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      一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備的制作方法

      文檔序號:39969849發(fā)布日期:2024-11-15 14:16閱讀:14來源:國知局
      一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備的制作方法

      本技術(shù)涉及硬盤測試,具體為一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備。


      背景技術(shù):

      1、如已公開專利cn116705140a所述,固態(tài)硬盤(solidstatedisk,以下簡稱ssd)主要是由控制單元和存儲單元組成,簡單的說就是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤。目前絕大多數(shù)ssd都是以閃存芯片作為存儲介質(zhì)。隨著ssd的迅猛發(fā)展,ssd的應用場景也越來越多,應用環(huán)境也隨之變的越來越復雜,因而ssd的溫度可靠性也變的更為重要。

      2、目前大多是固態(tài)硬盤的存儲介質(zhì)是閃存,閃存的基本單元cell是一種雙層浮柵mos管,cell存儲數(shù)據(jù)的本質(zhì)是浮柵極存儲一定數(shù)量的電荷。閃存顆粒在不同的溫度下,電荷穿過絕緣層的難易程度不一樣。ssd的電阻、電容等電子元器件的電子特性也會隨著溫度的變化而變化。企業(yè)級固態(tài)硬盤的實際應用環(huán)境溫度非常復雜。溫度對固態(tài)硬盤的性能產(chǎn)生較大影響,因此驗證企業(yè)級固態(tài)硬盤的溫度可靠性變的至關(guān)重要。

      3、目前業(yè)內(nèi)沒有專門針對企業(yè)級ssd溫度可靠性的測試方法及平臺。有鑒于上述的缺陷,當前亟需設(shè)計一種企業(yè)級固態(tài)硬盤的性能測試方法及測試平臺,來滿足產(chǎn)業(yè)化的需求。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、本實用新型為克服上述情況不足,旨在提供一種能解決上述問題的技術(shù)方案。

      2、為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:

      3、一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,包括測試柜本體,測試柜本體內(nèi)設(shè)有容置腔室,容置腔室內(nèi)設(shè)有中間隔板件,中間隔板件將容置腔室分隔為相互獨立的前置腔室和后置腔室,中間隔板件上陣列開設(shè)有用以裝設(shè)測試板的測試板安裝槽;

      4、前置腔室內(nèi)設(shè)有循環(huán)箱體,循環(huán)箱體內(nèi)設(shè)有依次首尾固接的左循環(huán)擋板、上循環(huán)擋板和右循環(huán)擋板,左循環(huán)擋板、右循環(huán)擋板和上循環(huán)擋板的前、后側(cè)面分別與循環(huán)箱體的前、后內(nèi)壁固接,左循環(huán)擋板、右循環(huán)擋板的下側(cè)面分別與循環(huán)箱體的下內(nèi)壁固接,左循環(huán)擋板、右循環(huán)擋板和上循環(huán)擋板將循環(huán)箱體的內(nèi)部空間分隔為內(nèi)循環(huán)腔室和外循環(huán)通道;

      5、左循環(huán)擋板和右循環(huán)擋板上分別陣列開設(shè)有第一循環(huán)氣孔,測試柜本體上設(shè)有溫控管,上循環(huán)擋板設(shè)有溫控安裝孔,溫控管從而溫控安裝孔伸入到內(nèi)循環(huán)腔室內(nèi),上循環(huán)板上設(shè)有第二循環(huán)氣孔,第二循環(huán)氣孔內(nèi)設(shè)有向下吹風的循環(huán)風機。

      6、作為本實用新型進一步方案:循環(huán)箱體與前置腔室的內(nèi)壁之間預留有前置循環(huán)通道,循環(huán)箱體上設(shè)有與循環(huán)風機上下對位的前置風道孔。

      7、作為本實用新型進一步方案:測試柜本體的兩側(cè)分別設(shè)有與前置循環(huán)通道連通的前置左風口和前置右風口,前置左風口和前置右風口上分別設(shè)有可活動開合的安裝蓋。

      8、作為本實用新型進一步方案:后置腔室的左、右內(nèi)壁上分別裝設(shè)有送風風機組件,送風風機組件從后置腔室的上端陣列到下端設(shè)置,后置腔室的上內(nèi)壁開設(shè)有后置進風孔,后置腔室的后內(nèi)壁上開設(shè)有貫穿的出風孔,出風孔內(nèi)裝設(shè)有出風風機組件。

