0000的數(shù)均分子量的聚苯乙締。
[0028] 基板處理劑（第2高分子材料）
[0029] 可W作為基板處理劑使用的材料，優(yōu)選與被覆粒子表面的保護基為相同的材料。 具體而言，基板處理劑所使用的有機物的主鏈，優(yōu)選為含有1個或多個一般的控佑占2。+1)、 雙鍵或Ξ鍵的、W聚苯乙締為首的芳香族控、聚醋、聚酸類。例如，主鏈也可W為聚醋、聚乙 締、環(huán)氧樹脂、聚氨醋、聚苯乙締和聚丙締等的高分子材料。在基板與基板處理劑的反應(yīng)中， 可W采用使用徑基使其發(fā)生水解反應(yīng)的方法、和采用硅烷偶聯(lián)劑進行的反應(yīng)等。
[0030] 分子量與保護基不同，沒有限制，但在基板表面的反應(yīng)基少的情況下，分子量低于 3000時基板表面的被覆率變差，有可能使粒子的排列惡化。因此，分子量優(yōu)選為3000W上。
[0031] 通過將基板處理劑設(shè)為與粒子的保護基相同的材料，能夠加強粒子-基板間的相 互作用，抑制在溶劑干燥時發(fā)生的開裂。 W巧溶劑
[0033] 對于使粒子分散的溶劑，優(yōu)選與上述粒子保護基的親和性高的溶劑。在采用旋轉(zhuǎn) 涂布法進行涂布的情況下，優(yōu)選沸點為150°C左右的溶劑，在采用浸潰涂布法進行涂布的情 況下，優(yōu)選沸點為80°C左右。
[0034] 例如，在使用旋轉(zhuǎn)涂布法的情況下，可使用二甲苯、環(huán)己酬、丙二醇單甲酸、乙酸下 醋、PGMEA、二乙二醇二甲酸等。另外，在使用浸潰涂布法的情況下，可使用己燒、MEK(甲基 乙基酬）、乙酸乙醋、乙二醇二甲酸、THF、環(huán)己燒、二氯乙燒等。特別是在浸潰涂布中使用的 溶劑，優(yōu)選使用ffiK和乙酸乙醋、乙二醇二甲酸等的具有鏈狀結(jié)構(gòu)的溶劑。在具有鏈狀結(jié)構(gòu) 的溶劑之中，優(yōu)選使用介電常數(shù)高的MEK。另外，也可W使用介電常數(shù)高的水，但該情況下， 需要選擇溶解于水的保護基。
[0035] 涂布方法
[0036] 要向基板涂布粒子，可使用旋轉(zhuǎn)涂布法、浸潰涂布法、ULangmuir，朗繆爾）法等。
[0037]旋轉(zhuǎn)涂布法中，向基板上滴加調(diào)整了濃度的微粒分散液，使基板旋轉(zhuǎn)使溶劑干燥。 可W利用轉(zhuǎn)速控制膜厚。
[0038] 浸潰涂布法中，向分散液浸潰基板，利用提起基板時的粘性力和分子間力使微粒 附著在基板上。另外可w通過提起的速度來控制膜厚。旋轉(zhuǎn)涂布法中，利用轉(zhuǎn)速控制膜厚 時多余的粒子涂布液被廢棄，但浸潰涂布法中，通過提起來控制膜厚時多余的粒子涂布液 會回到容器中因此廢棄部分少。
[0039]L法中，使粒子保護基的極性與溶劑的極性解離，制作粒子在表面W單層浮起的狀 態(tài)后，將浸潰了的基板提起由此能夠使微粒在基板上排列。 W40] 保持層的種類
[0041] 作為保持層可W使用Si層。Si可W是非晶型也可W是晶質(zhì)的。
[00創(chuàng)保持層的膜厚
[0043] 作為保持層的膜厚，優(yōu)選粒子尺寸的1/3W上2/3W下。例如在粒子尺寸為12nm的情況下，保持層的膜厚優(yōu)選為4nmW上8nmW下。保持部的膜厚原樣地成為支持粒子的 凹凸結(jié)構(gòu)的高度。在保持部的膜厚低于4nm的情況下，凹凸高度低，通過引起烙敷的加熱， 有可能使粒子從凹陷處脫出。另一方面，在膜厚比8nm厚的情況下，形成的粒子的凹凸高度 變低，在磁記錄層的形成后，磁性粒子間的結(jié)合變強，有SNR惡化的傾向。 W44] 烙敷方法
