除方法的實(shí)施W上述實(shí)施例一中FLA甜芯片的具體實(shí)施為基礎(chǔ)，結(jié)合實(shí)施例一及參考圖2， 本實(shí)例中，F(xiàn)LA甜芯片擦除方法，包括：
[0071] S化、FLA甜芯片接收擦除指令。
[0072] S2b、息空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)。
[0073] S3b、施加正高壓至存儲(chǔ)陣列的非擦除子陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極。
[0074] S4b、施加正高壓至兀余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一正低壓至兀余單元 區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極。
[00巧]S5b、施加正低壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極施加，并 施加所述正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極。
[0076] S6b、施加一負(fù)高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的柵極，并施加所 述正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的 差值W使所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)擦除。
[0077] 需要說(shuō)的是上述實(shí)現(xiàn)步驟S化至S6b的具體實(shí)施順序，并不用于限制本發(fā)明的具 體實(shí)施方式，上述步驟S化至S化可任何方式的順序進(jìn)行執(zhí)行，W及亦可W同時(shí)執(zhí)行。
[0078] 本實(shí)施例提供的FLASH芯片的擦除方法，在擦除時(shí)對(duì)非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單 元的控制柵極和源極施加正高壓，進(jìn)而使非擦除子存儲(chǔ)陣列的控制柵極、源極和阱區(qū)之間 保持一個(gè)電壓平衡。因此，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案，因非擦除子存儲(chǔ)陣列的控制柵極、源 極和阱區(qū)的電壓平衡作用下，非擦除子存儲(chǔ)陣列受擦除干擾較小，在擦除完成后無(wú)需對(duì)非 擦除子存儲(chǔ)陣列進(jìn)行過(guò)擦除修復(fù)操作。只需對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列中的非擦除區(qū)域存儲(chǔ)單元進(jìn) 行擦除后的擦除修復(fù)操作，進(jìn)而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中擦除對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)陣列進(jìn)行修復(fù)操作，提 升了擦除速度，減小了擦除的時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)。
[0079] 圖3示出的是本發(fā)明實(shí)施例H中FLA甜芯片擦除方法流程示意圖；本實(shí)施例中擦 除方法的實(shí)施W上述實(shí)施例一中FLA甜芯片的具體實(shí)施為基礎(chǔ)，結(jié)合實(shí)施例一及參考圖3， 本實(shí)施例中FLA甜芯片擦除方法，包括：
[0080] Sic、FLA甜芯片接收擦除指令。
[0081] S2c、息空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)。
[0082] S3c、施加正高壓至存儲(chǔ)陣列的非擦除子陣列中存儲(chǔ)單元的柵極和源極；
[0083] S4c、施加正高壓至兀余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一正低壓至兀余單元 區(qū)域中存儲(chǔ)單元的柵極。
[0084] S5c、施加正低壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的柵極施加，并施加 正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極。
[0085] S6c、施加一負(fù)高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的柵極，并施加正 高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；正高壓和負(fù)高壓的差值W使所述 預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)擦除。
[0086] S7c、對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域進(jìn)行擦除修復(fù)操作；擦除修復(fù)操作W修復(fù)擦 除子存儲(chǔ)陣列中非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元因擦除干擾造成的闊值電壓的變化。
[0087] 需要說(shuō)的是上述實(shí)現(xiàn)步驟S2c至S6c的具體實(shí)施順序，并不用于限制本發(fā)明的具 體實(shí)施方式，上述實(shí)現(xiàn)步驟S2c至S6c可WW任何方式的順序進(jìn)行執(zhí)行，W及亦可W同時(shí)執(zhí) 行。同時(shí)，本實(shí)施例中，S7c也可W與S2c和S6c同時(shí)執(zhí)行。
[008引本實(shí)施例提供的FLASH芯片的擦除方法，在擦除時(shí)對(duì)非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單 元的控制柵極和源極施加正高壓，進(jìn)而使非擦除子存儲(chǔ)陣列的控制柵極、源極和阱區(qū)之間 保持一個(gè)電壓平衡。因此，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案，因非擦除子存儲(chǔ)陣列的控制柵極、源 極和阱區(qū)的電壓平衡作用下，非擦除子存儲(chǔ)陣列受擦除干擾較小，在擦除完成后無(wú)需對(duì)非 擦除子存儲(chǔ)陣列進(jìn)行過(guò)擦除修復(fù)操作。只需對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列中的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元 進(jìn)行擦除后的擦除修復(fù)操作，進(jìn)而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)陣列進(jìn)行修復(fù)操作，提升 了擦除速度，減少了擦除的時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)。