      9、作為本實用新型進一步方案:出風孔設(shè)于后置腔室后內(nèi)壁的下半部位。

      10、作為本實用新型進一步方案:后置腔室后內(nèi)壁的上半部位設(shè)有進風矩陣孔。

      11、作為本實用新型進一步方案:出風風機組件包括出風風扇。

      12、作為本實用新型進一步方案:送風風機組件包括送風風扇。

      13、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果如下:

      14、本實用新型通過內(nèi)循環(huán)腔室和外循環(huán)通道的相互配合,使批量化的ssd產(chǎn)品測試過程中,能夠提供穩(wěn)定的環(huán)境溫度,特別是對于企業(yè)級固態(tài)硬盤的測試,能夠提供更加精確可靠的環(huán)境溫度,使測試結(jié)果更加的準確穩(wěn)定。



      技術(shù)特征:

      1.一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于包括測試柜本體(001),測試柜本體(001)內(nèi)設(shè)有容置腔室(002),容置腔室(002)內(nèi)設(shè)有中間隔板件(003),中間隔板件(003)將容置腔室(002)分隔為相互獨立的前置腔室(100)和后置腔室(200),中間隔板件(003)上陣列開設(shè)有用以裝設(shè)測試板的測試板安裝槽(004);

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,循環(huán)箱體(110)與前置腔室(100)的內(nèi)壁之間預留有前置循環(huán)通道(170),循環(huán)箱體(110)上設(shè)有與循環(huán)風機(160)上下對位的前置風道孔(171)。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,測試柜本體(001)的兩側(cè)分別設(shè)有與前置循環(huán)通道(170)連通的前置左風口(172)和前置右風口(173),前置左風口(172)和前置右風口(173)上分別設(shè)有可活動開合的安裝蓋。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,后置腔室(200)的左、右內(nèi)壁上分別裝設(shè)有送風風機組件(210),送風風機組件(210)從后置腔室(200)的上端陣列到下端設(shè)置,后置腔室(200)的上內(nèi)壁開設(shè)有后置進風孔(220),后置腔室(200)的后內(nèi)壁上開設(shè)有貫穿的出風孔(230),出風孔(230)內(nèi)裝設(shè)有出風風機組件。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,出風孔(230)設(shè)于后置腔室(200)后內(nèi)壁的下半部位。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,后置腔室(200)后內(nèi)壁的上半部位設(shè)有進風矩陣孔(250)。

      7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,出風風機組件包括出風風扇。

      8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,其特征在于,送風風機組件(210)包括送風風扇(260)。


      技術(shù)總結(jié)
      本技術(shù)公開了一種企業(yè)級硬盤自動測試設(shè)備,涉及硬盤測試技術(shù)領(lǐng)域,包括測試柜本體,測試柜本體內(nèi)設(shè)有容置腔室,容置腔室內(nèi)設(shè)有中間隔板件,中間隔板件將容置腔室分隔為相互獨立的前置腔室和后置腔室,中間隔板件上陣列開設(shè)有用以裝設(shè)測試板的測試板安裝槽,前置腔室內(nèi)設(shè)有循環(huán)箱體,循環(huán)箱體內(nèi)設(shè)有依次首尾固接的左循環(huán)擋板、上循環(huán)擋板和右循環(huán)擋板,本技術(shù)通過內(nèi)循環(huán)腔室和外循環(huán)通道的相互配合,使批量化的SSD產(chǎn)品測試過程中,能夠提供穩(wěn)定的環(huán)境溫度,特別是對于企業(yè)級固態(tài)硬盤的測試,可以快速的實現(xiàn)溫度的穩(wěn)定性,能夠高精度控制溫度,使溫度波動小,能夠提供更加精確可靠的環(huán)境溫度,使測試結(jié)果更加的準確穩(wěn)定。

      技術(shù)研發(fā)人員:陳忠友,溫端林
      受保護的技術(shù)使用者:金士通智能科技(東莞)有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:20240401
      技術(shù)公布日:2024/11/14
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