至(3)中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其特征在于，

23、前述磁盤由玻璃基板制造，

24、前述磁盤的制造方法具有對(duì)前述玻璃基板進(jìn)行研削的研削加工工序，

25、前述研削加工工序在加壓壓力為100g/cm2以上且200g/cm2以下、平臺(tái)轉(zhuǎn)速為10rpm以上且35rpm以下、冷卻液流量為1l/分鐘以上且10l/分鐘以下的條件下進(jìn)行。

26、(7)根據(jù)上述(5)或(6)所述的磁盤的制造方法，其中，在前述研削加工工序中，研削量為2.5μm以上且25μm以下。

27、(8)根據(jù)上述(5)至(7)中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，在前述研削加工工序中，至少一次是將前述鋁合金基板或者前述玻璃基板的表背面反轉(zhuǎn)后繼續(xù)研削。

28、(9)根據(jù)上述(5)至(8)中任一項(xiàng)所述的磁盤的制造方法，其中，在前述研削加工工序后，還進(jìn)行對(duì)前述鋁合金基板或者前述玻璃基板進(jìn)行研磨的研磨工序，在前述研磨工序中，至少一次是將前述鋁合金基板或者前述玻璃基板的表背面反轉(zhuǎn)后繼續(xù)研磨。

29、(發(fā)明的效果)

30、根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種磁盤，厚度尺寸為0.60mm以下而薄壁，且δtir為0.50μm/mm以下而極為平坦，故而不易發(fā)生與鄰接的盤的碰撞。因此，本發(fā)明的磁盤能夠在hdd裝置中搭載多張，從而可以應(yīng)對(duì)硬盤的高容量化。另外，本發(fā)明的磁盤能夠大型化，例如可以將外徑尺寸設(shè)為95mm以上。而且，直至盤外周端部的極限處，均能夠用作數(shù)據(jù)區(qū)域，就這一方面而言，也能助力于硬盤的高容量化。進(jìn)而，本發(fā)明的磁盤即使搭載于磁盤與磁頭間的距離短的hdd裝置，也不易引發(fā)磁頭碰撞，不易發(fā)生hdd裝置的動(dòng)作時(shí)錯(cuò)誤。因此，本發(fā)明的磁盤尤其適宜作為搭載在數(shù)據(jù)中心或計(jì)算機(jī)等中的硬盤用的磁盤。