11包 括多個存儲單元15,多個存儲單元15又劃分為m個子存儲陣列111和多個兀余單元區(qū)域 12 ;具體的，本實施例中，當每一相鄰子存儲陣列111之間形成有一個兀余單元區(qū)域12時， 則存儲陣列11中兀余單元區(qū)域12的個數(shù)為m-1。每個存儲單元15具有控制柵極（CG)、浮 動柵極（FG)、源極（S)和漏極（D)。參考圖1，每一個子存儲陣列111包括多根字線限定的存 儲陣列11中的區(qū)域，例如子存儲陣列1，包括字線WLi至WLi限定的存儲陣列11中的區(qū)域； 每一字線限定一行存儲單元，也即是子存儲陣列1包括i行存儲單元。
[0048] 兀余單元區(qū)域12形成于相鄰兩個子存儲陣列111之間；擦除時，兀余單元區(qū)域12 中存儲單元的漏極息空，參考圖la,也即是息空。其中，兀余單元區(qū)域12是指存儲 陣列11中形成的，在通常情況下此區(qū)域中存儲單元不存儲數(shù)據(jù)。本實施例中，兀余單元區(qū) 域12起到隔離相鄰的兩個子存儲陣列111的作用，不對數(shù)據(jù)進行存儲。
[0049] m個子字線驅動電路13分別連接于所述m個子存儲陣列111，也即是子存儲陣列 1至子存儲陣列m分別配置一個子字線驅動電路13 ;每一子字線驅動電路13對與其相連接 的子存儲陣列111提供驅動信號；W提供子存儲陣列111中存儲單元在擦除、寫入或讀取時 所需的電壓信號；所述驅動信號為擦除、寫入或讀取時在存儲單元15的控制柵極施加的電 壓。
[0050] 位線選擇電路14提供多根位線化1至BL。，連接于存儲陣列11中子存儲陣列111 中存儲單元的漏極，用于選擇子存儲陣列111中存儲單元，也即是位線選擇電路14不連接 兀余單元區(qū)域12中存儲單元的漏極。在對存儲陣列11進行讀取時，通過位線選擇電路14 選取相應位置的存儲單元進行讀取。
[0051] 可選的，本實施例中，兀余單元區(qū)域12中存儲單元的源極還可W連接于阱區(qū)10， 使在對阱區(qū)10施加電壓的同時，同時將電壓施加于兀余單元區(qū)域12的源極，W進一步減少 存儲陣列11中形成線路的數(shù)量，減小面積開銷。具體的，本實施例中通過將兀余單元區(qū)域 12中的源極線化dm。至化《和阱區(qū)10的外設端點Q連接，W實現(xiàn)兀余單元區(qū)域12中存儲 單元的源極與阱區(qū)10的連接。
[0052] 可選的，本實施例中，兀余單元區(qū)域12包括一行存儲單元。參考圖la,兀余單元區(qū) 域12包括字線WL?至字線WLdmi所限定的i+1行存儲單元，當只有一行存儲單元時，亦即是 兀余單元區(qū)域12中只有一根字線所限定的存儲單元。只設置一行存儲單元作為兀余單元 區(qū)域12,在起到的隔離作用的同時，減小了存儲陣列11的面積開銷，進而極大的提升了存 儲陣列11的存儲密度。
[0053] 可選的，本實施例中，阱區(qū)為P阱。
[0054] 結合上述說明，本實施例中，當FLA甜芯片接收擦除指令進行擦除時，F(xiàn)LA甜芯片 配置為：
[00巧]息空與存儲陣列11相連接的位線，并施加一正高壓至阱區(qū)；施加所述正高壓至存 儲陣列11的非擦除子存儲陣列中存儲單元的控制柵極和源極；施加所述正高壓至兀余單 元區(qū)域12中存儲單元的源極，并施加一正低壓至兀余單元區(qū)域12中存儲單元的控制柵極； 施加所述正低壓至擦除子存儲陣列的非擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，并施加所述正高 壓至擦除子存儲陣列的非擦除區(qū)域中存儲單元的源極；施加一負高壓至擦除子存儲陣列的 預擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，并施加所述正高壓至擦除子存儲陣列的預擦除區(qū)域中 存儲單元的源極；所述正高壓和所述負高壓的差值W使所述預擦除區(qū)域中存儲單元產生隧 道效應，實現(xiàn)擦除。
[0056] 具體的，參考圖1和圖la,對存儲陣列11中子存儲陣列1中的區(qū)域Ilia進行擦除 為例。本實施例中子存儲陣列1為擦除子存儲陣列，擦除子存儲陣列中預擦除區(qū)域為Ilia。 預擦除區(qū)域Ilia為一行存儲單元，也即是一根字線限定的區(qū)域，但本實施例對預擦除區(qū)域 Ilia的大小只是示例性的示出，并不用于限制本發(fā)明。
[0057] 在擦除時，息空與存儲陣列11相連接的位線化1至BL。，并施加一正高壓Vhigh至阱 區(qū)10,具體的，通過阱區(qū)10的外設端點Q將欲施加的正高壓施加于阱區(qū)10。