[0089]W上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員 而言，本發(fā)明可W有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同 替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種FLASH芯片，其特征在于，包括： 存儲(chǔ)陣列，所述存儲(chǔ)陣列包括m個(gè)子存儲(chǔ)陣列和冗余單元區(qū)域； 所述m個(gè)子存儲(chǔ)陣列形成于同一阱區(qū)； 所述冗余單元區(qū)域形成于相鄰兩個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間；擦除時(shí)所述冗余單元區(qū)域中存儲(chǔ) 單元的漏極懸空； m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路，所述m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路分別連接于所述m個(gè)子存儲(chǔ)陣列；所述 每一子字線驅(qū)動(dòng)電路對(duì)與其相連接的子存儲(chǔ)陣列提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 位線選擇電路，所述位線選擇電路提供多根位線，連接于所述存儲(chǔ)陣列每列中子存儲(chǔ) 陣列存儲(chǔ)單元的漏極，用于選擇子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元； 其中，m為正整數(shù)，2彡m。2. 如權(quán)利要求1所述的FLASH芯片，其特征在于，所述FLASH芯片擦除時(shí)，所述FLASH 芯片配置為： 懸空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)； 施加所述正高壓至存儲(chǔ)陣列的非擦除子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極； 施加所述正高壓至冗余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一正低壓至冗余單元區(qū)域 中存儲(chǔ)單元的控制柵極； 施加所述正低壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加所述 正高壓至所述擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極； 施加一負(fù)高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加所述正 高壓至所述擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的 差值以使所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)擦除。3. 如權(quán)利要求2所述的FLASH芯片，其特征在于，當(dāng)FLASH芯片擦除完成后，執(zhí)行： 對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域進(jìn)行擦除修復(fù)操作；所述擦除修復(fù)操作以修復(fù)擦除子 存儲(chǔ)陣列中非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元因擦除干擾造成的閾值電壓的變化。4. 如權(quán)利要求1所述的FLAHS芯片，其特征在于，所述冗余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極 電連接于所述阱區(qū)。5. 如權(quán)利要求1或2所述的FLASH芯片，其特征在于，所述冗余單元區(qū)域包括一行存儲(chǔ) 單元。6. 如權(quán)利要求1或2所述的FLASH芯片，其特征在于，所述阱區(qū)為P阱。7. 如權(quán)利要求1-4任一所述的FLASH芯片，其特征在于，還包括邏輯控制單元； 所述邏輯控制單元電連接于所述m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路和所述位線選擇電路；以提供邏 輯控制。8. -種FLASH芯片擦除方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1所述的FLASH芯片，其特征在于，包括： FLASH芯片接收擦除指令； 懸空與存儲(chǔ)陣列相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)； 施加所述正高壓至存儲(chǔ)陣列的非擦除子陣列中存儲(chǔ)單元的控制柵極和源極； 施加所述正高壓至冗余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極，并施加一正低壓至冗余單元區(qū)域 中存儲(chǔ)單元的控制柵極； 施加所述正低壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加所述 正高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極； 施加一負(fù)高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的控制柵極，并施加所述正 高壓至擦除子存儲(chǔ)陣列的預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元的源極；所述正高壓和所述負(fù)高壓的差值 以使所述預(yù)擦除區(qū)域中存儲(chǔ)單元產(chǎn)生隧道效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)擦除。9.如權(quán)利要求8所述的FLASH芯片擦除方法，其特征在于，還包括： 對(duì)擦除子存儲(chǔ)陣列的非擦除區(qū)域進(jìn)行擦除修復(fù)操作；所述擦除修復(fù)操作以修復(fù)擦除子 存儲(chǔ)陣列中非擦除區(qū)域的存儲(chǔ)單元因擦除干擾造成的閾值電壓的變化。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種FLASH芯片及FLASH芯片的擦除方法。所述FLASH芯片，包括：存儲(chǔ)陣列，存儲(chǔ)陣列包括m個(gè)子存儲(chǔ)陣列和冗余單元區(qū)域；m個(gè)子存儲(chǔ)陣列形成于同一阱區(qū)；冗余單元區(qū)域形成于相鄰兩個(gè)子存儲(chǔ)陣列之間；擦除時(shí)冗余單元區(qū)域中存儲(chǔ)單元的漏極懸空；m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路，m個(gè)子字線驅(qū)動(dòng)電路分別連接于m個(gè)子存儲(chǔ)陣列；每一子字線驅(qū)動(dòng)電路對(duì)與其相連接的子存儲(chǔ)陣列提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)；位線選擇電路，位線選擇電路提供多根位線，連接于存儲(chǔ)陣列每列中子存儲(chǔ)陣列存儲(chǔ)單元的漏極，用于選擇子存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元。本發(fā)明實(shí)施例提供的FLASH芯片提高了擦除性能，減少了FLASH芯片的擦除時(shí)間，進(jìn)而提升了擦除效率。
【IPC分類(lèi)】G11C16/14
【公開(kāi)號(hào)】CN104882165
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410067925
【發(fā)明人】胡洪, 陳建梅
【申請(qǐng)人】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2014年2月27日