的PS的洗涂漂凈。
[0066] 在得到的基板1的保持層3上采用旋轉(zhuǎn)涂布法形成單層的粒子層4。
[0067] 在旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)中使用的溶液采用下述方法制作。粒子使用平均粒徑為lOnm的Au 粒子。Au粒子利用平均分子量5000的PS被覆，Au粒子和PS介由硫醇基形成化學(xué)鍵。其 后，使利用PS被覆了的Au粒子在丙二醇-1-甲酸乙酸醋（PGMEA)中分散，制作了濃度3重 量％的粒子溶液。在保持層3上形成粒子層4后，除去形成了的粒子層4的未圖示的PS被 覆層。PS被覆層的除去時使用了干蝕刻。作為蝕刻劑使用氧。在干蝕刻W外，利用紫外光 暴露等將被覆層除去也沒問題。
[0068] 除去了被覆層的粒子4通過外部作用、例如加熱或摩擦等而容易地凝聚，有排列 混亂的傾向。因此，進(jìn)行利用Si形成的向保持部3的埋入，W使排列不混亂。 W例將具有除去了被覆層的粒子層4的基板1在HF和&〇2的體積比為1 :3混合了的 混合溶液中浸潰約60秒后，利用純水進(jìn)行洗涂。在與粒子層4的各粒子接觸的區(qū)域的保持 層3中，通過受到第2金屬的催化劑作發(fā)生氧化反應(yīng)由此形成二氧化娃，因此通過該浸潰， 該二氧化娃被蝕刻，如圖2化）所示能夠?qū)⒘Ｗ勇袢隨i保持層中。Si保持層3的蝕刻，位于 Si保持層3基底的Au烙敷層2成為終止層，蝕刻結(jié)束。
[0070] 接著，為了提高粒子層4的各粒子與基板的密合性，將基板1在20(TC加熱20秒。 通過該工序，如圖2(C)所示，在粒子層3下部露出的Au烙敷層2與Au粒子間發(fā)生烙敷，粒 子層4和基板1形成化學(xué)鍵。確認(rèn)出與基板1結(jié)合了的粒子不會由于摩擦等而被剝離。
[0071] 其后，在得到的基板上進(jìn)行磁記錄層的形成。 陽07引首先，如圖2 (d)所示，作為結(jié)晶取向控制層5形成5nm的Ni化層后，形成3皿的Pd層（未圖示）。 陽07引進(jìn)而，如圖2(e)所示，在結(jié)晶取向控制層5上作為中間層6層疊10皿的Ru層。
[0074] 其后，如圖2訊所示，在中間層6上作為磁記錄層7層疊15皿的C〇s(jPt2。。最后， 采用CVD(化學(xué)氣相沉積）形成保護(hù)膜（未圖示），并涂布潤滑劑由此得到了實施方式設(shè)及 的圖案化介質(zhì)10。
[0075] 采用如上所述的方法制作出的圖案化介質(zhì)的平面結(jié)構(gòu)采用沈Μ進(jìn)行了觀察，CoPt 粒徑的分散為8. 0%。由該結(jié)果可知，根據(jù)實施方式，由粒子層的微細(xì)圖案可得到尺寸分散 低的磁記錄介質(zhì)。
[0076] 進(jìn)行了得到的圖案化介質(zhì)中的磁頭的浮起特性評價。將磁頭的浮起量調(diào)整為3nm 進(jìn)行了評價，能夠沒有不均地得到良好的磁頭浮起特性。
[0077] 其后，在制作出的垂直磁記錄介質(zhì)中，使用美國GUZIK公司制的讀寫分析器1632 和自旋支架S1701MP，進(jìn)行了記錄再生特性的評價。另外，記錄再生用的磁頭使用了在記錄 部具有飽和磁通密度約2T的單磁極磁頭、W及對再生元件利用巨大磁阻效應(yīng)的磁頭。在再 生信號輸出/介質(zhì)噪聲比（S/Nm)的評價中，再生信號輸出S使用線記錄密度約50kFCI的 振幅、Nm使用線記錄密度約400kFCI的平方平均值。
[007引其結(jié)果，磁盤整個面上完全沒有觀察到尖峰狀的雜音，得到了S/Nm為18. 8地運樣 良好的值。此外，對于該記錄介質(zhì)記錄線記錄密度約為lOOkFCI的信號，進(jìn)行了熱擺帶來的 輸出劣化的評價。從記錄捜查結(jié)束后的100, 000秒，定期地測定了再生輸出，再生輸出的劣 化在測定誤差的范圍內(nèi)，作為信號衰減率大致為-0地/decade。