[0058] 施加正高壓Vhigh至存儲陣列11的非擦除子存儲陣列，也即是子存儲陣列2至子存 儲陣列m中存儲單元的控制柵極和源極。具體的通過子字線驅動電路13在字線WLi至WLj 和WLi至WLk施加正高壓Vhigh至非擦除子存儲陣列；并同時通過源極線化1至化j和化1至 SLk施加所述正高壓Vhigh至非擦除子存儲陣列中存儲單元的源極。j、k及i的值根據(jù)對存 儲陣列的劃分為依據(jù)，可W相同或不同，本實施例中，不作具體限定。
[0059] 施加正高壓Vhigh至兀余單元區(qū)域中12存儲單元的源極，并施加一正低壓Vi。，至兀 余單元區(qū)域12中存儲單元的控制柵極。具體的，可W通過與兀余單元區(qū)域12相連接的字線 驅動電路（圖中未示出）提供所述正低壓Vi。，至字線WL?至進而施加所述正低壓Vi。， 至兀余單元區(qū)域12中存儲單元的控制柵極，并同時通過源極線化dm。至化施加所述正高 壓Vhigh至兀余單元區(qū)域中存儲單元的源極。
[0060] 施加正低壓Vi"至擦除子存儲陣列1的非擦除區(qū)域中存儲單元的控制柵極，也即 是字線札2和WLi所限定的區(qū)域，并施加所述正高壓Vhigh至擦除子存儲陣列的非擦除區(qū)域 中存儲單元的源極；具體的，可W通過與擦除子存儲陣列1相連接子字線驅動電路13提供 所述正低壓Vi。，至擦除子存儲陣列1的非擦除區(qū)域的字線WL2至WLi，進而施加所述正低壓 Vi。，至兀余單元區(qū)域12中存儲單元的控制柵極；并同時通過源極線SL2至化i施加所述正 高壓至非擦除子存儲陣列的源極。
[0061] 施加一負高壓V。。,至擦除子存儲陣列1的預擦除區(qū)域Ilia中存儲單元的控制柵 極，并施加所述正高壓Vhigh至擦除子存儲陣列1的預擦除區(qū)域111a中存儲單元的源極。具 體的，可W通過與擦除子存儲陣列相連接子字線驅動電路13提供所述負高壓V。。,至擦除子 存儲陣列1的預擦除區(qū)域Ilia的字線WLi，進而施加所述負高壓V。。,至擦除子存儲陣列1的 預擦除區(qū)域Ilia中存儲單元的控制柵極；并同時通過源極線化1施加所述正高壓Vhigh至擦 除子存儲陣列1預擦除區(qū)域111a存儲單元的源極。W此，根據(jù)所施加的正高壓Vhigh和負高 壓V。。,的差值，在擦除子存儲陣列11的預擦除區(qū)域Ilia存儲單元的源極產生隧道效應，實 現(xiàn)擦除。
[0062] 表1是本實施例中各行存儲單元所述施加的電壓值。其中，VcL代表位線、VwL代表 字線及VsL代表源極線；其中，W各行的字線代表該行存儲單元。
[0063]
[0064] 表 1
[0065] 需要說明的是本實施例中正高壓Vhigh的和負高壓V。^的差值W使存儲單元產生隧 道效應，實現(xiàn)擦除；正低壓Vi。，W使擦除子存儲陣列中非擦除區(qū)域和兀余單元區(qū)域中存儲 單元不會產生隧道效應。W及，本實施例中，上述電壓施加順序并不用于限制本發(fā)明具體的 實施方式，在具體的實施方式，可W選擇相應的施加方式。
[0066] 進一步的本實施例中，當對存儲陣列進行擦除時或擦除完成后，還執(zhí)行：對擦除子 存儲陣列的非擦除區(qū)域進行擦除修復操作；所述擦除修復操作W修復擦除子存儲陣列中非 擦除區(qū)域的存儲單元因擦除干擾造成的闊值電壓的變化。進而，通過擦除后的修復操作修 復擦除子存儲陣列中非擦除區(qū)域中存儲單元的闊值電壓。
[0067] 需要說明的是，本實施例中FLA甜芯片可W包括上述一個存儲陣列，在其它具體 實施方式中FLA甜芯片可W包括上述兩個W上的存儲陣列；W進行數(shù)據(jù)的存儲。
[0068] 本實施例提供的FLA甜芯片，在擦除時，在對擦除子存儲陣列預擦除區(qū)域施加正 高壓和負高壓進行擦除時，同時對非擦除子存儲陣列中存儲單元的控制柵極和源極施加正 高壓，進而使非擦除子存儲陣列的控制柵極、源極和阱區(qū)之間保持一個電壓平衡。因此，本 實施例提供的技術方案，因非擦除子存儲陣列的控制柵極、源極和阱區(qū)電壓處于平衡狀態(tài)， 非擦除子存儲陣列受擦除干擾影響較小，提升了FLASH芯片擦除操作的擦除的性能。因非 擦除子存儲陣列控制柵極、源極和阱區(qū)電壓處于平衡狀態(tài)，在擦除完成后也無需對非擦除 子存儲陣列進行過擦除修復操作；只需對擦除子存儲陣列中的非擦除區(qū)域中存儲單元進行 擦除后的擦除修復操作，進而相對于現(xiàn)有技術中擦除后對整個存儲陣列進行修復操作，提 升了擦除速度，減少了擦除時間的開銷。
[0069] 同時，在相鄰兩個字陣列之間使用兀余單元區(qū)域代替現(xiàn)有技術中的物理隔離，減 少了存儲陣列的面積開銷，提升了存儲陣列的存儲密度。
[0070] 圖2示出的是本發(fā)明實施例二中FLA甜芯片擦除方法流程示意圖；本實施例中擦