[0045] 粒子與基板的烙敷可W通過加熱來進行。通過微粒的烙敷在真空下進行，能夠在 低于塊狀化ulk)金屬的烙點的溫度下進行烙敷。例如，在Au的情況下，能夠通過在200°C 左右的加熱進行烙敷，在Pt的情況下能夠在400°C左右的加熱下進行烙敷。另外，通過采用 加熱進行烙敷，粒子的結(jié)晶取向受到基底的結(jié)晶取向的影響而發(fā)生再結(jié)晶，由此能夠改善 結(jié)晶取向性。 陽046] 烙敷層
[0047] 作為烙敷層，可W選擇與構(gòu)成粒子的元素?zé)o限固溶的材料。從結(jié)晶取向性的觀點 出發(fā)，優(yōu)選為具有與烙敷層材料的粒子相同晶體結(jié)構(gòu)的材料。在下述表1中表示能夠用于 粒子和烙敷層的材料的特性。對于晶格間隔，在fee的情況下示出a軸、在hep的情況下示 出C軸的值。
[0048] 表 1
[0049]
陽050] 由上述表來看，優(yōu)選在Pd、Ag、Pt、Au的群組內(nèi)，選擇粒子和烙敷層。
[0051] 其中在作為粒子選擇Au在作為烙敷層選擇Au的情況下，烙敷的溫度低因此優(yōu)異。 陽05引向保持層的埋入
[005引在粒子向保持層的埋入中，可W使用利用了HF和&02的的濕蝕亥Ij。在使用的金屬 的工作函數(shù)比作為保持層的娃的工作函數(shù)大的情況下，粒子成為催化劑從而與粒子接觸的 娃表面被氧化。氧化娃可溶于HF，因此僅粒子接觸的部分進行蝕刻，能夠?qū)⒘Ｗ勇袢氡３謱?中。HF和&02的比例根據(jù)形成保持層的娃層的密度和粒子尺寸等適當(dāng)調(diào)整。具體而言，在 埋入的蝕刻不進行的情況下，能夠使&化的比例增加。另一方面，在蝕刻圖案的形狀分散大 的情況下，能夠使&化的量減少。
[0054] 粗糖抑制層 陽化5] 在烙敷層與所述保持層之間，可W形成粗糖抑制層。
[0056] 作為粗糖抑制層，優(yōu)選為加熱時不與烙敷層和保持層反應(yīng)的材料。另外，需要為不 完全被覆烙敷層的膜厚。因此，粗糖抑制層優(yōu)選具有多個開口。另外，膜厚優(yōu)選為InmW下。 進而，優(yōu)選使用由容易條紋狀生長的材料進行膜生長的材料。具體而言，可列舉金屬材料、 碳、娃、錯等，但其中作為不與保持層和烙敷層反應(yīng)的材料優(yōu)選為碳。
[0057] 粗糖抑制層除了抑制加熱時的粗糖W外，也具有作為在保持層中埋入粒子的蝕刻 的停止層的作用。從該觀點出發(fā)也優(yōu)選為碳。
[0058] 在基板與烙敷層之間，可W選擇性地設(shè)置基底層。
[0059] 作為基底層的材料，可W使用例如化、？(1乃、化或它們的合金。通過設(shè)置基底層， 在使其烙敷時能夠使烙敷層和粒子的結(jié)晶取向性提高。 W60] W下，對于實施方式，參照附圖進行說明。 陽OW] 實施例1
[0062] 將表示實施方式設(shè)及的磁記錄介質(zhì)的制造方法一例的圖示于圖2(a)~圖2訊。
[0063] 作為基板1可W使用玻璃基板、A1系合金基板、陶瓷、碳或具有氧化表面的Si單 晶基板等。 W64] W玻璃基板（3二力；y《公司制非晶型基板MEL6、直徑2. 5英寸）為例進行 說明。作為實施例所使用的成膜裝置，可W使用DC磁控瓣射裝置（豐節(jié)yシ六本;k八公司 制C-3010)。 陽0化]如圖2 (a)所示，在玻璃基板1上制作厚度為40nm的未圖示的軟磁性層（CoZrNb) 后，作為烙敷層2制作lOnm的Au、作為保持層3制作5nm的Si層。其后，對基板1表面采 用UV洗涂機將基板表面進行親水化，在W1. 0重量％的濃度溶解有具有徑基的分子量為 5000的聚苯乙締（P巧的PGMEA溶液中浸潰10秒后，W1mm/秒的速度提起，將采用浸潰涂 布法在基板1表面形成有未圖示的PS膜的基板在170°C加熱20小時，由此使形成有烙敷層 2和保持層3的基板1表面化學(xué)吸附PS。其后，將基板浸潰于PGMEA溶液內(nèi)，進行與基板未 反應(yīng)而成為剩余