[0079] 實施例2
[0080] 如W下那樣地使加熱溫度變化，除此W外與實施例1同樣地制作了磁記錄介質(zhì)。
[0081] 使用仿照實施例1制作出的基板，使加熱溫度變化為5〇°c、i〇(rc、2〇(rc、3〇(rc、 400°C。加熱時間分別為20秒。對制作出的樣品使用納米壓痕儀化YSITR0N公司制、 TI950Trivolndenter)，進(jìn)行膜的密合性評價，進(jìn)而使用原子力顯微鏡評價了表面的平坦 性。在納米壓痕儀中使用的壓頭的頂端徑為Ιμπι。另外，通過滑動測試儀對制作出的介質(zhì) 評價了磁頭的浮起特性。浮起特性顯示沒有不均而能夠浮起的最小浮起量。得到的結(jié)果示 于下述表2。
[0082] 表 2
[0083]
[0084] 如表2所示，可知通過將加熱溫度設(shè)為高溫，膜的密合性提高。從剝離的載重考 慮，在基板與粒子之間的烙敷在200°CW上發(fā)生。另一方面，可知膜的表面粗糖度隨著加熱 溫度的上升而惡化?？芍鶕?jù)膜的表面粗糖度，磁頭的浮起特性也會變化，在30(TCW上的 加熱溫度，浮起特性惡化。從浮起特性方面來看，優(yōu)選加熱溫度為200°CW下。 陽0財 實施例3
[0086] 為了抑制在烙敷時發(fā)生的表面粗糖，可W在烙敷層2與保持層3之間W抑制粗糖 為目的進(jìn)一步形成粗糖抑制層。實施例2中如下地將粗糖抑制層插入烙敷層2與保持層3 之間，除此W外與實施例1同樣地制作圖案化介質(zhì)。
[0087] 作為基板與實施例1同樣地使用了玻璃基板（3二力S7;1^《公司制非晶型基 板MEL6、直徑2. 5英寸）。在成膜時，使用了DC磁控瓣射裝置（豐節(jié)yシ六本；k八公司制 C-3010)。在玻璃基板上形成厚度40皿的軟磁性層（CoZrNb)后，作為烙敷層形成10皿的 Au、在其上作為粗糖抑制層形成Inm的C層，在其上作為保持層形成5nm的Si層。其后，進(jìn) 行與實施例1同樣的處理，在基板上形成了Au粒子層。通過蝕刻，進(jìn)行了PS被覆層的除去 后，使用HF與&〇2進(jìn)行向利用Si形成的保持部的埋入。通過該浸潰，僅僅與粒子接觸的Si 被蝕刻，如圖2(b)所示，能夠?qū)⒘Ｗ勇袢隨i保持層中。Si保持層的蝕刻是位于Si保持層 基底的C粗糖抑制層成為終止層，蝕刻結(jié)束。通過作為終止層使用C層，與將Au層作為終 止層的情況相比能夠穩(wěn)定檢測蝕刻的終端。 陽08引接著，為了提高粒子與基板的密合性，將基板在200°C加熱20秒。通過該工序，在 粒子下部露出的Au烙敷層與Au粒子間發(fā)生烙敷，粒子與基板形成化學(xué)鍵。確認(rèn)出與基板 結(jié)合了的粒子不會由于摩擦等而被剝離。
[0089] 其后，在得到的基板上進(jìn)行磁記錄層的形成。首先，作為結(jié)晶取向控制用形成了 5皿的Ni化層后，依次層疊3皿的Pd層（未圖示）、10皿的中間層的Ru層，其后層疊15皿 作為磁記錄層的C〇s(jPt2。。
[0090] 最后，采用CVD(化學(xué)氣相沉積）形成保護(hù)膜（未圖示），并涂布潤滑劑由此得到實 施方式設(shè)及的圖案化介質(zhì)。
[0091] 通過運樣的方法制作出的圖案化介質(zhì)的平面結(jié)構(gòu)采用SEM進(jìn)行了觀察，CoPt粒徑 的分散為6. 0%。由該結(jié)果可知，如果使用實施方式設(shè)及的方法，則由粒子層的微細(xì)圖案可 得到尺寸分散低的磁記錄介質(zhì)。 陽09引另外，進(jìn)行得到的介質(zhì)中的磁頭的浮起特性評價。將磁頭的浮起量調(diào)整為5nm進(jìn) 行了評價，能夠沒有不均地得到良好的磁頭浮起特性。與實施例1相比，通過粗糖抑制層的 插入使表面粗糖降低，因此能夠在直到更低轉(zhuǎn)速浮起磁頭，在滑動雪崩（glideavalanche)